| 意味 | 例文 |
current elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
When the input terminal is switched to an Lo level, a P_D2 is turned on, and since a high voltage is still applied to the output terminal of the output element N_O5, the N1 is also turned on, and the current driving capability of the output element No5 is turned on though in a low state.例文帳に追加
入力端子をLoレベルに切替えると、P_D2はオン、N_O5の出力端子には未だ高電圧が印加されているので、N1もオンの状態となり、N_O5の電流駆動能力は低い状態ではあるが、オン状態となる。 - 特許庁
The analyzing condition sheet 100 displays an element that is an object to be analyzed in the analysis of a sample using an electronic probe and a combination of the irradiation current value of an electron beam that is the optimum condition at the time of analysis of the element and an accelerated voltage value.例文帳に追加
分析条件シート100は、電子プローブを用いた試料分析において分析対象となる元素と、当該元素の分析時に最適条件となる電子線の照射電流値及び加速電圧値の組み合わせとが表されている。 - 特許庁
A thin film semiconductor device is provided with a thin film switching element 10 which controls an electric current by a field effect and thin film resistance elements 12A and 12B which are connected in series with a terminal at least of the thin film switching element 10.例文帳に追加
薄膜半導体装置は電界効果により電流量を制御する薄膜半導体スイッチ素子10と、薄膜半導体スイッチ素子10の少なくとも一端に直列に接続される薄膜抵抗素子12A,12Bとを備える。 - 特許庁
When the output level of the light-receiving element 20 is equal to or greater than the threshold value of a comparator 23, the semiconductor switching element 7 is triggered by a trigger circuit 25 to cause the discharge current from the needle electrode 1 to flow from the bypass circuit 8 to ground to instantaneously shut off the discharge.例文帳に追加
この受光素子20の出力レベルがコンパレータ23において閾値以上のとき、半導体スイッチング素子7をトリガ回路25でトリガして針電極1からの放電電流をバイパス回路8からアースへ流し、放電が瞬時に遮断する。 - 特許庁
The wide-gap semiconductor switching element is used for the power module, the thickness of a heat dissipation sheet installed between the heat sink and the power module is made thicker than that of a heat dissipation sheet which has been used in a conventional Si-switching element, thus suppressing the leakage current.例文帳に追加
パワーモジュールに、ワイドギャップ半導体のスイッチング素子を用い、放熱板とパワーモジュールとの間に設置される放熱シートの厚さを、従来のSiスイッチング素子で使用していた放熱シートよりも厚く形成することで、漏洩電流を抑制する。 - 特許庁
The element 10 is constituted so that the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed by making a current in the in-face direction flow through the storage layer 4 to the element 10, and the information is recorded to the storage layer 4.例文帳に追加
また、上記磁気記憶素子10に対して、記憶層4にその面内方向の電流を流すことにより、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層1,3の磁化の向きを変化させて、記憶層4に情報の記録を行う。 - 特許庁
A heating element is provided on the inner surface or outer surface of the hood of the projection part and light receiving part, or the hood cover having the heating element on the inner surface is installed to the hood of the projection part and light receiving part of the existing scattering type visibility meter or current weather meter.例文帳に追加
さらに発熱体を投光部及び受光部のフードの内面または外面に設け、既設の散乱式視程計または現在天気計の投光部及び受光部のフードは発熱体を内面に有するフードカバーを装着する。 - 特許庁
The second driving transistor 4 supplies a predetermined driving current to the second organic EL element 3 even if the data is at a black level, and the driving voltage of the first driving transistor 2 is a voltage where a voltage drop in the second organic EL element 3 is reflected.例文帳に追加
第2駆動トランジスタ4は、データが黒レベルであっても、所定の駆動電流を第2有機EL素子3に供給し、前記第1駆動トランジスタ2の駆動電圧が前記第2有機EL素子3における電圧降下を反映した電圧になる。 - 特許庁
A point-symmetric through-hole 23, to the center N of the conductive plate material 20 for the antenna element, is formed at a center section in the conductive plate material 20 for the antenna element, and the orthogonal circularly polarized current path is extended along the through-hole 23.例文帳に追加
アンテナエレメント用導電性板材20における中央部に、アンテナエレメント用導電性板材20の中心Nに対し点対称な透孔23が形成され、直交する円偏波電流経路が透孔23に沿って延設されている。 - 特許庁
To improve the reliability of an element by applying a simple modification to the structure of an ohmic electrode and of a recess to make the collision of ions by a current flowing in a channel during the operation of the element hardly occur, in a compound field effect semiconductor device.例文帳に追加
化合物電界効果半導体装置に関し、オーミック電極及びリセスの構造に簡単な改変を加えることで、素子動作時にチャネルに流れる電流に依る衝突イオン化を起こり難くして素子の信頼性を向上しようとする。 - 特許庁
To provide an organic EL element that does not have leak current and crosstalk and has a drying means not giving an adverse effect to the element and is handled easily in filling, and maintains stable light-emitting characteristics for a long period.例文帳に追加
リーク電流やクロストークの発生を招くことがなく、しかも素子に悪影響を及ぼすことがないとともに封入の際の取扱が容易な乾燥手段を有し、長期にわたって安定した発光特性を維持する有機EL素子を提供する。 - 特許庁
A parallel compensation circuit 12 for generating compensation signal for compensating the delay of temperature change of the Peltier element 4 to the input of a current signal to the Peltier element 4 is branched and connected with an output part of the differential amplifying circuit 6.例文帳に追加
この差動増幅回路6の出力部には、ペルチェ素子4への電流信号の入力に対するペルチェ素子4の温度変化の遅延を補償するための補償信号を生成する並列補償回路12が分岐して接続されている。 - 特許庁
To enhance the reliability of a dipole antenna by simplifying a structure, reducing cost and enhancing accuracy of the relative position of both antenna elements in the dipole antenna, where a 1st antenna element supplying an AC current and a 2nd antenna element connected to ground are relatively placed.例文帳に追加
交流電流が給電される第1アンテナ素子と接地部に接続される第2アンテナ素子とを相対配置したダイポールアンテナで、構造を簡略化し、コストを低減させ、両アンテナ素子の相対位置の精度を高めてアンテナの信頼性を高める。 - 特許庁
The laser light source comprises a light-emitting section 10 provided with a laser element 16 emitting laser light L, depending on a current supplied through an anode electrode 17 and a cathode electrode 18, and a base 12 for supporting the laser element 16.例文帳に追加
レーザ光源装置は、アノード電極17及びカソード電極18を介して供給される電流に応じたレーザ光Lを射出するレーザ素子16、及びレーザ素子16を支持するベース12等が設けられた発光部10を備える。 - 特許庁
The driving current of the element 8 is made variable in advance with reference to an emission spectrum with which the element 7 is equipped, a prescribed emission spectrum to which a blue or yellow emission spectrum is added can be obtained, and a prescribed chromaticity can be obtained.例文帳に追加
予め白色発光素子7が有する発光スペクトルに対して、補助発光素子8の駆動電流を可変することにより、青色または黄色の発光スペクトルを付加した所定の発光スペクトルを得ることができ、所定の色度が得られる。 - 特許庁
The bypass circuit operates to speedily reduce excessive voltage on the milliwave detection element (SBD) 3 and the resistor R1 and to securely protect the milliwave detection element (SBD) 3 from destruction by excessive voltage or excessive current.例文帳に追加
バイパス回路がミリ波検波用素子(SBD)3および抵抗R1にかかった過大な電圧を速やかに低減するように動作し、ミリ波検波用素子(SBD)3を過大電圧または過大電流による破壊から確実に保護することができる。 - 特許庁
When the total charge amount in the storage capacitance element Cp becomes a charge amount, corresponding to the charge amount of a second sub-data signal SD1b, the turn-off transistor Qo is turned ON, and supply of the driving current Id to the organic EL element 11 is intercepted.例文帳に追加
そして、蓄積容量素子Cpに蓄積された総電荷量が第2副データ信号SD1bに相対した電荷量になったときに消灯トランジスタQoをオンして有機EL素子11への駆動電流Idの供給を遮断するようにした。 - 特許庁
To obtain a ceramic heater having a resistance heating element hard to be oxidized even in the case of carrying a direct current for a long period, and capable of preventing a change of a resistance, deterioration with age or the like of the resistance heating element caused by oxidation.例文帳に追加
長期間にわたって直流電流を流した場合でも、抵抗発熱体が酸化されにくく、この酸化に起因する抵抗発熱体の抵抗の変化や経時的な劣化等を防止することができるセラミックヒーターを提供する。 - 特許庁
A parallel current path (11) extends between the heater element (2) and the remaining portion (4) of the memory element and has resistivity depending on the largeness of the phase change portion (5) and smaller than that of the phase change portion (5) so that the whole resistance of the phase change memory device is adjusted.例文帳に追加
並列電流路(11)は、ヒータ素子(2)とメモリ素子の残りの部分(4)との間に延び、相変化部(5)の大きさに依存し且つ相変化部(5)よりも小さい抵抗を有し、従って、相変化メモリデバイスの全体の抵抗を調整する。 - 特許庁
The control IC 5 comprises: a main power supply output terminal 10 for supplying a main power source to the imaging element 4; and an auxiliary power supply output terminal 11 for supplying an auxiliary power source of which a current amount is smaller than that of the main power source, to the imaging element 4.例文帳に追加
制御用IC5は、撮像素子4へ主電源を供給する主電源出力端子10と、主電源より電流量の小さい補助電源を撮像素子4へ供給する補助電源出力端子11を備える。 - 特許庁
To provide a lamp fitting for a vehicle that can make current of a predetermined variation ratio flow to each of a plurality of semi-conductor light emitting element units and can turn on/off each of the plurality of semi-conductor light emitting element units.例文帳に追加
予め定められた変動比率の電流を、複数の半導体発光素子ユニットのそれぞれに流すことができると共に、複数の半導体発光素子ユニットのそれぞれを個別に点消灯することができる車両用灯具を提供する。 - 特許庁
As the operation position of the operation element moves away from the reference position, the display form of the index gradually change from the specific display form to a different display form according to the deviation of the current operation position of the operation element from the reference position.例文帳に追加
操作子の操作位置が前記基準位置から離れるに従い、操作子の現在操作位置の基準位置からのずれに応じて指標の表示態様が前記所定の表示態様とは異なる表示態様に徐々に変化される。 - 特許庁
When an infrared beam emitted by an infrared light emitting diode B1 is reflected by one finger of a driver and received by an infrared phototransistor C1, current flows to a resistance element 50 from the phototransistor C1 and a voltage is generated in the resistance element 50.例文帳に追加
赤外線発光ダイオードB1からの赤外線が運転者の指に反射されて赤外線ホトトランジスタC1に受光されると、赤外線ホトトランジスタC1から抵抗素子50に電流が流れ、抵抗素子50に電圧が発生する。 - 特許庁
When one sub light emitting element EL1 has a short-circuit defect, this is disconnected from the pixel 2 and the remaining sub light emitting element EL2 is supplied with the driving current to continue to emit light with the luminance corresponding to the video signal.例文帳に追加
一つのサブ発光素子EL1に短絡欠陥がある場合、これを画素2から切り離して、駆動電流を残りのサブ発光素子EL2に供給し、以って残りのサブ発光素子EL2で映像信号に応じた輝度の発光を維持する。 - 特許庁
When one organic EL element is short-circuited, almost all the driving currents Ids flow in the organic EL elements, and the current flow to the drawing-out pattern 509 to burn off it by heat generation, and the damaged organic EL element is automatically changed from a short-circuit sate to an open-circuit state.例文帳に追加
何れか1つの有機EL素子がショートしたとき、それに駆動電流Idsのほぼ全て流れるが、引出しパターン509を流れ発熱し焼き切れて、損傷のある有機EL素子がショートからオープンに自動的に変化する。 - 特許庁
This constant current circuit includes a temperature compensation circuit constituted of a transistor Q8 and a resistance element R2 through which currents I2 having negative temperature characteristics are made to flow in parallel with a transistor Q1, a resistance element R1 and a by-polar transistor Q6 through which currents I1 having positive temperature characteristics are made to flow.例文帳に追加
正の温度特性を有する電流I1を流すトランジスタQ1、抵抗素子R1及びバイポーラトランジスタQ6とは並列に、負の温度特性を有する電流I2を流すトランジスタQ8、抵抗素子R2からなる温度補償回路を設ける。 - 特許庁
A switching element 3 for power ON/OFF is connected in series between the DC power supply 1 and an input terminal of a voltage converting circuit 2, and this switching element 3 is maintained in OFF in the power OFF condition to cut off leak current from the DC power supply 1.例文帳に追加
直流電源1と電圧変換回路2の入力端子間にパワーオン・オフ用スイッチング素子3を直列に接続し、パワーオフ時には、このスイッチング素子3をオフ状態に保ち、直流電源1からのリーク電流を遮断する。 - 特許庁
To solve the problem of conventional vertical resonator type light emitting element with a high-resistance semiconductor for current constriction, which has large additional capacity resulting from a pn junction at the peripheral part of a light emission area and the problem of its difficulty to drive the element at a high speed.例文帳に追加
従来の高抵抗半導体を電流狭窄に用いた垂直共振器型半導体発光素子は、発光領域周辺部におけるpn接合などによる付加的な容量が大きく、素子の高速動作が困難である。 - 特許庁
The light-emitting diode element 15 is put on at low current with little heat generation and with heat generation at operation of the cutout device restrained, so that a protective circuit using a heat-sensitive element is done away with to simplify a structure of the cutout device 17.例文帳に追加
発光ダイオード素子15は、低電流で点灯し、発熱が少ないためと、カットアウト装置の動作時の発熱が抑えられ、かつ周囲から受ける熱が少ないため、感熱素子を用いた保護回路を不要とし、カットアウト装置17の構成を簡素化できる。 - 特許庁
When a gate voltage is input to a switching element Q2 at the time of preheating, a charge current flows from the gate of the switching element Q2 to a capacitor C4 via a resistor R5, a diode D3, a capacitor C5 and a resistor R6, and the capacitor C4 is charged.例文帳に追加
予熱時においてスイッチング素子Q2にゲート電圧が入力されると、スイッチング素子Q2のゲートから抵抗R5、ダイオードD3、コンデンサC5及び抵抗R6を介してコンデンサC4に充電電流が流れ、コンデンサC4が充電される。 - 特許庁
A cheap bipolar transistor, a MOS-FET or the like can be used as the switching element by providing the ON/OFF control switching element on a low potential side, i.e. on the side where a circuit current flows out in place of on the high potential side of an LED lamp circuit.例文帳に追加
オン・オフ制御スイッチ素子をLEDランプ回路の高電位側ではなく、低電位側、すなわち回路電流が流れ出てくる側に設けることによって、該スイッチ素子として、安価なバイポーラトランジスタやMOS−FETなどを用いることができる。 - 特許庁
The display device has an interrupting circuit Tr3 which is provided between a current driven type optical element OLED (organic light emitting diode) 1 and a power source Vdd and a potential changing circuit C2 for pulling down the potential of one end nearer to the power source of the optical element OLED 1.例文帳に追加
表示装置は、電流駆動型の光学素子OLED1と電源Vddとの間に設けられた遮断回路Tr3と、光学素子OLED1の電源に近い方の一端の電位を引下げる電位変動回路C2とを有する。 - 特許庁
A body 2 of this current sensor 1 is divided into a first divided case 5 and a second divided case 6, and electrically connected to a terminal 7 with a Hall element 12 in the fixed state to an element loading part 9 formed on a divided surface 8 of the first divided case 5.例文帳に追加
電流センサ1の本体2を第1分割ケース5と第2分割ケース6とに分割し、第1分割ケース5の分割面8に形成された素子搭載部9にホール素子12を固着した状態でターミナル7に電気的に接続した。 - 特許庁
When stress affected by the element separation region is considered, a distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where drop of current driving performance is to be suppressed so that drop of currentis is suppressed between a drain and a source.例文帳に追加
素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる電流駆動能力の低下を抑制すべき回路にはドレイン・ソース間電流の低下が抑制されるようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁
A current value which is charged to the element for lighting is suitably controlled from a non-scanning selection power supply (reverse bias power supply VM) transitionally at the beginning of lighting of the light emitting element according to decrease of the lighting ratio, and the shadowing is suppressed.例文帳に追加
点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源(逆バイアス電源VM)から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁
To prevent deterioration in an overwrite characteristic independently of environment conditions and variation in heads, in a magnetic disk device in which the magnetic head is projected by a write-current given to a write-element, while projection quantity is controlled by a heating element provided at the magnetic head.例文帳に追加
ライト素子に付与するライト電流で、磁気ヘッドを突き出すとともに、磁気ヘッドに設けた発熱素子で、突き出し量を制御する磁気ディスク装置において、環境条件やヘッドのばらつきによらず、オーバーライト特性の劣化を防止する。 - 特許庁
To realize a light source for simplifying a drive circuit by compressing dynamic range of a drive current for controlling an optical output of a semiconductor light emitting element and also compensating variation in an optical output resulting from self heat generation of the semiconductor light emitting element.例文帳に追加
半導体発光素子の光出力を制御する駆動電流のダイナミックレンジを圧縮してドライブ回路を簡素化すると共に、半導体発光素子の自己発熱に起因する光出力変動を補償した光源装置を実現する。 - 特許庁
To provide a current sensor which can suppress variance in performance by reducing a discontinuous error in a response of a magnetoresistance effect element without an attaching means of adjusting a direction of a magnetic field to be applied to the magnetoresistance effect element from a primary conductor.例文帳に追加
一次導体から磁気抵抗効果素子に印加する磁界の方向を調整する手段を設けずに、磁気抵抗効果素子の応答における不連続な誤差を低減でき、性能のばらつきを抑制した電流センサを提供すること。 - 特許庁
A circuit cooperation analysis simulation device executes steps of: modelling all wirings in a circuit model as one model; introducing a beam current element to a low-frequency electromagnetic field analysis; using a vector potential and a scalar potential to formulate the low-frequency electromagnetic field analysis by a finite element method; and combining the low-frequency electromagnetic field analysis with a circuit analysis.例文帳に追加
回路モデルのすべての配線を1つのモデルとしてモデル化し、低周波電磁界解析にビーム電流要素を導入して、ベクトルポテンシャルとスカラーポテンシャルを用いて有限要素法で定式化し、回路解析と連立させる。 - 特許庁
To prevent the output of a magnetoresistive element from being deteriorated when the track width is narrowed in this magnetoresistive magnetic head, where the direction of a sense current flowing in the magnetoresistive element is made nearly perpendicular, with respect to the intra-surface direction of a magnetic recording medium.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子に流れるセンス電流の方向が磁気記録媒体の面内方向に対して略垂直となる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、トラック幅を狭くした際の磁気抵抗効果素子の出力低下を防ぐ。 - 特許庁
To enable a ZnO element to be improved in withstand voltage characteristics by the use of a lead-free glass insulating material whose main components are Bi_2O_3 and B_2O_3, and to enable the ZnO element to have an improved discharge withstand current rating to excessive lightning impulses and switching impulses.例文帳に追加
Bi_2O_3とB_2O_3を主成分とする無鉛ガラス絶縁材料を用いて、ZnO素子の制限電圧特性を良好にし、過大な雷インパルス及び開閉インパルスに対しても、ZnO素子の放電耐量を増強させている。 - 特許庁
To provide a surface-emitting laser that can be operated at a low electric current, a method of manufacturing the laser, a light-receiving element that can make high-speed modulation, a method of manufacturing the element, and an optical transmission module with improved optical coupling efficiency.例文帳に追加
低電流駆動を可能とした面発光レ−ザとその製造方法、及び高速変調を可能とした受光素子とその製造方法、並びに光結合効率を向上させた光伝送モジュ−ルを提供することを課題としている。 - 特許庁
To provide: a charge-transporting polymer high in hole-transporting ability and excellent in solubility and film forming properties; a composition for an organic electroluminescent element, containing the charge-transporting polymer; and an organic electroluminescent element high in current efficiency and driving stability.例文帳に追加
正孔輸送能が高く、溶解性及び成膜性に優れる電荷輸送性ポリマーと、該電荷輸送性ポリマーを含有する有機電界発光素子用組成物、及び電流効率が高く、駆動安定性が高い有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁
A current transiently supplied from a non-scan selecting power supply (as a reverse bias power supply VM) to charge the objective element for light emission in a lighting initial stage of the light emitting element caused by decrease in the lighting rate is appropriately controlled to suppress generation of shadowing.例文帳に追加
点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源(逆バイアス電源VM)から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁
The sample analyzer stores the element that is an object to be analyzed in the analysis of a sample using an electronic probe and a combination of the irradiation current value of an electron beam that is the optimum condition at the time of analysis of the element and an accelerated voltage value.例文帳に追加
試料分析装置は、電子プローブを用いた試料分析において分析対象となる元素と、当該元素の分析時に最適条件となる電子線の照射電流値及び加速電圧値の組み合わせとが記憶されている。 - 特許庁
After an element constituting a magnetic recording and reproducing part is incorporated into a case 1, magnetic information is reproduced in a specific track of a magnetic disk medium 3 by a reproducing element 5b while gradually increasing the current supplied to the heater 5c of the magnetic head slider 5.例文帳に追加
筐体1に磁気記録再生部を構成する要素を組み込んだ後、磁気ヘッドスライダ5のヒータ5cへの通電量を徐々に増やしながら、再生素子5bにより磁気ディスク媒体3の特定のトラックにおいて磁気情報を再生する。 - 特許庁
To provide a capacity cell where a capacitive element with a wiring layer for holding an interlayer insulating film with a small leakage current as an electrode layer can be arranged according to the shape of an unused region, and to provide a semiconductor device and an arrangement method of the capacitive element.例文帳に追加
リーク電流の少ない層間絶縁膜を挟む配線層を電極層とする容量素子を、未使用領域の形状に応じて配置することが可能な容量セル、半導体装置、および容量素子の配置方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a miniaturized semiconductor device having excellent responsiveness and capable of preventing an insulated gate transistor element from being destructed due to a loss increase or an excess current in the forward operation of a diode element even when instantaneous operation or an excess input happens.例文帳に追加
応答性に優れ、瞬間的な動作や過大入力がある場合においてもダイオード素子の順方向動作時の損失増加や過剰電流による絶縁ゲートトランジスタ素子の破壊を防止できる小型の半導体装置を提供する。 - 特許庁
A light-emitting element is formed on a package body, an electrode line extended from one electrode of the light-emitting element is connected with a required electrode through a part being cut off upon the detection of a failure, and the cutting part of a semiconductor element package connected with wiring for detecting the failure is supplied with a current and heated thus cutting off that part and removing the light-emitting element.例文帳に追加
パッケージ本体上に発光素子が形成され、発光素子の一方の電極から延長される電極配線は、不良検出時に切断される切断部を介して所要の電極に接続するとともに、不良検出用の配線に接続する半導体素子パッケージの、切断部に電流を流して発熱させることで、該切断部を切断して発光素子を除去する。 - 特許庁
The initial conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is set smaller than the initial conduction angle of a first semiconductor switching element Q1 so that the current value per unit time duration, flowing to an input side capacitor C1 from an output side capacitor C2 to the second semiconductor switching element Q2 may not become below an allowed value that does not damage the second semiconductor element Q2.例文帳に追加
出力側コンデンサC2から第2の半導体スイッチング素子Q2を通して入力側コンデンサC1に流れる単位時間当たりの電流値が、第2の半導体スイッチング素子Q2を破壊することがない許容値以下になるように、第2の半導体スイッチング素子Q2の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子Q1の初期導通角よりも小さく設定する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|