「line widths」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

These first tooth 34 and the second tooth 36 are arranged in positions which are different in only each tooth widths mutually to the rotation axial line direction, arranged in positions which are different in only each tooth length mutually to a pitch circumference direction, and formed so as to regulate one pitch circle focusing on the rotation axis line 32a.例文帳に追加

それら第１歯３４及び第２歯３６は、各々の歯幅だけ回動軸線方向へ互いに異なる位置に配置されるとともに、ピッチ円周方向へ各々の歯厚だけ互いに異なる位置に配置され、以て回動軸線３２ａを中心に１つのピッチ円を規定できるように形成される。 - 特許庁

To provide a method by which such a printed wiring board can be manufactured that fine irregularities can be formed easily on the surface of a circuit through a simple step and, even when a fine pattern having narrow line widths and line intervals is formed, the deficit, such as the edge chipping, etc., of the circuit can be suppressed.例文帳に追加

回路の表面に簡易な工程にて容易に微細な凹凸を形成することができ、更に、ライン幅及びライン間隔が狭いファインパターンを形成する場合であっても、回路の表面に凹凸を形成するにあたり、回路の角落ち等の欠損を抑制することができるプリント配線板の製造方法を提供する - 特許庁

The patterning method of a wafer W includes a step for forming an L&S pattern 54A including multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W, and a step for forming an L&S 56A including multiple linear resist patterns 42NA arranged between the multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W so that the line widths of the line patterns 40A and the resist patterns 42NA have a negative correlation.例文帳に追加

ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 - 特許庁

The twelve scales are recognized linearly in every semitone, since the respective grids 1101-1112 with the equal widths are consecutively arranged in the band shape to form a straight edge, and a step (distance between the sounds) is understood visually as a distance on a straight line.例文帳に追加

等幅の各升目１１０１〜１１１２が帯状に連なっていわば直定規のようになっているため、半音毎の１２音階を直線的に捉えることができ、音程（各音間の距離）を直線上の距離として視覚的に理解できる。 - 特許庁

While the X table is moved, pixel signals are read out from a plurality of pixels inside the second line sensor 23B, and the widths W and H of the beam spot SB are measured on the basis of a light volume distribution obtained from the read pixel signals.例文帳に追加

Ｘテーブルが移動している間、第２ラインセンサ２３Ｂ内の複数の画素から画素信号を所定時間間隔で読み出し、読み出した画素信号から得られる光量分布に基づいて、ビームスポットＳＢの幅Ｗ，Ｈを測定する。 - 特許庁

The liquid crystal panel, whose vertical display widths with respect to an opening and closing shaft differ at two arbitrary places in the same liquid crystal panel, is provided, and the pixel pitch and the number of pixels are stipulated by a pixel line arranged in the vertical direction with respect to the opening and closing shaft.例文帳に追加

開閉軸に対して垂直方向となる表示幅が、同一液晶パネル内の任意の２箇所で異なるような液晶パネルを備え、さらに開閉軸に対し垂直方向に配列する画素列で、画素ピッチと画素数とを規定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device fine patterning method of forming by one photolithography step the same fine pattern as that by a conventional double patterning method to attain uniformity of pattern line widths and production cost reduction.例文帳に追加

１回のフォトリソグラフィ工程により、従来の二重パターニング法と同程度の微細パターンを形成することが可能で、パターンの線幅の均一性の確保及び製造コストの節減が可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The widths of the pads 2a and 2b formed respectively on the upper and lower surfaces of the circuit board 1 are adjusted according to the specific inductive capacity ε_r of the circuit board 1, and they are set to about two to four times the width of a signal line 3 provided on the circuit board 1.例文帳に追加

回路基板１の上面及び下面に設けられたパッド部２ａ及び２ｂの幅を回路基板１の比誘電率ε_rに応じて調整し、回路基板１に設けられた信号線３の幅のおよそ２〜４倍に設定する。 - 特許庁

An iterative timing analysis is performed analytically before a chip is fabricated, based on a technique that uses optical proximity correction techniques for shortening the gate lengths and adjusting metal line widths and proximity distances of critical time-sensitive devices.例文帳に追加

ゲート長を短縮し、金属配線幅およびクリティカル時間感応性デバイスの近接距離を調節するための光学近接補正技法を使用する方法に基づいて、チップが製造される前に、反復タイミング解析が解析的に実施される。 - 特許庁

The barrier ribs 10 are extended from a display region inside a screen on one substrate 8 to a non-display region outside the screen and the line widths of the barrier ribs 10 are set to be thin on the display region and bold on the non-display region.例文帳に追加

隔壁１０は、片方の基板８上で画面内側の表示領域から画面外側の非表示領域に渡って延在しており、隔壁１０の線幅が表示領域上で細く非表示領域上で太く設定されている。 - 特許庁

Widths Wa1-Wa8 of a proximity slit 42, all of first slits 38_1, and remote slit 43, in the direction of crossing the axial line of the rod-shaped battery module, are gradually reduced from the proximity slit 42 toward the remote slit 43.例文帳に追加

近接スリット４２，第１導風部材３６の全第１スリット３８_１ および遠隔スリット４３における棒状バッテリモジュール軸線方向と交差する方向の幅Ｗａ１〜Ｗａ８が，近接スリット４２から遠隔スリット４３にかけて漸減している。 - 特許庁

The junction region of a semiconductor memory element includes a junction region of a semiconductor memory element including a semiconductor substrate on which a gate line is formed and a junction region where impurities with different masses different from each other are injected and which is formed with widths different from each other.例文帳に追加

ゲートラインが形成された半導体基板、ゲートライン間の半導体基板に互いに異なる質量の不純物が注入され、互いに異なる幅で形成された接合領域を含む半導体メモリ素子の接合領域からなることを特徴とする。 - 特許庁

In particular, the curve approximate areas are set with area widths corresponding to the variations of the density change rate in sections on both sides of reference points P_1 to P_6 which are the densities of patch images, and line approximate areas are set so as to interpolate the curve approximate areas.例文帳に追加

特に曲線近似領域は、パッチ画像の濃度である基準点Ｐ_1〜Ｐ_6を中心として、この基準点を挟んだ両側の区間での濃度変化率の変動量に応じた領域幅をもって設定され、直線近似領域は、曲線近似領域の間を補うように設定される。 - 特許庁

The luminous flux in the central part where the distribution of the quantity of light is normally large can effectively be utilized for the peripheral part where the quantity of light is insufficient by changing the widths of the luminous fluxes, thereby uniforming the distribution of the quantity of light of the line image 15 without lowering of the efficiency of utilizing the light as a whole.例文帳に追加

光束幅を変化させることにより、通常では光量分布が大きくなっている中央部の光束を、光量の不足している周辺部へと生かすことができ、全体として光の利用効率を落とさずに、線像１５の光量分布が均一化される。 - 特許庁

To prevent disconnection of a coil pattern by increasing the line widths of conductor patterns by reducing the stains of the conductor patterns, which become larger when the connection between the end sections of the conductor patterns is extended in a direction perpendicular to the boundary (step) of an insulating layer and a squeegee is moved in parallel with the boundary (step) of the insulating layer.例文帳に追加

導体パターンの端部と導体パターンの端部との接続部が絶縁体層の境目（段差）と垂直な方向に延在すると共に、スキージを絶縁体層の境目（段差）と平行な方向に移動させるので、導体パターンの接続部の滲みが大きくなる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid crystal panel 20 is manufactured via a state of a multi-dividable liquid crystal panel 10 equipped with the liquid crystal panels 20 and a panel for measurement 40 which has electrodes 42 with a specified width wider than line widths of display electrodes 22 formed on the liquid crystal panels 20.例文帳に追加

液晶パネル２０と、液晶パネル２０に形成された表示用の電極２２の線幅より広い所定幅の電極４２を有する測定用パネル４０とを備える複数取り液晶パネル１０の状態を経て液晶パネル２０を製造する方法である。 - 特許庁

Protruded picture lines 7 of intaglio printing with a line pattern in which a picture pattern is expressed by partly changing the angles are printed on the surface of a base material 5, and lines pattern 10 expressing a picture pattern by changing the widths are printed on the protruded picture lines 7 of the intaglio printing of this base material 5.例文帳に追加

基材５の表面に、部分的に角度を異にすることによって図柄を表した万線模様の凹版印刷隆起画線７を印刷し、この基材５の凹版印刷隆起画線７の上から幅を変化させることで図柄を表した万線画線１０を印刷する。 - 特許庁

In this case, as shown with a characteristic curve WL2, by linearly varying the opening ratios of all the pixels, that is widths of a black matrix, for each line so as to make the luminance gradually get darker than the desired luminance as going further to the scanning direction, the inclined luminance on the screen is canceled.例文帳に追加

このとき、特性線ＷＬ２に示すように、走査方向に行くに従って所望の輝度よりも徐々に輝度が暗くなってくるように全画素の開口率、すなわちブラックマトリックスの幅を１ライン毎に線形的に変化させることにより、画面の輝度傾斜を相殺する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method that reduces variance in line widths of resist patterns between substrates without increasing a processing time when the resist pattern is formed on each substrate having a resist film formed by performing exposure a plurality of times and also carrying out heating processing and developing processing.例文帳に追加

レジスト膜が形成された各基板に、露光を複数回行い、加熱処理及び現像処理を行うことによってレジストパターンを形成する際に、処理時間を増大させず、基板間のレジストパターンの線幅のばらつきを低減できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

A cutoff line changing part 50 controls the widths of the light shielding regions of the shades so that a whole luminous intensity distribution pattern overlapped with the right side luminous intensity distribution pattern and the left side luminous intensity distribution pattern may constitute a light shielding region conformed to the vehicle position detected by the vehicle position detecting part 52.例文帳に追加

カットオフライン変更部５０は、左側配光パターンと右側配光パターンとを重ね合わせた全体配光パターンが、車両位置検出部５２により検出される車両位置に合わせた遮光領域を構成するように、ハイビーム形成用シェードの遮光領域の幅を制御する。 - 特許庁

To provide a light emitting structure of glasses with which light emitting patterns are hardly peelable, patterns of fine line widths can be formed, the light emitting colors, the shading and texture of the light emitting patterns can be changed, and a color effect and ornamentality are excellent, a glasses frame, and a method for manufacturing glasses parts.例文帳に追加

発光模様が剥がれ難く、細かな線幅の模様を形成することができ、また発光模様の発光色、濃淡、質感を変化させることができ、色彩効果および装飾性に優れた眼鏡の発光構造、眼鏡フレームおよび眼鏡部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 1 acquires parameter information on one of sizes and line widths of characters inputted from an input unit 1 based on a scroll displaying program 60a, and the number of strokes calculated from data in a stroke number table 61c using a character code inputted from the input unit 1.例文帳に追加

制御部１は、スクロール表示プログラム６０ａに基づいて、入力部１から入力される文字のサイズおよび線幅、入力部１から入力される文字コードを用いて画数テーブル６１ｃからの画数のうち少なくとも何れかのパラメータ情報を取得する。 - 特許庁

Uneven picture lines 7 with a line pattern in which a picture pattern is expressed by partly changing the angles are formed by plowing or embossing on the surface of a base material 5 and printed picture lines 10 expressing the picture pattern by changing the widths are printed on the uneven picture lines 7 of this base material 5.例文帳に追加

基材５の表面に、部分的に角度を異にすることによって図柄を表した万線模様の凹凸画線７をすき入れ又はエンボスにより形成し、この基材５の凹凸画線７の上から幅を変化させることで図柄を表した印刷画線１０を印刷する。 - 特許庁

To draw at high speed a pattern having a mixed plurality of lines with directions and widths different from each other on the same base material for each line of the same direction line by relatively moving liquid droplet ejecting heads to the base material, by ejecting the liquid droplets while relatively moving the liquid droplet ejecting heads in the same direction in relation to the base material, respectively.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドと基材とを相対的に移動させることによって、同一の基材上に互いに方向と幅の異なる複数の線が混在するパターンを、同一方向の線毎に、それぞれ基材に対して液滴吐出ヘッドを同一方向に相対的に移動させながら液滴を吐出することによって描画するに際し、より高速な描画を行うこと。 - 特許庁

In the modulation part 48A of the image forming apparatus, the widths of a predetermined number of pixels on the scanning line in the main scanning direction due to a laser diode 43A are corrected so that the scanning lengths in the main scanning direction on a photosensitive drum 11 due to the respective laser beams of two laser diodes 43A and 43B become same.例文帳に追加

画像形成装置の変調部４８Ａにおいては、２つのレーザダオード４３Ａ，４３Ｂのレーザ光のそれぞれによる感光ドラム１１上における主走査方向の走査長が同一になるように、レーザダイオード４３Ａによる主走査方向の走査ライン上における所定数の画素の幅を補正する。 - 特許庁

To solve the problems with liquid crystal panels of UXGA and GXGA models such that the panels are larger in an angle of view, are more in the number of pixels and are greater in a load capacity of a signal line as compared to XGA, etc., and therefore even if a point sequential precharge system is employed, sufficient writing of a precharge signal potential is not possible within the pulse widths of precharge pulses.例文帳に追加

ＵＸＧＡ，ＱＸＧＡモデルの液晶パネルは画角が大きく、画素数が多く、信号ラインの負荷容量もＸＧＡ等に比べて大きいために、点順次プリチャージ方式を採ったとしても、プリチャージパルスのパルス幅内ではプリチャージ信号電位を十分に書き込むことができない。 - 特許庁

A band signal transmission apparatus comprises a substrate, and a signal transmission line of a multi-stage waveguide form connecting in series, on the substrate, at least two stages or more of at least two or more metal surfaces wired and separated from an ultra high-frequency integrated circuit (MMIC), the metal surfaces having at least one or more of different widths and lengths.例文帳に追加

基板と、前記基板上に超高周波集積回路（ＭＭＩＣ）からワイヤリング（wiring）されて分離された少なくとも２つ以上の金属面が幅及び長さのいずれか一方以上を異ならしめて少なくとも２段以上で直列連結された多段導波路形態の信号伝送路と、を備える。 - 特許庁

This method for evaluating the etching accuracy comprises forming a test pattern 2 for measuring resistance including test patterns 21-24 each with a predetermined width and a space between lines arranged in rows and columns on all over the test substrate, measuring a resistance value after etching, and assuming a finished state of a circuit pattern by converting the resistance value into the widths of the line.例文帳に追加

縦、横に配列された所定線幅および線間のテストパターン２１〜２４を含む抵抗測定用テストパターン２をテスト基板の全面にわたって形成し、エッチング後に抵抗値を測定し、その抵抗値を線幅に換算して回路パターンの仕上がり状態を想定しエッチング精度を評価する。 - 特許庁

To provide a method of subjecting a substrate to development processing by discharging a developer from a nozzle disposed above in a substrate conveying direction, the method being such that even if there is a difference in progresses of developments in the conveying directions of the substrate, a problem of variations in line widths of a color filter pattern in the front and rear portions of the substrate is solved.例文帳に追加

基板搬送方向の上部に配設されたノズルから現像液を吐出し、前記基板を現像処理する方法において、前記基板の搬送方向で現像の進み具合に差があって、前記基板の前後でカラーフィルタパターンの線幅がばらつくというという問題を解決する手段の提供である。 - 特許庁

In accordance with an aspect of the present invention, coplanar waveguide, hybrid stripline/coplanar waveguide and/or microstrip topologies are utilized to form the integrated passive components, and the devices can be mass produced on large area panels at least 18 inches by 12 inches with line widths smaller than 10 μm.例文帳に追加

本発明の態様によれば、コプレーナ導波路、ハイブリッドストリップライン／コプレーナ導波路および／またはマイクロストリップトポロジーは、集積された受動コンポーネントを形成するのに用いられ、デバイスは、１０μｍより小さいライン幅を有する少なくとも１８インチ×１２インチで、大面積パネル上に大量生産できる。 - 特許庁

On surfaces of tread 1 of a tire 100, there are provided a plurality of fine grooves 32 that extend along a tire peripheral direction TC and have smaller depths and widths than those of grooves 10 in the peripheral direction and grooves 20 in the width direction, and identification sections 33 formed in one or more rows with regard to a tire equator line CL.例文帳に追加

本発明に係るタイヤ１００のトレッド１の表面には、タイヤ周方向ＴＣに沿って延びるとともに周方向溝１０及び幅方向溝２０よりも深さが浅く幅が細い微細溝３２が複数形成されるとともに、タイヤ赤道線ＣＬを基準とした１列または複数列の識別部３３が設けられる。 - 特許庁

To provide a photon gate with which real substances, containing many physical systems with transitions resonating with incident light due to inhomogeneous line widths and causing loss due to light absorption, are utilized, in which the loss due to the light absorption is suppressed, and with which a quantum state of extremely feeble light to be controlled is efficiently controlled with extremely feeble control light.例文帳に追加

不均一幅に起因して入射光に共鳴し光吸収による損失の原因となる遷移を持つ多数の物理系を含む現実の物質を利用でき、光の吸収による損失が抑制され、微弱な制御光で微弱な被制御光の量子状態を大きく制御できる光量子ゲートを提供する。 - 特許庁

When the outline data are superimposed on a pixel screen to transform into a dot data, it is judged whether or not the number of width directional character composition lines of the dots to be formed into character composition lines 44 composing a character corresponds to the widths specified for each character composition line 44, and if not, the outlines 46 of the character composition lines are shifted.例文帳に追加

アウトラインデータをドットデータ化するために画素スクリーンに重ね合わせた時、キャラクタを構成するキャラクタ構成線４４に形成されるドットのキャラクタ構成線幅方向の数が、キャラクタ構成線４４ごとに指定された幅と対応するか否か判別し、対応しないときには当該キャラクタ構成線の輪郭線４６を移動させる。 - 特許庁

A dispersion of line widths of a first pattern and a second pattern occurring due to dispersion occurring in resist patterns (an opening 111, an opening 211) due to dispersion of lithography when forming a first pattern and a second pattern in the first region 110 and the second region 210 of an etching object material 105, respectively, is suppressed by adjusting the thickness of a mask material 106.例文帳に追加

被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 - 特許庁

If a conductor is formed on the rear face of the magnetic stripes and used as a jumper connecting the circuit 1 and the electronic part such as the chip 3, it is desirable because an IC card can be manufactured, for instance, without forcedly housing the circuit 1 under an electronic part to be connected, reducing the interval of antenna coil lines and line widths nor lowering productivity.例文帳に追加

磁気ストライプの裏面に導体が形成され、アンテナ回路とＩＣチップ等の電子部品とを接続するジャンパー線として使用されていれば、例えば、接続する電子部品の下に無理やりアンテナ回路を納めアンテナコイルの線の間隔を縮めたり線の幅を縮めることがなく、生産性を低下させずにＩＣカードを製造することができ好ましい。 - 特許庁

In this line sensor, two photodiode parts 21a and 21b having 100 μm widths (Wa and Wb), respectively, are provided adjacently with a small gap G between the photodiode parts 21a and 21b, and charge transfer device CCDs 24a and 24b corresponding to the respective photodiode parts 21a and 21b are also provided outside the photodiode parts 21a and 21b in respective width directions.例文帳に追加

夫々１００μｍの幅（Ｗａ、Ｗｂ）を有する２つのフォトダイオード部２１ａ、２１ｂが微小キャップＧをおいて近接して設けられると共に、夫々のフォトダイオード部２１ａ、２１ｂに対応する電荷転送デバイスＣＣＤ２４ａ、２４ｂがフォトダイオード部２１ａ、２１ｂの夫々の幅方向の外側に設けられてなるラインセンサ。 - 特許庁

To provide an aligner device that can firstly reduce variation of edge formation positions of patterns formed on an exposure object substrate by suppressing swing of waveform patterns of diffraction images generated in a vicinity of an edge of a mask pattern, and secondly suppress variation of pattern line widths by making sharp of the slopes of waveform patterns of the diffraction images in the vicinity of the edge of the mask pattern.例文帳に追加

第１に、マスクパターンのエッジ付近で生じる回折像の波形パターンのスイングを抑制し、露光対象基板上に形成されるパターンのエッジ形成位置のばらつきを低減することができ、第２に、マスクパターンのエッジ付近における回折像の波形パターンのスロープを急峻化することで、パターン線幅のばらつきを抑えることができるアライナ装置を提供する。 - 特許庁

When a transmission line for transmitting signals from a transmission-side LSI chip 21 to a reception-side LSI chip 22 is formed of printed wires 13a and 13b, a wiring pattern of the printed wires 13a and 13b is so formed that their wire widths are thicker in the vicinity of the transmission-side LSI chip 21 and are narrower in the vicinity of the reception-side LSI chip 22 while keeping the impedance constant.例文帳に追加

送信側ＬＳＩチップ２１から受信側ＬＳＩチップ２２に信号を伝送する伝送路をプリント配線１３ａ、１３ｂで形成する際に、そのインピーダンスを一定に保ちつつ、送信側ＬＳＩチップ２１の近傍の線幅が太く、受信側ＬＳＩチップ２２の近傍の線幅が細くなるようにプリント配線１３ａ、１３ｂの配線パターンを形成している。 - 特許庁

In obtaining the irregular shaped liquid crystal display panel by segmentizing the corner part 20 interposed between two neighboring edges X, Y of a polygon along a specified virtual segmentation line L, on a liquid crystal display panel to be used as the former panel 10A, graduation marks M1, M2 to express allowable dimensional widths in segmentation are formed on the respective neighboring edges X, Y along them.例文帳に追加

多角形の隣接する２辺Ｘ，Ｙに挟まれているコーナー部２０を所定の分断仮想線Ｌに沿って分断して異形の液晶表示パネルを得る際に、その元パネル１０Ａとして用いられる液晶表示パネルにおいて、隣接するＸ辺，Ｙ辺の各々に、分断時の寸法許容幅を示す目盛マークＭ１，Ｍ２を上記各辺Ｘ，Ｙに沿うように形成する。 - 特許庁

This SAW filter is filter obtained by cascading a dual modes SAW filter composed of a normal type IDT electrodes 5 and 6 on a piezoelectric substrate 1 with a reflection inverted type dual mode SAW filter composed of reflection inverted type IDT electrodes 2 and 3 and a filter making the stop band widths of the normal type IDT electrodes and the reflection inverted type IDT electrodes are made almost equal by setting a line duty factor appropriately.例文帳に追加

圧電基板上に正規型ＩＤＴ電極からなる二重モードＳＡＷフィルタと、反射反転型ＩＤＴ電極からなる反射反転型二重モードＳＡＷフィルタとを縦続接続したフィルタであって、ライン占有率を適切に設定するとにより正規型ＩＤＴ電極及び反射反転型ＩＤＴ電極のストップバンド幅をほぼ等しくしたフィルタである。 - 特許庁

Structures different by line widths and areas facing anode electrode layers are given to respective scan lines from two or more vertical scanner parts (a write scanner 14 and a drive scanner 15) disposed on one side of a pixel array, so that wiring resistances, wiring capacities, and capacities between wiring and electrode layers are adjusted to reduce or eliminate differences of resistance components and capacity components due to differences of wiring length.例文帳に追加

画素アレイの同一の側方に配置された２以上の垂直スキャナ部（ライトスキャナ１４とドライブスキャナ１５）からの各走査線について、線幅やアノード電極層との対向面積が異なる構造とされることで、配線抵抗、配線容量、配線と電極層との間の容量が調節されるようにし、配線長の差に起因する抵抗成分、容量成分の差を低減又は解消する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting and an etching processor of film carrier tapes for electronic component mounting, which can provide film carrier tapes for electronic component mounting satisfactory in electrical characteristics, mechanical characteristics, etc., with a uniform finish of line widths in wiring patterns, for the purpose of forming wiring patterns by etching treatment of films with an etchant in an etching processor.例文帳に追加

エッチング処理装置内において、フィルムをエッチング液にてエッチング処理して、配線パターンを形成する際に、配線パターンの線幅の仕上がりが均一で、電気諸特性、機械的強度などの良好な電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供できる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法、ならびにそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁