1153万例文収録!

「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > resolution patternに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

resolution patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1444件



例文

To obtain a radiation sensitive resin composition effectively sensitive to various radiations, having high sensitivity, also having satisfactory resolution and focus latitude in various patterns including dense lines, isolated lines and contact holes, particularly in a line pattern and capable of forming a minute pattern with low surface roughness.例文帳に追加

各種の放射線に有効に感応し、高感度であり、かつ密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等を含む種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な解像度とフォーカス余裕度を有し、さらに膜面荒れの小さい微細パターンを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a photosensitive polyimide precursor composition developable with a basic aqueous solution, having high resolution, excellent in pattern shape after development and not causing pattern exfoliation in development.例文帳に追加

塩基性水溶液により現像可能で、高解像度でかつ現像後のパターン形状に優れ、現像時のパターン剥離も生じない感光性ポリイミド前駆体組成物、さらに製造工程の短縮が可能であり、製造コストが削減できるパターン製造法及び前記のパターンを有することにより信頼性に優れる電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、X線またはEUV光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にKrFレーザー、極短紫外線、電子線、X線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁


例文

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、X線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度(DOF)性能、LWR、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

Even if the image sensor 40 which reads the test pattern has a low resolution, tilting of the inkjet recording heads 20Y-20K can be precisely detected in comparison with a configuration of detecting tilting of the inkjet recording heads 20Y-20K to a conveyance direction of the recording medium P by measuring a dot pitch of the test pattern.例文帳に追加

これにより、テストパターンを読み取るイメージセンサ40が低解像度であっても、テストパターンのドットピッチを測定して記録媒体Pの搬送方向に対するインクジェット記録ヘッド20Y〜20Kの傾きを検出する構成に比して、インクジェット記録ヘッド20Y〜20Kの傾きを精度よく検出できる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for ion implantation forming a resist film which is excellent in ion blocking property and in the breaking resistance of the resist even in the case of a thin film, has good sensitivity and resolution even when an antireflection film is not formed on a substrate, and ensures a good pattern profile and a small pattern variation range.例文帳に追加

薄膜であってもイオン遮断性及びレジストの耐破壊性に優れ、基板上に反射防止膜が形成されていない場合にも、良好な感度及び解像度を有し、良好なパターンの形状、及びパターン変動幅の小さいレジスト膜を形成可能なイオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having high sensitivity to both of light of 350-370 nm and light of 400-410 nm, capable of forming a resist pattern having a good profile with high resolution, and ensuring good strippability of the formed resist pattern, and a photosensitive element using the composition.例文帳に追加

350nm〜370nm及び400nm〜410nmのいずれの光に対しても高感度であり、良好な形状を有するレジストパターンを高解像度で形成することができるとともに、形成されたレジストパターンの剥離性が良好である感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメントを提供すること。 - 特許庁

例文

To provide an image pickup device for detecting the surface condition of a circuit pattern-formed wafer with high resolution and a defect detection apparatus using the same, without being affected by steep pattern steps, reflectance distributions and optically transparent substance which are formed after resist patterns are formed and removed.例文帳に追加

本発明の目的は、レジストパターン形成後やレジスト除去後の回路パターン付ウェハに存在する急峻なパターン段差、反射率分布、光学的透明体に影響を受けることなく、表面状態を高解像度で検出する撮像装置並びにこれを用いた欠陥検査装置を提供することである。 - 特許庁

例文

To provide a highly practical negative photoresist suitable for lithography using light of ≤220 nm such as ArF excimer laser light as exposure light and having resistance to pattern deformation due to swelling and adhesion to a substrate (a fine pattern is less liable to peel off a substrate) in addition to dry etching resistance and high resolution.例文帳に追加

ArFエキシマレーザ光等の220nm以下の光を露光光に用いたリソグラフィ用として好適に用いられる、ドライエッチング耐性、高解像性に加え、膨潤によるパターン変形及び基板密着性(微細なパターンが基板から剥がれにくい)を兼ね備えた実用性が高いネガ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution, good heat resistance of a pattern, suppression of outgassing and reduction of surface roughness in microfabrication of a semiconductor device, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン耐熱性、アウトガスの低減、表面荒れの低減を満足するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μm以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、2層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To simultaneously and nondestructively measure a panel alignment position and a pattern profile by improving resolution, quantifying accuracy, and repeatability for realize a pattern imaging which does not rely on optical measurement technology for inspection using a device which is markedly reduced in cost and complexity, while increasing the throughput of the device significantly.例文帳に追加

検査のためのパターン像化に依らない光学的測定技術を、スループットを大きく向上させつつ、コスト及び複雑性を非常に低下させた装置によって実現し、分解能、定量化精度、及び繰り返し精度の向上を図り、重ね合せ位置及びパターンプロフィールの同時かつ非破壊測定を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head, wherein when formation of a narrow pattern exceeding a limit of resolution of an imaging layer is required, a lift-off resist of a narrow pattern is applied and an angle of an end part of a GMR film is made steep so as to be ≥45° by a lift-off method to form a GMR element.例文帳に追加

イメージング層の解像度の限界を超える狭いパターンを形成する必要がある場合に、狭いパターンのリフトオフレジストを適用し、リフトオフ方法によって,GMR膜端部の角度を45度以上に急峻にして、GMR素子を作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for laser direct drawing exposure, which allows the formation of a resist pattern having high sensitivity, an excellent resist feature, a preferable resolution, an adhesion property and a release property in laser direct drawing exposure, and to provide a photosensitive element, a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a printed wiring board.例文帳に追加

レーザ直接描画露光において高感度で、レジスト形状に優れ、解像度、密着性及び剥離性が良好なレジストパターンを形成することが可能なレーザ直接描画露光用感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及び、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is adaptable to the formation of a fine resist pattern using a light source of a short wavelength up to 90 nm, excels in resolution, ensures small LWR and good PEB temperature dependency, excels in pattern collapse resistance and hardness to cause defect, and is suitably used even in an immersion exposure step.例文帳に追加

90nm以下の短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、LWRが小さく、PEB温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性および欠陥性能に優れ、液浸露光工程においても好適に用いられる。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in resolution, line edge roughness and side lobe margin and a pattern forming method using the same, which is a resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超LSIや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像性、ラインエッジラフネス、サイドローブマージンに優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of the performance improving technique of microphotofabrication using far-ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength, specifically to provide a negative resist composition which, even in fine pattern formation, avoids pattern collapse and exhibits good resolution.例文帳に追加

本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が193nmのArFエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れがなく、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which achieves high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and suppression of outgassing, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film and a pattern formation method using the same.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及びアウトガスの低減を同時に達成可能とするポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having high resolution, capable of diminishing defects in a resist pattern and failures such as chipping, breaking and short circuit in a circuit formed in an etching or plating step and less liable to generate residue on removal in a resist pattern removing step particularly after electroplating by a semi-additive process.例文帳に追加

高解像性を有し、レジストパターンの欠陥や、エッチング工程またはめっき工程において形成される回路の欠けや断線、ショートなどの欠陥を低減することができ、特にセミアディティブ工法の電解めっき後のレジストパターン剥離工程における剥離残が発生しにくい感光性樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

A distance calculating means 311 calculates the start-to-end point distance L of a drawing pattern, and a number-of-scan-clocks calculating means 312 calculates the number of scan clocks required to write the drawing pattern based on the distance L and a unit distance corresponding to the minimum resolution of a high-speed D/A converter 306.例文帳に追加

距離算出手段311が描画パターンの始点終点間距離Lを算出し、走査クロック数算出手段312が距離Lと高速D/A変換器306の最小分解能に相当する単位距離とに基づいて、描画パターンを描画するために必要な走査クロック数を算出する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition short in minimum developing time and forming a resist film breakable by a shock of spray or the like and especially excellent in adhesion and resolution and to provide a photosensitive element using this, and manufactures of a resist pattern and the printed circuit board having this pattern by incorporating a specified photopolymerizable compound and specified compounds.例文帳に追加

最少現像時間が短かく、レジスト硬化膜がスプレー等の衝撃により割れ、さらに密着性及び解像度が特に優れた感光性樹脂組成物及びそれを使用した感光性エレメント、及びレジストパターンの製造法並びにこのレジストパターンを有するプリント配線板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and development defect performance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray as an exposure light source, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、X線又はEUV光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、現像欠陥性能を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry film which excels in resolution and pattern profile, hardly results in crack, deficiency, or the like of a pattern even against squeeze pressure of soldering paste during printing after exposure, development and curing, and excels in printability, while maintaining satisfactory flexibility, and to provide a transfer film with the dry film and a method for forming bumps using the dry film.例文帳に追加

十分な可とう性を維持しつつ、解像性、パターン形状に優れ、露光、現像、硬化後には半田ペーストの印刷時のスキージ圧に対してもパターンの割れや欠損等が起こりにくく、印刷性に優れたドライフィルム及びこれを備える転写フィルム並びにこれを用いたバンプの形成方法を提供する。 - 特許庁

The pattern forming method comprises a step for forming a hydrophobic film having a photosensitive hydrophobic group on a substrate, a step for forming a hydrophilic pattern by irradiating the hydrophobic film formed on the substrate with light and a step for depositing a metal oxide for enhancing pattern resolution on the hydrophilic pattern particularly by putting the substrate with the formed hydrophilic pattern in an atmosphere of a hydrolyzable metal oxide precursor.例文帳に追加

基板上に感光性の疎水基を有する被膜を形成する疎水性被膜形成工程と、該疎水性被膜形成工程により基板上に形成された疎水性被膜に光を照射して親水性のパターンを形成する親水性パターン形成工程を施した後に、パターン解像度を向上させるための金属酸化物析出方法として、特に、該親水性パターンを形成した基板を加水分解性金属酸化物前駆体の雰囲気におくことによる、該親水性パターン上に金属酸化物を析出させる工程からなるようにした。 - 特許庁

A speckle pattern is removed from each image by decomposing each image, obtained through multi-resolution decomposition, into a low-pass signal component, a high-pass signal horizontal component, a high-pass signal vertical component and a high-pass signal diagonal component, performing a morphological reconstruction process on the respective decomposed signal components and then performing a multi-resolution reconstruction.例文帳に追加

多重解像度分解により取得した各画像を低域信号成分、高域信号水平成分、高域信号垂直成分、高域信号斜め成分に分解し、分解された各信号成分に対して形態学的再構成処理を実行した後、多重解像度再構成することで、各画像からスペックルパタンを除去するものである。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having improved chemical resistance, adhesion and work efficiency as well as improved photosensitivity and resolution, a photosensitive element using the composition, a resist pattern forming method and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

光感度および解像度と同時に、耐薬品性、密着性、さらに、作業性の向上を図った感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法およびプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in resist strippability and can improve adhesion and resolution, and to provide a photosensitive element, a method of forming a resist pattern and a method of manufacturing a printed wiring board using the same.例文帳に追加

レジストのはく離性に優れ、密着性及び解像度を向上させることが可能な感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及びプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the detection processing and the correction processing are performed with small loads, for example, during recording, a resolution used for reading an inspection pattern is set to be lower than the case that the processing can be performed without having small loads, for example, at a down-time before recording.例文帳に追加

記録中などの不良記録素子の検出及び補正に負荷をかけずに行う場合は、記録前のダウンタイムなどの負荷をかけずに行うことが可能な場合よりも、検出パターンの読み取り解像度を低くする。 - 特許庁

To provide a defect inspection device realizing high resolution and an increase in an inspection speed in a technology for inspecting a pattern defect, foreign matter, residue, a step and the like on a wafer in a production process of a semiconductor by an electron beam.例文帳に追加

半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold structure, and so on by which a signal output equivalent to a corner section is ensured without adversely affecting a master clock by changing the shape of a pattern angle even when resist resolution is insufficient.例文帳に追加

レジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角の形状を変化させることで、マスタークロックには影響を与えず、角部に相当する信号出力を確保することができるモールド構造体の製造方法等の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, a chemically amplified resist composition and a resist film which satisfy high sensitivity, high resolution, excellent roughness performance and excellent dry etching resistance, and further have excellent developing time dependency.例文帳に追加

高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a device attaching a material to be attached (a material to be loaded) into an extremely fine (acute) dot or line on an electrophoresis gel so as to provide an electrophoresis pattern of high resolution in an electrophoresis method.例文帳に追加

電気泳動法において、高い解像度の電気泳動パターンを得るために、被着物(被点着物)を、きわめて細かい(鋭い)点状もしくは線状に、特に電気泳動ゲル上に被着せしめることができる装置を提供すること。 - 特許庁

The composition 2 is capable of forming a good negative type pattern film with a high residual film rate and high resolution in a range in which transparency is retained without using a large quantity of the photosensitive agent that colors the film.例文帳に追加

この感光性樹脂組成物2では、皮膜を着色させる感光剤を多く用いずに、透明性を保持した範囲において、高残膜率および高解像度で、良好なネガ型のパターンの皮膜として形成することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a radiation, excellent in basic physical properties as a resist, such as sensitivity, resolution and pattern shape, and useful particularly as a chemically amplified resist excellent in focus latitude.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、特にフォーカス余裕に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition for forming microlens which can form a microlens which has an excellent film thickness, resolution, pattern shape, transparency, heat resistance, heat discoloring resistance and solvent resistance or the like and a favorable preservation stability.例文帳に追加

膜厚、解像度、パターン形状、透明性、耐熱性、耐熱変色性、耐溶剤性等に優れたマイクロレンズを形成でき、また保存安定性も良好なマイクロレンズ形成用感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The edges of the dot are extracted and counted in one direction to detect the position of a deformed dot located at the boundary between patterns different in gradation value at an output resolution level, thereby specifying the position of a pattern pixel at a high accuracy.例文帳に追加

網点のエッジを抽出し、一方向にカウントすることにより、階調値の異なる絵柄の境界に位置する変形した網点の位置を出力解像度レベルで検出し、絵柄画素の位置を高精度に特定する。 - 特許庁

To provide a resist composition having high sensitivity, with which a resist pattern with high resolution can be prepared and a semiconductor device having a high integration degree can be manufactured with high productivity, and to provide a compound that can be used for the composition.例文帳に追加

高感度で、高解像度のレジストパターンを作製することができ、集積度の高い半導体素子を高い生産性で作製することが可能となるレジスト組成物およびそれに用いることができる化合物を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which determines whether a concealed pattern is added, based on the required conditions of the gradation and the resolution for printing an original such as specific originals of high fidelity when images are formed in colors.例文帳に追加

カラーで画像が形成される場合、特定原稿のような原稿を忠実に印刷するために必要な階調性や解像度の条件に基づいて、隠しパターンを付加するか否かを決定する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern with adequate sensitivity and resolution in exposure to light of 400-440 nm wavelength, and a photosensitive element and a method of manufacturing a printed wiring board using the same.例文帳に追加

波長400〜440nmの露光において、十分な感度及び解像度でレジストパターンを形成することができる感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性エレメント、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a colored alkali developing photosensitive resin composition which is excellent in sensitivity, resolution, developing, and adhesiveness, and can form a fine pattern with precision, and a color filter using it.例文帳に追加

感度、解像度、現像性、密着性等に優れ、微細パターンを精度良く形成できる着色アルカリ現像型感光性樹脂組成物、及び該着色アルカリ現像型感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern that can reduce the number of processes, can prevent melting of a first resist film in depositing a second resist film, and can form fine openings having a size equal to or less than the resolution of an exposure device.例文帳に追加

工程数を削減でき、第2のレジスト膜を成膜する際の第1のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is superior in various properties, including film thickness, resolution, pattern shape, transparency, heat resistance and solvent resistance, in particular, in the heat resistance, and which is able to form a microlens that is superior in balance of the various properties.例文帳に追加

膜厚、解像度、パターン形状、透明性、耐熱性、耐溶剤性等の諸性能、特に耐熱性に優れ、且つ諸性能のバランスに優れたマイクロレンズを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has a high sensitivity and high resolution and decreased development defects in pattern formation by irradiation with active radiations (electron beams, X-rays, or EUV: extreme ultraviolet rays) for manufacturing of semiconductors, photomasks, etc.例文帳に追加

半導体、フォトマスク製造等のための、活性放射線(電子線、X線、又はEUV)の照射によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a defect inspection apparatus for speeding up inspection with high resolution for a technique in inspecting defects, foreign materials, residues, and steps, etc., using electron beam for a pattern on a wafer in a manufacturing process for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer compound which enables to obtain a highly sensitive photoresist composition which forms a fine pattern with excellent resolution and good rectangular shape and is capable of obtaining good resist characteristics even when the acid generated by an acid generator is weak.例文帳に追加

解像性に優れ、矩形性が良好な微細パターンを形成でき、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物等の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in the adaptability for a halftone phase difference shift mask and resolution for the formation of a contact hole pattern and to provide a positive resist composition having little deformation of a hole during etching and a wide exposure margin for under exposure.例文帳に追加

コンタクトホールパターン形成時のハーフトーン位相差シフトマスク適性と解像力に優れたポジ型レジスト組成物、更には、エッチング時のホール変形が少なく、アンダー露光時の露光マージンが広いポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The marker comprises a pattern 12, capable of identifying a specific position on the two-dimensional image in the digital camera; and a reflecting mirror 14 that is positioned at a specified position, having resolution that is lower than that of the laser radar device, and laser reflectance that is higher than those of other objects.例文帳に追加

マーカは、デジタルカメラの二次元画像上で特定位置の識別が可能な模様12と、特定位置に位置しレーザレーダ装置の分解能より小さくかつ他の物体よりレーザ反射率が高い反射板14とからなる。 - 特許庁

例文

To provide a chemical amplification type positive resist composition effective to achieve the diminution of defects necessary for comprehensive quality control, excellent in sensitivity and resolution, causing no unevenness in coating and giving a good resist pattern shape.例文帳に追加

総合的な品質管理上必要なディフェクト低減を実現するのに有効で、しかも感度、解像度が優れ、塗布むらの発生がなく、良好なレジストパターン形状を与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS