「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a heat resistant negative type photosensitive resin composition having satisfactory adaptability independently of the structure of a polybenzoxazole precursor to which photosensitivity is imparted and also having good sensitivity and resolution, to provide a method for producing a pattern of good shape using the composition and excellent in sensitivity, resolution and heat resistance, and to provide high reliability electronic parts.例文帳に追加

本発明は、感光性を付与するポリベンゾオキサゾール前駆体がいかなる構造であっても充分に対応でき、しかも感度や解像度も良好な耐熱性ネガ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた感度、解像度および耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られるパターンの製造法、信頼性の高い電子部品を提供するものである。 - 特許庁

To provide an optical device and a microscope whose resolution is excellent and whose sectioning effect is excellent, by which time required until obtaining an output image is shortened and the inside of an object to intensively scatter light is observed without adding a fluorescent pigment and is observed by excellent resolution without being affected by vibration or the like and also the lamination structure of an IC pattern formed on a semiconductor wafer is observed.例文帳に追加

高解像でセクショニング効果が高く、出力画像を得るまでの時間を短縮化でき、光を強く散乱する物体の内部を、蛍光色素を付加することなく観察可能で、振動等に強く高解像で観察可能であり、更に、半導体ウエハー上に形成されたＩＣパターンの積層構造をも観察可能な光学装置及び顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To provide a high resolution resist material containing acid generation agent of polymer type which is highly sensitive and high resolution to high energy rays particularly to ArF excimer laser, F_2 excimer laser, EUV, X-rays and EB etc., small in line edge roughness and not water soluble, and stable to heat and preservation; and to provide a pattern formation method using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2エキシマレーザー、ＥＵＶ、Ｘ線、ＥＢ等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems that a step of arraying a first mask step and a second mask step is not easy and a defect is caused when a double patterning step for overcoming the limit of resolution of exposure equipment is performed in a fine pattern forming method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness all at once in microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly an electron beam or X-ray.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工において、感度と解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Since the mask areas 11 and 12 are exposed to the electron beams EB which are narrowed in the direction with the image resolution of the patterns P1 and P2 required therein namely, in the widthwise directions of the patterns, a fine pattern can be formed even when a large beam current having a noticeable coulomb effect is used.例文帳に追加

このように、パターンの解像度の要求される方向、すなわちパターンの幅方向に絞った電子線ＥＢで露光することにより、クーロン効果が顕著な大ビーム電流によっても微細なパターンを形成することができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having high sensitivity and excellent in resolution/adhesion and mandrel property (flexibility of resist after curing), a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern, and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

高感度で且つ解像度・密着性及びマンドレル特性（硬化後のレジストの可とう性）が優れる感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a negative resist material capable of forming a resist pattern suitable for use as a thick film mask when a substrate is subjected to ion implantation or plating and excellent in heat resistance and cross-sectional shape in a short time with good resolution.例文帳に追加

基板にイオン注入やめっき処理を施す場合に、厚膜のマスクとして好適に用いることができ、耐熱性及び断面形状に優れるレジストパターンを、短時間で解像性よく形成しうるネガ型レジスト基材を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor that enhances a degree of concentration of a dither screen without causing a time lag for error application, and prevents discontinuity of a boarder part by a small scale circuit and suppresses the occurrence of a stripe pattern while establishing the compatibility between the resolution and the gradation.例文帳に追加

誤差適用のタイムラグを発生させず、ディザスクリーンの集中度を高め、小さな回路で、境界部の不連続を発生させず、解像度と階調性を両立させ、縞模様の発生を抑制する画像処理装置を提供する。 - 特許庁

Expressing a straight line with a medium density at an oblique angle of 45-degrees by using only a diagonal line part (pixel 121-pixel 125) of a pixel pattern consisting of 5×5 pixels causes a dotted line visually when the resolution is as high as 600 dpi or over.例文帳に追加

５×５の画素パターンの対角線部（画素１２１〜画素１２５）のみを用いて、中間濃度の斜め４５度の直線を表現すると、解像度が６００ｄｐｉ以上の高解像度の場合には視覚的には点線となってしまう。 - 特許庁

To provide a resist material which has extremely high resolution and etching resistance at a practical use level and is useful for precision microfabrication, to provide a method for forming a pattern with the resist material, and further to provide a polymer useful as a base resin for the resist material.例文帳に追加

極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for far ultraviolet rays, particularly KrF eximer laser light, having improved line edge roughness, excellent sensitivity, resolution and focal depth and capable of reducing foreign substance on a resist pattern and decreasing standing wave.例文帳に追加

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、ラインエッジラフネスが改善され、感度、解像力、焦点深度が優れ、レジストパターン表面上の異物が減少し、更に定在波も低減したポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an acrylic polymer which is suitable for a radiation-sensitive resin composition which has high transparency to radiation and excels in the basic properties (e.g. sensitivity, resolution, dry etching resistance, and pattern shape) as a resist and particularly excels in contact hole formation.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、コンタクトホール形成に優れる感放射線性樹脂組成物に適したアクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

To provide an imprinting material which can be favorably molded by applying pressure at a normal temperature (0 to 50°C) and by which molding energy can be reduced, and furthermore, a high resolution pattern can be reproducibly obtained, and also to provide an imprinting method using the material.例文帳に追加

常温（０℃〜５０℃）での圧力の付与により良好に成形可能であり、かつ成形エネルギーを低減でき、高解像のパターンを再現性よく得ることができるインプリント材料及び該インプリント材料を用いたインプリント方法の提供。 - 特許庁

To obtain an aligner using EUV light, or the like, in which variation of EUV emission intensity due to temperature variation of a light source, or dimensional variation of a fine pattern and lowering of resolution incident thereto can be prevented while sustaining a long lifetime of a multilayer film mirror.例文帳に追加

ＥＵＶ光等を用いた露光装置において、多層膜ミラーの寿命を長く保ちながら、光源の温度変動に起因するＥＵＶ発光強度の変動やそれに伴う微細なパターンの寸法変化及び解像度低下などを防止する。 - 特許庁

To provide the coating liquid for the positive resist good in sensitivity, resolution, heat resistance, focal depth characteristic, the sectional form of a resist pattern, stability during time left unused, and dependence on a substrate, especially restrained from occurrence of defects after development.例文帳に追加

感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状、引置経時安定性及び基板依存性などのレジスト特性が良好である上、特に現像後のディフェクトの発生を抑制するポジ型レジスト塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which ensures good sensitivity, resolution and adhesion, a good resist shape and good strippability after curing, and a photosensitive element, a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a printed wiring board, using the same.例文帳に追加

感度、解像度、密着性、レジスト形状及び硬化後の剥離特性がいずれも良好である感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive coloring agent that does not generate foreign substances even if it is a thick film, has high resolution, and has such excellent adhesion as to cause no pattern peeling, and to provide a color filter suitable for COA system using the photosensitive coloring agent.例文帳に追加

本発明の目的は、厚膜でも異物発生が無く、高解像度で、さらにパターン剥がれをおこさない密着性の優れた感光性着色組成物、およびこれを用いたＣＯＡ方式にも適したカラーフィルタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic acid derivative as a material for the component resin of a resist composition, which is good not only in performance such as resolution, sensitivity and pattern form suitable for ArF excimer laser lithography but also in line edge roughness, and a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物の成分樹脂の原料となる（メタ）アクリル酸誘導体およびその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having sufficiently high resolution, photosensitivity and adhesion and a sufficiently low plating bath contaminating property, and to provide a photosensitive element obtained by using the same, a resist pattern forming method and a method of manufacturing a printed wiring board.例文帳に追加

解像度、光感度及び密着性が十分に高く、めっき浴汚染性が十分に低い感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To stably perform pattern formation near the resolution limit of photolithographic technique, and to solve positional misalignment in a structure such as a contact plug, increase of contact electrical resistance due to shrink of a contact area, poor connection, or the like.例文帳に追加

本発明ではフォトリソグラフィー技術解像限界付近のパターン形成を安定して形成すると共に、コンタクトプラグなどの構造物における目合わせずれや接触面積の縮小による接触電気抵抗の増大や接続不良を解決する。 - 特許庁

To prevent the production of photoresist residues on a master disk surface of photoresist patterns after development of the master disk and the deterioration in the characteristics of an optical information recording medium when an exposure capability, developability and photoresist resolution are insufficient with respect to desired pattern dimensions.例文帳に追加

所望パターン寸法に対して露光能力ないし現像能力、フォトレジスト解像度などが十分でない場合、原盤現像後のフォトレジストパターンの原盤面上にフォトレジスト残渣が発生し、光情報記録媒体の特性を劣化させる。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask which can be manufactured without complicating the manufacturing processes or increasing the factors of defects, which prevents deterioration in the transfer accuracy caused by unnecessary light reflecting from the photomask surface and which improves the resolution of a transfer pattern.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にせず、欠陥の要因を増やさず製造でき、また、フォトマスク面で反射する不必要な光に起因する転写精度の劣化を防止し、転写パターンの解像力を向上させるレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can cope with both wavelengths used for a direct drawing exposure method, has excellent photo sensitivity, and can improve the tent reliability and adhesion of a formed resist film and the resolution of a formed resist pattern.例文帳に追加

直接描画露光法に用いられる両波長に対応可能で、光感度に優れ、形成したレジスト膜のテント信頼性や密着性及び形成したレジストパターンの解像度を向上させることが可能な感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a polymer for a resist, having high sensitivity and high resolution, and hardly causing defects and line edge roughness at development; to provide a method for producing the polymer for the resist; to provide a resist composition containing the polymer for the resist; and to provide a method for producing a pattern by using the resist composition.例文帳に追加

高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in resolution such as a minimum dimension that does not allow a bridge defect to generate, roughness performance such as line edge roughness and dependence on developing time, to provide an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition used for the method, and to provide a resist film.例文帳に追加

ブリッジ前寸法等の解像力、ラインエッジラフネス等のラフネス性能、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, excellent in resolution, sensitivity, pattern shape, etc., causing no development defect in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも解像度、感度、パターン形状等に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうるポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

One embodiment is related to a method of forming a pattern formation feature section which has more reduced pitches in two dimensions on the substrate, as compared with pitches realized using a standard photolithography processing technique which uses a single high resolution photomask.例文帳に追加

本発明の実施形態は、単一の高解像度フォトマスクを使用する標準のフォトリソグラフィ処理技法を使用して可能なものに比較して、２次元において減少ピッチを有するパターン形成特徴部を基板上に形成する方法に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sulfonium salt excellent in resolution in photolithography using high energy rays, such as ArF excimer laser rays or EUV, as a light source, to provide a resist material containing the sulfonium salt, and to provide a pattern formation method using the resist material.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光、ＥＵＶ等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性に優れたスルホニウム塩、そのスルホニウム塩を含有するレジスト材料及びそのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dye-containing hardening composition having high sensitivity and wide development latitude, excellent hardening property and no elution of the dye after hardening, excellent solvent resistance and heat resistance and forming a pattern image with high resolution.例文帳に追加

高感度かつ広い現像ラチチュードを有すると共に、特に硬化性に優れ、硬化後の染料の溶出がなく、耐溶剤性、耐熱性に優れ、解像度の高いパターン像を形成することができる染料含有硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

Alternatively, micro-lens-array, micro-pinholes, liquid crystal pinholes, varifocal micro-lens arrays and varifocal index-gradient lens, etc., are used together with high-resolution and high-speed pattern generating means with photo-sensors and photo-emitters.例文帳に追加

代りに、マイクロレンレンズアレイ、マイクロ−ピンホール、液晶ピンホール、可変焦点のマイクロ−レンズアレイ、及び、焦点可変なインデックス−勾配レンズ等が、光学センサー、及び、フォト−エミッタを持つ高解像度、及び、高速のパターン−発生させる方法と共に使われる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a short-wavelength radiation typified by far UV, excellent in basic physical properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and ensuring few development defects.例文帳に追加

遠紫外線に代表される短波長の放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having sufficiently high resolution, photosensitivity and adhesion property and sufficiently low contamination property for a plating bath, and to provide a photosensitive element, a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a printed wiring board by using the above composition.例文帳に追加

解像度、光感度および密着性が十分に高く、めっき浴汚染性が十分に低い感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a developing solution composition capable of improving development properties, such as sensitivity, resolution, pattern features, and film residual rate in a photolithographic process which uses a photosensitive composition containing a polyarylene resin having a crosslinking functional group.例文帳に追加

架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、感度、解像度、パターン形状、残膜率などの現像性を向上させることができる現像液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having improved removability while retaining excellent resolution, a photosensitive element, a resist pattern forming method, a method for manufacturing a printed wiring board and a method for removing a photocured object.例文帳に追加

優れた解像度を維持したまま除去性を十分に向上させることが可能な感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法並びに光硬化物の除去方法を提供する。 - 特許庁

The objective photoresist lattice pattern having high resolution that reaches the critical limit of the optical exposure method is obtained at a high speed by utilizing high solubility of the multiply exposed portions 10 in a developing solution or insolubility of the unexposed portions 13 in the developing solution.例文帳に追加

多重露光部１０の現像液への高い溶解特性、または非感光部１３の現像液への非溶解性を利用して、高速性とともに、光学露光法の限界に達する微細解像特性をもつ格子パターンが得られる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in resolution power such as a minimum dimension free from a bridge defect, roughness performance such as line edge roughness, and dependency on developing time, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film to be used for the method.例文帳に追加

ブリッジ前寸法等の解像力、ラインエッジラフネス等のラフネス性能、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To perform selective growth of a solid on a fine scale of nano meter with high accuracy in a short time, by readily conducting drawing of a high resolution pattern at a high speed and a low cost, when a solid s selectively grown on a substrate surface.例文帳に追加

基材上に固体を選択的に成長させる場合のパターンの描画を、高速にかつ高解像度で、また低コストで容易に行い、固体の選択成長をナノメーターの微細なスケールで高精度にかつ短時間で行えるようにする。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition having a chemical structure transparent to ArF excimer laser beams having a wavelength of 193 nm and high in resistance to dry etching, and a method for forming a negative pattern free from swelling and high in resolution and superior in developability by using an aqueous developing solution of widely used tetramethylammonium hydroxide.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste composition from which a barrier rib pattern having high resolution and high accuracy by exposure to light only once can be prepared, while using an organic component which is not harmful to the human body, is inexpensive, is generally easily obtained, and succumbs readily to thermal decomposition.例文帳に追加

人体に無害であり、コストが低く、容易に購入でき、熱分解特性にも優れた有機成分を使用しながら、１回の露光で高解像度及び高精度のバリアリブパターンを製造できる感光性ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an image reader capable of obtaining an image with high spatial resolution even if the image reading is performed to a same film image more than 4 times while changing a reading position of an area image sensor with reading elements positioned in a reticular pattern.例文帳に追加

格子状に読取素子が配列されたエリアイメージセンサの読取位置を変えて、同一フィルム画像を４回より多く画像読み取りをする場合であっても、高い空間解像力の画像を得ることができる画像読取装置を提供する。 - 特許庁

To provide a color filter forming material excellent in curability, resolution, heat and light resistances, molar extinction coefficient and color valency of a dye and pattern forming property (developability), to provide a color filter of a thin film using the same, and to provide a method for producing the color filter.例文帳に追加

硬化性、解像力、耐熱性、耐光性、染料のモル吸光係数や色価、およびパターン形成性（現像性）に優れたカラーフィルタ形成材料、並びに、これを使用した薄膜のカラーフィルタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition with excellent storage stability, with which a microlens can be formed which is excellent in film thickness, resolution, pattern configuration, thermostability, transparency, heat discoloration resistance, resistance to solvents or the like, even when lower temperature firing is adopted.例文帳に追加

低温焼成を採用した場合でも、膜厚、解像度、パターン形状、耐熱性、透明性、耐熱変色性、耐溶剤性等に優れたマイクロレンズを形成でき、また保存安定性も良好な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁