1153万例文収録!

「element wire」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element wireの意味・解説 > element wireに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

element wireの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2237



例文

In the semiconductor device wherein an outside connection terminal 50 electrically connecting the electrode 12 of a semiconductor element through a wiring pattern 52 to the electrode formation face of the semiconductor element is formed, the outside connection terminal 50 is formed of a wire consisting of an electrically conductive material, and the bonding part side of the wire is provided to be buried in a metal layer forming the wiring pattern 52.例文帳に追加

半導体素子の電極形成面に、配線パターン52を介して半導体素子の電極12と電気的に接続する外部接続端子50が形成された半導体装置において、前記外部接続端子50が、導電材からなるワイヤにより形成され、該ワイヤのボンディング部側が前記配線パターン50を形成する金属層に埋没して設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

A region R1 of the side facing a sheath inner wall 20 with no other thermocouple element wire in outer peripheral faces 34, 34 of each thermocouple element wire 31, 32 is constituted on the surface of the inner wall 20 approximately in parallel curved surface shape and is formed so that the thicknesses of inorganic insulators interposed between the region R1 and the sheath inner wall 20 may be approximately equal.例文帳に追加

各熱電対素線31,32の外周面34,34における他の熱電対素線が存在しないシース内壁20に対向する側の領域R1を、該内壁20の面に略平行な曲面形状に構成し、当該領域R1と前記シース内壁20との間に介在する無機絶縁物の層の厚みd1が略均等となるように形成した。 - 特許庁

To provide a precursor (superconductive wire precursor) allowing an element such as Ti to be effectively included in a Nb_3Sn phase without causing inconvenience such as disconnection when a Nb_3Sn superconductive wire is manufactured by an internal Sn method; a Nb_3Sn superconductive wire manufactured by using such a precursor; and a Nb compound single core or the like for constituting a precursor.例文帳に追加

Nb_3Sn超電導線材を内部Sn法によって製造する際に、断線等の不都合を発生させることなく、Ti等の元素をNb_3Sn相内に効果的に含有させることのできる前駆体(超電導線材前駆体)、およびこうした前駆体によって製造されるNb_3Sn超電導線材、並びに前駆体を構成するためのNb複合単芯線等を提供する。 - 特許庁

By transforming the low input/output impedance of an active element 12 into a little higher impedance by a microstrip line 13 and connecting it to dielectric substrates 15 and 16 provided with remaining matching circuits 18 later while using a wire 19, the influence of the inductance of the wire 19 upon the entire amplifier is reduced and the dispersion in the characteristics of the entire amplifier caused by the dispersion of a wire length is suppressed.例文帳に追加

能動素子12の低い入出力インピーダンスをマイクロストリップ線路13によりある程高いインピーダンスに変成した後に、ワイヤ19を用いて残りの整合回路18を含む誘電体基板15,16に接続することで、ワイヤ19のインダクタンスの増幅器全体への影響を小さくし、ワイヤ長のばらつきによる増幅器全体の特性のばらつきを抑圧する。 - 特許庁

例文

A connector element 12 for connection has a terminal support part 22 supporting each connecting terminal 11 so that each terminal connecting part 15 is linearly arranged in parallel to be connected with each connected terminal 14 and a wire support part 19 supporting each wire 3 so that the wire 3 is drawn out along a direction parallel to the linear arrangement direction of the terminal strapping part 14.例文帳に追加

接続用コネクタ要素12は、各端子接続部15が直線状に並列配置されて各被接続端子14に接続されるように各接続端子11を支持する端子支持部22と、電線3が端子接続部14の直線状の配置方向と平行な方向に沿って引き出されるように各電線3を支持する電線支持部19とを備える。 - 特許庁


例文

The solid electrolytic capacitor element having a sintered body where a valve-action metal powder is pressure formed and is sintered and the anode wire, heat shrinking percentage of an internal section around the anode wire is larger than that of an outer section, and a difference in heat shrinking percentage between the internal section and the outer section around the anode wire in the sintered body is 0.5 to 5.0%.例文帳に追加

弁作用金属粉末を加圧成形し、焼結した焼結体と陽極ワイヤーとを有する固体電解コンデンサ用素子において、 陽極ワイヤー周辺の内側部分の焼縮み率が、その外側部分の焼縮み率より大きく、 上記焼結体の陽極ワイヤー周辺の内側部分とその外側部分の焼縮み率の差が、0.5〜5.0%であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin light emitting element using a semiconductor light emitting element for reducing thickness of bonding part, requiring no mounting substrate, and enabling remarkable reduction of thickness by joining a wide-width metal thin plate on the surface, in almost perpendicular direction to the laminating direction of the semiconductor element to an electrode on the semiconductor ligh emitting element in place of the existing bonding system using a gold wire.例文帳に追加

半導体発光素子を用いた発光素子に関し、従来の金ワイヤを用いたボンディング方式に代わり、半導体素子の積層方向と略垂直方向の面の幅が広い金属薄板と半導体発光素子上の電極とを接合することにより、ボンディング部の厚さの低減や実装用基板を不要とすることができ、大幅な厚さ軽減が可能となり、薄型化された発光素子を提供する。 - 特許庁

To protect a piezoelectric element from an external force without being insert-molded in a mat, to prevent damage and disconnection of a connection part to a lead wire and to secure waterproofness in a support structure of a grating adapted to provide the piezoelectric element generating power through vehicles and pedestrians passing on the grating and to emit light from a sign comprising a light emitting diode by the piezoelectric element.例文帳に追加

グレーチング上を通過する車両や歩行者により発電させる圧電素子を設け、該圧電素子より発光ダイオードよりなる標識を発光させるグレーチングの支持構造において、圧電素子をマットにインサート成形することなく外力から保護して損傷やリード線との接続部分の断線を防ぎ、防水性を確保する。 - 特許庁

To provide a mold BGA(ball grid array) which can correspond to multi-pin design by high integration of a semiconductor element, prevent a bonding wire from being exposed to a sealing resin surface, connect a bonding pad of a semiconductor element and a lead of a lead frame to intersect, and seal an entirety of a semiconductor element with sealing resin even if a TAB tape is used.例文帳に追加

半導体素子の高集積化による多ピン化に対応でき、ボンディングワイヤが封止樹脂表面に露出することを防止でき、半導体素子のボンディングパッドとリードフレームのリードとを交差して接続することが出来、TABテープを用いても半導体素子の全面を封止樹脂で封止したモールドBGAを提供する。 - 特許庁

例文

The force sensor device includes: a force sensor element 5 including a vibration element 20 having vibration parts 20a, 20b and fixing parts 25a, 25b connecting two facing ends of the vibration element 20; a base substrate 10; and wire members 13 having elastic force and including one ends connected to the fixing parts, respectively and the other ends connected to the base substrate.例文帳に追加

力センサー装置は、振動部20a、20bを有する振動素子20と、この振動素子20の対向する2つの端を連結する固定部25a、25bとを備える力センサー素子5と、ベース基板10と、一端が固定部に夫々接続され、他端が前記ベース基板に接続された弾性力を有する架線部材13と、備えている。 - 特許庁

例文

A semiconductor laser apparatus 40 has a semiconductor laser element 50 having warpage in a direction in which a resonator is extended, a p-side electrode 115 formed on a concave side surface of the warpage of the semiconductor laser element 50 and in which a wire bonding part 115a is provided, and a base 70 to which a convex side of the warpage of the semiconductor laser element 50 is fixed.例文帳に追加

この半導体レーザ装置40では、共振器の延びる方向に反りを有する半導体レーザ素子50と、半導体レーザ素子50の反りの凹側の表面上に形成されワイヤボンド部115aが設けられたp側電極115と、半導体レーザ素子50の反りの凸側が固定される基台70とを備える。 - 特許庁

The reflector 52 for directing light emitted from the light emitting diode element toward an object being illuminated is surface mounted between the light emitting diode element 9 surface mounted on the printed wiring board and a wiring land W formed on the printed wiring board P, and the light emitting diode element is connected with the wiring land through a bonding wire 61.例文帳に追加

プリント配線基板に表面実装された発光ダイオード素子9とプリント配線基板Pに形成された配線ランドWとの間に発光ダイオード素子から放射された光を照明対象物の方に向ける反射体52が表面実装され、発光ダイオード素子と配線ランドとの間がボンディングワイヤ61によって接続される。 - 特許庁

The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping.例文帳に追加

基体1上のメタモルフィックバッファ層20を、素子間分離溝41を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層20の延在領域20Rを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 - 特許庁

A pair of electrodes 23 and 24 are metallized on a transparent substrate 22, a light emitting diode element 6 is adhered on the substrate 22 with a transparent adhesive 5a, an upper surface electrode of the element 6 is wire-bonded, and the element 6 is sealed so as to be positioned at the focus of a parabolic spherical surface or an oval spherical surface which is formed of a transparent sealing resin 28.例文帳に追加

透明基板22上に一対の電極23、24をメタライズし、発光ダイオード素子6を透明接着剤5aで透明基板22に固着し、発光ダイオード素子6の上面電極をワイヤボンィングし、発光ダイオード素子6を透明封止樹脂28で形成した放物球面状または楕円球面状の焦点に位置するように封止する。 - 特許庁

Because there is no need to arrange the disconnection detecting resistive element on the seating face, such problems are easily avoided that stress concentration due to seating on a connection between the disconnection detecting resistive element and a conductive wire is repeated and the connection is subjected to disconnection, and that a resistance value fluctuation is caused because of pressure on the disconnection detecting resistive element.例文帳に追加

また、断線検出抵抗素子を着座面に配置する必要がないため、断線検出抵抗素子と導電線との接続部に着座による応力集中が繰り返しこの部位が断線しやすいという問題、断線検出抵抗素子に圧力がかかることによりその抵抗値変動が生じるという問題も容易に回避することができる。 - 特許庁

A sensor unit B comprises a magnetic sensor element 1 detecting a detection object of the rotary wheel, the cable 10 for extracting the output signal to the outside, and a substrate 11 including a conductive part to which the sensor element 1 and one end part of the cable 10 are attached and which electrically connects an electrode part 2 of the sensor element 1 to a core wire of the cable 10.例文帳に追加

回転輪の被検出体を検出する磁気式のセンサ素子1と、その出力信号を外部に取り出すケーブル10と、センサ素子1およびケーブル10の一端部が取付けられ、かつセンサ素子1の電極部2とケーブル10の芯線とを電気的に接続する導電部を有する基板11とでセンサユニットBを構成する。 - 特許庁

To solve the problem of electrodes of a second semiconductor element being unable to be stably wire-bonded due to the difficulty of adhering entire surfaces semiconductor elements to each other due to warpages of a circuit board and a first semiconductor element caused by the difference of thermal expansion coefficients, when a first resin between the board and the first semiconductor element is cooled to ambient temperature by heating and curing the first resin.例文帳に追加

配線基板と第1の半導体素子との間の第1の樹脂を加熱して硬化し、室温まで冷却すると、熱膨張率の相違により配線基板および第1の半導体素子が反るので、半導体素子どうしを全面にわたって接着することが困難となり、第2の半導体素子の電極に安定してワイヤボンディングできない。 - 特許庁

When the inductive passive element is formed of a wire on an element separating and insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, a substrate which has a 2 to 4 kΩcm specific resistance value, preferably, a 3cm specific resistance value is used as the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板1上に形成された素子分離絶縁膜2の上に配線により誘導性受動素子を形成する際、シリコン基板として2kΩcm以上でかつ4kΩcm以下の比抵抗値、望ましくは3kΩcmの比抵抗値を有する基板を用いる。 - 特許庁

The light emitting device includes a board 2 having an electrode 3b formed on the surface thereof, a light emitting element 1 mounted on the surface of the board 2, a wire 4 for electrically connecting the light emitting element 1 with the electrode 3b, and a reflector 11b formed on the surface of the electrode 3b.例文帳に追加

発光装置は、表面に電極3bが形成された基板2と、基板2の表面側に実装された発光素子1と、発光素子1と電極3bとを電気的に接続しているワイヤ4と、電極3bの表面に形成された反射部11bと、を有している。 - 特許庁

In a case 10, a first substrate 20 for mounting a power element 21 and a second substrate 30 having a pad 31 are housed, and a pad 22 of the power element 21 as the first bonding surface and the pad 31 of the substrate 30 as the second bonding surface are connected by an aluminum bonding wire 40.例文帳に追加

ケース10内には、パワー素子21を搭載する第1の基板20とパッド31を有する第2の基板30とが収納され、第1ボンディング面としてのパワー素子21のパッド22と第2ボンディング面としての第2の基板30のパッド31はアルミのボンディングワイヤ40にて結線されている。 - 特許庁

In this method for constructing a plurality of the steel elements connected together by a joint in ground, a jack (110) is installed in the leading end of the steel element having a cutting edge (210) attached to the leading end; and the steel element is inserted into the ground by pulling a steel wire or a steel rod by the jack.例文帳に追加

継手で連結する複数の鋼製エレメントを地盤中に施工する方法において、先端に刃口(210)を取り付けた鋼製エレメント先端部内にジャッキ(110)を設置し、前記ジャッキにより鋼線または鋼棒を牽引して鋼製エレメントを地盤中へ挿入するものである。 - 特許庁

An interposer 1 is face-down connected to the circuit board 7, and the semiconductor element 4 is face-down connected to the interposer 1 so as to attain the connection of the semiconductor element 4 in a semiconductor wire pitch level and the connection of an interposer to the circuit board 7 in a pitch level of a prior art.例文帳に追加

回路基板7にインターポーザ1をフェイスダウン接続し、半導体素子4をインターポーザ1へフェイスダウン接続することにより、半導体素子4は半導体配線間隔レベルで接続できるとともに、回路基板7には従来のピッチで接続することが可能となる。 - 特許庁

In a connecting method of PTC element 2 to have a metal- electrode plate 2b, the soldering of lead wire 5 with a connecting part of this metal-electrode plate 2b is made in the state that heat radiation plates 20, 22 are surface contacted between PTC element main body 2a side and the connecting part.例文帳に追加

金属電極板2bを有するPTC素子2の接続方法において、この金属電極板2bのPTC素子本体2a側と接続部と間に放熱板20,22を面接触した状態でリード線5をこの金属電極板2bの接続部に半田付けするようにしたものである。 - 特許庁

The thermistor element 3 and the joint between the thermistor element 3 and the electrode wire 4 are sealed up with an electrical insulating glass member 6, and a holding member 8 of electric insulating ceramic or the like holds the electrode wires 4, with a space kept constant between the pair of electrode wires.例文帳に追加

サーミスタ素子3およびサーミスタ素子3と電極線4との接合部を、電気絶縁性のガラス部材6にて封止するとともに、電気絶縁性セラミック等よりなる保持部材8により、一対の電極線4の間隔を維持しつつ一対の電極線4を保持している。 - 特許庁

A semiconductor package 10 comprises a semiconductor element 14 jointed on a die pad 12, lead terminal 16, metal thin wire 18 with which the electrode of the semiconductor element 14 is connected to the lead terminal, die pad lead 20 connected to the die pad 12, and resin-sealing body 22 which resin-seals them.例文帳に追加

本半導体パッケージ10は、ダイパッド12上に接合された半導体素子14、リード端子16、半導体素子の電極とリード端子とを接続する金属細線18、ダイパッドに接続されたダイパッドリード20と、及びそれらを樹脂封止した樹脂封止体22から構成される。 - 特許庁

To provide an electrode film having a metal compound film as a conductive connection portion which has high adhesiveness to a metal wire and is reduced in contact resistance on an interface for a transparent conductive film and a manufacturing method thereof, and a light emitting element having the electrode film for the semiconductor element.例文帳に追加

金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 20, a wire-like external connection terminal 22 is erected on one main surface 21a of a semiconductor element 21, and a plurality of pins 23 each lower than the height of an external connection terminal 22 are erected on the one main surface 21a of the semiconductor element 21.例文帳に追加

半導体素子21の一主面21aにワイヤ状の外部接続端子22を立設して成る半導体装置において、この半導体素子21の一主面21aに、外部接続端子22の高さよりも低いピン23を複数立設したことを特徴とする半導体装置20による。 - 特許庁

A P-N junction of a transistor element is formed on a surface layer at one surface of a semiconductor substrate, and one portion of the electrode of the transistor element positioned on one surface of the semiconductor substrate is electrically connected to a corresponding pad for wire bonding, disposed on the back of the semiconductor substrate via a through electrode.例文帳に追加

半導体基板の一面側表層に、トランジスタ素子のPN接合部が形成され、半導体基板の一面上に位置するトランジスタ素子の電極の一部が、貫通電極を介して、半導体基板の裏面に配置された対応するワイヤボンディング用パッドと電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 8 is fixed on top of the lead electrode 13 by the conductive adhesive 14 which is such that conductive particles are dispersed in resin, and the fixed lead electrode 13 and the semiconductor light emitting element 8 are connected to each other by wire bonding 16.例文帳に追加

半導体発光素子8が、導電性粒子を樹脂中に分散して成る導電性接着剤14によってリード電極13に固着され、かつ、その固着されたリード電極13と半導体発光素子8がワイヤーボンディング16によって接続されている。 - 特許庁

To obtain a semiconducting watertight composition filled in a space among element wires of a conductor by the extrusion coating method with the intertwined conductor and can form a semiconducting layer or an inner semiconducting layer simultaneously, and an insulating electric wire in which this semiconducting watertight composition is filled in the space among element wires of a conductor and is coated on the conductor.例文帳に追加

撚り合わせ導体に対して、押出被覆法などにより導体素線間に水密性組成物を充填でき、この充填と同時に半導電層あるいは内部半導電層を形成できるような半導電水密組成物を得ることにある。 - 特許庁

A joint (internal layer) between the molded element and an anode lead wire, and the peripheral part (external layer) of the molded element are set higher in density than an intermediate layer, so that a dielectric film can be protected against damage caused by an external force applied in capacitor manufacturing processes, and the capacitor having excellent leakage current characteristics can be obtained.例文帳に追加

成形体素子と陽極リードワイヤーとの接合部(内層)および成形体素子外周部(外層)の密度を中間層より高くすることで、コンデンサ製造工程で加わる外力による誘電体皮膜の損傷を防ぐことができるため、良好な漏れ電流特性が得られる。 - 特許庁

In a nitride semiconductor laser element chip, having a current constriction structure growing on a nitride semiconductor substrate, wire bond, is formed so that a position on the back of the nitride semiconductor substrate opposite to the current constriction structure substantially is included, thus reducing element fraction defective.例文帳に追加

窒化物半導体基板上に成長した電流狭窄構造を有する窒化物半導体レーザ素子チップであって、電流狭窄構造と実質的に対向する、窒化物半導体基板の裏面の位置を含むように、ワイヤーボンドを形成することによって、素子不良率を低減する。 - 特許庁

Load current which flows into a load from a semiconductor element 10 via a wire is detected by a current mirror circuit 13, and a current limiting circuit 14 limits the load current to an overcurrent limiting threshold or less, by controlling the semiconductor element 10, when the load current exceeds the overcurrent limiting threshold.例文帳に追加

半導体素子10からワイヤを介して負荷に流れる負荷電流をカレントミラー回路13で検出し、負荷電流が過電流制限闘値を超えると、電流制限回路14は、半導体素子10を制御して負荷電流を過電流制限闘値以下に制限する。 - 特許庁

The semiconductor element 11a having a higher gain than the other semiconductor element 11b and the microstrip line 13 located on the dielectric board 12 are connected together with a resistive bonding wire 14 which is increased in resistivity by loading it with impurities of high resistivity.例文帳に追加

これら各半導体素子のうち利得の高い半導体素子11aと誘電体基板12上のマイクロストリップ線路13との間を接続する接続部材として、抵抗率の高い不純物を混ぜて高い抵抗率を有する抵抗性ボンディングワイヤ14を用いる。 - 特許庁

The oxygen sensor (gas sensor) 1 comprises a shaft-like oxygen detecting element 2, a cylindrical casing 10 for containing the element 2, and a ceramic separator 18 provided coaxially with the casing 10 and with a plurality of lead wire inserting holes 12 penetrated in an axial direction.例文帳に追加

酸素センサ(ガスセンサ)1は、軸状の酸素検出素子2と、酸素検出素子2を収容する筒状のケーシング10と、ケーシング10に対し同軸的に設けられるとともに、複数のリード線挿通孔72が軸方向に貫通して形成されるセラミックセパレータ18とを備える。 - 特許庁

To provide a technique for eliminating a connection failure induced in a cooling test or during use of an element mounted in a vehicle or the like and reducing a dielectric loss or the like in the structure of a lead wire fixed to each of metallikon electrodes formed on both ends of the element included in various electronic components such as a film capacitor.例文帳に追加

フィルムコンデンサ等各種電子部品に於ける素子の両端面に形成したメタリコン電極に接続・固定したリード線の構成に於いて、その冷熱試験や車両等搭載使用時に誘起される接続不良をなくしかつ誘電損失等を少なくした技術を提供する。 - 特許庁

A molten metal pouring basin 9 is formed at the upstream side of a runner 3 for pouring molten copper or copper alloy L in a melting furnace 1 into a mold 2, and an active metal element wire R is continuously inserted into this molten metal pouring basin 9 and then, the active metal element is cast into this molten metal L while continuously adding it.例文帳に追加

溶解炉1内の銅又は銅合金溶湯Lを鋳型2に流し込むための樋3の上流側に湯溜槽9を形成し、この湯溜槽9内に活性金属元素ワイヤRを連続的に挿入してその溶湯L中に活性金属元素を連続添加しながら鋳込む。 - 特許庁

Each of the printed circuit 12 is composed of a first circuit 18 having a thickness similar to that of the thin optical element 13 and a second circuit 19 having a thickness bigger than that of the first circuit 18, and each of the first circuit 18 and each of the electrodes of the thin optical element 13 are connected to each other with a metal wire 20 respectively.例文帳に追加

プリント配線12は、薄型光素子13の厚みと同程度の厚みの第1配線18と、第1配線18よりも厚みのある第2配線19とからなり、第1配線18と薄型光素子13の電極とが金属配線20により接続されている。 - 特許庁

In one aspect, the shrinkable pouch includes an activating element which causes the shrinkable pouch to shrink, and the wire loop snare further includes at least one coupling member which connects the activating element to a supply source of shrinking energy.例文帳に追加

一局面において、収縮可能ポーチは、活性化要素を含み、該活性化要素は、収縮可能ポーチを収縮させ、そして、ワイヤループスネアは、さらに、少なくとも1つの接続部材を含み、該少なくとも1つの接合部材は、活性化要素を収縮エネルギー供給源に接続する。 - 特許庁

A recess is formed on a center portion of an end of an anode lead frame 20 so that the anode lead wire 50 of the capacitor element 10 is stably located on the recess to be electrically connected, and a mold 40 is formed to cover the capacitor element 10, the cathode lead frame 30, and the anode lead frame 20.例文帳に追加

陽極リードフレーム20は終端中心部分に凹部が形成され前記凹部に前記コンデンサ素子10の陽極リードワイヤ50が安着し電気的に接続されるようにし、モールド40が前記コンデンサ素子10、陰極リードフレーム30、及び陽極リードフレーム20を覆うよう形成される。 - 特許庁

The hanger device 5 arranged between a messenger wire 3 and a trolley cable 4 has a peripheral temperature responsive element 6 and an actuator 7 for performing the operation of realizing the constant slackness of the trolley cable 4 according to the output of the peripheral temperature responsive element 6 between upper and lower hanging cables.例文帳に追加

ちょう架線3とトロリ線4との間に配置されるハンガ装置5において、上部の垂下線と下部の垂下線との間に、周囲温度応答素子6と、この周囲温度応答素子6の出力に応じて前記トロリ線4の弛度を一定化する動作を行うアクチュエータ7とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a first lead, a second lead, a semiconductor light emitting element chip which is die-bonded onto the first lead and is wire-bonded to the second lead, and a metal body for heat radiating which is fastened to the first and second leads via an insulating adhesive layer.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は,第1及び第2リードと,第1リード上にダイボンディングされ,第2リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップと,絶縁性接着層を介して第1及び第2リードに固着された放熱用金属体とを有する。 - 特許庁

In the rotary electric machine which is equipped with a coil 7 with an element wire 7a wound and a rotary electric machine core 5 with the coil 7 arranged, both the space between the coil 7 and the rotary electric machine core 5 and the space between the element wires 7a are charged with heat conductive insulating resin 10.例文帳に追加

素線7aを巻回したコイル7と、このコイル7を配設した回転電機コア5とを備えた回転電機において、コイル7と回転電機コア5との間と、素線7a同士の間との双方が熱伝導性絶縁樹脂10で充填されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a color-converting light-emitting device which performs color conversion by passing light from a light-emitting element through a phosphor layer, wherein a problem of wire peeling from an electrode pad due to vibration or impact is solved and the light from the light-emitting element is effectively prevented from being emitted directly without being color-converted.例文帳に追加

発光素子からの光を蛍光体層に通すことによって色変換する色変換発光装置において、震動や衝撃による電極パッドからのワイヤ剥離の問題を解決するとともに、発光素子からの光が色変換されずに直接出射されるのを有効に防止する。 - 特許庁

A circuit element for impedance matching or the like connected to a signal wire 106 is divided into two or more, and the probe 107 is brought into contact with a connection point, and the divided voltage of a signal is measured, to thereby cause reflection of the signal by the circuit element 101 adjacent to the circuit to be measured to be attenuate.例文帳に追加

信号配線106に接続されるインピーダンス整合用等の回路素子を2つ以上に分割し、その接続点にプローブ107を接触させて信号の分圧電圧を測定することで、被測定回路に隣接する回路素子101で信号の反射を減衰させている。 - 特許庁

To prevent breaking of a fuse element without restricting a movement thereof in the case where Joule heat is generated because of flowing a current through the fuse and the fuse element is extended to cause deflection near by the central part in an electronic wire fuse so structured that a heavy-current shutoff part is covered with an arc-extinguishing agent.例文帳に追加

大電流遮断部を消弧剤で覆う電線ヒューズにおいて、電線ヒューズに電流が流れることでジュール熱が発生し、ヒューズ素子が伸びて中央部付近に撓みが発生する場合に、ヒューズ素子の動きを拘束しないようにしてヒューズ素子の破断を防止する。 - 特許庁

In one array-like area R1 of the resin sealing element 17, first a vertical part WV which is a part of the metallic wire 24 is moved in a curving manner along a cut line including a cut line 12C having curves and polygonal lines, to cut the resin sealing element 17.例文帳に追加

樹脂封止体17が有する1個の列状領域R1において、まず、金属線24の一部である垂直部WVが、曲線又は折れ線を有する切断線12Cを含む切断線に沿って屈曲状に移動して樹脂封止体17を切断する。 - 特許庁

In the production apparatus for a thin film device where the surface of a substrate 29 for film deposition is successively stacked with at least two layers by a hot wire CVD (Chemical Vapor Deposition) method, to the components in a heating element used for depositing the former thin film, the components in a heating element used for depositing the latter thin film are made different.例文帳に追加

被成膜用基板29上にホットワイヤーCVD法により少なくとも2層を順次積層する薄膜デバイス用製造装置において、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。 - 特許庁

The invention relates to the optical package element 1a having a structure where light emitting elements (optical functional elements) 3r, 3g, 3b are embedded in an optically-transparent package resin 5, and a scanning wire (conductive member) 7 is connected to the light emitting elements (optical functional element) 3r, 3g, 3b embedded in a package resin 5g.例文帳に追加

発光素子(光学機能素子)3r,3g,3bが光透過性のパッケージ樹脂5に埋め込まれ、さらにパッケージ樹脂5gに埋め込まれた発光素子(光学機能素子)3r,3g,3bに対して走査配線(導電性部材)7が接続された構成の光学パッケージ素子1aに関する。 - 特許庁

例文

Also this connector comprises the metallic body case 2, the metallic tip side cylindrical case 3, the resin plug pin support 4 and the roughly L-shaped metallic plug pin, having a pin element at one tip end thereof for having the plug pin support 4 passed through in the horizontal direction and having a connecting element for the core wire at the other end of the plug pin.例文帳に追加

また、金属製本体ケースと、金属製先端側筒状ケースと、樹脂製プラグピン支持体と、該プラグピン支持体に水平方向に挿通される先端ピン部が設けられ、且つ他端側に芯線接続部が設けられた略L字形の金属製プラグピンとを具備する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS