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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > line widthsの意味・解説 > line widthsに関連した英語例文

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line widthsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 197



例文

With respect to an input/output terminal 100 provided in the semiconductor package, signal line leads 8 and ground line leads 9 have wide portions 8A and 9A wherein lead widths are wider than those in both end of the signal line leads 8 and the ground line leads 9, outside signal lines 6 and ground lines 7 of the input/output terminal 100.例文帳に追加

半導体パッケージが備える入出力端子100では、信号線リード8及びグランド線リード9がそれぞれ入出力端子100の信号線路6及びグランド線路7の外部に、信号線リード8およびグランド線リード9の両端と比べてリード幅が広い幅広部8A及び9Aを有する。 - 特許庁

A longitudinal right-angled sectional shape of the spoke part 6 is constituted into such a shape that a sectional shape line relating to the inner face 6i is made to a straight line longer than a sectional shape line relating to an outer face 6o and two trapezoids D1 and D2 with different horizontal widths are vertically combined.例文帳に追加

スポーク部6の長手方向に直角な断面の形状を、インナ面6iに係わる断面形状線をアウタ面6oに係わる断面形状線よりも長い直線とし、横幅の異なる2つの台形D1およびD2を縦に組み合わせた形状となるよう構成する。 - 特許庁

Strips 31-34 of the compensation current line 30 extend to the direction same as that of the GMR elements 11-14, overlap them respectively in a thickness direction, and have widths W31-W34 respectively smaller than widths W11-W14 of the GMR elements 11-14.例文帳に追加

補償電流線30における帯状部分31〜34は、GMR素子11〜14と同方向へ延在すると共に厚さ方向においてそれらとそれぞれ重なり合い、かつ、GMR素子11〜14の幅W11〜W14よりもそれぞれ小さな幅W31〜34を有する。 - 特許庁

This reduces the effect of defocusing of line widths or the like in the line pattern to be imaged on the wafer and also decreases the effect of reticle formation errors or the like, and enables a high-precision measurement of projection optical system imaging characteristics.例文帳に追加

このようにすれば、ウエハ上に形成されるラインパターンの像の線幅等のサイズへのデフォーカス量、レチクル製造誤差等の影響を少なくすることができ、高精度に投影光学系の結像特性を計測することができる。 - 特許庁

例文

When the sequence number (r) is within a preset range of widths r2-r1, it is judged to be a fine line part (step S9), and emphasis processing is applied to the cells (step S10).例文帳に追加

前記連続数rが予め設定された巾r2〜r1の範囲内にある場合には細線部であると判断し(ステップS9)、当該セルに対し強調処理を行う(ステップS10)。 - 特許庁


例文

After an epitaxial growth process is carried out, line widths Dx and Dy become nearly equal to each other or approximate Dx=Dy, and the sensitivity difference becomes small when the pattern is detected, so that alignment operation can be improved in alignment accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル成長後の線幅は、(b)に示すように、DX=DYに近くなり、パターン検出の際の感度の違いが小さくなり、位置合せの精度を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, based on the evaluation value (such as the maximum value and variance) of the frequency distribution of the line widths of the bars and spaces composing the stacked barcode, the priority order of the T sequence is determined.例文帳に追加

これにより、スタック型バーコードを構成するバーおよびスペースの線幅の度数分布の評価値(例えば、最大値、分散など)に基づいてTシーケンスの優先順が決定される。 - 特許庁

In the antifalsifying pattern 12, a latent image pattern, in which the width (LT) of a line in a region normal to a seeing direction for viewing the latent image pattern is made lager than the widths of lines in other regions.例文帳に追加

潜像パターンを視認すべく眺める方向と垂直となる領域の線幅(LT)を他の領域の線幅より大きくした潜像パターンを設けた偽造防止パターン12。 - 特許庁

In this case, the speed of the step 3 is set to a speed so that the line widths formed at the outer edge of the wafer W becomes the same as that of the center based on an experiment result executed in advance.例文帳に追加

ステップS3の回転速度は,予め行った実験結果に基づきウェハWの外縁部に形成される線幅が中心部と同じになるような速度に操作する。 - 特許庁

例文

To obtain a high quality character output keeping the whole strokes balanced by controlling line widths of a calligraphy font, concerning a character generation device and a recording medium.例文帳に追加

本発明は、文字生成装置及び記録媒体に関し、筆文字の書体において線幅制御を行い、ストローク全体のバランスを保ち高品質な文字出力が得られるようにする。 - 特許庁

例文

To provide a printed board buffer stocker capable of stocking each printed board of a different width for a process adjustment in a carrying line of the printed board for carrying printed boards of different widths.例文帳に追加

幅の異なるプリント基板が搬送されるプリント基板の搬送ラインにおいて、工程調整のために異なる幅のプリント基板ごとにストックを可能とするプリント基板バッファストッカの提供。 - 特許庁

The upstream heater Rha and the downstream heater Rhb are formed of single crystal silicon injected with boron, and line widths thereof are set to "7 μm or more".例文帳に追加

これら上流側ヒータRhaや、下流側ヒータRhbは、ボロンの注入された単結晶シリコンにて形成されているとともに、その線幅が「7μm以上」に設定されている。 - 特許庁

By extracting parking space information from widths and lengths of white lines of the parking space where a vehicle parked, the size of the target auxiliary line is changed to display matching the parking space.例文帳に追加

駐車しようとする駐車スペースの白線の幅と長さから駐車スペース情報を抽出することで、目標補助線のサイズを駐車スペースに合わせた表示に変更する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for scales for photoelectric encoders capable of adapting to the diversification of the widths and intervals of a plurality of line patterns constituting optical gratings without having to create new masks.例文帳に追加

新たなマスクを作製することなく、光学格子を構成する複数のラインパターンの幅や間隔の多様化に対応できる光電式エンコーダ用スケールの製造方法を提供する。 - 特許庁

Four internal electrodes 13 and four internal electrode leadouts electrically connecting them are formed symmetrically at specified widths on the center line of a dielectric sheet 12 in the direction of its long side.例文帳に追加

四つの内部電極13およびこれらに導通する内部電極引き出し部14を、誘電体シート12の長辺方向の中心を対称に所定の幅で形成する。 - 特許庁

The character display method comprises using an outdoor display device for storing character fonts consisting of line widths and line spaces with a space frequency of 50 cpd or less at a required visible distance and displaying the character fonts in the daytime.例文帳に追加

屋外用の表示装置において、必要とする視認距離に対する空間周波数が50cpd以下の線幅と線間からなる文字フォントを記憶し、該文字フォントを用いて昼間時の表示を行うようにした文字表示方法である。 - 特許庁

When a line width is measured at 36 points on the surface of a wafer treated in a coating development treatment system, 36 points Q of measurement are divided and line widths of all the points Q of measurement are measured using six wafers W_1-W_6, for example.例文帳に追加

塗布現像処理システムにおいて処理されたウェハ面の例えば36箇所の線幅を測定するにあたり、36箇所の測定点Qを分割し、例えば6枚のウェハW_1〜W_6を用いて総ての測定点Qの線幅を測定する。 - 特許庁

A cutting line is formed by cutting the lining layer along the predetermined first direction by using a cutting machine, then first holes are formed at specific intervals in the second direction orthogonal to the cutting line and with predetermined widths in the first direction by using a core drill, and further second holes are formed along the cutting line.例文帳に追加

切断機を用いてライニング層を所定の第1の方向に沿って切断して切断線を形成した後、コアドリルを用いて切断線に直交する第2の方向に所定の間隔で、しかも第1の方向に所定の幅をもって第1の穴を形成するとともに、切断線上に沿って第2の穴を形成する。 - 特許庁

These first and second teeth 34 and 36 are located at positions mutually different in the direction of the turn axial line just by respective tooth widths, located at positions mutually different in the direction of a pitch circumference just by each of tooth thickness and formed so that the turn axial line 32a can be formed so as to specify one pitch circle with the turn axial line 32a as a center.例文帳に追加

それら第1歯34及び第2歯36は、各々の歯幅だけ回動軸線方向へ互いに異なる位置に配置されるとともに、ピッチ円周方向へ各々の歯厚だけ互いに異なる位置に配置され、以て回動軸線32aを中心に1つのピッチ円を規定できるように形成される。 - 特許庁

In this display device, marks for irradiation 160 for cutting the first branch line 152 of the short ring 150 by irradiating the ring with a laser beam are provided by swelling widths of neighboring signal lines intersecting the first branch line 152 of the short ring 150 and notching parts for cutting 162 are provided in the first branch line 152 positioned among signal lines 115 to 115.例文帳に追加

ショートリング150の第1支線152と交差する近傍の信号線の幅を膨らませて、レーザ光線を照射して第1支線152を切断するための照射用目印160を設け、前記信号線115,115の間に位置する第1支線152に切断用切り込み部162を設けたものである。 - 特許庁

The image outputted by the image output device is read, the widths of the segments printed inside the image and across the images are measured, a line width uniformity evaluation quality is calculated by the line width uniformity evaluation quantity=N×(maximum linewidth-minimum linewidth)/average line width and the uniformity of the linewidth is evaluated.例文帳に追加

画像出力装置等により出力された画像を読み取り、画像内や画像間に渡って印字された線分の線幅を測定し、線幅均一性評価量を 線幅均一性評価量=N×(最大線幅−最小線幅/平均線幅 により計算し、線幅の均一性を評価する。 - 特許庁

An adhering agent 2 which has widths on both sides of the straight line separation part 7 and the broken line separation part 6 with them as a center is interposed between a winding lowest layer of the adhesive tape 3 and the outer peripheral surface of the core material 1.例文帳に追加

そして前記粘着テープ3の巻き付け最下層と前記芯材1の外周面との間には、少なくとも前記直線状切離部7及び各破線状切離部6部分を中心としてその両側に跨る幅を有した付着材2を介在させる。 - 特許庁

The fittings such as doors, sliding doors and windows which are to be arranged on a part of wall surfaces of respective rooms are almost determined according to what the walls (room line), where the fittings are arranged, partition and the widths of the walls.例文帳に追加

各部屋の壁面の一部に配置される扉、引き戸、窓等の各建具は、その建具が配置される壁(部屋線)が何と何を仕切っているか、及び壁の幅によってほぼ決まっている。 - 特許庁

The optical system 13 changes the widths of the luminous fluxes in the respective exit positions of the parallel luminous fluxes so as to make the distribution of the quantity of light uniform when the parallel luminous fluxes are made into the line image 15.例文帳に追加

光量分布補正光学系13は、平行光束を線像15にしたときに、その光量分布が均一となるように、その平行光束の各出射位置での光束幅を変化させる。 - 特許庁

A lithography margin evaluating method includes steps of forming a plurality of chips in which focusing conditions and dose conditions are changed in a matrix shape on one wafer (S10, S11), and evaluating the minimum line widths of the plurality of formed the chips (S12).例文帳に追加

一枚のウエハ上に、フォーカス条件とドーズ条件をマトリックス状に変化させた複数のチップを作成し(S10,S11)、作成された複数のチップの最小線幅を評価する(S12)。 - 特許庁

R1, R2, R3 and R4 are determined by reading out the tables meeting the combinations of the degrees of the unsharpness and the line widths.例文帳に追加

この変形に際し、ボケの程度の組み合わせごとに、表を予め用意して記憶装置に記憶させておき、ボケの程度の組み合わせと線幅に応じた表を読み出して、R1、R2、R3、R4を定める。 - 特許庁

To provide a substrate processing method reducing variations in line widths of first and second resist patterns between substrates and in a substrate surface when forming minute resist patterns by double patterning.例文帳に追加

ダブルパターニングにより微細なレジストパターンを形成する際に、基板間及び基板面内での1回目及び2回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The vertical joint forming pieces 3 are positioned on one straight line and bendably formed in an intermediate part of the plate body 2 while the pieces 3 and the plate body 2 are set flat and both widths are set the same.例文帳に追加

前記の縦目地形成片3を、プレート本体2の中間部に、プレート本体2と面一状態で且つ夫々幅を同一にして、一直線上に位置決めして折曲げ可能に形成する。 - 特許庁

Resist patterns (monitor patterns 13a-13d) for measuring line widths are formed on a substrate having a STI surface 11 and an active area surface 12 in the same process as that for forming resist patterns for a mask.例文帳に追加

STI表面11と活性領域表面12とを有する基板上に、マスク用のレジストパターンの形成と同一工程で、線幅測定用のレジストパターン(モニタパターン13a〜13d)を形成する。 - 特許庁

To provide an aligner for forming a microstructural pattern with high precision by controlling dispersion in pattern density-dependent line widths in a chip, and to provide a method for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

1チップ内でのパターンの疎密依存性に起因する線幅のばらつきを抑制し、微細なパターンを高精度に形成することが可能な露光装置および半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition with which the line widths and straightness of patterns and the height of each pattern are easily adjusted, and which is excellent in transmission and suitable particularly for forming an OCL of a color filter.例文帳に追加

パターンの線幅、直進性および各パターンの高さなどの調節が容易であり、同時に透過度に優れてカラーフィルターのOCL形成用に特に適した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Next, the widths of line segments of the image normalized in size by the normalization part 123 or the normalization part 124 are set to preset values by a thickening processing part 125.例文帳に追加

次に、拡大正規化部123またはOR正規化部124でサイズが正規化された画像に対して太め処理部125で画像の線分の幅が予め設定された太さになるようにする。 - 特許庁

An image indicating the binarized result of the linear pattern of a model is displayed, and the virtual lines along respective line-widths of two places of the linear pattern are set at the two places in response designed operation to the display.例文帳に追加

モデルの線状パターンの2値化結果を示す画像を表示して、その表示に対する指定操作に応じて、線状パターンの2箇所に、それぞれ線幅方向に沿う仮想ラインを設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which allows a precise and uniform patterning of a film to be etched even if a pattern comprises a mixture of pattern elements of various line widths and sparsenesses.例文帳に追加

種々の線幅/スパース幅のパターンが混在していても、高精度で均一な被エッチング膜のパターニングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This etching dispersion estimation device has a length-measuring scanning electron microscope 10 for respectively measuring the line widths of a resist pattern used as a measuring object at a plurality of positions with first and second threshold values.例文帳に追加

複数の位置で、測定対象となるレジストパターンの線幅を、第1および第2の閾値でそれぞれ測定する測長用走査型電子顕微鏡10を持つエッチングばらつき予測装置である。 - 特許庁

In the process for forming the mask for exposure, correction is performed as necessary so as to allow the widths of mask patterns 153, 154 arranged at least at either one of formation planning positions among a plurality of line patterns 53 for grounding and a plurality of line patterns 54 for a power source, to be set to a size being not more than a design value.例文帳に追加

露光用マスク作成工程では、複数のグランド用ラインパターン53及び複数の電源用ラインパターン54のうちの少なくともいずれかの形成予定位置に配置されるマスクパターン153,154の幅を設計値以下の大きさに設定する補正を、必要に応じて実施する。 - 特許庁

Thus, as the widths of data lines are designed according to their characteristics by providing the pair of read global data line used during the reading operation and the pair of write global data line used during the writing operation, the operation performance of the semiconductor memory device is improved.例文帳に追加

従って、リード動作時に使用する一対のリードグローバルデータラインとライト動作時に使用する一対のライトグローバルデータラインを具備することによって、各データラインの幅をそれぞれの特性に合わせて設計することができるので、半導体メモリ装置の動作性能を改善することができる。 - 特許庁

At least part of at least one power line of a plurality of power lines 103R, 103G and 103B is composed of a conductive film provided in a first wiring layer 135 and a conductive film provided in a second wiring layer 136, so as to attain narrow line widths of the power lines.例文帳に追加

複数の電源線103R,103G,及び103Bのうちの少なくとも1つの電源線の少なくとも1部を第1配線層135に設けられた導電膜と第2配線層136に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

Each width in the electrode group 142 and each space (wiring space) between the electrode groups 142 are set wider than each width in the electrode group 141 and a wiring space between the electrode groups 142, so that they meet the respective line widths of high-speed signal line group 132 and wiring space between the high-speed signal line groups 132.例文帳に追加

電極群142の各々の幅および電極群142間の間隔(配線間隔)は、高速信号線群132の各々の線幅および高速信号線群132間の間隔(配線間隔)にそれぞれ整合するように、電極群141の各々の幅および電極群142間の間隔よりも広く設定されている。 - 特許庁

Moreover, a uniform pattern can be obtained on the wafer by measuring an opening/closing ratio within the region influenced by flare can be measured based on the amount of flare of lens and then correcting (S8) the line widths of the mask pattern based on this opening/closing ratio.例文帳に追加

また、レンズのフレア量により、フレアの影響を受ける領域内にて開閉比を測定し、この開閉比により、マスクパターンの線幅を補正(S8)することにより、ウェーハ上部に均一なパターンが得られる。 - 特許庁

Furthermore, the tracking coil and the respective focus coils are arranged aligned nearly in a line in the direction of the longer edges of the substrates 80 and 90 or can have nearly the same widths in the direction of the shorter edges of the substrates 80 and 90.例文帳に追加

また、トラッキングコイルと各フォーカスコイルは、前記基板80,90の長辺方向に略一列に整列して配置し、又は、基板80,90の短辺方向において略等しい幅を有するようにすることができる。 - 特許庁

The battery element 20 is pinched by the supporting stand 41 and the presser member 42 without being deformed due to a difference of the widths, the fold line thus made is straight, and a curving of the sealing parts 31B, 31C is prevented.例文帳に追加

電池素子20が支持台41と押え部材42とに挟まれてその厚さの違いにより変形することがなく、出来上がった折り目は直線となり、封止部31B,31Cの弯曲を防止できる。 - 特許庁

Each signal input pad of a signal line pad group 23 ((23-1), 23-2-(23-6)) and a scanning pad group 47 has widths Ws, Wg, and lengths Ls, Lg enough to be abutted on an inspection probe, and plays a roll for an inspection pad.例文帳に追加

信号線パッド群23及び走査線パッド群47の各信号入力パッドが、検査プローブの当接に充分な幅Ws,Wg及び長さLs,Lgを有し、検査パッドの役割を果たす。 - 特許庁

A plurality of the slots 11a to 11f are located each having a width being a half the entire width of the laminate tape 13 before being longitudinally located and formed except widths of overlapped parts 17a, 17b at both the edges while bridging over a center line 16.例文帳に追加

複数のスロット11a〜11fを、縦沿え成型前のラミネートテープ13の、中心線16に跨り、かつ両縁の重なり部17a、17bの幅を除く全幅の2分の1以下の幅に配設した。 - 特許庁

If the variable power rates which are set are more than one, the original is read again with scanning line widths optimum to the variable power rates which are set in each case, and the original which is read is stored into a storage device as image data.例文帳に追加

設定された変倍率が複数に及ぶ場合は、その都度設定された変倍率に最適な走査線幅にて原稿を再度読取、読取った原稿を画像データとして、記憶装置へ格納する。 - 特許庁

Both the wiring 130a, 130b, 150a, and 150b have comb-teeth-shaped areas composed of a wiring element having plural narrow line widths linearly extending at an interval in parallel to the lengthwise direction of the elastic members 114a and 114b.例文帳に追加

配線130a,130b,150a,150bはいずれも、弾性部材114a,114bの長手方向に対して平行に間隔を置いて直線的に延びる複数の狭い線幅の配線要素からなる櫛歯状の領域を備えている。 - 特許庁

The scanner 107 properly sets the width and input timing of the start pulse azsp and sequentially outputs scanning pulses having always equal pulse widths during the line-sequential scanning in spite of the presence of the adjustment section.例文帳に追加

スキャナ107は、スタートパルスazspの幅及び入力タイミングを適切に設定して、線順次走査中この調整区間の存在にかかわらず、常に同じパルス幅の走査パルスを逐次出力する。 - 特許庁

Patterns of a linear part formed in parallel, with X-axis or Y-axis and an oblique line part connected to the linear part with constant widths are formed so as to be expressed at central parts remained in one graphic form, as it is.例文帳に追加

XあるいはY軸に平行に形成されている直線部分と、この直線部分に接続された斜め線部分の幅が一定のパターンについては、その中央部分を一つの図形のまま表現できるようにしている。 - 特許庁

Line widths of photoresist pattern are compared in a light shielding region and a light transmitting region by executing the photolithography process using a mask including the light shielding region and light transmitting region having a plurality of light transmitting patterns (S2, S5).例文帳に追加

複数の光透過パターンを有する光遮断領域及び光透過領域を有するマスクを利用し、フォトリソグラフィ工程を実行して(S2、S5)、光遮断領域及び光透過領域でフォトレジストパターンの線幅を比較する。 - 特許庁

例文

To provide a method for producing a polymer compound used for resists whose performances such as heat resistance, sensitivity and resolution can be improved without accompanying reduction of resist films, decrease in the line widths of the resists and deterioration in the dry etching tolerance of the polymers.例文帳に追加

レジストの膜減り、レジストの線幅の減少、ポリマーのドライエッチング耐性の低下等を伴わずに、耐熱性、感度、解像度等のレジストの性能を向上させることを可能とするレジスト用高分子化合物の製造方法の提供。 - 特許庁




  
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