「high-isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

Also, an input level obtained when an amplification operation is stopped becomes a very small value in comparison with a level obtained when the amplification operation is performed because the level of an inputted high frequency signal is subjected to attenuation control, and the off isolation of the circuit can be sufficiently taken.例文帳に追加

また、入力される高周波信号のレベルが減衰制御されるため、増幅動作停止時の入力レベルは動作時のレベルに比べ非常に小さな値となっており、高周波増幅回路１のオフ・アイソレーションも十分取れることになる。 - 特許庁

To provide a small-sized, low-cost high frequency circuit component having a good isolation characteristic between transmission and reception, without adding any switch circuit to the reception circuit side, even in a frequency band in which a transmission frequency band partially overlaps with a reception frequency band.例文帳に追加

送信周波数帯域と受信周波数帯域が部分的に重畳する周波数帯域においても、受信回路側へスイッチ回路を追加することなく、良好な送受信間のアイソレーション特性を有する小型で安価な高周波回路部品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which elements 3 separated longitudinally and laterally by insulating members 2a in element, well, and circuit units, the semiconductor device having a high isolation breakdown voltage and being manufactured inexpensively without using an SOI substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子、ウェル、および回路単位で縦横方向が絶縁部材２ａで分離された構造の素子３が形成された半導体装置において、高い分離耐圧を有し、さらにＳＯＩ基板を使わずに低コストで製造できる半導体装置、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially.例文帳に追加

素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。 - 特許庁

An excessive flow rate isolation valve 14 which isolates flowing- out of working oil from a hoist cylinder 10 when the working oil exceeding the specified flow rate is discharged therefrom is connected to a high-pressure oil chamber of the hoist cylinder 10.例文帳に追加

ホイストシリンダ１０の高圧側油室には、ホイストシリンダ１０から所定流量以上の作動油が排出された場合に、ホイストシリンダ１０からの作動油の流出を遮断する過大流量遮断弁１４が連結されている。 - 特許庁

Hence, since the bipolar transistor can be formed, without causing the penetration of the external base layer or the trench isolation region in the forming of the contact via hole on the external base layer, leakage will not be generated at the collector-base region and is capable of forming the bipolar transistors with high yield.例文帳に追加

そのため、外部ベース層上のコンタクトヴィア形成において外部ベース層又はトレンチ分離の突き抜けを起こすことなくバイポーラトランジスタを形成することができるため、コレクタ・ベース間リークを引き起こすことなく、高歩留なバイポーラトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with which thinning of a gate insulating layer in an STI end of a transistor element having an STI (Shallow Trench Isolation) structure, especially, a high breakdown voltage transistor element, and the structure is formed without adding a large process.例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有するトランジスタ素子、特に高耐圧トランジスタ素子のＳＴＩ端部でのゲート絶縁層のシニングを防止し、なおかつ大幅な工程を追加することなくその構造を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

To provide a multiband enabled antenna device which attains reduction in size/in space, prevents a gain from being reduced, by ensuring isolation even in a plurality of frequency bands, and has a broad bandwidth and a high average gain in each of frequency bands.例文帳に追加

本発明は、小型化・省スペース化を図ると共に、複数の周波数帯域においてもアイソレーションを保って利得の低下を防ぐと共に、各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得も高いマルチバンド対応のアンテナ装置を提供する。 - 特許庁

The base-isolation structure is provided with the quake-absorbing anchor bolt whose middle or lower part is composed of a high-strength elastic body of a wire shape made of steel or reinforced resin for absorbing the earthquake energy and also a coil-shaped elastic body made of steel or reinforced resin which surrounds the stem of the anchor bolt.例文帳に追加

地震エネルギーを吸収するための金属もしくは強化樹脂製のワイヤー状の高強度弾性体がその中腹部又は下方部を構成する免震アンカーボルトと、前記アンカーボルトの腹部を囲む金属もしくは強化樹脂製のコイル状弾性体を併せ備えた免震構造による。 - 特許庁

To provide a switch circuit for maintaining a nonconductive state of a transistor so as not to cause deterioration in the isolation characteristic even when a signal with a high amplitude is applied to the switch circuit so as to bring the transistor in the nonconductive state to a conductive state.例文帳に追加

非導通状態にあるトランジスタが導通状態になるような振幅の大きい信号が印加する場合においても、そのトランジスタを非導通状態に保ち、アイソレーション特性の劣化を起こさないスイッチ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a binder resin for toners which has good fixability because of excellent thermal responsiveness in fixing, so that a high-glossiness image can be formed, and which excels also in anti-hot-offset properties, storage stability and mechanical strength and suppresses isolation of incorporating components in kneading, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

定着時の熱応答性に優れるために定着性が良好で光沢度の高い画像を形成でき、非ホットオフセット性、保存性、機械的強度にも優れ、混練時における含有成分の分離も抑制されたトナー用結着樹脂とその製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a high frequency switch circuit capable of improving maximum input power without incurring deterioration in isolation characteristics by individually controlling gate widths of FETs in a multi-stage according to the power received by each FET.例文帳に追加

多段化したＦＥＴのゲート幅を各々のＦＥＴに入力される電力に応じて個別に制御することによって、アイソレーション特性の劣化を招くことなく最大入力電力を向上させることの可能な高周波用スイッチ回路を提供すること。 - 特許庁

The vibration isolation rubber is prepared that vulcanized rubber, or powder rubber or rubber chip formed of a waste material of a rubber product for industry is molded into a porous elastic rubber molded product, used as material rubber, having porosity being high in an equivalent damping coefficient.例文帳に追加

本発明の防振ゴムは、加硫ゴム乃至は古タイヤ、工業用ゴム製品の廃材から造られた粉末ゴム乃至ひじき状ゴムチップを材料ゴムとして等価減衰係数が大きい空隙率を有する多孔質の弾性ゴム成形体に成形した。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The rubber composition for a seismic isolation structure contains a high-cis isoprene rubber having a cis-isomer content of ≥90 mass% as a main rubber component, wherein the ratio of the high-cis isoprene rubber to the total rubber component is ≥50 mass% and the ratio of the cis-isomer in the high-cis isoprene rubber is 90-99 mass%.例文帳に追加

シス形の含有割合が９０質量％以上の高シス−イソプレンゴムを主なゴム成分として含有することを特徴とする免震構造体用ゴム組成物であり、高シス−イソプレンゴムが全ゴム成分の５０質量％以上であり、高シス−イソプレンゴムのシス形の含有割合が９０〜９９質量％である免震構造体用ゴム組成物。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic iodine compound by which the solidification, the coloring due to the isolation of iodine and the degradation of purity caused by the high hygroscopicity, the high deliquescent property and the easily liberated characteristic of iodine which are the nature of the widely and industrially used inorganic iodine compound are improved and which has high purity, excellent preservation stability and easily handlable property.例文帳に追加

産業上広く利用されている無機ヨウ素化合物が本来有する、吸湿性、潮解性が強く、ヨウ素を遊離しやすいという性状に起因する、固結、ヨウ素の遊離による着色及び純度低下を改善した、高純度で保存安定性がよく取り扱いが容易な当該化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an output power control technology whereby the forward isolation in a standby state of a high frequency power amplifier (power module) can be improved, wherein the high frequency power amplifier controls an output power by making a bias voltage applied to a control terminal of a high frequency power amplifier element constant so as to change an operating voltage (power voltage) in response to a signal for instructing an output level.例文帳に追加

高周波電力増幅素子の制御端子に印加されるバイアス電圧を一定にして、出力レベルを指示する信号に応じて動作電圧（電源電圧）を変化させて出力電力を制御する高周波電力増幅器（パワーモジュール）において、スタンバイ状態におけるフォワードアイソレーションを向上させることができる出力電力制御技術を提供する。 - 特許庁

Sneak from a low output amplifying section 110 under operating state to a high output amplifying section 109 under stopping state, and sneak from the high output amplifying section under operating state to the low output amplifying section under stopping state are reduced by employing an input matching circuit 107 having high isolation characteristics at the input matching circuit section which has little effect on the efficiency of an amplifier.例文帳に追加

増幅器の効率に影響を及ぼしにくい入力整合回路部分に、高アイソレーション特性を持つ入力整合回路１０７を用いて、動作状態の小出力増幅部１１０から停止状態の大出力増幅部１０９への回り込み、および大動作状態の出力増幅部から停止状態の小出力増幅部への回り込みを低減する。 - 特許庁

Current capacity of the FET at a high frequency signal input side is made greater than current capacity of the FET at a high frequency signal output side in the FETs of the multi-stage configuration to improve the maximum input power and the gate width of the FET at the high frequency signal output side is made to be narrower to prevent deterioration in the isolation characteristics.例文帳に追加

多段化したＦＥＴのうち、高周波信号入力側のＦＥＴの電流容量を高周波信号出力側のＦＥＴの電流容量よりも大きくすることにより最大入力電力を向上させるとともに、高周波信号出力側のＦＥＴのゲート幅を小さくすることによりアイソレーション特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

To assure minimum necessary isolation between a plurality of high-frequency signal terminals provided at one side of an integrated circuit by suppressing the propagation of the leakage of an unnecessary high-frequency component even when the integrated circuit for handling a signal of the extremely high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band.例文帳に追加

マイクロ波帯やミリ波帯という極めて高い周波数帯の高周波信号を扱う集積回路を実装する場合においても、不要な高周波成分の漏れの伝播を極力抑制して、集積回路の一辺に複数設けられる高周波信号端子間の最低限必要なアイソレーションを確保できるようにする。 - 特許庁

The vibration isolation structure of the high bridge mutually joins and integrates adjacent beams 52, 52 for an independent unit high bridge 50 comprising a frame structure of a plurality of spans by a joining part 1, and the joining part 1 is composed of channel steels 2, 2 arranged on the ends 54, 54 of each high bridge and a hollow cylindrical steel pipe 3 arranged therebetween.例文帳に追加

高架橋の防振構造は、複数径間のラーメン構造から成る独立した単位高架橋５０に対して、隣接する梁５２、５２同士を接合部１で相互に接合して一体化しており、接合部１は、各単位高架橋の端部５４、５４に配置している溝型鋼２、２と、その間に配列されている中空円筒体の鋼管３から構成されている。 - 特許庁

To provide an improved pneumatically controlled liquid-filled active vibration isolator that can advantageously secure liquid flow amount in the first orifice path tuned to the low frequency side while vibration isolation effect is well secured in the second orifice path tuned to the high frequency side so that the vibration isolation effect based on the flow of liquid resonance or the like can be exhibited in the first orifice path more effectively.例文帳に追加

高周波側にチューニングされた第二のオリフィス通路による防振効果を十分に確保しつつ、低周波側にチューニングされた第一のオリフィス通路における流体流動量を有利に確保し、該第一のオリフィス通路を流動せしめられる流体の共振作用等の流動作用に基づく防振効果をより有効に発揮せしめ得る改良された構造の空気圧制御型の流体封入式能動型防振装置を提供すること。 - 特許庁

A short channel region 12 having polarity reverse to that of a low-concentration body region 10 and high in concentration is selectively formed between the low-concentration body region 10 becoming a channel and an element isolation film 4 and immediately under a gate oxide film 8, and a shape where only a part immediately under the gate oxide film 8 of the body region 10 is retracted toward a high-concentration source region 7 is provided.例文帳に追加

チャネルとなる低濃度ボディ領域１０と素子分離膜４の間かつゲート酸化膜８の直下に選択的に低濃度ボディ領域１０と逆の極性で濃度が高いショートチャネル領域１２を設け、ボディ領域１０のゲート酸化膜８直下部分のみを高濃度ソース領域７側に後退させた形状を実現する。 - 特許庁

To suppress the generation of off-center between two ferrite plates, to obtain the characteristics of a circulator at high reproducibility and to improve mass production based on easy production by improving the insertion loss and isolation characteristic of a high frequency signal in a higher frequency band and a wide band, improving positional accuracy between a mode suppressor and a ferrite plate and improving the assembling reproducibility of the circulator.例文帳に追加

より高周波帯域かつ広帯域において高周波信号の挿入損失およびアイソレーション特性が改善され、モードサプレッサとフェライト板との位置精度が向上し、サーキュレータの組立再現性が向上して２枚のフェライト板の心ずれが発生し難くなり、サーキュレータ特性を再現性良く安定して得られ、また製造が容易化されて量産性に優れたものすること。 - 特許庁

The production method has excellent characteristics such as (1) usable repeatedly of an ammonia-containing filtrate in production, (2) improving the yield of aminomalonamide without decreasing purity thereof and, further, (3) preventing isolation and volatilization of ammonia, and is useful as a commercial production method of high purity aminomalonamide with high yield and low in environmental load.例文帳に追加

本発明の製造法は、（１）アンモニア含有濾液を繰り返し製造に使用できる、（２）アミノマロンアミドの純度を低下させることなく、収率を向上させ、さらに（３）アンモニアの遊離および揮発を防ぐことができる、などの優れた特徴を有し、環境負荷が少なく、高純度、高収率なアミノマロンアミドの工業的製造法として有用である。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20.例文帳に追加

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

The semiconductor device manufactured by this manufacturing method comprises an active region including a high-voltage element region and a low-voltage element region, a semiconductor substrate 100 defined as an inactive region, an element isolation film 110 formed on the inactive region of the semiconductor substrate 100, and a gate oxide film 120 formed on the high-voltage region of the semiconductor substrate so that it has a uniform thickness.例文帳に追加

本発明の製造方法により製造された半導体素子は、高電圧素子領域と低電圧素子領域とを含む活性領域と、不活性領域とで定義される半導体基板と、前記半導体基板の不活性領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板の高電圧素子領域上に均一な厚さを有するように形成されるゲート酸化膜とを含む。 - 特許庁

Electrode terminals (E1 to E36) are provided near the substrate 1 to obtain direct current (DC) or high-frequency signals, and a dice-bonded region DDB1 for handling DC signals and a dice bond region RDB1 for handling high-frequency signals are provided separately at the center of the substrate 1 so that the isolation characteristics are improved.例文帳に追加

基板１の周辺部に、直流あるいは高周波信号を取り出す電極端子（Ｅ１〜Ｅ３６）を配設し、基板１の中央部に、直流信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＤＤＢ１と、高周波信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＲＤＢ１とを分離して配設することにより、アイソレーション特性を向上させる。 - 特許庁

To improve the insertion loss and isolation characteristics of a high frequency signal in a higher frequency band and a wider band, to improve the accuracy of relational positions of a mode suppressor and a ferrite board, to hardly cause the center deviation of two ferrite boards by facilitating the reassemblage of a circulator, to stably provide circulator characteristics with high reproducibility, to facilitate production and to improve mass-productivity.例文帳に追加

より高周波帯域かつ広帯域において高周波信号の挿入損失およびアイソレーション特性が改善され、モードサプレッサとフェライト板との位置精度が向上し、サーキュレータの組立再現性が向上して２枚のフェライト板の心ずれが発生し難くなり、サーキュレータ特性を再現性良く安定して得られ、また製造が容易化されて量産性に優れたものすること。 - 特許庁

To obtain a package for high-frequency circuit, which suppresses the deterioration of cavity resonance and isolation characteristics and has superior transmission characteristics in the package consisting of a package base mounting a high-frequency semiconductor element, a package lid, arranged on the package base and an electromagnetic wave absorber arranged inside the package lid.例文帳に追加

高周波半導体素子が実装されたパッケージベースと、該パッケージベース上に配設されたパッケージ蓋体と、該パッケージ蓋体の内側に配設された電磁波吸収体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、空洞共振、アイソレーション特性の劣化を抑制し且つ伝送特性に優れた高周波回路用パッケージを得る。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor device whereby a semiconductor device with a high breakdown strength MOS type transistor can be manufactured readily at a low cost, by forming a drift region of complete dielectric isolation and a proper thickness by using a semiconductor device with a high breakdown strength MOS transistor, especially an SOI board.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置、特に、ＳＯＩ基板を用いて、完全な誘電体分離と適切な厚みのドリフト領域を形成することにより、高耐圧のＭＯＳ型トランジスタを有する半導体装置をより簡便かつ低コストに製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aspect ratio of the conductor 19 from the common ground conductor layer 12 to the external electric circuit connecting ground conductor 21 is reduced to decrease its inductance, thereby improving attenuation in a high-frequency rejection band and the isolation between input/output wirings 13, 13.例文帳に追加

共通の接地導体層12から外部電気回路接続用の接地導体21までの貫通導体19のアスペクト比を小さくすることによりインダクタンスを小さくすることができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善することが可能となる。 - 特許庁

To provide an antenna that suppresses core breakage during manufacturing and breakage due to an impact after installation as the antenna using the core of a magnetic material or dielectric, is easily manufactured, further has wide bandwidth and a high average gain in each frequency band and prevents degradation in a gain by securing isolation from a mounting substrate.例文帳に追加

磁性体や誘電体のコアを用いたアンテナとして、製造時のコアの破損や設置後の衝撃による破損を抑制し、かつ製造が簡易で、さらに各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得が高く、実装基板とのアイソレーション確保によって利得の低下を防いだアンテナを提供する。 - 特許庁

To provide a pneumatic engineering method and a pneumatic cover device allowing personnel and materials to be transported in and out of a manhole under a condition good in workability while keeping air compressed inside a manhole to suppress infiltration of ground water, during seismic isolation work of the joint between an existing manhole and a sewage pipe in ground with high water content.例文帳に追加

高含水地盤に既設のマンホールと下水道管との接合の耐震化工事中、地下水浸入抑制のためマンホール内部の空気を加圧した圧気状態としたまま、作業性の良い構成で人員や機材をマンホール内に搬入出可能とするマンホール作業用圧気工法と圧気蓋装置の提供。 - 特許庁

To provide such an agent for use in the I-type allergy (for example, bronchial allergy, pollen allergy, gastrointestinal allergy, allergic nasitis, and allergic dermatitis) which has extremely high predisposition among the allergies as is a compound that suppresses especially the isolation of histamine, thus makes it possible to suppress the I-type allergy, is usable as a raw material for foods and drinks, and is usually ingestible.例文帳に追加

アレルギーの中で特に発症頻度が高いＩ型アレルギー（例えば、気管支喘息、花粉症、食物アレルギー、アレルギー性鼻炎、アレルギー性皮膚炎）用剤、特にヒスタミンの遊離を抑制し、これを介してＩ型アレルギーを抑制することを可能とする化合物であり、飲食品の素材としても使用可能で、日常的に摂取することが可能な抗Ｉ型アレルギー剤を提供する。 - 特許庁

Thereby, despite of forming the silicon oxide film at a low temperature, the silicon oxide film of a high quality is formed to make not larger than 30% the unevenness of its thickness in the surface of a silicon present in the sidewall portion of the recessed portion of an element isolation region.例文帳に追加

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする事を特徴とする。 - 特許庁

As the inductance component from the ground conductive layer 12 to the ground conductor of the exterior electric circuit can be neglected and an LC resonance caused by a capacitance component between the surface acoustic wave filter 17 and the package can be reduced, then attenuation quantity in a blocking area turned into a high frequency and a deterioration in an isolation between input/output lines 13 and 13 can be improved.例文帳に追加

接地導体層12から外部電気回路の接地導体までのインダクタンス成分を削除することができ、弾性表面波フィルタ素子17およびパッケージが持つキャパシタンス成分とのＬＣ共振を抑制することができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善できる。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diffused layer 25 of a P-type high concentration impurities formed on an N type well 21, a diffused layer 26 of a P-type intermediate concentration impurities, which is adjacent to this layer 25 and formed so as to enclose surroundings thereof, and an element isolation region 22 formed so as to enclose the layers 25, 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｎ型のウェル２１表面に形成されたＰ型の高濃度不純物拡散層２５と、これに隣接しかつ周囲を囲むように形成されたＰ型の中濃度不純物拡散層２６と、高濃度Ｐ型不純物拡散層２５および中濃度Ｐ型不純物拡散層２６を囲むように形成された素子分離領域２２とを備える。 - 特許庁

To provide a fluid-filled type engine mount for an automobile capable of improving vehicle ride comfort by providing vibration isolation characteristics effective even for the vibration of a large amplitude generated at a lower frequency than that of idling base vibration in addition to the idling base vibration of a high frequency small amplitude in an idling state.例文帳に追加

アイドリング状態下、高周波小振幅のアイドリング基本振動に加えアイドリング基本振動よりも低周波数域で発生する大振幅の振動に対しても有効な防振特性が得られることによって、車両乗り心地の向上が図られ得る、新規な構造の自動車用の流体封入式エンジンマウントを提供する。 - 特許庁

This allows the high-quality silicon oxide layer to be formed regardless of being formed at the low temperature, and uniformity of the thickness of the silicon oxide layer to be within 30% on the silicon surface of the side wall section of the recess in the element isolation region.例文帳に追加

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 - 特許庁

To provide a base isolation bearing for developing high damping force during deformation due to earthquake without greatly increasing the size and number of plastic bodies such as lead columns while suppressing excessive deformation without giving ill effects to the soundness of a laminated elastic body during great deformation.例文帳に追加

鉛支柱等の塑性体の大きさ及び数量を大幅に増加させずに地震による変形時において高い減衰力を発揮することができる上に、大変形を生じる際はその変形を積層弾性体の健全性に悪影響を及ぼさずに過大な変形を抑制する機能を発揮することができる免震支承を提供すること。 - 特許庁