「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To conquer the difficulty of mask production while enhancing resolution in the exposure of a gate line, or the like, of a severe dimensional rule when a desired pattern is obtained by projection mapping using a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めることを可能にしつつ、そのマスク製造の困難さを克服する。 - 特許庁

To provide a positive electron ray or X-ray resist composition exhibiting high sensitivity and high resolution, capable of giving excellent rectangular pattern profile and having excellent PCD and PED stability and coating property.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性及び塗布性に優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a projection aligner and a method, where satisfactory resolution characteristics and a depth of focus can be obtained, even when a fine pattern equal in size to or smaller than the wavelength of exposure light is transferred.例文帳に追加

露光波長と同程度ないし露光波長以下の微細なレジストパターンを転写する場合においても、良好な解像特性と焦点深度を得ることができる投影露光装置及び投影露光方法を提供する。 - 特許庁

The negative type pattern which does not swell in aqueous alkali development and has high resolution is formed by using a reaction in which part or the whole of a γ- or δ-alkoxycarboxylic acid structure is converted to a lactone structure by an acid catalyzed reaction.例文帳に追加

γ−またはδ−アルコキシカルボン酸構造の一部または全てが、酸触媒反応によりラクトン構造に変わる反応を用い、水性アルカリ現像で膨潤のない高解像性のネガ型のパタンを形成する。 - 特許庁

The organic compound has an extremely small molecular size as compared with a polymeric compound (from several hundreds to several thousands), and can form the pattern having the high sensitivity and high resolution by utilizing a chemical amplification.例文帳に追加

本発明の有機化合物は、高分子化合物に比べて分子サイズが極めて小さく(数百から数千程度)、さらに化学増幅を利用することにより、高感度・高解像度のパターン形成が可能である。 - 特許庁

Further, when the whole composition is heat treated in film formation, it is adapted to a protective membrane or an insulation film of a semiconductor, a circuit substrate or the like which requires excellent heat, electrical and mechanical characteristics, and the pattern formation of the high resolution.例文帳に追加

また、全体組成物をフィルム化して熱処理した時、熱的、電気的、機械的特性が優れて高解像度のパタン形成を必要とする半導体、回路基板などの保護膜、絶縁膜として適合する。 - 特許庁

To provide a negative resist material, particularly a chemically amplified negative resist material, having high sensitivity, high resolution, exposure latitude and process adaptability, giving a good pattern shape after exposure and exhibiting excellent etching resistance.例文帳に追加

高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a new compound useful for chemical amplification-type image-forming materials, and to provide a chemical amplification-type positive- type resist composition having high sensitivity and high resolution power and improved in pattern edge roughness.例文帳に追加

化学増幅型画像形成材料に有用な新規な化合物を提供すること、及び高感度、高解像力を有し、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure apparatus which is suitably used for the formation of a fine pattern that composes an electronic device such as a flat panel display, and to provide an inexpensive exposure method with high resolution.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスを構成する微細パターンの形成に使用して好適な露光方法及び露光装置であって高解像度かつ安価な露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin layered body which has high resolution and high adhesion property, can be stripped in a shortened period of time and is excellent in tenting property and plating property, and to provide a method for forming a resist pattern by using the layered body.例文帳に追加

高解像度と高密着性を有し、剥離時間の短縮が可能であり、さらにテンティング性、めっき性にも優れた感光性樹脂積層体及びそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

When development is performed by using alkaline developing solution after exposure to light, a region which is exposed to light with the pattern 3b having L/S equal to or rougher than the resolution limit is formed in a shape having a comb tooth type section by narrow trenches 5 with depth not getting to the substrate 1.例文帳に追加

露光後、アルカリ性現像液で現像すると、解像限界以下のＬ／Ｓのパターン３ｂにより露光された領域は、基板１に達しない深さの狭い溝５によって断面櫛歯状に形成される。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies few development defects as well as high sensitivity, high resolution and a good pattern shape when an active ray or radiation, particularly an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線の使用に対して、高感度、高解像性、良好なパターン形状に加えて、現像欠陥の特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In this constitution, since a process constant in a contraction projection optical system can be reduced to 0.3-0.4, resolution performance can be raised as compared with the prior art, and the fine pattern with a line width of 150 nm or less can be drawn.例文帳に追加

この構成では、縮小投影光学系におけるプロセス定数を０．３〜０．４と小さくできるため、解像性能を従来よりも高めることができ、線幅１５０ｎｍ以下の微細なパターンを描画できる。 - 特許庁

To provide an image processor and an image processing program with the performance optimized, while suppressing the noise generated on a super-resolution image, even when high-frequency, element is included, or any pattern is hardly included, in an image.例文帳に追加

画像に高域要素が含まれる場合や模様がほとんどない場合であっても、超解像画像上に生じるノイズを抑圧しつつパフォーマンスを最適化した画像処理装置及び画像処理プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mask capable of forming by exposure a contact hole pattern which has a fine hole diameter and in which the contact holes ranging from isolated contact holes to contact hole arrays coexist with high resolution and without replacing the mask.例文帳に追加

微細なホール径を持ち、コンタクトホールあるいは孤立コンタクトホールからコンタクトホール列までが混在するコンタクトホールパターンを、マスクを交換せずに、高解像度で露光可能なマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In S161, this processor decides whether an input image is rotated by 90°, and when the input image is not rotated, the process advances to S162, extracts a pattern of 2 pixels × 2 pixels and performs resolution conversion into 4 pixels × 1 pixel in S163.例文帳に追加

Ｓ１６１で、入力画像を９０度回転したかどうか判定し、回転していない場合は、Ｓ１６２に進み、２画素×２画素のパターンを抽出し、Ｓ１６３で４画素×１画素への解像度変換する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in lithography characteristics such as resolution and an MEF (Mask Error Factor), to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition, and a high molecular compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To provide an excellent photosensitive resin laminate having highly excellent resolution and adhesion of a photosensitive resin layer, ensuring little bumpiness of the side walls of a resist pattern and free of chipping, breaking and short in etching and plating.例文帳に追加

感光性樹脂層の解像度及び密着性が高度に優れ、さらにレジストパターンのサイドウォールのがたつきが少なく、エッチングやめっきで欠け、断線、ショートのない優れた感光性樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide polarization illumination of an exposure apparatus with which resolution property can be enhanced, in exposure of gate lines, or the like, having strict dimensional rules, when a desired pattern is obtained by projection mapping that uses a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めること露光装置の偏光照明を提供する。 - 特許庁

In a highly accurate high-resolution part in which a pixel, a black matrix or the like is narrow, a negative resist 41 is applied on the surface of the substrate 21 of printing plate and, by exposing and developing the applied resist, a fine line pattern is formed.例文帳に追加

画素、ブラックマトリクスなど幅が小さく高精細な高解像度部分においては、印刷版用基板２１の表面上にネガレジスト４１を塗布し、これを露光、現像することによって細線パターンを形成する。 - 特許庁

The compound containing the phenol substituent expressed by formula 1 constitutes a resist composition together with a photo acid generator, and provides the resist composition excellent in sensitivity, resolution and line edge roughness while capable of drawing a super fine pattern.例文帳に追加

式１で表されるフェノール置換基を含む化合物は、光酸発生剤と共にレジスト組成物を構成し、超微細パターンの描画が可能でありながらも、感度、解像度、およびラインエッジラフネスに優れたレジスト組成物。 - 特許庁

To provide a missile guidance system capable of achieving a fitting error of approximately several tens of cm even when the visual line direction changes with time in a staircase pattern on the basis of the field angle resolution characteristic of an image sensor.例文帳に追加

目視線方向が画像センサの画角分解能特性により階段状に時間変化する場合でも、１０数ｃｍ程度の命中誤差を達成することのできる飛翔体誘導装置を得る。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive element capable of forming a resist pattern with sufficiently excellent resolution and photosensitivity, and capable of suppressing adhesion of foreign substances to a support film and sticking of a photomask.例文帳に追加

十分に優れた解像度及び光感度でレジストパターンを形成可能であると同時に、支持体フィルムに対する異物の付着、並びに、フォトマスクの貼り付きを十分に低減できる感光性エレメントを提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution for far UV rays as typified by an ArF excimer laser, excellent in the pattern profile or the like, and suitable as a chemically amplifying resist.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線に対する感度、解像度が優れ、パターン形状等にも優れる新規な化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which enables formation of a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, line width roughness (LWR) and etch resistance, and a method of forming resist patterns using the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、解像性、ＬＷＲ及び耐エッチング性に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist material which easily forms a pattern having a high light screening property by a photolithography method and has sufficient sensitivity and resolution, and to prepare a resin black matrix of a color filter with high precision at low cost.例文帳に追加

高遮光性を有するパターンをフォトリソグラフィー法で容易に形成でき、十分な感度、解像性をもつレジスト材料を提供するものであり、カラーフィルターの樹脂ブラックマトリックスを高精度、低コストで製造可能とする。 - 特許庁

To provide an image forming method excellent in ink repellency on an upper face (exposed face opposite to a face contacting a substrate), excellent in resolution and tightness to the substrate, and capable of forming a pattern image with a line width restrained from being dispersed.例文帳に追加

上面（基板に接する面の反対側の露出面）の撥インク性に優れ、解像度及び基板との密着性に優れ、線幅ばらつきが抑えられたパターン画像を形成できる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to a radiation, satisfying basic properties required by a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring good adhesiveness to a substrate and few development defects.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストに要求される基本性能を満たすとともに、基板に対する接着性が良好で現像欠陥が少ない。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern sidewall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

This negative type radiation sensitive resin composition solution is suitable for use as a resist which is not swellable with a developing solution, excellent in developability, pattern shape, focus latitude, heat resistance, pattern faithfulness, lithographic process stability, etc., having high sensitivity and high resolution and adaptable to various radiation sources.例文帳に追加

本発明によれば、現像液による膨潤がなく、現像性、パターン形状、フォーカス許容性、耐熱性、パターン忠実度、リソグラフィープロセス安定性などに優れ、高感度かつ高解像度で様々な放射線源に対応できるレジストとして好適なネガ型感放射線性樹脂組成物溶液を得ることができる。 - 特許庁

To realize in a charged particle exposure for division transfer method, where a pattern can be transferred to and exposed to light keeping high resolution and high accuracy by a method, wherein imaging conditions such as form astigmatism caused by differences in pattern distribution in sub-fields are corrected effectively.例文帳に追加

分割転写方式の荷電ビーム露光において、各サブ・フィールド内のパターン分布の相違に起因する形状非点収差等の結像条件の補正を効率良く実行でき、結果的に高解像・高精度のパターン転写露光を実現できる荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dye containing curing composition for forming high-resolution pattern images (for instance, pixels) superior light resistance, heat resistance, pattern formation and solvent resistance by suppressing elution to a developing liquid of an exposure part, and to provide a color filter using it and its manufacturing method.例文帳に追加

露光部の染料の現像液への溶出が抑制され、耐光性、耐熱性、パターン形成性（現像性）、および耐溶剤性に優れ、解像度の高いパターン像（例えば画素）を形成することができる染料含有硬化性組成物並びにこれを用いたカラーフィルターおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a radiation sensitive resin composition effectively sensitive to various radiations, having high sensitivity, also having satisfactory resolution and focus latitude in various patterns including dense lines, isolated lines and contact holes, particularly in a line pattern and capable of forming a minute pattern with low surface roughness.例文帳に追加

各種の放射線に有効に感応し、高感度であり、かつ密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等を含む種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な解像度とフォーカス余裕度を有し、さらに膜面荒れの小さい微細パターンを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in resolution, development defects and outgassing and a pattern forming method using the same, which are a positive resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像力、現像欠陥、アウトガスが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A light shielding pattern 54 having a plurality of arrayed polygonal light shielding portions 53 and a light transmitting portion 55 of a resolution limit or lower disposed at the center of the array is formed in the light transmitting region of a photomask, as a unit light shielding pattern for forming a projection 56 for alignment control in a photosensitive composition layer.例文帳に追加

感光性組成物層に配向制御用突起５６を形成するための単位の遮光パターンとして、フォトマスクの光透過領域中に、多角形状の遮光部５３が複数個配列され、その配列の中心部に解像限界以下の光透過部５５を有する遮光パターン５４を形成する。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern side wall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure method and a device, where image forming conditions can be efficiently corrected on shape astigmatism caused by a pattern distribution difference between sub-fields in a charged particle beam exposure method of a split transfer system, and resultantly, a pattern of high resolution and high accuracy can be projected for exposure and transferred.例文帳に追加

分割転写方式の荷電ビーム露光において、各サブ・フィールド内のパターン分布の相違に起因する形状非点収差等の結像条件の補正を効率良く実行でき、結果的に高解像・高精度のパターン転写露光を実現できる荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that forms a resist pattern of favorable shape that exhibits excellent resolution and reduced line width roughness (LWR), a polymeric compound that can be used as a base component of the positive resist composition, a compound that can be used in synthesizing the polymeric compound, and a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

解像性に優れ、ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が低減された良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の合成に利用できる化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which includes a polyurethane resin that has enhanced sensitivity, surface hardness, cold heat shock resistance, plating resistance and insulation properties and unexpectedly has an excellent shape of a permanent pattern and excellent resolution, and to provide a photosensitive film using the photosensitive composition, a photosensitive laminate, a method for forming a permanent pattern, and a printed board.例文帳に追加

感度、表面硬度、冷熱衝撃性、めっき耐性、及び絶縁性が向上し、予想外に永久パターンの形状、及び解像性に優れるポリウレタン樹脂を含む感光性組成物、該感光性組成物を用いた感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for obtaining a photosensitive element superior in photosensitivity, chemical resistance, mechanical strength, peeling property, adhesion, resolution, flexibility and storage stability, a resist pattern and a printed wiring board, a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern, and to provide a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

光感度、耐薬品性、機械強度、はく離特性、密着性、解像度、柔軟性、保存安定性等に優れる感光性エレメント、レジストパターン、プリント配線板を得るための感光性樹脂組成物これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供する。 - 特許庁