「control Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor memory device is provided with a first non-volatile memory 14 having a first external interface and capable of recording one bit data in one memory cell; a second non-volatile memory 12 having a test terminal interface and capable of recording a plurality of data in one memory cell; and a control means 13 having a second external interface and for controlling a physical status inside the second non-volatile memory.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１外部インターフェイスを有し１つのメモリセルに１ビットのデータを記録することが可能な第１不揮発性メモリ１４と、テスト端子インターフェイスを有し１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な第２不揮発性メモリ１２と、第２外部インターフェイスを有し前記第２不揮発性メモリ内部の物理状態を制御するように構成された制御手段１３とを具備する。 - 特許庁

In order to erase data of a memory cell array 103 in which a plurality of memory cells where data can be written and erased electrically by a floating gate are arranged, there are provided a temperature detecting circuit 110 for detecting the temperature of a chip, a voltage conversion circuit 104 for varying erasure voltage supplied to the source of the memory cell, and a voltage conversion control circuit 111 for controlling the voltage conversion circuit.例文帳に追加

浮遊ゲートにより電気的にデータの書き込み、消去のできる複数のメモリセルを配列したメモリセルアレイ１０３のデータ消去を行うにあたり、チップの温度を検知する温度検知回路１１０と、メモリセルのソースに供給する消去電圧を変化させる電圧変換回路１０４と、電圧変換回路を制御する電圧変換制御回路１１１を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the high frequency oscillator, with which a reference oscillator is connected to a phase frequency detector for frequency control, having the reference oscillator, the phase frequency detector, a charge pump, a ring oscillator and a phase-locked loop circuit provided with a frequency divider, the ring oscillator is made a symmetric delay cell oscillator having two delay cell amplifiers (A1 and A2).例文帳に追加

基準発振器と、位相周波数検出器、チャージポンプ、リング発振器および分周器を備えた位相同期ループ回路とを有し、前記基準発振器は、前記位相周波数検出器に周波数制御のために接続されている形式の高周波発振器において、前記リング発振器を、２つの遅延セル増幅器（Ａ１，Ａ２）を有する対称型の遅延セル発振器にすることで解決される。 - 特許庁

A program sequence control circuit 10 makes each data contained in a data set which comprises data of a plurality of values correspond to any one of threshold voltage distribution out of above three or more threshold voltage distributions to store in the memory cell, and performs rewriting of data by shifting the threshold voltage distribution to be used for data storage in one direction when rewriting the data which is stored in the above memory cell.例文帳に追加

プログラムシーケンス制御回路１０によって、複数の値のデータで構成されたデータセットに含まれるそれぞれのデータを、前記３つ以上のしきい値電圧分布のうちの何れかのしきい値電圧分布に対応させて、前記メモリセルに記憶させる一方、前記メモリセルに記憶させたデータを書き換える際に、データの記憶に使用するしきい値電圧分布を１方向にシフトさせて、データの書き換えを行う。 - 特許庁

The equipment body 1 is provided with the internal circuit 4, a charging circuit 2 for supplying power to the internal circuit 4 while supplying a charging current Ic to the battery device 51 by utilizing the external power supply, and a charging control circuit 3 and a reference voltage circuit 5 which function as control circuits for informing the battery device 51 that the charging of the battery cell 52 is limited.例文帳に追加

機器本体１には、内部回路４と、外部電源を使用して電池装置５１に充電電流Ｉｃを供給するとともに内部回路４に電源を供給する充電回路２と、電池装置５１に対して電池セル５２の充電を制限する旨を通知する制御回路として機能する充電制御回路３及び基準電圧回路５とが設けられている。 - 特許庁

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which improves an integration degree by reducing an influence of a back bias effect of the storage device having a charge storage layer and a control gate, in which a ratio of capacities of a floating gate to a control gate is further increased without increasing an occupying area and an unevenness of cell characteristics due to a manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is equipped with: a semiconductor area; a cell transistor formed in the semiconductor area and provided with first and second diffusion layers, a charge accumulating layer and a control gate electrode; a bit line connected to the first diffusion layer; a source line connected to the second diffusion layer; and a control circuit for controlling the semiconductor area, bit line and source line.例文帳に追加

本発明の例に係る不揮発性半導体記憶装置は、半導体領域と、半導体領域内に形成され、第１及び第２拡散層、電荷蓄積層及びコントロールゲート電極を有するセルトランジスタと、第１拡散層に接続されるビット線と、第２拡散層に接続されるソース線と、半導体領域、ビット線、及び、ソース線を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

A method of controlling a transmission rate has a step in which a radio circuit control station notifies a mobile station of the guaranteed bit rate in the logic channel, and a step in which the mobile station controls the transmission rate of uplink user data without conforming to an instruction of the relative rate control channel transmitted from a cell to which the mobile station is connected.例文帳に追加

本発明に係る伝送速度制御方法は、無線回線制御局が、移動局に対して、論理チャネルにおける補償伝送速度を通知する工程と、移動局が、当該移動局が接続されているセルから送信された相対速度制御チャネルによる指示に従うことなく、上りユーザデータの伝送速度を制御する工程とを有することを要旨とする。 - 特許庁

The control device 13 detects a flow rate of the fuel gas from a current obtained from the fuel cell output and the flow rate of the material fuel 30 obtained from the flowmeter 20 and adjusts the voltage of a steam reforming water supply pump 8 so as to set a dew point at a certain value defined by the fuel gas flow rate to control the flow rate of steam reforming water 32.例文帳に追加

制御装置１３は燃料電池出力より得られた電流と流量計２０により得られた原燃料３０の流量とから燃料ガス流量を検出し、燃料ガス流量によって定めた一定の露点となるように水蒸気改質用水供給ポンプ８の電圧を増減させて、水蒸気改質用水３２の流量を制御する。 - 特許庁

Control of the refresh-control circuit 25 is switched by detection of the prescribed temperature tx0 by the temperature detecting section 12A, current consumption IDD in a low temperature region can be reduced keeping a data holding characteristic of the memory cell 26 in whole temperature range by performing refresh-operation with a short period in a high temperature region, with a long period in a low temperature region.例文帳に追加

温度検出部１２Ａによる所定温度ｔｘ０の検出によりリフレッシュ制御回路２５の制御が切り替わり、高温領域において短周期で、低温領域において長周期をリフレッシュ動作を行わせることにより、全温度範囲でのメモリセル２６のデータ保持特性を維持しながら低温領域における消費電流ＩＤＤを低減することができる。 - 特許庁

The unit cell 200 of a multi bit nonvolatile memory element comprises a plurality of channels 215 and 220 formed vertically, storage nodes 225 and 230 formed vertically on the outside of that channel, a control gate 240 surrounding the upper part of that channel and storage node and the side face of the storage node, and an insulating film 235 interposed between that channel, storage node and control gate.例文帳に追加

マルチビット不揮発性メモリ素子の単位セル２００は、垂直に形成された複数のチャンネル２１５，２２０と、そのチャンネルの外側に垂直に形成されたストレージノード２２５，２３０と、そのチャンネル及びストレージノードの上部とストレージノードの側面とを取り囲んでいる制御ゲート２４０と、そのチャンネル、ストレージノード及び制御ゲートの各間に介在された絶縁膜２３５と、を含む。 - 特許庁

At the time of in-cell re-synchronization control in a radio base station 1 for a CDMA mobile communication system, a base band resource is selected by a monitor/selection unit 142 of a control unit 14 for keeping receive quality of an upward signal, by referring each radio frame synchronization information of two base band resources A, B and information for indicating receive signal, and the upward signal is switched.例文帳に追加

ＣＤＭＡ移動通信システムの無線基地局１におけるセル内再同期制御時に、上り信号の受信品質を保つべく、２つのベースバンドリソースＡとＢの各々の無線フレーム同期情報及び受信品質を示す情報情報を参照して、制御部１４の監視／選択部１４２によりベースバンドリソースを選択し、上り信号を切替える構成とする。 - 特許庁

The time when the solder bump 10a starts to melt is detected by a displacement of a head 7 in the pressing direction, the pressing load w is constantly kept by performing load control using a load cell 4 till the solder starts to melt, and after the solder bump 10a starts to melt, the height of mounting is constantly kept by making position control using a linear scale 5.例文帳に追加

半田バンプ１０ａが溶融を開始した時点をヘッド７の押圧方向における変位で検出し、半田が溶融を開始するまではロードセル４を用いた荷重制御を行うことで押圧荷重ｗを一定に維持するとともに、半田バンプ１０ａが溶融を開始した後は、リニアスケール５を用いた位置制御を行うことで実装高さを一定に維持する。 - 特許庁

To provide a device for controlling temperature, a temperature control method, and a power supply system having the device for controlling temperature wherein a heater temperature to control progress state of chemical reaction in a fuel reforming part can be measured in high precision by a constitution which is relatively simple and inexpensive in the power supply system in which a fuel cell of fuel reforming-type is applied as a power generation means.例文帳に追加

燃料改質型の燃料電池を発電手段として適用した電源システムにおいて、燃料改質部における化学反応の進行状態を制御するヒータ温度を、比較的簡易かつ安価な構成により高精度に測定することができる温度制御装置及びその温度制御方法、並びに、該温度制御装置を備えた電源システムを提供する。 - 特許庁

Relating to a memory control device 1 provided with a word line selecting information storing section arranged between a memory cell array 9 and a row decoder 33, a column selecting information storing section 17 arranged between a column selector 39 and a column decoder 37, and a control circuit 19, each selecting information storing section 11, 17 is constituted of sift registers including a selector 23 and a flip-flop 21.例文帳に追加

メモリアレイ９とロウデコーダ３３との間に介装されたワード線選択情報記憶部１１と、カラムセレクタ３９とカラムデコーダ３７との間に介装されたカラム選択情報記憶部１７と、制御回路１９とを備えるメモリ制御装置１において、セレクタ２３とフリップフロップ２１とを含むシフトレジスタで各選択情報記憶部１１，１７を構成する。 - 特許庁

A control circuit 18a and a timing control circuit 18b select the first word line and a second word line which is different from the first word line and which shares a pair of bit lines with the first word line, and executes a refresh operation of a memory cell connected to the word lines at a second frequency which is higher than a first frequency of a clock signal supplied from the outside.例文帳に追加

制御回路１８ａ及びタイミング制御回路１８ｂは、第１のワード線とビット線対を共有する第１のワード線とは異なる第２のワード線を選択し、当該ワード線に接続されるメモリセルのリフレッシュ動作を、外部から供給されるクロック信号の第１の周波数に比べて高い第２の周波数で実行する、ことを特徴とする。 - 特許庁

This flow control device 10 is provided with: a driver circuit 12 for driving a pump or an air blower 13 provided for the stationary fuel cell system; and a PID controller 11 for finding an operation amount of the driver circuit 12 by PID control so that an actual flow rate of a fluid flowing out from the pump or the air blower 13 coincides with a target value.例文帳に追加

本発明の流量制御装置（１０）は定置用燃料電池システムに備え付けられたポンプ又はエアブロア（１３）を駆動するためのドライバ回路（１２）と、ポンプ又はエアブロア（１３）から流出する流体の実流量が目標流量に一致するようにＰＩＤ制御によってドライバ回路（１２）の操作量を求めるＰＩＤ制御器（１１）を備える。 - 特許庁

Module cases 13 have a large number of terminal opening parts, 29, 42, comprised of a inside case body 26 and an outside case body 27, secondary batteries 12 contained within the case 13, a plurality of cell control units 14 and an outer case 11 containing the case 13.例文帳に追加

多数個の端子開口部２９，４２が開口され内側ケース体２６と外側ケース体２７とからなるモジュールケース１３と、その内部に収納された二次電池１２と、複数個のセルコントロールユニット１４と、モジュールケース１３を収納する外装ケース１１とから構成される。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとが直列接続されたメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

A data register control part 4 includes a data register group, where a pixel data group of a one-line portion of the magnified/reduced image data is temporarily stored, and controls that the pixel data group is inputted/outputted to/from the data register group as the preprocessing for storing the picture data into the memory cell array.例文帳に追加

データレジスタ制御部４は、拡大／縮小後の画像データの１ライン分の画素データ群を一時的に蓄積するデータレジスタ群を含み、メモリセルアレイへの画像データの格納の前処理として当該データレジスタ群に対する画素データ群の入出力を制御する。 - 特許庁

When a fuel cell 1 stops power generation, a control unit 40 controls a shut-off valve 6 to shut off hydrogen gas supply and supplies the purge gas from a compressor 14 to a cathode, and then supplies the purge gas which purged a gas from the cathode, through a circulation pass 10 to an anode to purge a gas from the anode.例文帳に追加

燃料電池１の発電を停止する際に、コントロールユニット４０は遮断弁６を制御して水素ガスの供給を遮断するとともに、コンプレッサ１４からの掃気ガスをカソードに供給し、カソードを掃気した掃気ガスを循環路１０を介してアノードに供給してアノードを掃気する。 - 特許庁

A laminate insulating film constituted by laminating a tunnel insulating layer 11, a charge storage insulating layer 12 and a charge block insulating layer 13 in this order is provided on a semiconductor substrate 10 having a protruded curved surface, and further a control gate electrode 14 is formed to constitute the MONOS type nonvolatile memory cell.例文帳に追加

凸状曲面を有する半導体基板１０上に、トンネル絶縁層１１、電荷蓄積絶縁層１２、電荷ブロック絶縁層１３が順次積層されてなる積層絶縁膜を設け、さらに制御ゲート電極１４を形成してＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを構成する。 - 特許庁

In a portable telephone device 1, when detecting that the temperature of a battery cell 10 is less than a set temperature, a control part 12 reduces the amplification factor of a variable amplifier 16 for making the radiation level of transmission radio waves to be radiated from an antenna 8 smaller than a reference radiation level.例文帳に追加

携帯電話装置１において、制御部１２は、電池セル１０の温度が設定温度未満であることを検出すると、可変増幅器１６の増幅率を小さくすることにより、アンテナ８から放射される送信電波の放射レベルを基準放射レベルよりも減少させる。 - 特許庁

The fuel cell uses liquid containing water and alcohol as fuel and is constituted with an electrolyte membrane interposed between the anode and a cathode, and a diffusion control layer, in which the diffusion rate of alcohol is lower than that of water is installed on the upstream side in the fuel supply direction of the anode.例文帳に追加

水とアルコールを含む液体を燃料として用い、アノード極とカソード極とで電解質膜を挟んで構成される燃料電池であって、前記アノード極の燃料供給方向上流側に、アルコールの拡散速度が水の拡散速度よりも遅い拡散制御層を設ける。 - 特許庁

A control part 64 includes a means for estimating an amount of residual water in the fuel cell stack 12 by entrance-exit temperature difference between the detected entrance temperature and the exit temperature, and a means for controlling an operation state of the air compressor 14 based on the amount of the residual water estimated.例文帳に追加

制御部６４は、検出された入口温度と出口温度との間の入口出口温度差により燃料電池スタック１２内の残留水量を推定する手段と、推定された残留水量に基づいてエアコンプレッサ１４の作動状態を制御する手段と有する。 - 特許庁

A method of Secondary Cell (SCell) release during handover comprises the steps of: configuring at least one SCell by a source eNB for User Equipment (UE); and including information by the source eNB in a HandoverPreparationInformation message for a target eNB to control SCell release in the User Equipment during handover.例文帳に追加

ハンドオーバー中のセカンダリセル（SCcell）を解放する方法であって、ソースeNBによって、少なくとも１つのSCellをユーザー端末（UE）に構成設定するステップ、及び前記ソースeNBによって、HandoverPreparationInformation メッセージに情報を含み、ターゲットeNBにハンドオーバー中、ユーザー端末のSCell解放を制御させるステップを含む方法。 - 特許庁

To provide a fuel cell system with controllability of a relief valve improved so as to be able to control pressure inside a signal pressure room of a fuel gas decompression valve without being affected by pressure changes in an oxidant offgas flow channel, and enabled to downsize and save weight of the relief valve.例文帳に追加

酸化剤オフガス流路内の圧力変化に影響することなく燃料ガス減圧弁の信号圧室内の圧力を制御できるようにリリーフ弁の制御性を向上させると共に、リリーフ弁を小型化および軽量化することができる燃料電池システムを提供すること。 - 特許庁

To provide an electronic control device of a vehicle capable of preventing leakage of fuel gas and a secondary disaster caused by the leakage, by diluting residual fuel gas in a pipe between a fuel gas tank and a fuel cell, when there is risk of causing a collision of the vehicle.例文帳に追加

車両の衝突等が発生する虞のある場合に、燃料ガスタンクと燃料電池の間の配管内の残留燃料ガスを希釈することで、燃料ガスの漏洩及び前記漏洩に伴う二次災害を防止することのできる車両の電子制御装置を提供する。 - 特許庁

The interleaving access includes a clock signal having a first cycle and a second cycle for accessing the first and second memory cells respectively, wherein the second cycle enables the first local control circuit to trigger a first transition of a first read column select signal RSSL for accessing the first memory cell.例文帳に追加

インターリービングアクセスは、第一周期と第二周期を有するクロック信号を含み、それぞれ第一及び第二メモリセルにアクセスし、第二周期は、第一ローカル制御回路を有効にして、第一メモリセルにアクセスする第一読み取りカラム選択信号RSSLの第一遷移をトリガーすることを可能にする。 - 特許庁

Maximum electric power point follow-up control can be conducted by setting the half of the fixed voltage capable of being led out from voltage current characteristics of a direct methanol fuel cell (DMFC) 1 as a target value of the voltage of the DMFC and controlling so as to keep the target value.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池（ＤＭＦＣ）１の電圧電流特性から導出できる固定電圧の半分をＤＭＦＣ電圧の目標値として、前記目標値を保つよう制御することにより最大電力点追従制御を行うことができる。 - 特許庁

In a power conditioner for a fuel cell power generation system, provided with the DC-DC converter 21 and an inverter 22 that generates an AC voltage from a DC output voltage of the DC-DC converter, the DC-DC converter is structured by a phase shift control system full-bridged type DC-DC converter.例文帳に追加

ＤＣ／ＤＣコンバータ２１と、ＤＣ／ＤＣコンバータの直流出力電圧から交流電圧を発生するインバータ２２とを備えた燃料電池発電システム用パワーコンディショナにおいて、ＤＣ／ＤＣコンバータを、位相シフト制御方式フルブリッジ形のＤＣ／ＤＣコンバータにより構成する。 - 特許庁

To solve the problems in a measuring cell structure in a conventional QCM sensor device that need of position control for a reference electrode and a counter electrode which are separately provided leads to an increase in price and size, and the imbalance of the current force line carried from the counter electrode to a working electrode causes deterioration of measurement accuracy.例文帳に追加

ＱＣＭセンサデバイスによる測定セル構成は、参照電極及び対極電極を別途に設けてその位置制御が必要になり、高価で大型化を招くと共に、対極電極から作用電極に流れる電流力線が不均衡となって測定精度の低下を招く。 - 特許庁

Thereafter, when the difference between the calculated concentration measurement value calculated in starting the power generation operation of the DMFC stack 42 and the concentration measurement value stored in the storage part is larger than a certain value, the fuel cell control part 41 corrects the calculated concentration measurement value so as to set the difference smaller than the certain value.例文帳に追加

その後、燃料電池制御部４１は、ＤＭＦＣスタック４２の発電動作を開始する際に算出される濃度測定値と、記憶部に記憶しておいた濃度測定値との差が一定以上ある場合に、その差が一定未満となるように、算出された濃度測定値を補正する。 - 特許庁

The valve structure is moved by a valve control means 192 to open/close the nozzle flow path; and when each outflow hole is located at a predetermined position on a substrate, the electrode material flows out and print lines 44-2 to 5 are printed on the substrate of solar cell 41 to form the grid electrode.例文帳に追加

弁制御手段１９２により、弁構造体を移動させて、ノズル流路を開閉し、個々の流出孔が基板上の所定位置にあるときに、電極材料を流し出し、太陽電池基板４１上にプリント線４４−２〜５を印刷し、グリッド電極を形成する。 - 特許庁

In a load operation control device 8 for controlling the operation of a load 4 for executing a plurality of processings using the power supplied from a solar cell 1 or a combination battery 3, a residual capacity acquiring section 81 uses a serial resistor 6 to acquire the residual capacity of the combination battery 3.例文帳に追加

太陽電池１または組電池３から供給される電力を用いて複数の処理を実行する負荷４の動作を制御する負荷動作制御装置８において、残容量取得部８１は、直列抵抗６を用いて組電池３の残容量を取得する。 - 特許庁

The CPU 5 controls the projection light quantity of the light emitting element 1 by use of a light quantity control circuit 10 so that the output signal is within a prescribed output range according to the magnitude of the secondarily read output signal every two samplings off the output signal of each light receiving cell.例文帳に追加

ＣＰＵ５は、各受光セルの出力信号を２回サンプリングする毎に、２回目に読み出した出力信号の大きさに応じて、その出力信号が所定の出力範囲内に収まるよう光量制御回路１０を用いて発光素子１の投光光量を制御する。 - 特許庁

To provide a defect detector capable of supplying a power source to a defect detector control circuit by the power generated by using a solar cell at a defect inspection time, simultaneously with detection of deterioration of a light source, and performing efficient and accurate light source inspection.例文帳に追加

本発明は、光源の劣化を検出すると同時に、欠点検査時に太陽電池を用いて発電する電力で欠点検出器制御回路に電源を供給可能な、効率的かつ正確な光源検査が可能な欠陥検出器を提供せんとするものである。 - 特許庁

An arithmetic circuit performs operation of the flag data stored in the flag register with a first test data stored in the data register for each cycle from the input time of the first test data to the plurality of number of cycles of the clock signal, and the data control circuit 1-2 generates test data to be written in the memory cell.例文帳に追加

そして、演算回路は、第１テストデータの入力時からクロック信号の複数サイクル目まで各々のサイクル毎に、フラグレジスタに記憶されたフラグデータとデータレジスタに記憶された第１テストデータとの演算を行って、前記データ制御回路１−２がメモリセルに書き込むテストデータを発生する。 - 特許庁

A bit line corresponding to a selected memory cell is connected between write current control line of both sides of the corresponding memory block by turning on transistor switches 102, 103 in response to activation of a column selection line CSL shared between memory blocks, and a data write current flows.例文帳に追加

メモリブロック間で共有されるコラム選択線ＣＳＬの活性化に応答してトランジスタスイッチ１０２，１０３がオンすることによって、選択メモリセルに対応するビット線は、対応のメモリブロックの両側の書込電流制御線の間に接続されて、データ書込電流が流される。 - 特許庁

When the drive source is switched, the control section controls the number of rotations per unit time of a compressor and a hydrogen pump or adjusts the opening of a purge valve and the opening/closing time of the purge valve so that a substance for blocking power generation by the fuel cell is discharged to the outside (step S4).例文帳に追加

かかる切り換えを行うと、制御部は燃料電池による発電を阻害する物質を外部に排出するべく、コンプレッサや水素ポンプの単位時間当たりの回転数を制御したり、パージバルブの開度やパージバルブの開閉時間を調整する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The image processing circuit 100 includes a pixel coordinate register 214 which stores position information on each of the pixels constituting the cell, a memory 320 which stores a pixel growth order table 321 for determining the order in which the output grayscale values are found, and a control circuit 310 which performs the screen processing.例文帳に追加

画像処理回路１００には、セルを構成する各画素の位置情報を記憶する画素座標レジスタ２１４と、出力階調値を求める順番を決定するための画素成長順テーブル３２１を格納するメモリ３２０と、スクリーン処理を行う制御回路３１０と、を備える。 - 特許庁

A control circuit 6 controls the read operations so that one of data and threshold information having been completely read is output from the data latch DLX, and the other one being read is read from the memory cell array and stored into the data latches DL0-DL2.例文帳に追加

制御回路６は、データとしきい値電圧情報とのうち先に読み出し動作が終了した一方をデータラッチＤＬＸから出力するとともに、読み出し動作が終了していない他方をメモリセルアレイから読み出してデータラッチＤＬ０〜ＤＬ２に保持するよう読み出し動作を制御する。 - 特許庁

To perform control so that supply of steam does not have deficiency and degradation of catalyst activation of the reformer due to steam deficiency does not happen, even if the flow rate of the raw material fuel and steam supplied to the reformer of the fuel cell is increased and decreased corresponding to the fluctuations of the AC load.例文帳に追加

交流負荷の変動に対応して、燃料電池用の改質器へ供給する原燃料及び水蒸気の流量を増減させても、水蒸気の供給に不足が生じず、水蒸気不足による改質器の触媒活性の低下が起こらない制御を行なう。 - 特許庁

A control circuit 391 controls peripheral circuits such as a column decoder 290 so that input/output of data for testing specific operation of a plurality of memory cells included in a memory cell array 320 is performed when receiving a L level test mode signal TM and a H level test mode signal TM.例文帳に追加

制御回路３９１は、Ｌレベルのテストモード信号ＴＭおよびＨレベルのテストモード信号ＴＭを受けると、メモリセルアレイ３２０に含まれる複数のメモリセルに特殊動作をテストするためのデータの入出力を行なうようにコラムデコーダ２９０等の周辺回路を制御する。 - 特許庁