「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(403ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit 12 is formed and a passivation film 16 is formed to expose at least a part of an electrode 14 connected electrically with the integrated circuit 12, a resin layer 24 formed on the passvation film 16 of the semiconductor substrate 10, and an interconnect 28 formed on the resin layer 24 from above the electrode 14 to be connected electrically therewith.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有し、電極１４の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜１６が形成されている半導体基板１０と、半導体基板１０のパッシベーション膜１６上に形成された樹脂層２４と、電極１４に電気的に接続されるように、電極１４上から樹脂層２４上に形成された配線２８と、を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.例文帳に追加

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the organic EL device having a substrate, a pair of electrodes disposed on the substrate and an organic compound layer disposed between the electrodes, and sealed with a gas barrier film having a base material film and a gas barrier layer formed on the base material film, the gas barrier film is disposed on the electrodes to position the base material film of the gas barrier film on side faces of the electrodes.例文帳に追加

基板と、該基板上に設けられた一対の電極と、該電極の間に設けられた有機化合物層とを有する有機ＥＬ素子が、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられたガスバリア層とを有するガスバリアフィルムで封止された有機ＥＬ素子を製造する方法であって、前記ガスバリアフィルムを、電極上に、該ガスバリアフィルムの基材フィルムが電極側面に位置するように設けることを特徴とするガスバリアフィルムで封止された有機ＥＬ素子を製造する方法。 - 特許庁

The device comprises a GUNN diode 11 with an anode Ohmic electrode 111 and a cathode Ohmic electrode 112 formed in a region A, the first Schottky diode 12 with a Schottky electrode 116 formed in a region B and a second Schottky diode 13 with the Schottky electrode 116 formed on a low concentration semiconductor layer 103 at the Schottky electrode and an Ohmic electrode 114 formed on a high concentration semiconductor layer 102 at the Ohmic electrode in a region C.例文帳に追加

領域Ａにおいて、アノードオーミック電極１１１とカソードオーミック電極１１２が形成されたガンダイオード１１と、領域Ｂにおいて、活性層１０７上にショットキー電極１１６が形成された第１ショットキーダイオード１２と、領域Ｃにおいて、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３上にショットキー電極１１６が形成され、オーミック電極側高濃度半導体層１０２上にオーミック電極１１４が形成された第２ショットキーダイオード１３とを備える。 - 特許庁

This belt is used for the inspection device for inspecting the inspecting object by irradiating the inspecting object with the light by placing it on a belt conveyor, and a luminous layer made of a rubber-like elastic material containing a light accumulating material exists on the side where the inspecting object of a belt body is placed.例文帳に追加

被検査物をベルトコンベアー上に載置して、前記被検査物に光を照射することにより検査を行う検査装置に用いるベルトにおいて、蓄光材を含有するゴム状弾性材製の発光層が、ベルト本体の前記被検査物が載置される側に存在する様になしたことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device having a circuit formed of a plurality of thin film transistors 100, a gate interconnect line 22 connected commonly with a plurality of thin film transistors 100 is divided and the divided gate interconnect lines 22 are connected electrically through a connection interconnect line 29 arranged on an upper layer of the gate interconnect line 22.例文帳に追加

複数の薄膜トランジスタ１００により回路が形成された半導体装置であって、複数の薄膜トランジスタ１００に共通接続されたゲート配線２２が分割されており、分割されたゲート配線２２同士が、ゲート配線２２よりも上層に配置された接続配線２９により電気的に接続されている。 - 特許庁

The phase plate is formed by stacking respectively resin birefringent layers 201 and 202 having respectively a high-molecular liquid crystal layer between contiguous glass substrates of glass substrates 101, 102 and 103 which are optically isotropic substrates and this phase plate is installed in an optical path existing among the light sources and the objective lens of the optical head device.例文帳に追加

光学的等方性基板であるガラス基板１０１、１０２および１０３の、それぞれ隣接するガラス基板間に高分子液晶層からなる樹脂製複屈折層２０１および２０２を積層して位相板を形成し、この位相板を光ヘッド装置の光源と対物レンズとの間の光路中に設置する。 - 特許庁

The density of Ge in the optical waveguide device is increased in the incident direction of an ultraviolet light beam, thus decrease in the variation of refractive index is compensated even when the intensity of the ultraviolet light beam is decreased due to an absorption by an optical waveguide layer, when the diffraction grating is manufactured by being irradiated with the ultraviolet light beam.例文帳に追加

光導波路デバイスは、Ｇｅの濃度が紫外域光の進入の方向に沿って増加しているため、紫外域光を照射して回折格子を作製するに際して、この紫外域光が光導波膜に吸収されて強度が減少しても、屈折率の変化量の減少を補い得る。 - 特許庁

To provide a light irradiating device and a light irradiating method avoiding partial non-reaction of a photo-reactive adhesive layer by filling up illuminance reduction or stop of light-emission from one of light-emitting sources in one light-emitting means including the plurality of light-emitting sources with light from another light-emitting means.例文帳に追加

複数の発光源を有する発光手段において、その一部の発光源の照度が照度したり、発光しなくなったりしても、他の発光手段からの光で補填できるようにし、光反応型の接着剤層の部分的な未反応を回避することのできる発光装置及び光照射方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of unit wafer layers 2 which are made thin while mounting semiconductor devices 3 of different function are produced and laminated while being interconnected electrically through incorporated conductive posts 11, and then an optical element device 3C is mounted on the uppermost or lowermost unit wafer layer, thus constituting an electrical-optical hybrid three-dimensional semiconductor module.例文帳に追加

異なる機能の半導体ディバイス３を実装するとともに薄型化された複数の単位ウエハ層体２を製作し、内蔵した導電ポスト１１を介して互いに電気的に接続して積層するとともに最上層若しくは最下層の単位ウエハ層体に光学素子ディバイス３Ｃを実装して構成する。 - 特許庁

The antenna 60 has a transmitting and receiving part 64 formed into a planar shape and radiates heat generated in the electronic device 30 disposed on an intermediate layer 12 formed between the base part 20 and the transmitting and receiving part 64 in addition to transmitting and receiving electric waves through the transmitting and receiving part 64.例文帳に追加

アンテナ６０は、平面状に形成された送受信部６４を有し、送受信部６４を介して電波を送受信することに加えて、ベース部２０と送受信部６４との間に形成された中間層１２に配置された電子装置３０において発生した熱を、放熱させることができる。 - 特許庁

To provide a liquid chromatography device, in which intrusion of foreign substances is prevented when a packing agent slurry is supplied to a chromatography column to form a packed layer of the packing agent, and the packing agent slurry can be smoothly introduced into the chromatograph column without using a slurry pump, and to provide a packing method of a packing agent.例文帳に追加

充填剤スラリーをクロマトカラムに供給して充填剤の充填層を形成する際の異物の混入が防止されるとともに、スラリーポンプを用いることなく、スムーズに充填剤スラリーをクロマトカラム内に導入可能な液体クロマトグラフィー装置と、充填剤の充填方法を提供する。 - 特許庁

The thin resin sealed semiconductor device is adapted such that the sides and the surface of a semiconductor chip 3 and the surface of a support substrate 1 are covered with resin 5, the back surface of the exposed semiconductor chip 3 and the resin 5 on the opposite sides are covered with a metal layer 7, and hence the semiconductor chip 3 does not expose any surface thereof.例文帳に追加

薄型の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ３の側面および表面と支持基板１表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５が金属層７で覆われ、半導体チップ３はどの面も露呈しない。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with a thin film transistor formed on a substrate, an insulating film formed on the thin film transistor and containing silicon nitride oxide, an electrode formed on the insulating film and electrically connected to the thin film transistor, and an EL layer formed on the electrode.例文帳に追加

本発明に係る電気光学装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された、窒化酸化珪素を含む絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された電極と、前記電極上に形成されたＥＬ層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, the actuator device 3 is provided with: a buffer member 16 which is prepared in the lens holder 9 to prevent the objective lens 6 from being brought contact with the optical disc D; and a photocatalyst layer 17 containing a photocatalyst substance which is prepared on the outer surface of the buffer member 16 and is activated by the laser beam.例文帳に追加

さらにアクチュエータ装置３はレンズホルダ９に設けられかつ対物レンズ６に光ディスクＤが接触することを防止する緩衝部材１６と緩衝部材１６の外表面に設けられかつレーザ光によって活性化される光触媒物質を含んだ光触媒層１７とを備えている。 - 特許庁

To obtain an adhesive which does not generate foaming of an adhesive layer or floating and peeling of a polarizing plate under high heat and humidity conditions, and relaxes the stress concentration caused by stretching or contraction of the polarizing plate and not to cause color shading and a void in a liquid crystal device.例文帳に追加

本発明は、過酷な熱あるいは湿熱条件下でも粘着剤層の発泡や偏光板の浮きハガレ等が発生せず、偏光板の伸縮等により生じる応力集中を緩和して液晶表示装置に色むら・白ぬけ現象を発生させない粘着剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the metal fuses 11 formed in the fuse region formed above the element isolation region of a semiconductor substrate, and the polysilicon wiring 16 which are located in a lower layer than the metal fuses and are arranged along the sides of the metal fuses when viewed in top view and which are hardly blown by laser light which is irradiated to bow the metal fuses.例文帳に追加

半導体基板の素子分離領域の上方に設定されるヒューズ領域に形成されたメタルヒューズ１１と、メタルヒューズより下層側で平面的に見てメタルヒューズの側方に沿って配置され、メタルヒューズをブローする際に照射されるレーザー光ではブローし難いポリシリコンからなる配線１６とを具備する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 has a pair of substrates 3, 4 which sandwich a liquid crystal layer 5, the light reflex film 22 provided on one substrate 3, an insulation film 23 provided on the light reflex film 22 and having a rugged pattern on the surface and a pixel electrode 24 provided on the insulation film 23.例文帳に追加

液晶層５を挟持する一対の基板３，４と、一方の基板３に設けられた光反射膜２２と、光反射膜２２上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた画素電極２４とを有する液晶表示装置１である。 - 特許庁

To provide a plate heating device having a favorable heat conduction from a heater and having a plate with improved heating efficiency by embedding the heater in the back face of the plate, brazing the heater to the plate back face and surely closely fitting the plate with the heater without forming a clearance (an air layer) therebetween.例文帳に追加

プレートの裏面にヒータを埋込むと共に、該ヒータとプレート裏面とをロウ付け接合することにより、プレートとヒータとが確実に密着され、隙間（空気層）が形成されないので、ヒータからの熱伝導が良好で、プレートの加熱効率の向上を図ることができるプレート加熱装置の提供を目的とする。 - 特許庁

In this blade for the image forming device constituted by bonding a blade member consisting of an elastic rubber member to one end in the width direction of a supporting plate 11, the plate 11 and the blade member 12 are bonded with a double coated adhesive tape 13 having an adhesive layer on both sides of base material consisting of plastic film.例文帳に追加

支持プレートの幅方向一端部に弾性ゴム部材からなるブレード部材を接合してなる画像形成装置用ブレードにおいて、前記支持プレート１１と前記ブレード部材１２とを、プラスチックフィルムからなる基材の両面に接着剤層を有する両面接着テープ１３によって接合する。 - 特許庁

To provide a developing device capable of suppressing variation of an amount of developer to be conveyed to a development area while suppressing the occurrence of aggregated toner on the back surface of a developer layer thickness-controlling member without providing a complicated mechanism, and to provide an image forming apparatus with the same.例文帳に追加

本発明の目的は、複雑な機構を設けることなく、現像剤層厚規制部材の裏側における凝集トナーの発生を抑制しながら、現像領域に搬送される現像剤の量が変動してしまうことを抑制可能とする現像装置及びそれを備えた画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

In the retention capacitance 1h of a liquid crystal device, a first retention capacitance 1i is composed of a first electrode 3c, a first dielectric layer 4c comprising a part superimposed with the first electrode 3c among a gate insulation film 4 and a second electrode 6c for retention capacitance comprising extension part of a drain electrode 6b.例文帳に追加

液晶装置の保持容量１ｈでは、第１の電極３ｃと、ゲート絶縁膜４のうち、第１の電極３ｃと重なる部分からなる第１の誘電体層４ｃと、ドレイン電極６ｂの延設部分からなる保持容量用の第２の電極６ｃとによって第１の保持容量１ｉが形成されている。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

The light-emitting device includes a light-emitting element, such as a blue LED chip; and a phosphor-containing resin layer containing two or more phosphors having approximate specific gravities and a transparent resin whose specific gravity is 20% or higher of the specific gravity of the phosphor having the largest specific gravity among those phosphors.例文帳に追加

本発明の発光装置は、青色ＬＥＤチップのような発光素子と、近似した比重を有する２種類以上の蛍光体と、これらの蛍光体のうちで最も比重が大きい蛍光体の２０％以上の比重を有する透明樹脂を含む蛍光体含有樹脂層とを備えている。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device includes a first substrate, a second substrate, an organic electroluminescent layer formed on the first substrate, a thin-film transistor formed on the second substrate, and the first and the second seal lines 600, 680 formed to seal the first and the second substrates.例文帳に追加

本発明の有機電界発光表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板上に形成された有機電界発光層と、前記第２基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記第１基板と第２基板とを封着するために形成された第１及び第２シールラインと、を含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a first substrate 110a on which a first electrode 111 is formed, a second substrate 110b on which a second electrode 131 opposite to the first electrode 111 is formed, and a homeotropic alignment type liquid crystal layer 120 interposed between the first electrode 111 and the second electrode 131.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１電極１１１が形成された第１基板１１０ａと、第１電極１１１に対向する第２電極１３１が形成された第２基板１１０ｂと、第１電極１１１と第２電極１３１との間に介在する垂直配向型の液晶層１２０とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an overlay vernier can be formed without performing additional drain key open mask and drain key open etch processes by forming a step in a semiconductor substrate when the overlay vernier is formed and forming a hard mask having a stack layer formed thereon so that the shape of the step can be maintained.例文帳に追加

オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An embodiment of this semiconductor device manufacturing method includes a process wherein the reaction product deposited on the conducting layer to extend in the vertical direction is bent so that the thickness of the reaction product is thinner relative to the direction of the acceleration of the active species excited by plasma discharge.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法の一は、反応生成物の厚さが、プラズマ放電によって励起された活性種が加速される方向に対して薄くなるように、導電層の上に垂直方向に延びるように付着した反応生成物を倒す工程を有することを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of forming interlayer insulating films 10, 14, 18 as silicon oxide films on an SOI layer 3 of an SOI wafer, and printing the wafer ID on the interlayer insulating films by applying a laser beam on the interlayer insulating films.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩウェハのＳＯＩ層３上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０，１４，１８を形成する工程と、前記層間絶縁膜にレーザー光線を照射することにより、前記層間絶縁膜にウェハＩＤを印字する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To stably keep a regular electrode gap without using an electrode drive mechanism, and to suppress the separation of a solid dielectric layer from an electrode and the generation of particles, in a plasma treatment device of a type for introducing gas into a gap between a pair of electrodes and activating the gas to exhaust it.例文帳に追加

一対の電極間のギャップにガスを導入し、ガスを活性化して排出する方式のプラズマ処理装置において、電極駆動機構なしに電極ギャップを安定して一定に保持できるようにすると共に、固体誘電体層の電極からの剥離やパーティクルの発生を抑制することである。 - 特許庁

To provide an electron source and an electron beam application device wherein an emission current having high luminance and a narrow energy width, and with favorable stability is obtained, and a jointing method in which an amorphous carbon layer adhering on a carbon nanotube surface can be greatly reduced at the time of jointing the carbon nanotubes and a conductive base material.例文帳に追加

高輝度・狭エネルギー幅かつ高安定なエミッション電流が得られる電子源およびそれを搭載した電子ビーム応用装置を提供するとともに、カーボンナノチューブと導電性基材との接合時にカーボンナノチューブ表面に付着するアモルファスカーボン層を大幅低減できる接合法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a small non-contact type metal-resistant data carrier device, which uses a noncontact data carrier of 10 mm×10 mm square area size or less, has a simple structure including a magnetic body layer of a size not larger than the noncontact data carrier, and can achieve mass production.例文帳に追加

１０ｍｍ×１０ｍｍの四角領域サイズ以下の非接触式データキャリアを用いた小型の非接触型データキャリア装置であって、サイズが非接触式データキャリアより大きくならず、磁性体層を有する簡単な構造で、量産性に対応できる構造の、金属対応の非接触型データキャリア装置を提供する。 - 特許庁

To automatically apply insulating paste using an application device, which is achieved only by hand in the past, in a manufacturing method of a gas sensor for forming a protective film made of the insulating paste so as to prevent contact with a filling layer containing glass components on the rear end face of a sensor element.例文帳に追加

センサ素子の後端面にガラス成分を含む充填層との接触を防止するために絶縁性ペーストからなる保護膜を形成するガスセンサの製造方法において、従来は手塗りでしか行うことができなかった絶縁性ペーストの塗布を塗布装置を用いて自動で塗布できるようにすること。 - 特許庁

The substrate for the display device has a plastic film having ≥70% average light transmittance in 400-700 nm wavelength and ≥100°C glass transition temperature and a gas barrier layer containing an inorganic laminar compound and a polymer and characteristically has 250-450 nm retardation (Re) value in 632.8 nm wavelength.例文帳に追加

波長４００〜７００ｎｍにおける平均光透過率が７０％以上、ガラス転移点が１００℃以上のプラスチックフィルムと、無機層状化合物及びポリマーを含むガスバリヤ層と、を有し、波長６３２．８ｎｍにおけるレターデーション（Ｒｅ）の値が、２５０〜４５０ｎｍであることを特徴とする表示装置用基板である。 - 特許庁

In a TFT 400 formed in the semiconductor device 300A, an insulating layer 330 is composed of a tantalum oxide film 331 formed by oxidizing a tantalum film under conditions of temperatures of 300-400°C and pressures of 0.5-2 MPa, and a silicon oxide film 332 formed by a CVD method or the like.例文帳に追加

半導体装置３００Ａに形成したＴＦＴ４００において、絶縁層３３０は、温度が３００℃〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１と、ＣＶＤなどの方法により形成されたシリコン酸化膜３３２とから構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device (100) includes an external connecting terminal (2) formed on an active surface of a semiconductor element (1), the pedestal (10a) formed on the external connecting terminal, and the solder ball (7) fixed on the pedestal, wherein the pedestal is provided with a selection plating layer (6).例文帳に追加

半導体素子（１）の能動面上に形成される外部接続端子（２）と、前記外部接続端子上に形成される台座（１０ａ）と、前記台座上に固着される半田ボール（７）と、を有する半導体装置（１００）であって、前記台座が選択メッキ層（６）を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This information output device 200 selects one menu item from a present menu based on information input from an operation part 240 and, when the menu item is associated with a slave menu, the slave menu is displayed on a display area corresponding to the layer of the slave menu to be defined as the present menu.例文帳に追加

情報出力装置２００は、操作部２４０から入力された情報に基づいて、現在メニューから１つのメニュー項目を選択し、このメニュー項目に子のメニューが関連付けられている場合には、当該子のメニューを、当該子のメニューの層に対応する表示領域に表示して現在メニューとする。 - 特許庁

Even if cracking takes place at the junction of the Si substrate 2 and the sealing resin 10 on the side face of a semiconductor device 1 and under heating environment, since penetration of cracking to the inside from the dam layer 8 is suppressed, stripping in the sealing resin 10 or the chip is suppressed, and its performance is sustained.例文帳に追加

これにより、たとえ加熱環境下において半導体装置１の側面のＳｉ基板２と封止樹脂１０との接合部分にクラックが生じたとしても、ダム層８より内部へのクラックの進入は抑えられるようになるため、封止樹脂１０やチップ内部の剥離が抑制され、その性能が維持されるようになる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The display device comprises a liquid crystal display panel 100 constituted by sandwiching a liquid crystal layer between at least two or more flexible substrates and a structure 500 having a gap G enabling the liquid crystal display panel 100 to be sandwiched in a curved state, the gap G being larger than the thickness 100T of the liquid crystal panel 100.例文帳に追加

少なくとも２枚以上のフレキシブル基板間に液晶層を保持して構成された液晶表示パネル１００と、液晶表示パネル１００を湾曲した状態で挟持可能なギャップＧを有する構造体５００と、を備え、ギャップＧは、液晶表示パネル１００の厚み１００Ｔより大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing device of a rugged film, which can improve a processing speed by producing no offset to a film substrate or no bubble entrainment on a resin layer in manufacturing the rugged film, and further, improve the processing speed without upsizing equipment such as a recovery apparatus of a resin liquid.例文帳に追加

凹凸フィルムの製造に当たって、フィルム基材への裏移りを生じさせることなく、また樹脂層に泡かみを生じることなく加工速度を向上させることができ、更に樹脂液の回収装置等の設備の大型化を伴うことなく加工速度を向上させることの可能な凹凸フィルムの製造装置を提供する。 - 特許庁

The developing device includes a pressing member pressing an elastic layer of a developer supply roller, wherein a rotation torque effecting on the developer supply roller by the contact of the pressing member to the developer supply roller is larger than a rotation torque effecting on the developer supply roller by the contact of the developing roller to the developer supply roller.例文帳に追加

現像剤供給ローラの弾性層に押圧する押圧部材を有し、この押圧部材が現像剤供給ローラに接触することで現像剤供給ローラに働く回転トルクは、現像ローラが現像剤供給ローラに接触することで現像剤供給ローラに働く回転トルクよりも大きい。 - 特許庁

In the optical semiconductor device 10A comprising an optical semiconductor element 14 having a light receiving part or a light emitting part and sealed with sealing resin 13, a coating layer 12 of a transparent material covering the surface of the optical semiconductor element 14 is exposed from the surface of the sealing resin 13.例文帳に追加

光半導体装置１０Ａは、受光部または発光部を有する光半導体素子１４が封止樹脂１３により封止された光半導体装置１０Ａに於いて、光半導体素子１４の表面を被覆する透明な材料からなる被覆層１２が封止樹脂１３の表面から露出する構成と成っている。 - 特許庁

In the cleaning blade for an electrophotographic device consisting of a blade member made of a thermosetting urethane elastomer, a supporting member and an adhesive layer, the blade member is made of an elastic material showing ≤5°C peak temperature of tanδ measured under the condition of 5% elongation at 10 Hz.例文帳に追加

熱硬化性ウレタンエラストマーからなるブレード部材と、支持部材と、接着剤層とからなる電子写真装置用クリーニングブレードにおいて、前記ブレード部材は、５％伸長１０Ｈｚの条件にて測定したｔａｎδ値のピーク温度が５℃以下である弾性体からなる電子写真装置用クリーニングブレード。 - 特許庁

A monitor circuit 2 for monitoring decoded data on the signal line 4 is provided for the device constituted so as to transmit the data decoded by a decoding circuit for decoding encoded data to a reproduction circuit 3 for reproducing the decoded data by using the signal line 4 wired on the lower layer of a multilayer substrate 10.例文帳に追加

暗号化されたデータの復号化を行う復号化回路１が復号化したデータを、この復号化されたデータを再生する再生回路３へ、多層基板１０の下層に配線された信号線４を用いて送信するように構成された機器に、信号線４上の復号化データのモニターを行うモニター回路２が設けられる。 - 特許庁