「element wire」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The interconnect system connects the sensor element 52, the electronic circuit board 56, and the integrated circuit 70 with a wire bond type interconnect 72 or additional contact pad type interconnect 60 altogether through a contact pad type interconnect 60.例文帳に追加

インターコネクト・システムは、センサ素子（５２）、電子回路基材（５６）及び集積回路（７０）を、接点パッド型インターコネクト（６０）を経由して、ワイヤ・ボンド型インターコネクト（７２）又は付加的な接点パッド型インターコネクト（６０）と共に結合する。 - 特許庁

By attaching to the surface of an overhead transmission line 2 a net-like cover 6 composed by making a continuous mesh 61 of element wire 60, snow becomes caught in the mesh 61 even if it snows, so that the drop of the snow is prevented.例文帳に追加

素線６０によって複数のメッシュ６１を連続的に形成してなるネット状カバー６を架空送電線２の表面に装着することにより、雪が降ってもメッシュ６１内に雪が絡まり、落雪が防げる。 - 特許庁

A magnetic element has a core 1 made of a magnetic material, a winding wire 2 wound around the core 1, and a magnetic field supplying means 3 for locally generating a magnetic field on one part of the core 1 and allowing a magnetic flux to locally pass.例文帳に追加

磁気素子は、磁性材料からなるコア１と、コア１に巻装される巻線２と、コア１の一部に局所的に磁界を発生させ、局所的に磁束を通過させる磁界供給手段３と、を有する。 - 特許庁

To improve a space factor of a coil while preventing displacement of an element wire by stably winding the coil, in an electric rotating machine constituted by annularly connecting a plurality of split cores winding the coil to an insulator.例文帳に追加

インシュレータにコイルが巻回された複数の分割コアを環状に連結してなる回転電機において、コイルを安定して巻回させて素線のずれを防止するとともにコイル占積率の向上を図る。 - 特許庁

The trolley wire has a composition consisting of, by mass, >0.5 to 0.8% Sn, 0.0005 to 0.3%, in total, of at least one element selected from Ag, In, Sr, Ca, Mg and Zr, 0.01 to 0.05% oxygen and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

トロリー線を、Snが0.5質量％超0.8質量％以下、Ag、In、Sr、Ca、MgおよびZrから選択される少なくとも一種が総量で0.0005〜0.3質量％、酸素が0.01〜0.05質量％含有され、残部がCuと不可避不純物で構成する。 - 特許庁

This inductance element is equipped with a plurality of cores (1), which have a hollow part formed by winding a magnetic alloy ribbon, and a lead wire (4 or 8) which pierces the hollow part of the core and couples the cores with one another in series.例文帳に追加

インダクタンス素子において、磁性合金リボンを巻回して形成され中空部を有する複数のコア（１）と、コアの中空部を貫通し、各コアを直列に結合するリード線（４または８）とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor element 2 and the external electrode 3b are connected electrically through the wire 5 of Au, and four out of six external electrodes 3b are connected electrically.例文帳に追加

また、半導体素子２と外部電極３ｂとはＡｕのワイヤ５によって電気的に接続しており、６つの外部電極３ｂのうちの４つの外部電極３ｂと半導体素子２とが電気的に接続している。 - 特許庁

A plurality of bumps 42 formed in the semiconductor device 40 and the ceramic layer 30a (serving for a varistor element) of the ceramic varistor 3 are connected by a conductor wire 121 pattern-formed on the resin layer 120.例文帳に追加

半導体装置４０に形成された複数のバンプ４２、及びセラミックバリスタ３のセラミック層３０ａ（バリスタ素子として機能する。）は、樹脂層１２０上にパターン形成された導体線１２１によって接続されている。 - 特許庁

More specifically, a voltage from a constant voltage power supply 21 is applied between the gate electrode and the source electrode of the semiconductor element and evaluation of wire bonding is performed while monitoring the potential difference between these electrodes sequentially at the time of bonding.例文帳に追加

具体的には、半導体素子のゲート電極とソース電極との間に定電圧電源２１の電圧を印加し、ボンディング実施時に上記電極間の電位差を逐次モニタしてワイヤボンディング評価を実施する。 - 特許庁

To form a protrusion in the order of nanometer that can be used as a quantum dot or a quantum wire on the surface of a substrate and to form a protrusion in the order of nanometer configured of an element different from that constituting the substrate.例文帳に追加

基板の表面に量子ドット又は量子細線として利用可能なナノメートルオーダの凸部を形成すること、及び、基板を構成する元素と異なる元素で構成されたナノメートルオーダの凸部を形成する。 - 特許庁

Alternatively, a voltage from a constant voltage power supply 22 is applied between the drain electrode and other electrode of the semiconductor element and evaluation of wire bonding is performed while monitoring the potential difference between these electrodes sequentially at the time of bonding.例文帳に追加

また、半導体素子のドレイン電極と他の電極との間に定電圧電源２２の電圧を印加し、ボンディング実施時に上記電極間の電位差を逐次モニタしてワイヤボンディング評価を実施する。 - 特許庁

On the occasion when the valve device 4 is opened by pressing the pen body 2 backward, the coil spring 8 is brought into a state of entire compression that the wire rod of the coil spring is put in close contact entirely, and thereby the backward movement of the valve element 5 is regulated.例文帳に追加

ペン体２を後方に押圧し弁装置４を開弁した際、コイルバネ８をその全ての線材同士が密着する全圧縮状態にすることにより弁体５の後方移動を規制する。 - 特許庁

The land 28, exposed on the stepped surface 36 which is the inner surface of the chip substrate 23 facing the housing space 33, and each electrode of the upper surface 21 of a photodiode element 21 are connected by a bonding wire 27b in this surface mounting type electronic component.例文帳に追加

収容空間３３に臨むチップ基板２３の内面である段差面３６上に露出しているランド２８とフォトダイオード素子２１の上面２１ａの各電極とが、ボンディングワイヤ２７ｂによって接続される。 - 特許庁

To realize high-speed reading-out by decreasing burden of resistor of a leading-out wire on a voltage loading means, and decreasing delay of signal voltage that controls a picture element, without leading to pulse delay in a large array.例文帳に追加

読み出し線の抵抗による電圧負荷手段の負担を低減し、画素を制御する信号電圧の遅延を低減させ、大型アレイにおいてもパルス遅延を招来することなく、高速読み出しの実現を図る。 - 特許庁

The electric structure element has a structure in which the contact means (40) has a recess part (43) on a second surface (42) thereof and the bonding wire (50) is connected to the contact means (40) in the region of the recess part (43).例文帳に追加

前記課題は、コンタクト手段（４０）が第２の面（４２）に凹入部（４３）を有し、ボンディングワイヤ（５０）が該凹入部（４３）の領域においてコンタクト手段（４０）に接続されている構成によって解決される。 - 特許庁

The heating element 2 is formed into a heating wire type provided with multiple strands 16 arranged together, of which a predetermined number of strands 16 comprises an individual electrically insulating material 17.例文帳に追加

本発明は、加熱要素（２）が個々の電気的絶縁材（１７）を備える所定の数のストランド（１６）で共に配置される多くのストランド（１６）を同様に備える加熱ワイヤの形式で構成されるように特徴付けられる。 - 特許庁

Further, as the first mounting pad 4b has a smaller area than that of the bottom of the semiconductor element 2, the separation is prevented from the mounting pad upon wire bonding due to that by a second mounting pad 6b.例文帳に追加

また、第１搭載パッド４ｂを半導体素子２底面の面積より小さくしたことによって生じるワイヤボンディング時の搭載パッドからの剥離を第２搭載パッド６ｂにより防止することができる。 - 特許庁

On the interconnection layer 16 in the pad region 11, the electrode pad 17 is provided as connected electrically with the Cu interconnection 15 in the element region 12 by a lead-out wire 20 insulated with the passivation film 18.例文帳に追加

パッド領域１１内の配線層１６上には、パッシベーション膜１８で絶縁された引き出し配線２０で素子領域１２内のＣｕ配線１５と電気的に接続された電極パッド１７が設けられている。 - 特許庁

The grid of the wire grid type polarizing element 1 is made of titanium oxide (TiOx), polarized light having an extinction ratio of 15:1 or more is obtained in 240 to 300 nm wavelength, transmittance is not changed and the polarization axis is not rotated even when the angle of light made incident in the wire grid type polarizing element is different in ≤300 nm wavelength.例文帳に追加

ワイヤーグリッド型偏光素子１のグリッドは酸化チタン（ＴｉＯｘ）により形成されており、波長２４０ｎｍ−３００ｎｍの範囲において、消光比が１５：１以上の偏光光を得ることができ、波長が３００ｎｍ以下の領域において、偏光素子に入射する光の角度が異なっても透過率が変化することがなく、ワイヤーグリッド型偏光素子に入射する光の角度が異なっても、偏光軸が回転することがない。 - 特許庁

Electrode patterns 5 are formed at ends of both sides of a substrate 1 respectively, a light emitting element 6 which emits primary light is fitted on the electrode pattern 5 at its one side through a conductive adhesive 9, and an electrode of the light emitting element 6 and the electrode pattern at the other side are connected by a conductive wire 2.例文帳に追加

基板１の両側端部にそれぞれ電極パターン５が形成されており、この一側の電極パターン５上に１次光を発光する発光素子６が導電性接着剤９を介して取り付けられており、発光素子６の電極と他側の電極パターンは導電性ワイヤー２により連結されている。 - 特許庁

A superconductive wire element 3 is manufactured by filling a mixed powder containing constituent element with Bi (2212) phase in a pure silver pipe, and housing 61 pieces of single wires in the silver pipe to apply a diameter contraction treatment, and housing 7 pieces out of above single wires in a silver alloy tube to apply a diameter contraction treatment.例文帳に追加

純銀パイプ中にＢｉ（２２１２）相の構成元素を含む混合粉末を充填して縮径加工を施したシングル線の６１本を銀パイプ中に収容して縮径加工を施し、この７本を銀合金パイプ中に収容した後、縮径加工を施して超電導素線３を製造する。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

A solder resist 22 is formed at the element mounting surface side of a circuit pattern 21 formed on a carrier tape 32, the solder resist is patterned for exposing a wire-bonding section, and a support member 26 is attached to a portion that is at the element mounting surface side of the circuit pattern and is also outside the formation region of the mold resin of the semiconductor device.例文帳に追加

キャリアテープ（３２）上に形成した回路パターン（２１）の素子搭載面側にソルダレジスト（２２）を形成し、このソルダレジストをパターニングしてワイヤボンディング部を露出させ、回路パターンの素子搭載面側であって、半導体装置のモールド樹脂の成形領域の外側に支持部材（２６）を貼着する。 - 特許庁

An MI(magnetic impedance) element 12 is mounted on one side of a plane substrate 10 having the center part through which a signal wire 30 wherein the direct current which is a detection object flows penetrates roughly vertically, so that the magnetic field detection direction runs along the surface of the substrate 10, and a coil for alternating-current bias magnetic field application is mounted enclosing the element.例文帳に追加

検知対象の直流電流が流れる信号線３０が中央部を略垂直に貫通する平面基板１０の片面に、ＭＩ（磁気インピーダンス）素子１２がその磁界検知方向が基板１０の表面に沿うように実装され、これを包囲するように交流バイアス磁界印加用のコイルが実装される。 - 特許庁

In this semiconductor device, first and second conductive wiring parts 24, 25 are formed on the upper and lower parts of an insulating resin 23, the semiconductor element 28 is fixed onto an insulating resin sheet 22 realizing a multilayer structure, and the element 28 is electrically connected to the bonding pad 31 via a bonding wire 32.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、絶縁樹脂２３上下部に第１および第２の導電配線部２４、２５を形成し多層構造を実現した絶縁樹脂シート２２上に半導体素子２８を固着し、半導体素子２８とボンディングパッド３１とをボンディングワイヤー３２で電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a hot air/cold air blower which overcomes the problem wherein, since an insufficient heat radiation capacity causes an increase in temperature and a backflow of heat to a cooling face, a temperature of a Peltier element becomes 150°C, leading to melting of metal and breaking of wire, and uses the Peltier element as a thermo-module generating a high temperature heat source in winter.例文帳に追加

放熱能力が十分でないとき、温度が上昇して冷却面に熱が逆流し、ペルチェ素子全体が１５０℃になり金属が溶け出し断線する、課題を解決する、冬場に高温度の熱源を発生させるサーモ・モジュールとして、ペルチェ素子を用いた温風・冷風機を提供する。 - 特許庁

The body part includes: a light receiving element holding part 8 on which a recessed part 81 to be fitted to the bent part 41 of the optical core wire discrimination head 4 is formed, for holding two light receiving elements 82 oppositely to the bent part 41 along the recessed part 81; and an operation lever for moving the light receiving element holding part 8 relatively to the body part.例文帳に追加

本体部は、光心線判別ヘッド４の湾曲部４１に嵌合する凹部８１が形成され且つ凹部８１に沿って湾曲部４１に対向するように２つの受光素子８２を保持する受光素子保持部８と、受光素子保持部８を本体部に対して相対移動させる操作レバーとを備える。 - 特許庁

The body includes a light receiving element retaining portion having a recessed portion 81 fitted onto the curved portion 41 of the optical core wire discrimination head and retaining two light receiving elements 82 to face the curved portion 41 along the recessed portion 81, and an operation lever for relatively moving the light receiving element retaining portion to the body.例文帳に追加

本体部は、光心線判別ヘッドの湾曲部４１に嵌合する凹部８１が形成され且つ凹部８１に沿って湾曲部４１に対向するように２つの受光素子８２を保持する受光素子保持部と、受光素子保持部を本体部に対して相対移動させる操作レバーとを備える。 - 特許庁

To mount a semiconductor on a first metal plate without using a positioning tool, in a manufacturing method of a semiconductor device wherein a wire is connected to one surface of a semiconductor element, and a first metal plate and a second metal plate are solder-jointed to the other surface and the one surface of the semiconductor element by a once reflow process.例文帳に追加

半導体素子の一面にワイヤを接続するとともに、１回のリフロー工程によって半導体素子の他面、一面に第１の金属板、第２の金属板をはんだ接合してなる半導体装置の製造方法において、位置決め治具を用いることなく、半導体素子を第１の金属板に搭載できるようにする。 - 特許庁

The planar heating element 1 with a heating resistor wire 20 wired on a sheet 10 on which adhesive layers to be stuck to the mirror 2 consisting of a curvature face are laminated is so structured that each side 11 of the planar heating element 1 is formed of a concave circular arc 12 along a curvature face of the mirror 2 as an object face for sticking.例文帳に追加

曲率面からなるミラー２に貼着する接着層が積層されたシート１０に抵抗発熱線２０が配線されている面状発熱体１であって、面状発熱体１の各辺１１を貼着対象面であるミラー２の曲率面に沿う凹状の円弧１２で形成する構成とした。 - 特許庁

To provide a highly reliable steering wheel cooling heating system without generating mechanical stress in a lead wire soldering part of a thermoelectric converting element, while improving a degree of freedom of the design of the electric connection of the thermoelectric converting element for quickly and sufficiently heating and cooling the surface of a steering wheel rim.例文帳に追加

ハンドルリム部の表面を、迅速かつ充分に加熱・冷却するための熱電変換素子の電気的な接続の設計自由度を向上させるとともに、熱電変換素子のリード線半田付け部に機械的な応力の発生が少なく信頼性の高いハンドル冷却加熱装置を提供すること。 - 特許庁

The pressure sensor comprises: a bottomed cylindrical housing which extends in an axial direction and whose tip side forms a bottom surface part; a pressure detection element; a pedestal 30 having a through-hole 40; and a wiring part 50 inserted into the through-hole with a gap and electrically connected to the pressure detection element by a bonding wire.例文帳に追加

圧力センサは、軸線方向に延び、先端側が底面部を形成する有底筒状の筐体と、圧力検出素子と、貫通孔４０を有する台座３０と、隙間をあけて貫通孔に挿通され、ボンディングワイヤによって圧力検出素子と電気的に接続される配線部５０と、を備える。 - 特許庁

The device 100 has a plane-like island part 21 whereon a semiconductor element 1 is mounted, a plurality of lead parts 22, 23 connected to an electrode of the semiconductor element 1 by a wire 3, and a hanging lead 24 and a lead 25 for heat dissipation connected to the island part 21, and is molded to be wrapped by resin 4.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体素子１を搭載した平板状のアイランド部２１と、半導体素子１の電極とワイヤ３により接続された複数本のリード部２２、２３と、吊りリード２４と、アイランド部２１に接続された放熱用リード２５とを有し、樹脂４にて包み込むようにモールドされている。 - 特許庁

The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

A lead main body 78 from the front side contact 72 to the transmission contact 32 corresponding to a transmission element 66 is arranged on a first wiring face 74 of the wire layer 52 and the lead main body 78 from the front side contact 72 to the reception contact 34 corresponding to a reception element 68 is arranged on a second wiring face 76.例文帳に追加

配線層５２の第１配線面７４上には、送波用素子６６に対応する前方側コンタクト７２から送波用コンタクト３２までリード本体７８が配設され、第２配線面７６上には、受波用素子６８に対応する前方側コンタクト７２から受波用コンタクト３４までリード本体７８が配設されている。 - 特許庁

It is possible to provide a user-friendly measuring apparatus 2 capable of measuring a compressive force in a longitudinal axis direction acting on a linear element having a sheath thicker than the linear element such as a wire in which a coil for embolizing an aneurysm is attached to its tip without need to lower measurement precision.例文帳に追加

この計測装置２では、動脈瘤を塞栓するためのコイルが先端に付いたワイヤのように、線状体よりも太い鞘を有する線状体に作用する長手軸方向の圧縮力を、計測精度を低下させることなく計測できる、使い勝手のよい計測装置２を提供することができる。 - 特許庁

To provide a panel for floor heating which has a heating element within and also has a cavity inside and stores the lead wire of the heating element in this cavity and is easy of execution work, and also can prevent the moisture contained in the ground under a floor from entering the cavity after work execution.例文帳に追加

発熱体を内蔵するとともに、内部に空洞部を有し、この空洞部に発熱体のリード線を収容した床暖房用パネルであって、施工作業が容易であるとともに、施行後に床下地中に含まれる湿分が空洞部内に入ることを防止できる床暖房用パネルを提供する。 - 特許庁

A hot wire CVD apparatus has a reaction chamber 5 for treating a substrate W, a gas introduction port 1 for supplying a reaction gas into the reaction chamber 5, the electrical heating element 30 for decomposing the reaction gas at temperature being higher than that in the substrate and for generating active species, and a lamp 20 for indirectly heating the electrical heating element 30.例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤ装置は、基板Ｗに処理を施す反応室５と、反応室５内に反応ガスを供給するガス導入口１と、基板温度よりも高温で反応ガスを分解して活性種を生成する発熱体３０と、発熱体３０を間接加熱するためのランプ２０とを有する。 - 特許庁

It is furthermore constituted so that terminal characteristic of the connection terminal 23A provided to the second semiconductor element 23 shows characteristic of mirror inversion to terminal characteristic of the connection terminal 22A of the first semiconductor element 22, and the connection terminal 23A is subjected to flip chip junction on the connection terminal 22A which is subjected to wire connection.例文帳に追加

かつ、第２の半導体素子２３に設けられる接続端子２３Ａの端子特性が第１の半導体素子２２の接続端子２２Ａの端子特性に対してミラー反転した特性を示すよう構成し、この接続端子２３Ａをワイヤー接続された接続端子２２Ａ上にフリップチップ接合した構成とする。 - 特許庁

Thereby, output response time in the long path of the wire is shortened because of a drain capacitor element that engages in an output terminal 16 when switches SW2-1 and SW2-2 of the second stage are turned on is smaller than the drain capacitor element that engages in the output terminal 16 when another switches SW2-3 to SW2-5 of the second stage are turned on.例文帳に追加

これにより、２段目のスイッチＳＷ2-1 ，ＳＷ2-2 をオンした場合に出力端子１６にかかるドレイン容量は、他の２段目のスイッチＳＷ2-3 〜ＳＷ2-5 をオンした場合に出力端子１６にかかるドレイン容量に比べて小さいため、配線の長い経路における出力応答時間が短くなる。 - 特許庁

A temperature protection element 21 is connected in series to at least one electrode outside lead wire 15 at the vicinity of the electrode sealing parts 10, 11, and at the end of life of the fluorescent lamp, the temperature protection element 21 is put in current break state in response to heating of the electrode sealing parts 10, 11.例文帳に追加

口金部１２内の、電極封止部１０，１１の近傍に、温度保護素子２１が少なくとも一本の電極外部リード線１５に直列に接続されて設けられており、蛍光ランプの寿命末期に、電極封止部１０，１１の発熱に感応して温度保護素子２１が電流遮断状態となる。 - 特許庁

Between a lid body closing the lower end of the reaction chamber and the holding tool, a heating element unit constituted by enclosing a resistance heat generating wire composed of a high-purity carbon material in a quartz plate is provided, and a feeder protective tube is connected to the lower surface of the outer edge section of the heating element unit by passing the lower end of the protective tube through the lid body.例文帳に追加

反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの外縁部下面に給電線の保護管を接続し、その下端を蓋体を貫通させる。 - 特許庁

All supporting members including the offset type supporting member 3 can be modeled by expressing the offset 32 of the offset type supporting member 3 by a beam element Ca3 similar to two or more beam elements C1-C3 corresponding to the wire harness 1, and setting the freedom of restriction at the end point of this beam element Ca3.例文帳に追加

ワイヤーハーネス１に対応する複数の梁要素Ｃ１〜Ｃ３と同様に、オフセット型支持部材３のオフセット部３２も梁要素Ｃａ３で表して、この梁要素Ｃａ３の端点における拘束自由度を設定することにより、オフセット型支持部材３を含むあらゆる支持部材がモデル化できるようになる。 - 特許庁

A lighting fixture including a semiconductor light-emitting element part and an electric wire part for supplying electric power to the semiconductor light-emitting element part, and emitting light that can restrain the activity of obstacle animals and plants, is mounted to a net or a sheet for covering the plants to form the luminaire for restraining the activity of obstacle animals and plants.例文帳に追加

半導体発光素子部と、この半導体発光素子部に電力を供給するための電線部と、から成る障害動植物の活動抑制を行い得る光を発する照光具を、植物を覆うためのネットまたはシートに取り付けて、障害動植物の活動抑制のための照光器具とした。 - 特許庁