「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(411ページ目) - Weblio英語例文検索

A layered chip package 1 includes: a body 2 including a plurality of layer portions 11 to 18; wiring portions 3A and 3B disposed on a side surface of the body 2; a plurality of first terminals 22A disposed on a top surface of the body 2; and a plurality of second terminals 22B disposed on a bottom surface of the body 2.例文帳に追加

積層チップパッケージ１は、複数の階層部分１１〜１８を含む本体２と、本体２の側面に配置された配線３Ａ，３Ｂと、本体２の上面に配置された複数の第１の端子２２Ａと、本体２の下面に配置された複数の第２の端子２２Ｂとを備えている。 - 特許庁

A conductive flange 62d is provided at the conductive frame member so as to be opposite to a peripheral edge of a closure surface of the closure member, and an electromagnetic wave shielding material 10 is adhered to the flange opposite to the peripheral edge of the closure surface of the closure member via a second conductive adhesive layer.例文帳に追加

閉止部材の閉止面の周縁に対向するように導電性枠部材に導電性フランジ部６２ｄが設けられ、閉止部材の閉止面の周縁に対向する導電性フランジ部に電磁波シールド材１０が第２導電性接着剤層を介して接着される。 - 特許庁

A second light-emitting diode chip 3 is so directed that the light therefrom is extracted on the same side as the first light-emitting diode chip 2, and is laminated in the non-light-emitting region A wherein the p-type semiconductor layer 6 is removed on the light extracting surface in the first light-emitting diode chip 2.例文帳に追加

第２の発光ダイオードチップ３は、第１の発光ダイオードチップ２と同じ側に光を取出す向きに向けられ、第１の発光ダイオードチップ２において光を取出す面上でｐ型半導体層６が除去されている非発光領域Ａ内に積み重ねられている。 - 特許庁

In this case, the specific resistance of the nitride semiconductor substrate is 0.5 Ωcm or less, and the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is mounted face-down, and the light is emitted from the second main surface 1a that is opposite to the first main surface of the nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

この発光装置では、窒化物半導体基板の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、窒化物半導体基板の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁

The image information recording and reading apparatus emits the reading light L2 to the second photoconductive layer 4 to re-charge the boundary face 7 while using a capacitor 58 to apply a DC voltage to the medium 10 with the switch 52 set to an opening state and detects the re-charged current to read the electrostatic latent image as a signal.例文帳に追加

スイッチ５２を開状態としてコンデンサ５８を用いて直流電圧を印加しつつ、第２光導電層４を読取光Ｌ２により照射して界面７を再充電し、この再充電電流を検出することにより前記静電潜像を信号として読み取る。 - 特許庁

The radiological image detection device is provided with an intermediate layer which keeps a first surface to be in contact with the photoelectric conversion panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the radiological image detection device, and its second surface to be in contact with the scintillator panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the scintillator panel.例文帳に追加

光電変換パネルと当接する第１の面は該光電変換パネル表面の凹凸に沿った形状とし、シンチレータパネルと当接する第２の面は該シンチレータパネル表面の凹凸に沿った形状とした中間層を設けた放射線画像検出装置とする。 - 特許庁

In the second filling via conductor forming step, an isolated-region filling via conductor 110c and isolated-region wiring 150 are formed and, at the same time, a surrounding conductor layer 160 which surround the isolated-region land section 110c through a gap is formed along the isolated region wiring 150 with a gap in between.例文帳に追加

さらに、２回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体１１０ｃ及び疎領域配線１５０を形成すると共に、疎領域ランド部１１０ｃを間隙を介して囲みつつ、疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成する。 - 特許庁

A memory array is provided with nonvolatile memory cells (M11-M22) being one set of a first transistor part of a MOS type having an electric charges holding layer and a memory gate and used for storing information and a second transistor part of a MOS type having a control gate and connecting selectively the first transistor part to a bit line.例文帳に追加

メモリアレイは、電荷保持層とメモリゲートを有し情報記憶に用いるＭＯＳ型の第１トランジスタ部と、コントロールゲートを有し第１トランジスタ部を選択的にビット線に接続するＭＯＳ型の第２トランジスタ部とを一組とする不揮発性のメモリセル（Ｍ１１〜Ｍ２２）を備える。 - 特許庁

Parts M are transferred by giving the elliptic vibration generated by synthesizing the horizontal vibration with the vertical vibration having the differential phase by a drive part to a bowl 21 provided with a single row block 62 of the parts M, a single layer block 72, a first sorting block 82, and a second sorting block 82'.例文帳に追加

部品Ｍの単列化ブロック６２、単層化ブロック７２、第１選別ブロック８２、第２選別ブロック８２’を備えたボウル２１に駆動部１１によって位相差を有する水平振動と垂直振動との合成による楕円振動を与えて部品Ｍを移送する。 - 特許庁

In a cleaning roll 100 for cleaning the charging roll 14, a sponge layer 100B is made to come into contact with the charging roll 14 is formed of a first sponge material 102 and a second sponge material 104 which are different in foam hardness, and also each sponge material is arranged alternately in the circumferential direction of the cleaning roll 100.例文帳に追加

帯電ロール１４をクリーニングするクリーニングロール１００において、帯電ロール１４に接触させるスポンジ層１００Ｂを、フォーム硬度の異なる第１スポンジ材１０２及び第２スポンジ材１０４で形成するとともに、各スポンジ材をクリーニングロール１００の周方向で交互に配置する。 - 特許庁

The antistatic organic EL element has at least a thin film transistor, an organic light emitting layer, and an electrode on a substrate, and an antistatic film is formed at least on a second principal plane which is a backside of a thin film transistor substrate of the substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するＥＬ素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機ＥＬ素子およびその製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper wiring layer at a lower cost to a semiconductor structure, including a first region including at least one recess and a second region including a plurality of recesses having an aspect ratio different from that of at least one recess.例文帳に追加

少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

By this constitution, even in a case that the direct light from a light source only shines into the photocatalyst layer 13, the photocatalyst of the first and second photocatalyst layers 13 and 14 can be activated to keep both inside and outside surfaces of the anti-staining glass 11 clean.例文帳に追加

これにより、光源からの直接光が第１光触媒層１３にしか差し込まない場合でも、第１光触媒層１３及び第２光触媒層１４においてそれぞれ光触媒を活性化させることができ、防汚ガラス１１の表裏両面をクリーンに保つことができる。 - 特許庁

Then, the iridium oxide film 135, the iridium film 133 and the titanium nitride film 131 are etched into a prescribed shape, and the local wiring 130 of a three-layer structure is formed from the upper electrode of the ferroelectric capacitor 120 exposed from the contact hole to the second interlayer insulating film 143.例文帳に追加

そして、この酸化イリジウム膜１３５と、イリジウム膜１３３と、窒化チタン膜１３１とを所定形状にエッチングし、コンタクトホールから露出した強誘電体キャパシタ１２０の上部電極上から第２層間絶縁膜１４３上にかけて３層構造の局所配線１３０を形成する。 - 特許庁

In this case, the interval of the columnar electrodes 12 arranged on the second virtual circulating line from the inner side is such an interval that one of upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first virtual circulating line from the inner side can be put around.例文帳に追加

この場合、内側から２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を１本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The input electrode layer 48 is electrically connected to an input resonance electrode 26 via a via-hole 54 formed in the vicinity of a second side face 14b of a dielectric substrate 14 over fourth to sixth dielectric layers S4 to S6 and via an input tap electrode 30.例文帳に追加

入力電極層４８は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍であって、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６にかけて形成されたビアホール５４と入力タップ電極３０とを介して入力側共振電極２６に電気的に接続されている。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

On a top face of the second nitride semiconductor layer 104, a recess 110a is formed so as to be located between the source electrode 106 and the drain electrode 107 and a gate electrode 108 is provided above the recess 110a so as to cover an aperture of the recess 110a.例文帳に追加

第２窒化物半導体層１０４の上面においてソース電極１０６とドレイン電極１０７との間に位置するように凹部１１０ａが形成されており、ゲート電極１０８が凹部１１０ａの開口を覆うように凹部１１０ａの上方に設けられている。 - 特許庁

The phosphor unit 30 is configured so that a film-shaped phosphor distribution layer 11 configured by distributing a phosphor 11a which emits yellow rays of light by absorbing a portion of the blue rays of light emitted by the LED chip 2 to second resin can be interposed between a pair of plate-shaped substrates 12 and 13.例文帳に追加

蛍光体ユニット３０は、ＬＥＤチップ２が発光する青色光の一部を吸収して黄色光を発光する蛍光体１１ａを第２の樹脂に分散させてなる膜状の蛍光体分散層１１を、一対の平板状の基板１２，１３で挟むようにして構成されている。 - 特許庁

The second portion 8b of the lower magnetic pole layer has a center portion which defines the throat height, and a lateral portion which is located at both sides in the track width direction, in the center portion and of which the length from one end to the other opposite end on a surface side which faces a recording medium is larger than that of the center section.例文帳に追加

下部磁極層の第２の部分８ｂは、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、中央部分よりも大きい側方部分とを有している。 - 特許庁

The thin air cell comprises an electricity generating element, having an air diffusing paper and a water repellent film, sealed with an outer package composed of a first and a third sheet layers covering the air pole side and the negative pole side and a second sheet layer which is located between the peripheral parts of the first and the third sheet layers, and jointed to both the sheet layers.例文帳に追加

空気拡散紙および撥水膜を有する発電要素を、その空気極側および負極側を覆う第一および第三のシート層、両シート層の周縁部間に位置し、両シート層に接合された第二シート層からなる外装体で密閉した薄型空気電池。 - 特許庁

The mattress 1 includes an elastic frame body 2 forming contours of the mattress 1, first elastic units (3 and 4) to be reversibly packed inside the frame body 2 and for adjusting the feeling in bed and a second elastic unit (elastic layer) 5 lying above the first elastic units (3 and 4).例文帳に追加

マットレス１は、マットレス１の外郭を形成する弾性枠体２と、弾性枠体２の内部に反転自在に装填される寝心地調整用の第１の弾性ユニット（３，４）と、第１の弾性ユニット（３，４）の上方に位置する第２の弾性ユニット（弾性層）５と、を備えている。 - 特許庁

An edge part of a core 3 of emitting light is formed on a first lens part 31 which suppresses lateral divergence of the emitted light and, further, an edge part of an over-cladding layer 4 of covering the first lens part 31 is formed on a second lens part 41 which suppresses vertical divergence of the emitted light.例文帳に追加

光を出射するコア３の端部が、横方向への光の発散を抑制する第１レンズ部３１に形成され、さらに、その第１レンズ部３１を被覆するオーバークラッド層４の端部が、縦方向への光の発散を抑制する第２レンズ部４１に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

The pupil mirror surface is formed by a reflective coating designed as a one-dimensionally graded coating including a multilayer stack of layers of different materials, the layers having a geometrical layer thickness which varies according to a first grading function in a first direction of the coating and which is substantially constant in a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

瞳ミラー面は多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングの反射コーティングによって形成され、該層は第１勾配関数に応じて第１方向に変動し、第１方向に垂直な第２方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する。 - 特許庁

In the IC card D, which is created by providing an IC module 104 inside an adhesive layer 103 intervening between a first sheet material 101 and a second sheet material 102, the IC card D where it has been discovered that contents of the IC module 104 cannot be read has marking M.例文帳に追加

第１のシート材１０１と第２のシート材１０２との間に介在される接着層１０３内にＩＣモジュール１０４を設けて作製されたＩＣカードＤにおいて、ＩＣモジュール１０４内容の読み取りが不良となったことが判明したＩＣカードＤはマーキングＭを有する。 - 特許庁

A process to remove projected type exposure portions 51 of a columnar semiconductor defective portion is performed prior to a laminating process after a substrate removing process, wherein the semiconductor defective portion remains on a second main surface of a layer 50 subject to device forming, without being dissolved by selective chemical etching.例文帳に追加

基板除去工程後において素子化対象層５０の第二主表面に、選択化学エッチングにより溶解されずに残留した柱状半導体欠陥部の突起状露出部分１１を除去する突起除去工程を、貼り合わせ工程に先立って実施する。 - 特許庁

The first ohmic electrode 107 is formed away from the electric field application electrode 106 in an area where a region where an electric field is not applied by the electric field application electrode 106, is formed in the second semiconductor layer 104 between the first ohmic electrode 107 and the electric field application electrode 106.例文帳に追加

また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。 - 特許庁

This method for manufacturing an HVFET having one or more JFET condition channels comprises a process for successively implanting a dopant of a first conductivity type in a first epitaxial layer of a second conductivity type in order to form a plurality of first buried layers disposed at different vertical depths.例文帳に追加

１つ以上のＪＦＥＴ伝導チャネルを有するＨＶＦＥＴの作製方法は、垂直方向に異なる深さで堆積される第１の複数の埋込層を形成すべく、第２伝導型の第１エピタキシャル層に第１伝導型のドーパントを連続的に打込む工程を備える。 - 特許庁

Since at least one of the optical recording layers formed on a first and second plates consists of a metal layer mainly containing Ag, the ultraviolet ray irradiated to the plate can be controlled when curing the ultraviolet-ray curable resin.例文帳に追加

第１基板及び第２基板に形成された光記録層のうち、少なくとも一方の光記録層をＡｇを主成分とする金属層からなっているので、紫外線硬化性樹脂の硬化の際に基板に向けて照射される紫外線の線量を抑制することが可能となる。 - 特許庁

On the other hand, at least the inside of the wiring groove 22 is plasma-treated in a process doubling as the mask layer 21 removing step, then processed with a process liquid which can dissolve the second insulating film 16 to selectively remove an altered crown fence 25 altered by the plasma-treatment.例文帳に追加

これに対しマスク層２１の除去工程を兼ねるなどの処理において、少なくとも配線溝２２の内部にプラズマ処理を施した後、第２絶縁膜１６を溶解可能な処理液で処理し上記のプラズマ処理で変質したクラウンフェンス２５を選択的に除去する。 - 特許庁

The grid unit has a plurality of electron beam penetrating holes respectively confronting with the electron emitting sources, and is opposed to and arranged at the second plate board, and has a plate-shaped grid 42 to which a prescribed voltage is applied, and a first insulating layer 46 by which the outer face of the grid is covered.例文帳に追加

グリッドユニットは、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔４４を有し、第２基板と対向配置されているとともに、所定の電圧が印加される板状のグリッド４２と、グリッドの外面を覆った第１絶縁層４６と、を有している。 - 特許庁

A fine particle glass layer for the clad is formed over the material 1a by using a raw material gas which contains a second dopant F decreasing the refractive index, then is sintered, thus causing the result that optical fiber base material 1 having a clad region 30 in which the dopant F is added to the outside of the double core is formed.例文帳に追加

そして、その外周上に、屈折率を下げる第２ドーパントＦを含む原料ガスを用いてクラッド用ガラス微粒子層を形成し焼結して、２重コアの外側にＦが添加されたクラッド領域３０が設けられた光ファイバ母材１を作成する。 - 特許庁

Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.例文帳に追加

すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device has (a) a process of forming the impurity diffused layers 5, 8 on the surface of the silicon substrate 1, and (b) a process of forming a metal film 9 consisting of nickel on a second impurity diffused layer 8 in the impurity diffused layers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）シリコン基板１表面に不純物拡散層５，８を形成する工程と、（ｂ）不純物拡散層のうち第２の不純物拡散層８上に、ニッケルからなる金属膜９を形成する工程とを備える。 - 特許庁

When the heating resistor element 30 in an element group 42 far from the electrode pad 20 is energized, the electric current is supplied thereto from a block 214 through a connection section 52 by passing through a connection section 50 and a second common electrode layer 410 from the electrode pad 20.例文帳に追加

これに対し、電極パッド２０から遠い素子群４２の発熱抵抗素子３０に通電する場合は、電極パッド２０から接続部５０介して第２共通電極層４１０を経由した後、接続部５２を介してブロック２１４から発熱抵抗素子３０に通電する。 - 特許庁

The liquid crystal display is formed by encapsulating a liquid crystal layer 12 between a first substrate 14 provided with a TFT element (a switching element) 5 and a pixel electrode 3 connected to the TFT element 5 which are formed on the inner surface side and a second substrate 15 provided with a display electrode 18 on the inner surface side.例文帳に追加

本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The superheater tube of the marine boiler in the first invention is composed of a high temperature corrosion resistant material, and the superheater tube of the marine boiler in the second invention has the superheater tube body and a high temperature corrosion resistant coating layer formed on the outer surface of the superheater tube body.例文帳に追加

第１発明の船舶用ボイラの過熱管は、耐温度腐食性材料で形成されていることを特徴とし、第２発明の船舶用ボイラの過熱管は、過熱管本体と、該過熱管本体の外面に形成された耐熱腐食性の被覆層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加

各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁

The isolation film 77 includes a first isolation film 78 comprising a resin material, and a second isolation film 79 arranged closer to the piezoelectric layer 70-74 than the first isolation film 78 and comprising a material which is less susceptible to infiltration of ink than the first isolation film 78.例文帳に追加

さらに、隔離膜７７は、樹脂材料からなる第１隔離膜７８と、この第１隔離膜７８よりも圧電層７０〜７４側に配置されるとともに、前記第１隔離膜７８よりもインクを通しにくい材料で形成された第２隔離膜７９とを含んでいる。 - 特許庁

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.例文帳に追加

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁

A second-conductivity-type collector region 16 delimited by element isolation regions 20 is formed on a first-conductivity-type semiconductor substrate 10, and a first-conductivity-type first base semiconductor layer 40 extends from the top face of the collector region 16 to the top faces of the element isolation regions 20.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０上に素子分離領域２０によって限定される第２導電型のコレクタ領域１６が形成され、第１導電型の第１ベース半導体層４０がコレクタ領域１６の上面から素子分離領域２０の上面まで延びている。 - 特許庁