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high-isolationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 638



例文

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域2と、コンタクト用拡散領域6と、分離拡散領域4と、フィールド絶縁膜16と、コンタクト用拡散領域6と電気的に接続された金属電極25と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極18a、19aとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、N型エピタキシャル成長層2の上には、ベース形成層4が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)3の上部からベース形成層4にくい込むように、ベース引出し高濃度層(P+型)5がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The method for producing a high purity zinc oxide powder comprises an isolation process for isolating the dust of collection dust for shotblasting zinc to give it as a starting material of a zinc oxide powder, an oxidization process for heating and gasifying the isolated material and then oxidizing the gasified zinc with an air or a gas containing oxygen, or oxidizing and gasifying the isolated material with an air or a gas containing oxygen with heating thereof.例文帳に追加

亜鉛ショットブラスト集塵ダストを分離して酸化亜鉛粉末の原料とする分離工程と、この分離した原料を加熱・気化させた後、気化した亜鉛を空気又は酸素を含む気体により酸化させるかあるいは分離した原料を加熱しながら空気又は酸素を含む気体により酸化・気化させる酸化工程と、を具備することを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。 - 特許庁

A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step.例文帳に追加

[式中、RはC_3−C_6シクロアルキルまたはC_1−C_6ハロアルキルである]のo−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル(R−CN)をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。 - 特許庁

例文

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術及び層間絶縁膜の平坦化CMP技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a wavelength multiplexed light coupler that has a high isolation and that can be used for separation of multi-wavelength of three or more wavelengths, in an optical coupler in which a bandpass filter is inserted between a double-core collimator composed of two optical fibers and a collimator lens and a single-core collimator composed of one optical fiber and a collimator lens.例文帳に追加

2本の光ファイバとコリメートレンズからなる2芯コリメータと1本の光ファイバとコリメートレンズからなる単芯コリメータの間にバンドパスフィルタを挿入した光カプラにおいて、高いアイソレーションを有し、3波長用以上の多波長の分離に用いることができる波長多重光カプラを提供する。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術及び層間絶縁膜の平坦化CMP技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed wherein a magnetic cluster size can be reduced while orientation dispersion is suppressed in a magnetic recording layer and high recording performance by the thin film thickness of the underlayer is made possible using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

In an insulated space section formed between a bracket 4 and a stator 16 and a rotor 17 in the axial direction of the rotor, a first control board 12 having a high voltage system motor drive circuit 19 and an insulating circuit 20 is built in integrally with a second control board 21 having a low voltage system control board 23 in isolation.例文帳に追加

回転子軸方向でブラケット4と固定子16及び回転子17との間に形成される絶縁空間部に高電圧系のモータ駆動回路19と絶縁回路20を有する第1の制御基板12が低電圧系の制御回路23を有する第2の制御基板21と分離して一体に組み込まれる。 - 特許庁

例文

In the case that amplitude and phases of two systems of input signals are deviated from a mixing condition of the power mixer 18 due to amplitude and phase deviation in outputs of power amplifiers 16, 17, a high frequency power produced at the isolation terminal 5 can be regenerated to a DC power by a rectifier circuit 20.例文帳に追加

電力増幅器16および17の出力の振幅および位相偏差により、二系統の入力信号の振幅,位相が電力合成器18の合成条件からずれた場合、アイソレーション端子5に発生した高周波電力は、整流回路20により直流電力として回収することができる。 - 特許庁

例文

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

The recording layer (RL) comprises a lower layer of high-anisotropy FePt alloy having chemical regularity, an upper layer of a low-anisotropy Co/X laminate or multiple layer (ML) having perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic isolation layer or coupling layer (CL) between the FePt layer and ML which is provided upon occasion.例文帳に追加

この記録層(RL)は、化学的規則性をもつ高異方性のFePt合金の下部層と、垂直磁気異方性を有する低異方性のCo/X積層体または多重層(ML)の上部層と、場合によって設けられる、FePt層とMLとの間の非磁性の分離層または結合層(CL)とから形成される。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel of excellent durability which prevents a substrate from corroding owing to phosphors by using a polyparaxylene film as an isolation film for isolating a phosphor layer from the substrate and keeps the phosphor layer without exfoliation over a long-period because the adhesion between the polyparaxylene film and the phosphor layer is high.例文帳に追加

蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてポリパラキシリレン膜を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、ポリパラキシリレン膜と蛍光体層との密着力が高く、長期にわたって蛍光体層が剥離することが無い、耐久性に優れる放射線像変換パネルを提供することにある。 - 特許庁

The damper material for a base isolation device is composed of composition containing at least two kinds of resins having different melting points, and compression-molded at the temperature higher than the melting point of low melting point resin which is the lowest melting point of the resins and at the temperature lower than the melting point of high melting point resin which is the highest melting point of the resins.例文帳に追加

融点の異なる少なくとも2種の樹脂を含有する組成物からなり、前記樹脂のうち最も融点の低い低融点樹脂の当該融点より高い温度で、かつ、前記樹脂のうち最も融点の高い高融点樹脂の当該融点より低い温度で圧縮成型されてなることを特徴とする免震装置用ダンパー材料である。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層41,42と素子分離領域12との境界が内部に露出する接続孔(コンタクトホール47)を備えた半導体装置において、コンタクトホール47の内面に露出するシリコン基板11表面を被覆する高融点金属層(チタン膜48)が5nm以上11nm以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

In producing an alicyclic ketone compound such as 2-adamantanone by subjecting an alicyclic alcohol such as 1-adamantanol and 2-adamantanol to sulfuric acid oxidation in a solvent or in the absence of a solvent with the use of sulfuric acid, concentrated sulfuric acid having a sulfuric acid concentration of 90-94 wt.% is used as sulfuric acid to prepare the alicyclic ketone compound in a high isolation yield.例文帳に追加

1−アダマンタノールや2−アダマンタノールなどの脂環式アルコール化合物を、溶媒中または無溶媒で、硫酸を用いて硫酸酸化して2−アダマンタノンなどの脂環式ケトン化合物を製造する際に、硫酸濃度が90〜94重量%の範囲にある濃硫酸を使用して、当該脂環式ケトン化合物を高単離収率で製造する。 - 特許庁

In this base isolation rubber supporting structural body comprising rubber blocks with viscoelastic properties having upper and lower horizontal surfaces fixed to a rigid flange, the vertical side faces of the rubber blocks having the viscoelastic properties are wound by a high tension band-shaped body at specified intervals in vertical direction, and the outside displacement of the wound rubber portion is arrested.例文帳に追加

上下の水平面が剛性のフランジに固着されている粘弾性的性質を有するゴムブロックからなる支承構造体であって、該粘弾性的性質を有するゴムブロックの鉛直側面が鉛直方向に間隔を置いて高張力帯状体で巻き付けられ、該巻き付けゴム部分の外側変位が拘束されていることを特徴とする免震ゴム支承構造体。 - 特許庁

A bipolar transistor is provided with a polysilicon layer 21 connected to one of the emitter, collector, and base inside an element isolation region, and uses the polysilicon layer 21 as a resistance, so that although it is constituted with the resistance is connected to one of the emitter, collector; and base, the element area is prevented from increasing and the high integration can be actualized.例文帳に追加

本発明のバイポーラトランジスタは、素子分離領域の内側において、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか1つと接続されるようにポリシリコン層21を設け、このポリシリコン層21を抵抗として使用するように構成したので、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか1つに抵抗を接続するように構成しながら、素子面積が増えることを防止でき、高集積化を実現できる。 - 特許庁

To provide a toner which obtains a satisfactory image even if a toner image is fixed at a relatively low temperature for energy saving, has high storage stability to prevent aggregation even without requiring cold insulation or insulation packaging when being stored or transported, and has no image defecst caused by wax isolation therefrom, and to provide an image forming method using the toner.例文帳に追加

省エネルギー化に対応するため、比較的低い温度でトナー画像を定着しても良好な画像が得られ、かつトナーを保管あるいは輸送するときに保冷や断熱梱包しなくても凝集することのない高い保存安定性を有し、さらにトナーからのワックス遊離による画像不良のないトナー、とそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rubber composition for vibration isolation rubbers which even when vulcanized at a high temperature (170-190°C), is sufficiently suppressed in a reversion-induced decrease in e.g., tensile properties (strength at break and elongation at break) and in rubber hardness and static spring constant (Ks) and balancedly improved in heat resistance, fatigue resistance, durability and aging.例文帳に追加

高温(170〜190℃)で加硫した場合でも、加硫戻りによる引っ張り特性(破断強度,破断伸び)およびゴム硬度等の低下や静的バネ定数(Ks)の低下が充分に抑制され、かつ耐熱性、耐ヘタリ性、耐久性、および経年劣化抑制の効果がバランスよく向上した防振ゴム用ゴム組成物を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device with a trench isolation structure, at least one well region and an MOS transistor are formed in the high power supply voltage circuit section, majority carrier capturing regions 401, 402 and minority carrier capturing regions 403, 404 for preventing latchup are provided in the vicinity of the end of the well region, and the potentials are set, respectively, at a level suitable for carrier suction.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部近傍にラッチアップを防止するための多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域を有しそれぞれの電位をキャリア吸い込みに適した電位に固定されている。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域115に高濃度N型拡散層116を設けることにより、寄生NPNトランジスタ102のコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

To provide a technique for constructing a new beam and a new slab with high quality reliably integrated with an existing floor even in work for reinforcement at the underfloor side and performing safe reforming work such as base isolation or earthquake-proof reinforcement for an underfloor portion while keeping an overfloor portion around a column leg portion of an existing structure in an usable condition.例文帳に追加

床下側からの補強工事であっても、既存床と確実に一体化した高品質の新設梁及び新設スラブを施工でき、既存構造体の柱脚部周辺の床上部分を使用可能な状態にしておきながら、その床下部分に免震化、耐震補強などの改築工事を安全に行うことができる工法を提供する。 - 特許庁

To continue linear amplification by keeping isolation between transmitting signals and preventing diffusion of adaptive predistortion processing even when one of high output amplifiers comprising a multi-port amplifier is failed in an adaptive predistortion type multi-port amplifier and a transmitting apparatus equipped with the same.例文帳に追加

適応プリディストーション型マルチポート増幅器及びそれを備えた送信装置に関し、マルチポート増幅器を構成する各高出力増幅器の中の1つが故障した場合でも、各送信信号の間のアイソレーションを保ち、適応プリディストーション処理の発散を防ぎ、線形増幅を継続可能にする。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

To take isolation even with a high frequency between a pair of transmission/reception devices without using the RF switches of multiple stages, to secure an insertion loss, to control the attenuation quantity of transmission signal power and to monitor the operation state of a standby system in a hot standby type transmission device.例文帳に追加

ホットスタンバイ型送信装置に関し、多段のRFスイッチを用いずに、一対の送受信装置間で高周波数でもアイソレーションが取れ、挿入損失を確保でき、送信信号電力の減衰量を調節することができるとともに、予備系システムの動作状態を監視することができるようにする。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing slurry composition which is particularly useful for a chemical mechanical polishing (CMP) process of a STI (shallow-trench isolation) process forming a semiconductor multilayer structure, minimizes the occurrence of fine scratches, and has a high polishing selection rate of an oxide film to a nitride film.例文帳に追加

半導体多層構造を形成するためのSTI(Shallow Trench Isolation)工程の化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター/セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるEFH差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region.例文帳に追加

前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a toner which is a polymerized toner containing a polyester resin and a charge controlling agent, ensures stable charging property over a prolonged period of time, excels in thin line reproducibility, and can stably form high quality images over a prolonged period of time without presenting an isolation phenomenon of the charge controlling agent, and to provide a toner and an image forming method using the toner.例文帳に追加

ポリエステル樹脂および荷電制御剤を含有する重合トナーであって、長期間にわたって安定した帯電性が得られると共に細線再現性に優れ、荷電制御剤の遊離現象を発生させずに、高画質な画像を長期間にわたって安定的に形成することができるトナーの製造方法、およびトナー、並びに当該トナーを用いた画像形成方法の提供。 - 特許庁

By connecting a T type high-pass filter between a resistor and the ground and adding a 1/4-wave path between a π type low-pass filter and the branching connection part of the two even-harmonic mixers, the isolation between two mixers is secured while using the π type low-pass filter, and proper modulation precision is obtained.例文帳に追加

抵抗とグラウンドの間にT型高域通過フィルタを接続し、π型の低域通過フィルタと2つの偶高調波ミクサの分岐接続部との間に1/4波長線路を付加することにより、π型の低域通過フィルタを使用しつつ、2つのミクサ間のアイソレーションを確保することができ、良好な変調精度を得ることができる。 - 特許庁

To provide a hydrazine immobilized substance that causes hydrazine to be immobilize in small contents without use of a great deal of a polymer, causes hydrazine to be isolated from the immobilized substance at a high speed, excels in durability, and causes a device simple due to easy isolation of hydrazine from the immobilized substance, as well as to provide a method for producing free hydrazine by isolating hydrazine from the immobilized substance.例文帳に追加

ポリマーを多量に使用する必要がなく、従って小さな容量でヒドラジンを固定化可能で、固定化したヒドラジンの遊離のスピードが速く耐久性にも優れ、しかも、簡便に固定化したヒドラジンの遊離が可能であるため装置を簡便にできるヒドラジン固定化物、及び、該固定化物からヒドラジンを遊離して遊離のヒドラジンを生成する方法を提供する。 - 特許庁

A Y-shaped potential divider 1, 'Wilkinson Divider', comprised of λ/4 (λ is a wavelength) line elements Z1-Z3 is interposed between a capacitor C1 on the side of a high-frequency input/output terminal A and a D.C. voltage input terminal B to utilize isolation characteristics between the terminal B and an output terminal C.例文帳に追加

高周波入出力端子A側のコンデンサC1と直流電圧入力端子Bとの間に、λ/4(λは波長)ライン素子Z1、Z2、Z3から成るY形の電力分配器1“Wilkinson Divider”を介装し、上記端子Bと出力端子Cとの間のアイソレーション特性を利用する。 - 特許庁

To provide a fluid sealing type vibration isolation device with a navel structure in which abnormal noises and impacts that are generated when enormously-large-load vibrations have been input can be reduced with high reliability and a higher precision while securing fully a fluid flow through an orifice passage when vibrations to be isolated has been input.例文帳に追加

防振すべき振動入力時におけるオリフィス通路を通じての流体流動量を十分に確保しつつ、衝撃的な大荷重振動が入力された際の異音や衝撃の軽減を、高い信頼性をもってより高精度に実現することが出来る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供すること。 - 特許庁

To provide monoclonal antibodies against chondroitin B and chondroitin E, having high specificities towards the chondroitin B and chondroitin E and capable of being used for the isolation of specific kinds of polysaccharide sulfates, detection of specific polysaccharide sulfates, etc., and also a method for detecting the chondroitin B and/or chondroitin E in test specimens and capable of achieving at least one of a high sensitivity, a high specificity and an excellent simplicity.例文帳に追加

コンドロイチン硫酸B及びコンドロイチン硫酸Eへの高い特異性を有し、特定の種類の硫酸化多糖の単離、特定の硫酸化多糖の検出等に用いうる、コンドロイチン硫酸Bとコンドロイチン硫酸Eとに対するモノクローナル抗体、並びに高い感度、高い特異性、優れた簡便性の少なくとも1つを達成しうる、被検試料中のコンドロイチン硫酸B及び/又はコンドロイチン硫酸Eとの検出方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

The antenna device includes: an antenna element part; a signal branching filter which is electrically connected to the antenna element part; and a signal synthesis part electrically connected to the signal branching filter, wherein the signal branching filter separately takes out two signals in a differential mode and a common mode to be generated in the antenna element part by maintaining high isolation, and the signal synthesis part synthesizes the two taken-out signals by providing desired phase difference.例文帳に追加

本発明のアンテナ装置は、アンテナエレメント部と、アンテナエレメント部と電気的に接続される信号分波器と、信号分波器に電気的に接続された信号合成部とを備え、信号分波器は、アンテナエレメント部に発生するディファレンシャルモードとコモンモードの2つの信号を高いアイソレーションを維持して別々に取り出すことができ、信号合成部は、取り出された2つの信号に所望位相差を与えて合成する。 - 特許庁

例文

We, the participants representing health, social welfare and labour sectors of the ASEAN plus 3 countries at the 11th ASEAN & Japan High Level Officials Meeting on Caring Societies (hereafter referred to as the Meeting) held in Tokyo, Japan, on 3-5 December 2013, which carried the themeActive Aging”;Remembering that this year marks the 40th year since the relations between ASEAN and the Japanese Government began, and that we have kept cordial relationships throughout this time, aiming to further enhance our cooperations and build strategic partnerships in the future;Acknowledging with appreciation the initiative of the Government of Japan to convene the ASEAN-Japan High-level Officials Meeting on Caring Societies since 2003, particularly this 11th Meeting as an effective platform of information sharing and exchange of views on the health, social welfare and labour aspects ofActive Aging”;Also, acknowledging with appreciation the active initiatives by the Government of Japan for holding the “ASEAN-Japan Seminar, The Regional Cooperation for the Aging Societyin Jakarta this November, with hopes that these efforts will continue and promote further collaborations in the future;Noting that aging is progressing worldwide, and by 2050 the population of age 60 years and over will reach 2 billion;Recognizing that ASEAN countries will experience rapid aging in years to come, and face new challenges such as maintaining health, responding to welfare and social security needs, prevention of isolation and poverty of the elderly that require urgent attention;Considering that the current situation of aging in the health, labour and welfare sector and the promotion of measures related to aging in ASEAN countries vary, and that cultural and social backgrounds differ between ASEAN member states and Japan, therefore the current issues that are faced by each country may not be the same;Also, noting the results of the discussions made by the “Study Group for Japan’s International Contributions to Active Aging.”例文帳に追加

「Active Aging1」をテーマに2013年12月3日から5日まで東京において開催された第11回ASEAN・日本社会保障ハイレベル会合で、ASEAN+3各国の保健、社会福祉及び労働分野の参加者は、今年がASEAN日本友好40周年であり、我が国とASEAN各国の間でこれまでの友好的な関係を想起し、今後のさらなる協力関係の強化と戦略的なパートナーシップを目指し、ASEAN・日本社会保障ハイレベル会合を2003年より開催している日本政府のイニシアティブに感謝するとともに、第11回会合は、保健、社会福祉及び労働分野におけるActive Agingに関する情報共有と意見交換のための有効な場であることを認識し、また、本年11月に日本政府がジャカルタにおいてASEAN地域における高齢化に係る国際貢献に関する講演会(ASEAN-Japan Seminar, The Regional Cooperation for the Aging Society)が行われたことを評価しつつ、地域協力に関する努力の継続とさらなる連携の促進を期待し、世界の高齢化は急速に進行しており、2050年には60歳以上の人口が20億人に達することを留意し、ASEAN諸国においては今後急速に高齢化が進み、高齢者の健康保持や、福祉及び社会保障ニーズへの対応、高齢者の孤立・貧困防止などの対策が急務であることを認識し、保健・福祉・労働分野における高齢化の現状及び対策の推進に際して、ASEAN諸国は多様であり、また、ASEAN諸国と日本では置かれている状況や文化・社会的背景が異なること、それゆえ現在直面している課題が異なることを考慮し、さらに、「国際的なActive Ageingにおける日本の貢献に関する検討会」での議論成果に留意する。 - 厚生労働省

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