「lateral process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the deterioration of the contrast of an optical image due to reflected light emitted from the lateral faces of the light shielding film of a photomask in the photomask used in a lithographic process.例文帳に追加

リソグラフィ工程で用いられるホトマスクにおいて、ホトマスクの遮光膜の側面から発生する反射光により光学像のコントラストが劣化するのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device, along with its driving method, capable of reducing disturbance in lateral mode in a relatively simple process to improve top hat form of NFP.例文帳に追加

比較的簡単な工程で横モードの乱れを低減し、ＮＦＰのトップハット形状を改善することのできる半導体発光素子およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sequentially biaxially stretched film in an industrially stable manner by preventing the breakage of a film in the lateral stretching process of a sequential biaxial stretching method.例文帳に追加

逐次二軸延伸法における横延伸工程でのフィルムの破断を未然に防止し、工業的に安定して逐次二軸延伸フィルムを生産する方法を提供する。 - 特許庁

This polarizing process generates polarization 31 directed in the thickness direction of the piezoelectric body, and polarization 32 directed in the lateral direction at a section near the electrode surface between the electrodes.例文帳に追加

分極処理の結果、圧電体の厚み方向における分極３１と、電極間の極表面に近い部分の横方向における分極３２が生じる。 - 特許庁

According to this process, lateral movement of acoustic waves inside the resonator is controlled, and the acoustic energy of sonic waves can be located at a desired position inside the resonator.例文帳に追加

このプロセスによって、共振器内での音響波の横方向の動きを制御し、音波の音響エネルギーを共振器内の所望の位置に位置付けることが可能になる。 - 特許庁

The lateral crystallization process in which film is irradiated and crystallized by heating the substrate using CO_2 laser as heat source, and another side using ultraviolet ray laser or visible spectrum laser.例文帳に追加

ＣＯ_２レーザを加熱源として使用して基板を加熱し、他方紫外線レーザまたは可視スペクトルレーザを使用して膜を照射および結晶化するラテラル結晶化プロセス。 - 特許庁

To enable a high-speed processing to be carried out at a container conveying and processing apparatus that is operated to separate containers 4 into forward group and rearward group, process them, thereafter arrange them in a lateral row and convey them.例文帳に追加

容器４を前後に分離して処理を行った後、横並びの状態に整列させて搬送する容器搬送処理装置の高速化を可能にする。 - 特許庁

By adjusting a film thickness of a photoresist film in a process to form the photoresist film on both faces of shadow mask base material, the proportion of etching amount in the lateral direction against that in the depth direction which is parallel to a surface of the etching process is adjusted.例文帳に追加

シャドウマスク基材の両面に感光膜を形成する工程で、感光膜の膜厚を調整することにより、エッチング工程での面に平行な横方向のエッチング量と深さ方向のエッチング量との比率を調整する。 - 特許庁

Moreover, the vertical bending process is executed as required at the boundary part of the bus connecting part 11a and body 11c and at the boundary part of the branching circuit breaker 11b and body 11c, and the lateral bending process is also executed to the escaping part.例文帳に追加

更に、必要に応じて母線接続部１１ａと胴部１１ｃとの境界部、及び、分岐ブレーカ部１１ｂと胴部１１ｃとの境界部で縦方向の折り曲げ加工を施すと共に、逃げ部に横方向の折り曲げ加工を施す。 - 特許庁

To stably obtain a coated article not generating process contamination caused by non-drying in a drying process by avoiding the thick coating of the end part in a lateral direction with respect to a member to be coated (support) and preventing excessive thick coating fitted with a coating head liquid.例文帳に追加

被塗布部材（支持体）に対する幅方向端部の厚塗りを回避すると共に、塗布先頭液付きの過剰な厚塗りを防止し、乾燥工程での未乾による工程汚染の発生がない塗布品を安定して得る。 - 特許庁

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked.例文帳に追加

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。 - 特許庁

In the determination process (C), a graph including the Bow, for example, on a lateral axis (X axis) and the Warp on a longitudinal axis (Y axis) is used, and plotting based upon numerals of the Bow and Warp of the silicon wafers obtained in the measurement process (B) is carried out on the graph (C-1).例文帳に追加

判定工程（Ｃ）では、例えば、Ｂｏｗを横軸（Ｘ軸）に、Ｗａｒｐを縦軸（Ｙ軸）にしたグラフを用いて、測定工程（Ｂ）で得られたシリコンウェーハのＢｏｗ、Ｗａｒｐの数値に基づいてグラフ上にプロットする（Ｃ−１）。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device by a process simpler than that for a conventional lateral trench power MOSFET having a withstand voltage of 80 V at a device pitch shorter than that of a conventional lateral power MOSFET having a withstand voltage lower than 80 V while decreasing on-resistance per unit area.例文帳に追加

従来の耐圧８０Ｖ用の横型トレンチパワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の８０Ｖよりも低い耐圧用の横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。 - 特許庁

The manufacturing method includes a melting-extruding-cooling process of obtaining an un-stretched sheet by melting a polyamide-based mixed resin, extruding it into a sheet form on a moving-cooling body surface and cooling the sheet, a biaxially stretching process of biaxially stretching the un-stretched sheet in vertical and lateral directions and a winding process of winding the biaxilly stretched film in a roll shape.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ポリアミド系混合樹脂を移動冷却体面上へシート状に溶融押出し冷却することにより未延伸シートを得る溶融押出冷却工程、未延伸シートを縦横に二軸延伸する二軸延伸工程、二軸延伸フィルムをロール状に巻き取る巻取工程を含んでいる。 - 特許庁

This manufacturing method includes a preparing process of preparing a substrate 10 having a concave portion 10r and a convex portion 10p; a first growing process of growing a first semiconductor 11 on the convex portion 10p; and a second growing process of growing a second semiconductor 13 in at least a lateral direction from the first semiconductor 11.例文帳に追加

この製造方法は、凹部１０ｒ及び凸部１０ｐを有する基板１０を準備する準備工程と、凸部１０ｐの上に第１半導体１１を成長させる第１成長工程と、第１半導体１１から少なくとも横方向に第２半導体１３を成長させる第２成長工程とを含む。 - 特許庁

To prevent short circuiting between a gate electrode and a source electrode, in a process of forming gate section and an active section of a trench lateral power MOSFET where an extended drain region is formed in a trench.例文帳に追加

拡張ドレイン領域をトレンチ内部に形成したトレンチラテラルパワーＭＯＳＦＥＴのゲート部と活性部を形成する工程において、ゲート電極とソース電極との短絡を防止する。 - 特許庁

The reflexive system is configured to detect the lateral position of the substrate media and at least one of a lead edge and a trail edge of the substrate media being transported in the process direction.例文帳に追加

再帰システムは、基板媒体の横方向位置と、プロセス方向に搬送中の基板媒体の前縁部および後縁部のうちの少なくとも一方と、を検出するように構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an industrially stable sequentially biaxially stretched film by suppressing the generation of the sagging of a film in a longitudinal stretching part and preventing the breaking of the film in a lateral stretching process.例文帳に追加

縦延伸部でのフィルムのタルミの発生を抑え、横延伸工程でのフィルムの破断を防止し、工業的に安定した逐次二軸延伸フィルムを生産する方法を提供する。 - 特許庁

The square pillar, formed in the second slicing process, has longitudinal and lateral lengths of 15-30 μm, a height of 300-400 μm, and the interval between the square pillars is 15-30 μm.例文帳に追加

第２スライス工程で形成された四角柱は、縦及び横の長さが１５〜３０μｍ、高さが３００〜４００μｍであり、四角柱同士の間隔が１５〜３０μｍである。 - 特許庁

To provide an instrument for the topographic measurement of an eye structure based on short coherence interference measurement without causing any measuring error of the structure due to longitudinal and lateral motions of the eyes in a signal recording process.例文帳に追加

信号記録過程における縦方向および横方向の眼の動きによる構造の測定誤差を惹き起こさない短コヒーレンス干渉測定に基づく眼構造のトポグラフィック測定 - 特許庁

To provide a bottle made of a rigid synthetic resin, which prevents the bottle from being deformed caused by receiving a vertical load or a lateral pressure in a process of filling a content into the bottle, during storing or the like.例文帳に追加

容器内への内容物の充填工程、保管時等において容器が垂直荷重及び側圧を受けることによる変形を防止した剛性樹脂製壜体を提供する。 - 特許庁

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal.例文帳に追加

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。 - 特許庁

This measuring method for thickness profile comprises the process of detecting the lateral non-contact thickness profile signal of the web under traveling; the process of detecting the contact thickness profile signal; the process of calculating the thickness profile from the resulting non-contact thickness profile signal and contact thickness profile signal; and the process of switching the contact measuring mode and the non-contact measuring mode.例文帳に追加

走行中のウェブの幅方向の非接触厚さプロファイル信号を検出する工程と、接触厚さプロファイル信号を検出する工程と、得られた非接触厚さプロファイル信号と接触厚さプロファイル信号から厚さプロファイルを演算する工程と、接触測定モードと非接触測定モードを切り替える工程とを備えることを特徴とする厚さプロファイルの測定方法である。 - 特許庁

To precisely correct positional shifts in two directions of longitudinal and lateral directions in formed bodies of baked and unbaked products in a manufacturing process of sanitary earthenware.例文帳に追加

衛生陶器の製造工程における未焼成品及び焼成品の成形体に対して、前後左右２方向の位置ずれを精度良く修正することが可能な衛生陶器の移載装置を提供すること。 - 特許庁

In the process of the disk tray 20 moving back and forth between an open position and a closing position, the disk tray 20 and a sliding section 15 of the ground contact piece 1 are made to rub in a crushing state in a lateral direction.例文帳に追加

ディスクトレイ２０がオープン位置とクローズ位置との間で前後に移動する途中で、ディスクトレイ２０とアース接片１の摺動部１５とが左右方向の押合い状態で擦れ合うようにする。 - 特許庁

To provide a sparkplug capable of preventing lateral spark by manufacturing an insulator inhibiting eccentricity of a shaft hole by reducing torsion of a support pin used in a manufacturing process of the insulator.例文帳に追加

絶縁碍子の製造過程において使用される支持ピンの撓りを低減して軸孔の偏心を抑制した絶縁碍子を作製し、横飛火の発生を防止することができるスパークプラグを提供する。 - 特許庁

To obtain a silicon cast block in which the surface defect such as longitudinal crack and lateral crack as to develop on the surface of the silicon cast block, is not developed, in a cutting-off process of the silicon cast block.例文帳に追加

シリコン鋳塊の切断工程においてシリコン鋳塊表面に発生する縦割れや横割れといった表面欠陥が発生しないシリコンの鋳塊を得ることを目的としている。 - 特許庁

To provide a thin film bulk acoustic resonator improved not to complicate a production process and to efficiently suppress a lateral propagation mode while having flexibility in design.例文帳に追加

製造プロセスが煩雑でなく、かつ設計の自由度を有していながらも、横方向伝搬モードを効率良く抑圧することができるように改良された薄膜バルク音響共振器を提供すること。 - 特許庁

To make it hard to bring about short circuit due to the deformation of lead wire which is caused by external force applied from a lateral direction when a flat coil is carried and stored in the manufacturing process of an IC card.例文帳に追加

ＩＣカードの製造工程における平面コイルの搬送や収納等の際に、横方向から加えられる外力による導線の変形に起因する短絡が惹起され難くする。 - 特許庁

To provide a lateral MOS transistor that is manufactured without adding any manufacturing process and reduces electric current concentration on a source-electrode side of a Locos oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程を追加せずに作製可能で、Ｌｏｃｏｓ酸化膜のソース電極側の電界集中を緩和した横型ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a supporting structure for a drawer which does not require a supplementary process to a rail mechanism, and can prevent a random lateral movement when the drawer is pulled out from a main body such as a cabinet or a desk from occurring, and in addition, for which an adjustment for the lateral movement prevention can easily be performed even after the building up of the cabinet as well.例文帳に追加

レール機構への付帯的な加工を必要とせず、キャビネットや机等の本体から引き出しを引き出すときのいたずらな横移動を防止することができ、しかもキャビネットの組み立て後にも横移動防止のための調節が容易な引き出しの支持構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

To ensure visual assembly without attention to lateral orientation during the assembly of an electrode part indifferent to assembly accuracy out of electrode parts constituting an electron gun for a cathode-ray tube, and ensure feedback of a shift of variation in machining to a press process by ensuring a lateral distinction during the manufacture of the electrode part.例文帳に追加

陰極線管用電子銃を構成する電極部品のうち、組立精度が要求されない電極部品において、組立時は左右の向きを気にせずに目視による組立てを可能にし、この電極部品の製造時に左右の判別を可能にして加工ばらつきのズレ量をプレス工程へフィードバックできるようにする。 - 特許庁

An annular thermal oxide film 17 is formed though the thermal oxidation process under the condition that the silicon nitride films 11, 11a are left and moreover a deep N well 3 is also formed at the lower entire surface of the silicon nitride film 11a like an island with the lateral diffusion of phosphorus through the annealing process (b).例文帳に追加

シリコン窒化膜１１，１１ａを残した状態で熱酸化処理を施して環状の熱酸化膜１７を形成し、さらにアニール処理を施してリンの横方向拡散によって島状のシリコン窒化膜１１ａの下部全面にもディープＮウエル３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Areas along both side edges in the lateral direction of the top material layer and near the outside thereof in an absorbent body are processed by a continuous thermal embossing or, even in a non-continuous process, by a connective thermal embossing.例文帳に追加

表面材料層の吸収体の幅方向両側縁部に当る部分およびその外側近傍の領域に、連続的な熱エンボス加工もしくは非連続であっても連なりのある熱エンボス加工を施すこと。 - 特許庁

To provide a roof device for a vehicle structured so that a guide rail and a frame extending across the vehicle width constituting the roof device are coupled together by riveting, welding, screwing, etc. capable of sustaining a lateral collision to the vehicle and allowing a caulking process for coupling.例文帳に追加

車両用ルーフ装置を構成するガイドレールと車幅方向に延在するフレームとをリベット、溶接、ビス等で結合しているが、車両の側突に対し耐え、カシメ結合可能な構造を提供する。 - 特許庁

To provide an insulation gate type semiconductor device which is capable of enhancing hot carrier resistance without increasing the number of process steps or a device pitch for a trench lateral-type MOSFET and without damaging voltage resistance/RonA characteristics of the device.例文帳に追加

トレンチ横型ＭＯＳＦＥＴについて、プロセス工数もデバイスピッチも増やさず、デバイスの耐圧・ＲｏｎＡ特性を損なうことなく、ホットキャリア耐性を改善できる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In this configuration, the corrosion-proof metal 27 is disposed on the lateral side of the sensor chip 20, thereby the connection process of the corrosion-proof metal 27 and the external circuit can be observed visually.例文帳に追加

このような構成とすれば、耐腐食金属２７がセンサチップ２０の側面に備えられている構成とすることができるので耐腐食金属２７と外部回路との接続工程を目視しながら行うことができる。 - 特許庁

To provide an IC test handler provided with a clamping device capable of restraining a lateral shift amount of an IC in an IC clamping process, and capable of preventing a terminal contact trouble or the like from occurring even in the IC having a reverse face terminal of a narrow pitch.例文帳に追加

ＩＣクランプ過程でのＩＣの横ずらし量を抑制でき、狭端子ピッチの裏面端子を持つＩＣでも端子接触不具合等の発生を防止できるクランプ装置を備えたＩＣテストハンドラの提供。 - 特許庁

To solve such problems as resin strength, heat insulating performance, adhesiveness, resistance to crack, and resistance to lateral flow in a well-balanced state, in a process for producing a rigid foam having a larger layer thickness by a spraying method, in particular by a multi-layered spraying method.例文帳に追加

スプレー法、特に多層吹き付けによる厚い層厚を有する硬質フォームの製造において、樹脂強度、断熱性能、接着性、割れの抑制、横流れの抑制等の問題をバランス良く解決する。 - 特許庁

The compound semiconductor is grown from the tip end of each Si nanowire coated with the compound semiconductor so that the compound semiconductor covering the insulator is formed by lateral epitaxial overgrowth (LEO) process.例文帳に追加

横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。 - 特許庁

The method comprises the following process: inserting a lateral sprout of Aralia elata 14 into a forcing cultivation bed 12 made of rock fibers and the like; and sprinkling diluted solution as culture medium solution obtained by diluting deep seawater with water to the forcing cultivation bed 12.例文帳に追加

タラノキ１４の側芽をロックウール等を用いた促成床１２に挿し、培地溶液として海洋深層水を水で希釈した希釈液を、促成床１２に潅水するタラノメ１６の促成栽培方法である。 - 特許庁

To provide a gallium nitride chemical semiconductor substrate which requires no device process, such as a lateral growth when growing a gallium nitride chemical semiconductor layer thereon, and which has a uniform low defect region.例文帳に追加

基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The blade tool 1 is manufactured in a weaving process of weaving the fiber member 2 having uniform abrasive grains Q in a vertical and lateral lattice shape or diagonally, a coating process of coating the woven fiber member 2 with thermosetting resin, and a curing process of passing the woven fiber member 2 between a pair of rollers to cure it like a plate.例文帳に追加

この刃工具１は、砥粒Ｑを均一に付した砥粒含有繊維部材２を縦横格子状若しくはアヤ状に編む編込工程と、編み込んだ砥粒含有繊維部材２に熱硬化性樹脂を塗り付ける塗布工程と、編み込んだ砥粒含有繊維部材２を一対のローラー間に通過させて板状に硬化させる硬化加工工程により作製する。 - 特許庁

The manufacturing process of the film rolls comprises a melt extrusion and cooling step to obtain unstretched sheets by melt-extruding a polyamide-based resin on a moving cooling body in a sheet form and cooling it, a biaxial stretch process to biaxially stretch the unstretched sheets in the longitudinal and lateral directions and a winding process to wind the biaxially stretched sheets in a roll form.例文帳に追加

本発明のフィルムロールの製造方法は、ポリアミド系樹脂を移動冷却体面上へシート状に溶融押出し冷却することにより未延伸シートを得る溶融押出冷却工程、未延伸シートを縦方向および横方法に二軸延伸する二軸延伸工程、および二軸延伸された二軸延伸フィルムをロール状に巻き取る巻取工程を含んでいる。 - 特許庁

In addition to the above processes, this method includes a process for generating a wheel lifting signal or wheel grounding signal as a function of the pitching speed, the lateral acceleration, the rolling speed, and the longitudinal acceleration; a process for adjusting the angle calculated corresponding to the wheel lifting or wheel grounding signal; and a process for controlling the safety system (44) corresponding to the calculated vehicle angle.例文帳に追加

この方法は、更に、縦揺れ速度、横加速度、横揺れ速度および縦加速度の関数として車輪浮上がり信号または車輪接地信号を発生する工程、前記車輪浮上がりまたは車輪接地信号に応じて前記計算した角度を調整する工程、並びに前記計算した車輌角度に応じて安全システム（４４）を制御する工程を含む。 - 特許庁