「device level interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method by which an insulated gate semiconductor device is improved in hot carrier resistance by suppressing the occurrence of a charge capturing level and an interfacial level in a gate insulating film caused by nitrogen introduced into the film and the interface of the film.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置に関し、ゲート絶縁膜中および界面へ導入された窒素に起因するゲート絶縁膜中の電荷捕獲準位及び界面準位の発生を抑制し、ホットキャリア耐性を向上する。 - 特許庁

An arithmetic operation device 6d in the on-vehicle information terminal unit 6 allows the information transfer operation with the network center only when the security level determined on the basis of the security information read via a memory card interface 6b from the memory card 11 is a state of a preset level or more.例文帳に追加

車載情報端末装置６内の演算装置６ｄは、ネットワークセンタとの間での情報転送動作を、メモリカード１１からメモリカードインタフェース６ｂを通じて読み取ったセキュリティ情報に基づいて判定したセキュリティレベルが設定レベル以上の状態時のみ許容する。 - 特許庁

An interface part 211 comprises an external device, a driver enabling the connection and communication with a storage area 120 for holding symptom level data to a storage area 124 for holding diagnostic reference data (hereinafter referred to as symptom level data 120 and diagnostic reference data 124), a connecting terminal and the like.例文帳に追加

インターフェース部２１１は外部装置及び症状レベルデータを保持する記憶領域１２０〜診断基準データを保持する記憶領域１２４（症状レベルデータ１２０，診断基準データ１２４と称す。以下同じ）との接続通信を可能するドライバ、接続端子等で構成される。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.例文帳に追加

量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

The I/O device part is provided with an I/O power switch, the voltage level of control interface signals with the CPU part is monitored in the I/O device part, the power supply/disconnection of the CPU part is detected and the power supply/disconnection of the I/O device part is performed linked with the CPU part.例文帳に追加

本発明はＩ／Ｏ装置部にＩ／Ｏ電源スイッチを具備し、Ｉ／Ｏ装置部でＣＰＵ部との制御インタフェース信号の電圧レベルを監視して、ＣＰＵ部の電源投入／切断を検知し、ＣＰＵ部と連動して、Ｉ／Ｏ装置部の電源投入／切断を行っている。 - 特許庁

To provide a robot device used as an interface between high-level and complicated network type household electrical appliances, or information device and a user, responding by voice to have friendly body characteristic, allowing the user to simply operate the information device, and supplying suitable service to the user.例文帳に追加

本発明は、高度で複雑になったネット家電や情報機器とユーザとのインタフェースとして使われる、音声で応答し親しみやすい身体性を持つロボット装置において、ユーザが簡単に情報機器を操作し、ユーザに対し適切なサービスを提供するロボット装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device wherein a gate insulating film for which EOT is small and the increase of interface level density is suppressed is provided and a leakage current is suppressed even when miniaturized, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Function data representing the document processing operations capable of being performed by a document processing device are first stored to generate indicia representing first level document processing operations on an associated user interface in accordance with the function data.例文帳に追加

まず、ドキュメント処理装置によって実行可能であるドキュメント処理動作を表す機能データを保存し、この機能データにしたがってユーザ・インターフェイス上に第１レベルのドキュメント処理動作を表す標識を生成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this data reading/writing method for the bridge interface, by properly controlling a signal level and timing between a host and a device, the bridge interface can perform a perfect message handshake, and performs work at any transmission speed to easily convert the flow of the command of an arbitrary bus present in the front end.例文帳に追加

本発明は、ホストとデバイスとの間において、信号レベルとタイミングを、適当に制御することにより、ブリッジインタフェースが、完全なメッセージハンドシェイクをでき、何れの伝送速度でも、ワークを行い、簡単に、先端にある任意のバスのコマンドの流れを変換できる、ブリッジインタフェースのデータ読み書き方法を提供する。 - 特許庁

The information leakage preventing device 11 is connected to an information device having an image interface 13 such as a computer 12 and is provided with a dot clock extracting part 14, a dot clock generating part 15, a modulation circuit part 16, an output level adjusting part 17 and a prevention signal outputting part 18.例文帳に追加

情報漏洩防止装置１１は、コンピュータ１２などの画像インタフェース１３を持つ情報機器と接続され、ドットクロック抽出部１４、ドットクロック発生部１５、変調回路部１６、出力レベル調整部１７、防止信号出力部１８を備える。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which the fermi level pinning effect does not cause high threshold voltage at interface poly-silicon (Poly-Si)/metal oxide.例文帳に追加

フェルミレベルのピンニングの効果が、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／金属酸化物の界面で高い閾値電圧を招かないＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を含む半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The digital signal of plural bits outputted from an internal circuit is inputted via an internal bus to one of D/A converters 28-34 by a multi- level interface provided n a microcomputer 2, and the digital signal is converted to an analog multi-level signal and outputted to the connected semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

マイクロコンピュータ２に設けられた多値インタフェースが、内部回路から出力された複数ビットのデジタル信号を、内部バスを介してＤ／Ａ変換器２８〜３４のいずれかに入力され、そのデジタル信号をアナログの多値信号に変換して接続された半導体集積回路装置に出力する。 - 特許庁

The system level user interface layer is called a "head-up" display, namely HUD, the HUD can be called via a controller or a peripheral input means such as a button on a remote device, and the HUD allow a user to execute a secondary system level task which is unusable via the primary game application.例文帳に追加

システムレベルユーザインターフェース層は「ヘッドアップ」ディスプレイ、すなわちＨＵＤと呼ばれ、ＨＵＤはコントローラまたはリモート装置上のボタンなど、周辺入力手段を介して呼出し可能であり、またＨＵＤは、ユーザが１次ゲームアプリケーションを介しては使用不可能な２次システムレベルタスクを実施することを可能にする。 - 特許庁

The optical data link 1 includes: a serial communication interface for serial communication with the host device; a mounting detection terminal for detecting whether the optical data link 1 is mounted on the host device; and an output buffer 6, which changes the output level of the mounting detection terminal to High or Low.例文帳に追加

光データリンク１は、ホスト機器とシリアル通信するためのシリアル通信インタフェースと、光データリンク１がホスト機器に実装されたか否かを検知するための実装検知端子と、実装検知端子の出力レベルをＨｉｇｈ又はＬｏｗに切り替える出力用バッファ６とを備える。 - 特許庁

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mesa type semiconductor device, solving the problem wherein cracks are easily formed from an interface between a semiconductor substrate and a passivation film, at a higher level than in a conventional method, the method for manufacturing a highly reliable mesa type semiconductor device.例文帳に追加

半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the deterioration of reliability due to stress is prevented by sufficiently relaxing stresses caused at an external connection terminal and an interface between the external connection terminal and wiring, and to provide a method for manufacturing it, in a semiconductor device having a wafer level CSP structure.例文帳に追加

ウエハレベルＣＳＰ構造を有する半導体装置において、外部接続端子および外部接続端子と配線との界面に生じる応力を十分に緩和し、応力による信頼性の低下を防ぐ半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a document group presentation device creating an integration-division result of a document group with a designated abstraction level, and constructing a semantically scalable interface by using a document space of the document group to be classified as a map.例文帳に追加

指定した抽象度で文書群の統合・分割結果を作成することができ、分類対象となる文書群の文書空間を地図に見立て意味上の拡大・縮小が可能なインタフェースを構築する文書群提示装置を提供する。 - 特許庁

A target address comparison circuit 108 compares the identifier of a lower-level device, which is read from a SCSI interface control circuit 103 in a predetermined condition and from which a reconnect request is issued, with an identifier stored in a current target address register 107.例文帳に追加

ターゲットアドレス比較回路１０８は、所定の状況でＳＣＳＩインタフェース制御回路１０３から読み出されるリコネクト要求が出された下位装置の識別子と、カレントターゲットアドレスレジスタ１０７に記憶されている識別子とを比較する。 - 特許庁

As the result, the interface device can generate a display signal, even if it is a dark video of which analog video signal level is relatively low, has luminance (brightness) according to the darkness and displays the video having sufficient resolution of gradation.例文帳に追加

その結果、インターフェース装置は、アナログ映像信号のレベルが比較的小さい暗い映像であっても、その暗さに応じた輝度（明るさ）であって、十分な階調の分解能を有する映像を表示する表示信号を生成することができる。 - 特許庁

To provide a computer system where a command line input(keyboard input) is the main stream, and any graphical user interface(GUI) is not arranged for reducing any influence on an existing system to the minimum level at the time of introducing the GUI by a pointing device to a conventional job start system.例文帳に追加

コマンドライン入力（キーボードからの入力）が主流で、ＧＵＩの整っていないコンピュータシステムにおいて、従来のジョブ起動方式に、ポインティングデバイスによるＧＵＩを導入する場合に、既存システムへの影響を最小にする。 - 特許庁

As a result, even when the level of the digital display signal is a relatively small dark image, the interface device can generate a display signal which has a brightness in accordance with the darkness and displays the image having the sufficient resolution of the gradation.例文帳に追加

その結果、インターフェース装置は、デジタル表示信号のレベルが比較的小さい暗い映像であっても、その暗さに応じた輝度（明るさ）であって、十分な階調の分解能を有する映像を表示する表示信号を生成することができる。 - 特許庁

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap.例文帳に追加

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which the image quality of a reproduction screen is prevented from deteriorating by reducing a leak current being generated as the interface level increases due to crystal defect, or the like, in the vicinity of the substrate surface in a region where a photodiode is fabricated.例文帳に追加

フォトダイオードが形成されている領域の基板表面近辺において、結晶欠陥などに起因する界面準位の増加によって発生するリーク電流を低減し、再生画面の画質の劣化を抑止する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

This cable for connecting a device and a device consists of an interface buffer 11, a resistor 12 for level adjustment between the input and output terminals of the buffer 11 and a resistor 13 for impedance adjustment between the input terminal of the buffer 11 and ground, and each of the resistors is a variable resistor.例文帳に追加

装置と装置とを接続するレベル／インピーダンス調整インタフェース付きケーブルにおいて、インタフェースバッファと、該インタフェースバッファの入出力端間のレベル調整用抵抗器と、前記インタフェースバッファの入力端と接地間のインピーダンス調整用抵抗器とから構成され、前記各抵抗器は可変抵抗器であることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device having a non-volatile memory 11 and an interface 12 transmitting data to/from the non-volatile memory, the interface has a security logic portion 20 for controlling a security level of data written in the non-volatile memory according to a plurality of security codes which have been previously set and a lock code written in a specific area LCA of the non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリ１１と、該不揮発性メモリに対するデータの受け渡しを行うインターフェイス１２と、を有する半導体装置であって、前記インターフェイスは、予め設定された複数のセキュリティーコードおよび前記不揮発性メモリの特定エリアＬＣＡに書き込まれたロックコードに従って、前記不揮発性メモリに書き込まれたデータのセキュリティーレベルを制御するセキュリティー論理部２０を有する。 - 特許庁

In the power conversion device of three-level configuration, the thermal resistance of a cooling fin for the outer semiconductor switching element is made larger than that of the inner semiconductor switching element to make the "interface temperature" of an inner IGBT and that of an outer IGBT substantially equal to each other.例文帳に追加

３レベル構成の電力変換装置において、内側ＩＧＢＴと外側ＩＧＢＴの「界面温度」の温度をほぼ等しくするために、内側半導体スイッチング素子よりも外側半導体スイッチング素子の冷却フィンの熱抵抗が大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a software test support device, a software test support method and a program, for extracting information on a GUI (Graphical User Interface) such as a direct button from an application and determining a factor or a level so as to create a test item of the application having the GUI, and automatically executing a test.例文帳に追加

ＧＵＩを持つアプリケーションのテスト項目作成のため、当該アプリケーションから直接ボタン等のＧＵＩに関する情報を抽出して因子・水準を決定し、テストの実行を自動的に行うソフトウェアテスト支援装置、ソフトウェアテスト支援方法、及びプログラムを提供する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide an automatic electronic mail setting method using an electronic device provided with a USB interface capable of rapidly and simply carrying out a setting of a mail account regardless of an own or another person' s computer and ensuring a high security level while an management of an account and a password is simple.例文帳に追加

メールアカウントの設定を自他コンピュータの別によらず迅速・簡便に行うことが可能で、かつ、アカウントやパスワードの管理が簡便でありながらも高いセキュリティレベルを確保可能であるＵＳＢインターフェイスを備える電子デバイスを用いた電子メール自動設定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device which can constitute a low voltage circuit by improving the unevenness of Vth of a transistor formed in an active layer having a large interface level of a polysilicon or the like by performing a channel impurity density of a low Vth and a high concentration, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低いＶｔｈと高濃度のチャネル不純物濃度を達成し、ポリシリコン等の界面準位の大きい活性層に形成したトランジスタのＶｔｈのばらつきを改善して低電圧回路の構成を可能にする薄膜半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The connection device is provided with connection cables C1-C3 having cable discrimination pins to discriminate connection protocols of the mobile phone and with a mobile phone interface controller 20 that discriminate the connection protocol of the connected mobile phone in response to a signal level of the cable discrimination pin provided at the connection cables C1-C3.例文帳に追加

複数の携帯電話機の接続プロトコルを判別するケーブル判別ピンを備える接続ケーブルＣ１〜Ｃ３と、接続ケーブルＣ１〜Ｃ３に設けられたケーブル判別ピンの信号レベルに応じて接続される携帯電話機の接続プロトコルを判別する携帯電話インタフェースコントロール回路２０とを備える。 - 特許庁

To overcome the problem in which when specifications such that error notice adapted to an image supply device which is not proposed by a DPS is given are employed, a code system such that only simplified and abstracted information can be reported to a user needs to be adopted and then a high-level user interface of high-grade equipment becomes useless.例文帳に追加

ＤＰＳで提唱されている以外の画像供給デバイスに合わせたエラー通知を行うような仕様にすると、簡略化し抽象化した情報しかユーザに通知できない様なコード体系を採用することになってしまい、高級な機器における高度なユーザインターフェースが無駄になってしまう。 - 特許庁

Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.例文帳に追加

これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device in which in-film fixed electric charges in a gate insulating film below a semiconductor thin film as an active layer and an interface level can be lowered without making the gate insulating film thick nor increasing process procedures, and then a bottom gate type TFT with high reliability can be obtained.例文帳に追加

活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型ＴＦＴを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even though operational power source voltages of inner circuit blocks in the device are decided arbitrarily responding to operational frequencies of the blocks or switched responding to operational modes in programmable, the blocks can interface the signal output with the amplitude responding to the operational voltage with centering on a threshold voltage shared to each block without any needs of added circuit such as the level conversion circuit.例文帳に追加

半導体装置の内蔵回路ブロックの動作電源電圧をその動作周波数などに応じて所望に決定し、或いは動作モードに応じてプログラマブルに切り換えても、回路ブロックは夫々の回路ブロックに共通の論理閾値電圧を中心としてその動作電源電圧に応ずる振幅の信号をインタフェース可能であり、レベル変換回路などの付加回路を要しない。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁