「flash less」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Energy P_flash to be consumed when performing the flash light irradiation of one time from the flash lamp is made equal to or less than 1/(n+1) of energy P_initial stored in the capacitor before performing the first flash light irradiation.例文帳に追加

フラッシュランプから１回のフラッシュ光照射を行うときに消費するエネルギーＰ_flashを、最初のフラッシュ光照射を行う前にコンデンサに蓄えられたエネルギーＰ_initialの１／（ｎ＋１）以下とする。 - 特許庁

To provide a photographing device which can less stimulate the eye with intense light of flash lighting.例文帳に追加

フラッシュ照明による強い光に対して目の刺激を和らげることができる撮影装置を提供する。 - 特許庁

The flash lamp whose supply energy per pulse of flash pulses with spectral characteristics including a wavelength region of 300 nm or less is set to 0.5-20 J and number of flash pulses per second is set to 10-400 is moved to approach to the object to be sterilized and irradiate the object to be sterilized with flash pulses.例文帳に追加

３００nm以下の波長域を含む分光特性の閃光パルスの１パルス当たりの供給エネルギーを０．５〜２０Ｊとし、１秒当たりの閃光パルス数を１０〜４００箇とし、フラッシュランプを移動させて被殺菌対象物に近づけ閃光パルスを被殺菌対象物に照射する。 - 特許庁

iii) Inflammable liquid -- Liquid with flash point (Flash point measured by the Continuous Closed Cup Flash Point (CCCFP) measurement method -- applicable to the rest of the document) of less than or equal to 60 degrees centigrade (excludes the case when the liquid with flash point of over 35 degrees centigrade and with inability to burn continuously is transported at a temperature below the relevant flash point.) or liquid substance with flash point over 60 degrees centigrade (excludes the case when the substance is transported at a temperature below the relevant flash point. 例文帳に追加

三　引火性液体　引火点（密閉式引火点測定法による引火点をいう。以下同じ。）が摂氏六十度以下の液体（引火点が摂氏三十五度を超える液体であつて、燃焼継続性がないと認められるものが当該引火点未満の温度で輸送される場合を除く。）又は引火点が摂氏六十度を超える液状の物質（当該引火点未満の温度で輸送される場合を除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a flash discharge lamp equipped with an ozone-less quartz tube with Ti doped and hardly generating melanism of an arc tube.例文帳に追加

Ｔｉをドープしたオゾンレス石英管を有し、発光管の黒化の生じにくい閃光放電ランプを提供すること。 - 特許庁

VERSATILE FLASH-LESS EMBEDDING DISH, CASSETTE OF THE SAME AND EMBEDDING METHOD WHEN EMBEDDING BLOCK OF PATHOLOGY TEXTURE SAMPLE CASSETTE IS PREPARED例文帳に追加

病理組織試料用カセットの包埋ブロック作製時における万能バリ無し包埋皿とそのカセットと包埋方法 - 特許庁

The first selector selects the data input without going through the buffer memory and to be stored in the flash memory when the speed of the data to be stored in the flash memory is less than a speed writable in the flash memory.例文帳に追加

前記第１のセレクタは、前記フラッシュメモリに格納されるべきデータの速度が、前記フラッシュメモリへの書き込み可能速度未満である場合には、前記バッファメモリを経由せずに入力された前記フラッシュメモリに格納されるべきデータを選択する。 - 特許庁

To provide an auxiliary light irradiating device which has less power consumption and time lag than an auxiliary light irradiating device such as an electronic flash.例文帳に追加

ストロボなどの補助光照射装置に比べて、消費電力やタイムラグの少ない補助光照射装置を提供すること。 - 特許庁

When the calculated suitable exposure value is reduced to the exposure value for emitting the flash and less, the flash is set so as to be emitted even when the shutter speed is the camera shake limit shutter speed and more.例文帳に追加

そして、算出された適正露出値がフラッシュを発光させる露出値以下になると、シャッタ速度が手ブレ限界シャッタ速度以上であってもフラッシュを発光させるように設定する。 - 特許庁

To provide a method for welding a thermoplastic resin member which is less likely to drop off a welding flash and easy in assembling, by preventing the welding flash from arising and prominently thrusting at outer and inner peripheral surfaces of a case.例文帳に追加

筐体の外周面及び内周面に生成されるバリが大きく張り出すのを防止し、脱落し難く、組み付け性が良い熱可塑性樹脂部材の溶着方法を提供する。 - 特許庁

Namely, the light emission of the electronic flash is inhibited when the light emission quantity of the electronic flash is small or when the distance from the image pickup device to the subject is less than a specific distance.例文帳に追加

すなわち、ストロボの発光が禁止される、ストロボの発光量が弱くされるあるいは撮像装置から被写体までの距離が所定の距離以下のときにストロボ発光手段による発光が禁止される。 - 特許庁

To provide a flash discharge light emitter that has less number of parts, and a ready display circuit and a lower cost.例文帳に追加

可能なるかぎり部品点数を少なくし、かつ、ロ−コスト化を計ったレディ表示回路を備える閃光放電発光器を提供すること。 - 特許庁

The flash memory control device includes: a rewritable NAND flash memory 210 composed of a plurality of blocks; and a NAND flash controller 110 which refreshes an arbitrary number of blocks less than the total number of blocks out of the plurality of blocks of the NAND flash memory 210 and refreshes different blocks from the last ones at predetermined timing.例文帳に追加

フラッシュメモリ制御装置は、複数のブロックから構成される書き換え可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ２１０と、所定のタイミングで、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２１０の複数のブロックのうち全ブロック数より少ない任意の数のブロックをリフレッシュし、所定のタイミングの度に、前回とは異なるブロックをリフレッシュするＮＡＮＤフラッシュコントローラ１１０と、を備える。 - 特許庁

When the reliability determination value which is sequentially updated becomes a prescribed threshold or less, data are read out from the flash memory and the read data are written (S230).例文帳に追加

順次更新される信頼性判定値が規定閾値以下となった場合、フラッシュメモリからデータを読み出し、その読み出したデータを書込み処理する（Ｓ２３０）。 - 特許庁

To provide a flash setting ground-grouting chemical solution having a gel time (60 seconds or less) suitable as a packer material and appropriate strength when set.例文帳に追加

パッカー材として適切なゲルタイム（６０秒以下）、及び固化した際に適切な強度を有する瞬結性地盤注入用薬液を提供する。 - 特許庁

(a) Electron accelerators or flash X-ray generators with a peak value for electron kinetic energy of 0.5 megaelectron volts or more and less than 25 megaelectron volts, and that fall under any of the following 例文帳に追加

イ　電子の運動エネルギーのせん頭値が〇・五メガ電子ボルト以上二五メガ電子ボルト未満であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

USB flash drives have less storage capacity than an external hard drive, but they are smaller and more durable because they do not contain any internal moving parts. 例文帳に追加

USBフラッシュ・ドライブは外部ハードドライブよりもストレージ容量は少ないが、内部的可動部分が一切ないので、より小型でありより耐久性が高い。 - コンピューター用語辞典

When an update frequency value is equal to or more than a reference value, the SSD1 writes the data in a block whose data rewrite frequency is less than a prescribed frequency in a flash memory 7, and when the update frequency value is less than the reference value, writes the data in a block whose data rewrite frequency is equal to or more than the prescribed frequency in the flash memory 7.例文帳に追加

ＳＳＤ１は、更新頻度値が基準値以上であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数未満のブロックに当該データを書き込み、更新頻度値が基準値未満であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数以上のブロックに当該データを書き込む。 - 特許庁

A charge generating agent having no absorption peak in the maximum intensity wavelength of flash light emitted by the flash fixing means but having a main absorption peak within a wavelength region where the intensity of the flash light is 1/2 or less of the maximum intensity is incorporated in a photoreceptive layer formed on a supporting substrate.例文帳に追加

支持基体上に形成された感光層に、フラッシュ定着手段が発するフラッシュ光の最大強度波長に吸収ピークを有しておらず、かつ前記フラッシュ光の強度が最大強度の１/2倍以下となる波長域内に主たる吸収ピークを有する電荷発生剤を含有させた。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor memory device in which there are less deterioration and variation in the property of a Vpp transistor, and which provides the stable memory cell property of a flash memory.例文帳に追加

Ｖｐｐトランジスタの特性の劣化やばらつきが少なく、安定したフラッシュメモリのメモリセル特性を得ることができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

On that occasion, neighboring getter materials are arranged with a spacing so that among the getter films formed by the getter flash of the respective getter materials, a region of a film thickness of 50±25% or less to the film thickness of the center part of the getter film may be overlapped with the getter film formed by the getter flash of the other getter material, and the getter flash is carried out.例文帳に追加

その際、隣合う２つのゲッター材を、各ゲッター材のゲッターフラッシュにより形成されるゲッター膜の内、ゲッター膜中心部の膜厚に対して５０±２５％以下の膜厚となる領域が他方のゲッター材のゲッタフッラッシュにより形成されるゲッター膜と重なるように間隔を置いて配置し、上記ゲッターフラッシュを行う。 - 特許庁

To provide a computer system with which a cache memory with high hit rate and also with less overhead of access even with small capacity is given to a storage medium using a flash memory as a main medium, writing to the flash memory is quickened and writing frequencies are reduced.例文帳に追加

フラッシュメモリを主媒体とする記憶装置に小容量でもヒット率が高く、アクセスのオーバーヘッドも少ないキャッシュメモリを付与することが可能になり、フラッシュメモリへの書き込みを高速化し、書き換え回数も低減させることが可能なコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a moving picture processing unit and its method and a computer readable memory that can carry out detection of flash with less arithmetic amount while keeping high accuracy and carry out cut detection to exclude mis-detection by the flash.例文帳に追加

高い精度を保ちながら、演算量が少ないフラッシュ検出を実行でき、かつ、フラッシュ検出の結果を利用して、フラッシュによる誤検出を排除するカット検出を実行できる動画像処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a timer device having a boss part to be insertion-coupled with a window hole which is not less than the size of one flash plate and performing actions of high reliability, though it is an electronic type.例文帳に追加

電子式でありながら、フラッシュプレートの１個用以上の大きさの窓孔に嵌合するボス部を備えていて、信頼性の高い動作を行うタイマ装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a background from being photographed more darkly in the case of electronic flash photographing, especially, in a wide room or in the open air with less illumination than in the conventional film unit with a lens.例文帳に追加

特に広い室内や照明の少ない屋外におけるストロボ撮影において、従来のレンズ付きフィルムユニットよりも背景が暗く写ることがないようにしたレンズ付きフィルムユニット。 - 特許庁

In the flash lamp comprising an arc tube made of alumina (Al_2O_3) or sapphire (single-crystal alumina), the concentration of Ti contained in the arc tube is set to 10 wt.ppm or less.例文帳に追加

アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）またはサファイア（単結晶アルミナ）からなる発光管を具備してなるフラッシュランプにおいて、前記発光管に含まれるＴｉ濃度を１０ｗｔ．ｐｐｍ以下に設定する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor which shows an excellent filling ability, produces less flash in forming a semiconductor device and gives a formed semiconductor showing excellent solder resistance.例文帳に追加

充填性に優れ、バリの発生の少ない半導体装置が得られ、かつ成形された半導体装置の耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Because a DRAM 52 consumes less power than the flash ROM when the terminal voltage is such that corresponds to the storable state of the DRAM 52 even if the terminal voltage is short of a voltage corresponding to the storable state of the flash ROM, the DRAM can be maintained in the storable state.例文帳に追加

上記端子電圧がＦｌａｓｈＲＯＭの保存可能状態に対応する電圧より不足でもＤＲＡＭ５２の保存可能状態に対応する電圧にあれば、ＤＲＡＭは、ＦｌａｓｈＲＯＭよりも電力消費が少ないため、保存可能状態に維持される。 - 特許庁

The flash lamp 10 is equipped with a pair of electrodes 12 composed of tungsten in the flash tube 11 composed of alumina (Al_2O_3), and the summation of hydrogen concentration contained in the electrodes and an arc space is 2.5×10^-4 (pa m^3/tube) or less.例文帳に追加

本発明のフラッシュランプは、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる発光管１１内に一対のタングステンよりなる電極１２を具備してなるフラッシュランプ１０において、電極１２および発光空間内に含有される水素濃度の総和が２．５×１０^−４（ｐａ・ｍ^３／本）以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Then, whether or not the data stored in the RAM 4 are referred to not less than the prescribed number of times is judged, and when the data have been referred to not less than the prescribed number of times, the data are written again in the flash memory 5, and otherwise, the data are erased from the RAM 4.例文帳に追加

ＲＡＭ４に記憶したデータが、所定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以上参照された時、データをフラッシュメモリ５に再び書込み、所定の回数以上参照されていない時、データをＲＡＭ４から消去する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

At the time of carrying out heat treatment, the position of the substrate W is adjusted so that a distance between the surface of the substrate W and each xenon flash lamp 69 can be set so as to be 40 mm or more and 100 mm or less.例文帳に追加

熱処理時においては、基板Ｗの表面と各キセノンフラッシュランプ６９との間の距離が４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下となるように基板Ｗの位置が調整される。 - 特許庁

The detergent contains (a) 30 to 90 mass% of a thermoplastic resin and (b) 70 to 10 mass% of glass having an average length of 100 μm or less, and has a flash temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

本発明の洗浄剤は、（ａ）熱可塑性樹脂３０〜９０質量％と、（ｂ）平均長さが１００μｍ以下のガラス７０〜１０質量％とを含有し、引火温度が４００℃以上である。 - 特許庁

Since the regular light-emitting time T is several msec or less, the flash light emission photography and the light non-emission photography are performed at the same time in most (hatched part in Fig.2) of the exposure time of the imaging device (1).例文帳に追加

本発光時間Ｔは数ｍｓｅｃ以下であるから、撮像素子（１）の露光時間の大部分（図２斜線部）はフラッシュ発光撮影と非発光撮影と同時に行うことができる。 - 特許庁

The rare gas flash discharge lamp has bipolar of electrodes and is enveloped with rare gas and metal having light spectrum of wavelength less than 400 nm and turn on by switch the polarity electrodes.例文帳に追加

希ガス、および波長が４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する金属が封入された希ガス閃光放電ランプの電極を両極性とし、電極の極性を切り替えて点灯する。 - 特許庁

To provide a flash discharge lamp with less disposition of an emitter material when using the lamp and withstanding tremendous cycles of discharge under high voltage, e.g. 2 millions of shots at about 1,500 V.例文帳に追加

ランプ使用時にエミッタ材料の飛散が少なく、使用電圧約１５００Ｖで２００万ショットというような、高電圧で極多回数の放電にも耐えうる閃光放電ランプを提供すること。 - 特許庁

When high-intensity flash lamp annealing irradiation is performed for heating a wafer for 0.1 to 10 ms at no less than 1,100°C wafer surface temperature, the wafer-surface temperature immediately prior to the irradiation is set at a high temperature range of 800 to 1,000°C.例文帳に追加

ウェハをウェハ表面温度１１００℃以上に０．１〜１０ミリ秒で加熱するための高強度のフラッシュランプアニールを照射する際、その直前のウェハ表面温度を８００〜１０００℃と高温にする。 - 特許庁

Further, by setting the average particle size of the lubricant to 8% or less of the pore diameter of the nozzle 2a, it is possible to prevent the lubricant from exposing from the nozzle to cause flash or processing failure when the nozzle is formed by laser processing.例文帳に追加

また、滑剤の平均粒径をノズルの孔径の８％以下とすることにより、レーザー加工によりノズルを形成した場合に、ノズルから滑剤が露出し、バリや加工不良となるのを防止することができる。 - 特許庁

In the case of forming an image, an exposure wavelength within the wavelength region where the intensity of the flash light is 1/2 or less of the maximum value and within the wavelength region of the 90% value of the main absorption peak of the charge generating agent is adopted.例文帳に追加

また、画像形成においては、フラッシュ光の強度が最大値の１/2倍以下となる波長域内にあり、前記電荷発生剤の主たる吸収ピークの90%値波長域内にある露光波長を採用した。 - 特許庁

Ethanol solution obtained by dissolving a tearing irritant substance, namely L-menthol in ethanol is diluted with water till alcohol concentration becomes less than 60 v/v%, for raising the flash point, so as to make a tear solution into a non-firehazardous material.例文帳に追加

催涙水溶液は催涙刺激物質であるＬ−メントールをエタノールに溶解したエタノール溶液を、アルコール濃度６０ｖ／ｖ％未満まで水で希釈することにより引火点を上げて火災非危険物とする。 - 特許庁

The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.例文帳に追加

本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁

On the other hand, the CPU 15 allows the image processing section 6 to generate a simple image of which the number of pixels is less than that of the basic image from the photographed image or the basic image and allows an image recording section 14-2 to record the simple image in a flash memory 14.例文帳に追加

その一方で、ＣＰＵ１５は、撮影画像若しくは基本画像からその画素数が基本画像よりも少ない簡易画像を画像処理部６に作成させ、フラッシュメモリ１４内の画像記録部１４−２に記録させる。 - 特許庁

In the image acquisition device 1, the flash light having a pulse width of 10 μ-second or less is emitted from the LED 31 to the object 9 moved by the conveyor 2, and the image of an inspection domain on the object 9 is acquired.例文帳に追加

画像取得装置１では、コンベア２により移動する対象物９に対してパルス幅が１０μ秒以下のフラッシュ光がＬＥＤ３１から出射され、対象物９上の検査領域の画像が取得される。 - 特許庁

In step 1003, the host CPU calculates free space in an NAND-type flash memory and, if the free space is determined to be equal to or less than a preset threshold value in step S1004, then a restoration program is executed in step S1005.例文帳に追加

ステップＳ１００３で、ホストCPUは、NAND型フラッシュメモリの空き容量を算出し、ステップＳ１００４で空き容量が予め設定された閾値以下であると判定された場合、ステップＳ１００５で、修復プログラムが実行される。 - 特許庁

A water tight frame (14) for water-tightly fitting to outer faces of a quadrangular pathology sample cassette integrally and outwardly protrudes from the periphery of the opening (2a) of the pathology sample flash-less embedding dish (59).例文帳に追加

包埋皿（５９）の開口部（２ａ）の周縁外側に、四角形の病理試料用カセットの外側面と水密に嵌合するための水密枠（１４）を一体的に突設することを特徴とする病理試料用バリ無し包埋皿 - 特許庁