「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(410ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

A control circuit 8 determines a target value for an input current to the second DC/DC converter 7, based on at least one of the generated power from a generator 1, the voltage of the power-generation bus A, the voltage of the battery bus B, and a charge voltage or voltage target value for the electric double-layer capacitor 6.例文帳に追加

制御回路８は、第２ＤＣ／ＤＣコンバータ７の入力電流の目標値を、発電機１の発電電力、発電母線電圧、バッテリ母線電圧、電気二重層コンデンサ６の充電電圧または電圧目標値の内の少なくとも１つに基づき定める。 - 特許庁

The electronic device contains a glass substrate 100, a patterned semiconductor substrate having at least one opening and disposed on the glass substrate, and at least one passive component having first conductive layers 104, 104a, and 104b and second conductive layer 112, 112a, 112b, and 112c, wherein the first conductive layers are disposed between the patterned semiconductor substrate and the glass substrate.例文帳に追加

電子装置は、ガラス基板と、少なくとも一つの開口を有し、ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、第一導電層と第二導電層を有し、第一導電層が、パターン化半導体基板とガラス基板間に設置される少なくとも一つの受動素子と、からなる。 - 特許庁

The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).例文帳に追加

第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁

To provide an organic EL element for maintaining good luminescent display characteristics over a long period without giving defects to a second electrode layer and causing and expanding dark spots when there are foreign matters or steps such as the banks of a TFT substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

異物やＴＦＴ基板のバンクなどの段差があっても、第二電極層に欠陥が生じることがなく、ダークスポットが発生・拡大することがなく、長期にわたり良好な発光表示特性を維持できる有機ＥＬ素子および製造方法を提供すること。 - 特許庁

The IC includes a substrate having a top surface and a bottom surface, and a circuit formed on the top surface; a plurality of bonding pads formed along a periphery of the bottom surface; and a back metal layer (BML), formed on the bottom surface and electrically connected to second sub-set bonding pads in a plurality of bonding pads.例文帳に追加

ICは、上面と下面を有し、上面上に回路を有する基板と、下面の周辺に沿って形成された複数のボンディングパッドと、下面上に形成され、複数のボンディングパッド中の第二サブセットボンディングパッドに電気的に結合される背面金属層(BML)と、を備える。 - 特許庁

A channel region 108 of the MOS transistor 106 is provided with a distortion introduction element by a first trench structure 55a and a second trench structure 55b, and also with a silicon-nitride cap layer 130 conformally provided on a surface of the MOS transistor 106 as another distortion introduction element.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０６のチャネル領域１０８に、第１トレンチ構造５５ａ、第２トレンチ構造５５ｂによる歪み導入要素だけでなく、別の歪み導入要素として、ＭＯＳトランジスタ１０６表面上にコンフォーマルに設けられた窒化シリコンキャップ層１３０を設ける。 - 特許庁

The second layer 3a is formed by dispersing at least one or more among particles of a metal selected from a group of Si, Ge, Sn, In and Pb, alloy particles, and metal oxide particles in a solution obtained by dissolving the binder in a solvent, applying the coating liquid, and drying it.例文帳に追加

第二の層３ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＩｎおよびＰｂからなる群から選択される金属粒子、合金粒子、金属酸化物粒子の内、少なくとも一以上を、結着剤を溶媒に溶かした溶液中に分散し、その塗液を塗布、乾燥することによって形成する。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

Since the low-temperature co-fired ceramic substrate contains a diopside-based crystallized glass, the dielectric loss in the high-frequency band is small, and the second dielectric layer makes up for the fluidity of a first glass powder forming diopside-based crystals due to rapid crystallization of the first glass powder.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。 - 特許庁

Second low electrical potential wiring conductors 39 arranged mutually separated along the arranged direction of the heating parts 11 are connected in common to one first low electrical potential wiring conductor 33 by a plurality of conductive connectors 43 piercing an electrically insulating layer 23.例文帳に追加

発熱部１１の配列方向に沿って互いに離間して配列された複数の第２層低電位配線導体３９が、電気絶縁層２３を貫通する複数の導電接続体４３によって１つの第１層低電位配線導体３３に共通して接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

In the fixing member 62, a surface layer 2 is composed of, for example: a first band section 4 (heat resistance resin section 4) composed of a resin composition containing a heat resistant resin having releasability; and a second band section 6 (reinforcing section 6) having a higher mechanical strength than the resin composition.例文帳に追加

定着部材６２において、例えば、離型性を持つ耐熱性樹脂を含む樹脂組成物で構成された第１の帯状部分４（耐熱性樹脂部４）と、樹脂組成物よりも機械的強度が高い第２の帯状部分６（補強部６）とで、表面層２を構成する。 - 特許庁

The seal material is provided so as to pile on a recessed part (200) formed so as to surround a region in which the electro-optical layer is provided at a plane facing the second substrate in the first substrate, and the recessed part is formed by at least non-organic insulating film being removed partially.例文帳に追加

シール材は、第１基板における第２基板と対向する面に電気光学層が設けられた領域を囲むように形成された凹部（２００）に重なるように設けられており、凹部は、少なくとも無機絶縁膜が部分的に除去されることにより形成されている。 - 特許庁

The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on an SOI element forming region 13, and a boundary groove 14 is formed on the entire periphery along the boundary between the SOI element forming region 13 and an element isolation layer 12.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、まず、ＳＯＩ素子形成領域１３に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成するとともに、ＳＯＩ素子形成領域１３と素子分離層１２との境界に沿った全周に境界溝１４を形成する。 - 特許庁

First, an embedded light receiving element has a photoelectric conversion region with a first conductivity type for generating and accumulating signal charge in response to incident light, and a surface region with a second conductivity type provided on an upper layer of the photoelectric conversion region for preventing surface depletion.例文帳に追加

まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。 - 特許庁

The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１間に配置され、複数の集電電極４１及び透光性導電層１４に対して接触することで、複数の集電電極４１と透光性導電層１４とを導通させる。 - 特許庁

A plurality of holograms are recorded on a hologram recording layer formed on the substrate on which the plurality of light emitting elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally by making a first lightwave and a second lightwave interfere with each other so that the condensing points are arranged in a predetermined arrangement direction at a fixed interval.例文帳に追加

複数の発光素子が一次元状又は二次元状に配列された基板上に形成されたホログラム記録層に、集光点が予め定めた配列方向に一定間隔で並ぶように第１の光波と第２の光波を干渉させて複数のホログラムを記録する。 - 特許庁

A variable resistance layer 63 is composed of a mixture including a first compound 631 including carbon C and at least any element of one kind or more selected from an element group A, and at least any second compound 632 of one kind or more selected from a compound group G2.例文帳に追加

可変抵抗層６３は、炭素Ｃ、及び元素群Ａから選ばれる少なくともいずれか１種類以上の元素を含む第１化合物６３１と、化合物群Ｇ２から選ばれる少なくともいずれか１種類以上の第２化合物６３２とを含む混合体にて構成されている。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

The imaging apparatus includes: a plurality of pixels constituted by including a photoelectric converting section; color filters for a plurality of colors provided for each color correspondingly to each of the plurality of pixels; a photographing sensitivity setting section for setting an photographing sensitivity; a charge absorbing layer of a second conduction type; and a voltage applying section.例文帳に追加

撮像装置は、光電変換部を含んで構成される複数の画素と、複数の画素のそれぞれに対応して色毎に設けられる複数色のカラーフィルタと、撮影感度を設定する撮影感度設定部と、第２導電型の電荷吸収層と、電圧印加部とを有している。 - 特許庁

The gate insulator has a first insulating film 6 that is formed on the active layer 3 and includes at least one compound selected from the group consisting of Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2, La_2O_3, and Y_2O_3, and a second insulating film 7 that is formed on the first insulating film 6 and is made of SiO_2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 - 特許庁

The second electrode layer may include at least any one selected from a group consisting of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu and Co.例文帳に追加

前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 - 特許庁

The two-layer film includes a polymer film 10; a first metal film 12 formed on the polymer film and having nickel containing a nitrogen atom of 60-100 wt.%; and a second metal film 14 formed on the first metal film and having copper mainly as a main component.例文帳に追加

高分子フィルム１０と、高分子フィルムの上に形成された、窒素原子を含有するニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜の上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備える２層フィルム。 - 特許庁

The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁

A bump electrode 30 made of metal body with a low fusing point for jointing a first component 10 and a second component 20; and a protective layer 40 formed on at least the side face of the bump electrode 30 for preventing transmission of substance which degrades the behavior of the bump electrode.例文帳に追加

低融点の金属単体によって形成され、第１の部品１０と第２の部品２０とを接合するバンプ電極３０と、バンプ電極３０の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層４０とを有する。 - 特許庁

Roughly simultaneously as draining from the washing basket is started, second injection of water into the salt water container 31 is conducted by the salt water supplying solenoid valve 28 to generate salt water of about 10%, and it is sent down to an ion exchange resin 43 layer, so ion removing ability of ion exchange resin is regenerated.例文帳に追加

そして、洗濯槽５からの排水を開始するとほぼ同じに、塩給水電磁弁２８で塩水容器３１内に第２の注水を行い、約１０％濃度の塩水を生成し、イオン交換樹脂４３層に流下させ、イオン交換樹脂のイオン除去能力を再生する。 - 特許庁

The soft magnetic alloy powder is heated in a weak-oxidizing atmosphere obtained by mixing a weak-oxidizing gas such as water vapor into an inert gas, and the second element in the surface layer part of the powder is selectively subjected to oxidation reaction while suppressing the oxidation of iron to form a thin oxide film having high electric resistance.例文帳に追加

この軟磁性合金粉末を、不活性ガスに水蒸気等の弱酸化性ガスを混入した弱酸化性雰囲気中において加熱し、鉄の酸化を抑制しつつ粉末表層部の第２の元素を選択的に酸化反応させて高電気抵抗の薄い酸化膜を形成する。 - 特許庁

A connection plate 18 for joining a beam 14 to a column 12 by connecting a column core material 20 and a beam core material 32 together is surrounded by a second burning stop layer 34 so that a rise in the temperature of the connection plate 18 in the case of fire and after fire extinguishment can be suppressed.例文帳に追加

柱心材２０と梁心材３２とをつないで柱１２に梁１４を接合する連結板１８を、第２燃え止まり層３４によって取り囲むことにより、火災時及び火災終了後における連結板１８の温度上昇を抑制することができる。 - 特許庁

A light shielding section is formed by applying coloring resists with a plurality of colors to a substrate for forming a light shielding section for a plurality of times in superposing, and making coloring pigments of the coloring resists applied at least on and after the second application be adsorbed to a coloring resist layer formed with the first application of the coloring resist.例文帳に追加

遮光部形成基板上に複数色の着色レジストを複数回重ねて塗布し、１回目の着色レジストの塗布により形成された着色レジスト層に、少なくとも２回目以降に塗布された着色レジストの着色顔料を吸着させて遮光部を形成する。 - 特許庁

The method includes steps of positioning a macro region 1b in which a macro is to be stored in an upper layer, and positioning a wiring path 2" so as to be passed through the macro region 1b to transmit a transmission signal from a first position 4a outside of the macro region 1b to a second position 4d.例文帳に追加

上位レイヤに、マクロが格納されるマクロ領域１ｂを配置するステップと、マクロ領域１ｂの外側にある第１位置４ａから、第２位置４ｄに伝送信号を伝送するための配線経路２”を、マクロ領域１ｂを通るように配置するステップとを備えている。 - 特許庁

In an anthracene compound where a phenyl group and a naphthyl group are bonded, respectively, to the ninth and tenth positions, a compound where a specific aryl substitutes, especially, for the seventh position of a naphthyl group (bonded to anthracene at the second position) is used as a material for the luminous layer thus manufacturing an organic electroluminescent element.例文帳に追加

９位と１０位にそれぞれフェニル基とナフチル基が結合したアントラセン化合物において、ナフチル基（その２位においてアントラセンと結合）の特に７位に特定のアリールを置換させた化合物を発光層用材料として用いて、有機電界発光素子を製造する。 - 特許庁

A stacked electronic component 60 has a first electronic component 5 adhered on a substrate 2, a second electronic component 8 adhered on the first electronic component 5 through an adhesive layer 61 containing an insulation filler 62 held a solid state at the temperature of adhesion.例文帳に追加

積層型電子部品６０は、基板２上に接着された第１の電子部品５と、第１の電子部品５上に接着時温度に対して固形状態を維持する絶縁性フィラー６２を含む接着剤層６１を介して接着されている第２の電子部品８とを具備する。 - 特許庁

In the liquid crystal display element, a first substrate 21 including at least laminated switching elements 39 and a plurality of pixel electrodes 31, 32 and a second substrate 22 including at least laminated colored layers 62 and a common electrode 33 face each other on both sides between a liquid crystal layer 12.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、積層されたスイッチング素子３９と複数の画素電極３１、３２とを少なくとも含む第１の基板２１と、積層された着色層６２と共通電極３３を少なくとも含む第２の基板２２とが、液晶層１２を挟んで対向している。 - 特許庁

By this method, a pattern type magnetic recording medium in which, in the second magnetic recording layer 26, a region 40 where the atomic content of the ferromagnetic element becoming a magnetic recording region is relatively large and a region 42 where it is relatively small are present in the intra-substrate plane direction periodically, is manufactured.例文帳に追加

この方法により、第二磁気記録層２６において磁気記録領域となる強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０と相対的に小さい領域４２とが基板面内方向に周期的に存在するパターン型磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

In the pneumatic tire 1, a carcass layer is composed by laminating first carcass plies 41 and 42 divided and separated in a tire width direction in a tread part center region, and a second carcass ply 43 laid between a pair of right and left bead cores 2 and having a single structure.例文帳に追加

この空気入りタイヤ１は、トレッド部センター領域にてタイヤ幅方向に分割されて分離された第一カーカスプライ４１、４２と、左右一対のビードコア２、２間に架け渡された単一構造を有する第二カーカスプライ４３とが積層されて、カーカス層が構成されている。 - 特許庁

Superimposed waveform data obtained by highly hold-recording characteristic information at a magnetic printing track 3 on a layer recording rewriting information (money information) at a first magnetic recording truck 2 and superimposing the two pieces of information one on another are read to obtain characteristic extracting information to record this at a second magnetic recording track 4.例文帳に追加

書替え情報（金銭情報）を第１の磁気記録トラック（２）に記録した層の上に、固有情報を磁気印刷トラック（３）に高保持記録し、二つを重畳した重畳波形データを読出して、特徴抽出情報を求めて、これを第２の磁気記録トラック（４）に記録する。 - 特許庁

A first oxide film 2 having high resistance and a second oxide film 3 as the first electrode having resistance lower than that of the first oxide film 2 are laminated between the base 1 and the function layer 4.例文帳に追加

基体１と機能層４との間に、高抵抗の第一の酸化物膜２と第一の酸化物膜２よりも抵抗の低い前記第一電極としての第二の酸化物膜３とを積層形成してなり、第一，第二の酸化物膜２，３は同一材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

Then, a thin-film semiconductor layer 11 continuously covering up to the first gate insulation film 7-1 from the source-drain electrodes 9 via the second gate insulation film 7-2 in contact with the electrodes 9 is formed, thereby manufacturing the thin-film semiconductor device 1.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極９に接する状態で、ソース／ドレイン電極９上から第２ゲート絶縁膜７-2を介して第１ゲート絶縁膜７-1上に掛けてを連続的に覆う薄膜半導体層１１を形成することを特徴とする薄膜半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

Then, a first insulating film 2 is deposited on the structure and, after an n+- source area 64 and an n+-drain area 66 are formed by implanting As and P ions into the structure and annealing the structure at 600-1,000°C, a second insulating layer 72 is deposited by the CVD method and the structure is metallized.例文帳に追加

構造体上に第１絶縁層６２を堆積し、Ａｓ、Ｐをイオン注入し６００〜１０００℃で焼鈍してｎ^＋ソース領域６４とｎ^＋ドレイン領域６６を形成した後、ＣＶＤ法で第２絶縁層７２を堆積し、前記構造体を金属化する。 - 特許庁

The working glove comprises the following: a base material glove having a first base cloth forming a palm side part and made of leather, and a second base cloth forming a part corresponding to the back part of the hand and made of stretchable fabric material; and a covering layer covering the base material glove and made of resin components.例文帳に追加

掌側部分を形成するとともに、皮革からなる第１の基布と、甲側部分を形成するとともに、伸縮性を有する布材からなる第２の基布とを有する基材手袋と、前記基材手袋に被覆されるとともに、樹脂成分からなる被覆層とを備える。 - 特許庁

The end of a second adhesive layer for bonding label base materials going round the circumference of the bottle is provided with a thin adhesive part which is lower in the coating weight of the heat sensitive adhesive than in the other portions adjacent thereto to make the label easier to peel from the thin adhesive part and to normally suppress the label from floating up.例文帳に追加

ボトルの周囲を一周したラベル基材同士を接着する第２接着剤層の端部に、感熱性接着剤の塗工量が、隣接する他の部分よりも少ない薄接着剤部を設け、この薄接着剤部から剥がし易く、かつ平時は浮き上がりを抑制させる。 - 特許庁