「source D」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The display device D is provided with the touch panel 2 arranged on a display 4 with the visible light response type optical catalyst layer 21 formed on the surface, a light source 46 for illuminating the display 4 and the touch panel 2 from the back, and an illuminating light control means 10 for emitting light emitted by the light source 46 selectively on the visible light response type optical catalyst layer 21 in the touch panel 2.例文帳に追加

表示装置Ｄは、ディスプレイ４上に配置され、可視光反応型光触媒層２１が表面に形成されたタッチパネル２と、ディスプレイ４およびタッチパネル２を後方から照らす光源４６と、光源４６が発する光をタッチパネル２における可視光反応型光触媒層２１に選択的に照射させる照射光制御手段１０とを備える。 - 特許庁

The microphone device 1 discriminates a distance (d) from a signal level of a voice signal Smic outputted from a voice input unit 10, and corrects a frequency characteristic so as to cancel the influence of the proximity effect in a frequency characteristic correction unit 30 regarding to the influence of the proximity effect generated according to a distance (d) between the microphone of the voice input unit 10 and a voice generating source.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るマイクロフォン装置１は、音声入力部１０のマイクロフォンと発音源との距離ｄに応じて発生する近接効果の影響について、周波数特性補正部３０において、音声入力部１０から出力される音声信号Ｓｍｉｃの信号レベルから距離ｄを判断して、近接効果の影響を打ち消すような周波数特性の補正することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display provided with the TFT as a switching element, when a width of a tip part D1 of a drain electrode D opposed to a source electrode S is defined as W1 and a width of extended part D2 extended from the tip part D1 to a direction connected to a pixel electrode of the drain electrode D is defined as W2, W1>W2 is satisfied.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、スイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶表示装置において、ソース電極Ｓと対向するドレイン電極Ｄの先端部分Ｄ_１の幅をＷ１とし、ドレイン電極Ｄの先端部分Ｄ_１から画素電極に接続される方向に延びる延長部分Ｄ_２の幅をＷ２としたとき、Ｗ１>Ｗ２となるように形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A channel part CH, where the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 of the thin-film transistor constituting the gate drive circuit face each other, has such a shape as to bend on a plane substantially in parallel with the substrate SUB1, and the channel width CHW is equal to A+B+C+D.例文帳に追加

このゲート駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２が対向するチャネル部ＣＨを、基板ＳＵＢ１と略平行な面上で屈曲した折れ曲がり形状とし、チャネル幅ＣＨＷをＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄとした。 - 特許庁

The purpose of this is to bring the source-handle assembly 9 into a state of being at a separation temperature higher than room temperature in step (d), to essentially keep the same the degree of embrittlement of the dividing region at this separation temperature, and perform the mechanical division at this temperature.例文帳に追加

この目的は、ソース‐ハンドル複合体９をステップｄ）で室温よりも高い分離温度の状態にし、この分離温度において所定の分割領域の脆弱化の程度を本質的に同一にとどめ、この温度で機械的分割を実施することで達成される。 - 特許庁

A DTV microcomputer 35 serves as an electronic control means to switch the output contents of output parts (D, SP) to a broadcast or sound source by a center unit 1 (electronic control processing) while EPG data are acquired by scanning one or more channels of the DTV.例文帳に追加

ＤＴＶマイコン３５は、電子制御手段として、ＤＴＶの一又は二以上のチャンネルについてチャンネルスキャンによりＥＰＧデータ取得を順次行う間、出力部（Ｄ，ＳＰ）の出力内容について、センタユニット１による放送又は音源への切替えを行う（電子制御処理）。 - 特許庁

The headphone amplifier comprises a DSP 17 for performing signal processing so as to localize a sound image formed from audio signals of a plurality of channels at any one of a plurality of virtual sound source positions, and D/A converters 18L, 18R for inputting a signal processed by this DSP 17 to a headphone 90.例文帳に追加

複数チャンネルのオーディオ信号により形成される音像を、複数の仮想音源位置のどれかに定位させるように信号処理を行うＤＳＰ１７と、このＤＳＰ１７によって処理された信号をヘッドホン９０に入力するためのＤ／Ａコンバータ１８Ｌ、１８Ｒとを設ける。 - 特許庁

In the LED light source, multichip full color LED is constituted by arranging a plurality of single color LEDs on one line in the Y direction, wherein full-color LEDs and single-chip white LEDs are arranged on a single line, in the X direction at regular intervals (d).例文帳に追加

このＬＥＤ光源は、マルチチップ型フルカラーＬＥＤは複数の単色ＬＥＤをＹ方向に一直線上に配列して構成されており、このフルカラーＬＥＤとシングルチップ型白色ＬＥＤとはＸ方向に一直線上に等間隔（ｄ）で配置されている。 - 特許庁

The apparatus for decomposing and removing the volatile organic compound is provided with a flow passage (a), the ultraviolet irradiation means (b) arranged in the flow passage, a catalyst means (c) provided in the periphery of the ultraviolet irradiation means, and a means (d) for supplying the gas of a halogen radical generation source.例文帳に追加

本発明は、流通路（ａ）、該流通路内に配置された紫外線照射手段（ｂ）、該紫外線照射手段の周囲に設けられた触媒手段（ｃ）、及びハロゲンラジカル発生源ガスを供給する手段（ｄ）を設けた揮発性有機化合物の分解除去装置である。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is provided with channel forming regions CH1, CH2a, CH2b, two source drain regions S/D composed of first conductivity semiconductor sandwiching the channel forming regions, and gate electrodes MGa, MGb which are formed on the channel forming regions interposing laminated layer films GD having charge storing ability.例文帳に追加

チャネル形成領域ＣＨ１，ＣＨ２ａ，ＣＨ２ｂと、チャネル形成領域を挟む第１導電型半導体からなる２つのソース・ドレイン領域Ｓ／Ｄと、電荷蓄積能力を有した積層膜ＧＤを介在させてチャネル形成領域上に形成されたゲート電極ＭＧａ，ＭＧｂとを有している。 - 特許庁

In a compensation period, a first compensating operation for making a gate-source voltage of the driving transistor TDR gradually closer to a threshold VTH is performed by diode-connecting the driving transistor TDR for a time length t1 set variably according to a gray scale value D specified for a pixel circuit U.例文帳に追加

補償期間においては、駆動トランジスタTDRをダイオード接続することで、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧ＶTHに漸近させる第１の補償動作を、当該画素回路Ｕに対して指定された階調値Ｄに応じて可変に設定された時間長ｔ１にわたって実行する。 - 特許庁

The n^--type diffusion areas 44S and 44D are formed in source forming areas S and a drain forming area D respectively in the substrate 40 sandwiching the gate electrodes 42 and n^+-type distribution areas 45S and 45D are formed respectively under the n^--type diffusion areas 44S and 44D.例文帳に追加

このゲート電極４２を挟んで基板４０中のソース形成領域Ｓ及びドレイン形成領域Ｄに、ｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄをそれぞれ形成し、そのｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄの下にｎ^＋型拡散領域４５Ｓ，４５Ｄをそれぞれ形成した。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory has a sense transistor (Tr), first and second select transistors (Tr1, Tr2), a data storage capacitor (C), a tunnel window (TW) having a tunnel insulating film, a control gate terminal (CG), a select gate terminal (SG), a drain terminal (D) and a source terminal (S).例文帳に追加

不揮発性半導体メモリは、センストランジスタ（Ｔｒ）と、第１及び第２のセレクトトランジスタ（Ｔｒ１、Ｔｒ２）と、データ蓄積キャパシタ（Ｃ）と、トンネル絶縁膜を有するトンネルウィンドウ（ＴＷ）と、コントロールゲート端子（ＣＧ）と、セレクトゲート端子（ＳＧ）と、ドレイン端子（Ｄ）と、ソース端子（Ｓ）とを有する。 - 特許庁

When the control device 80 reactivates from the instantaneous interruption of a power source and an actual range is estimated to be a reverse range or a neutral range, the control device performs position detection processing of P-wall or position detection processing of D-wall after receiving switching request to a parking range or a drive range.例文帳に追加

制御装置８０は、電源の瞬断から再起動された際、実レンジがリバースレンジあるいはニュートラルレンジであると推定した場合に、パーキングレンジあるいはドライブレンジへの切り替え要求を受けた後でＰ壁位置検出処理やＤ壁位置検出処理を行うよう対処する。 - 特許庁

The FET 35 is provided with the overcurrent protection circuit 36, when solenoids 62a-62c, or loads, are short-circuited, detecting the generated overcurrent, suppressing the current flowing between a drain D and a source S and preventing the damage of the FET 35 and the circuit board in its circumference.例文帳に追加

このＦＥＴ３５は、負荷であるソレノイド６２ａ〜６２ｃが短絡したときに、発生する過電流を検知し、ドレインＤ〜ソースＳ間を流れる電流を抑制してＦＥＴ３５及びその周辺の回路基板等の破損を防ぐ過電流保護回路３６を備えている。 - 特許庁

In this driving mechanism of an optical device for transmitting the power of a driving source 11 to a driven object L by using plural gears, the plural gears include a gear (e.g. maximum speed gear 12 or a gear 13 meshing with the gear 12) having durometer hardness (type D) from 40 to 60.例文帳に追加

複数のギアを用いて駆動源１１の動力を被駆動物体Ｌに伝達する光学装置の駆動機構において、複数のギアは、４０以上かつ６０以下のデュロメータ硬さ（タイプＤ）を有するギア（例えば、最高速ギア１２またはこれと噛み合うギア１３）を含む。 - 特許庁

Acceleration voltage data to an electron beam source 2 are also inputted to an amplification factor controller 8, and then the amplification factor controller 8 is set as an amplification factor of the amplifier 6, being inversely proportional to the acceleration voltage in order to make match the pulse with maximum energy to the maximum input voltage of the A/D converter 7.例文帳に追加

電子源２への加速電圧データは増幅率制御器８にも与えられ、増幅率制御器８はこの加速電圧に反比例するように増幅器６の増幅率を設定し、最大エネルギーのパルスをＡ／Ｄ変換器７の最大入力電圧に合わせる。 - 特許庁

Plural resistances R1 to Rn are connected in series from a DC power source Vcc to the ground, and these connection points are connected to A/D input terminals of terminal control parts 2 to 5 as address setting objects, and DC voltages different by values are given to terminal control parts 2 to 5.例文帳に追加

直流電源Ｖccからグランドまで複数の抵抗Ｒ１〜Ｒｎを直列に接続し、それらの接続点をそれぞれ、アドレス設定対象の各端末制御部２〜５のＡ／Ｄ入力端子に接続し、各端末制御部２〜５に異なる値の直流電圧を与える。 - 特許庁

When the image signal 620 becomes L, the first switch 615 is connected to an (a) terminal (a source line 620), the second switch 617 is connected to the (d) terminal and the third switch 619 is opened, whereby charges stored in the capacitor 114 are divided to the capacitor 114 and a power transistor 502.例文帳に追加

画像信号６２０がＬになると、第１スイッチ６１５はａ端子（電源ライン６２０）に、第２スイッチ６１７はｄ端子に接続され、第３スイッチ６１９は開放され、コンデンサ１１４に蓄積された電荷が該コンデンサ１１４とパワートランジスタ５０２とで分配される。 - 特許庁

This water-purifying device D of a culture pond 1 comprises a water-receiving tank 2, a decoloration tank 3, a filtration tank 10, a precipitation tank 8, a pair of electrodes 4, 4, a direct electric source (not drawn) for supplying an electric current to the electrodes 4, 4, an incurrent pipe 6, a circulation pump 7, and an excurrent pipe 12.例文帳に追加

養殖池１の水浄化装置Ｄは、水収納槽２、脱色槽３、濾過槽１０、沈殿槽８、一組の電極４・４、電極４・４に電流を供給するための直流電源（図示略）、流入管６、循環ポンプ７、流出管１２を備えてなる。 - 特許庁

Also, the switching circuit of the power circuit is composed of a pair of reverse conductive MOS transistors, thereby improving the frequency characteristics of the power source circuit, and the class D amplifier having excellent audio characteristics can be realized when amplifying signals in an audio band.例文帳に追加

また、前記電源回路のスイッチング回路を、逆導通の一対のＭＯＳトランジスタで構成する事により、前記電源回路の周波数特性を良くすることができ、オーディオ帯域の信号を増幅する場合において、オーディオ特性の良いＤ級増幅器を実現できる。 - 特許庁

A bacterium belonging to genus Erwinia is cultured in a culture medium prepared by adding a carbon source to a culture medium composition consisting mainly of inorganic ingredients not containing the ingredients of yeast extract and waste molasses without needing an deoxidation treatment such as nitrogen bubbling to fermentatively produce highly pure D-lactic acid.例文帳に追加

Ｅｒｗｉｎｉａ属の細菌を用いて、酵母エキスや廃糖蜜の成分を含まない無機成分が主体の培地組成に、炭素源を添加した培地を用いて、窒素バブリングなどの脱酸素処理も必要とせずに、高純度のＤ−乳酸発酵生産を行う。 - 特許庁

Operation means 21 calculates factors a to d relating to a phosphor material from a light-source chromaticity coordinates x, y of two kinds of LED presented by a customer and required chromaticity coordinates x1, y1 of the luminescence color obtained by LED with a phosphor-covered body attached thereto.例文帳に追加

演算手段２１は顧客から提示される２種類のＬＥＤの光源色度座標ｘ，ｙとＬＥＤに蛍光被覆体を装着した状態で得られる発光色の要求色度座標ｘ１，ｙ１とから蛍光体材料に関連する係数ａ〜ｄを算出する。 - 特許庁

The semiconductor thin film 32 is crystallized by irradiating the semiconductor thin film 32 above the gate electrodes 14b with a laser beam Lh while scanning the laser beam Lh so that a scanning direction v(-v) may be directed from the drain D side toward the source S side in the pixel row direction.例文帳に追加

画素列方向においてドレインＤ側からソースＳ側に向かう走査方向ｖ（−ｖ）となるようにレーザ光Ｌｈを走査させながら、ゲート電極１４ｂ上方における半導体薄膜３２に対してレーザ光Ｌｈを照射して半導体薄膜３２を結晶化させる。 - 特許庁

This method for producing D-lactic acid by using bacteria belonging to the genus Sporolactobacillus is provided by using a fermentation raw material containing ≥0.6 mg/L of cysteine, and 0.1 to 0.5 g/L of nitrogen source other than cysteine.例文帳に追加

スポロラクトバチルス属（Ｇｅｎｕｓ Ｓｐｏｒｏｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ）に属する細菌を用いた発酵法によるＤ−乳酸の製造方法であって、０．６ｍｇ／Ｌ以上のシステインおよび０．１ｇ／Ｌ以上０．５ｇ／Ｌ以下のシステイン以外の窒素源を含む発酵原料を用いたＤ−乳酸の製造方法。 - 特許庁

(A) positron beam source: generating positrons from electron-positron pairs by using an electron accelerator (B) gamma-ray detector: BaF_2 scintillator and photomultiplier (C) measurement temperature and ambient atmosphere: at 25°C in vacuum (D) annihilation γ-ray counts: 3×10^6 or more (E) positron beam energy: 10 keV例文帳に追加

（Ａ）陽電子線源：電子加速器を用いて電子・陽電子対から陽電子を発生（Ｂ）ガンマ線検出器：ＢａＦ_2シンチレーターおよび光電子増倍管（Ｃ）測定温度及び雰囲気：２５℃、真空中（Ｄ）消滅γ線カウント数：３×１０^６以上（Ｅ）陽電子ビームエネルギー：１０ｋｅＶ - 特許庁

Light emitted from a light source 18 and entering a transparent substrate 15 provided with at least one or more optical parts 8-14 is propagated through the optical parts 8-14, and it is condensed on an optical information recording medium D as a light spot via an objective lens 7 and a second lens 6.例文帳に追加

光源１８から出射されて少なくとも１以上の光学部品８〜１４が設けられた透明基板１５に入射した光を光学部品８〜１４を介して伝搬し、対物レンズ７及び第２のレンズ６を経て光情報記録媒体Ｄ上に光スポットとして集光する。 - 特許庁

Meanwhile, the linear polarizer 21 and quarter wavelength plate 22 on the light-source side maintain specific rotation ratio (1:2) and at the same time rotate around an optical axis by a motor driver 5, and the light signal detected by the photodetector 4 is fetched by a PC 7 via an A/D converter 6.例文帳に追加

その間、モータドライバ５により光源側の直線偏光子２１及び四分の一波長板２２が所定の回転比（１：２）を保ちつつ光軸回りに回転し、光検出器４にて検出される光信号がＡ／Ｄコンバータ６を介しＰＣ７に取り込まれる。 - 特許庁

When data are effectively stored in a backup area 13b when the current is again switched on, a main control substrate C transmits to a control substate D for display commands for control in the order of a power source returning command 40, left or right figure pattern specifying commands 34 to 37, and a customer waiting command 41.例文帳に追加

電源再入時にバックアップエリア１３ｂにデータが有効に記憶されている場合には、主制御基板Ｃは、表示用制御基板Ｄへ電源復帰コマンド４０、左又は右図柄指定コマンド３４〜３７、客待ちコマンド４１の順番で制御用コマンドを送信する。 - 特許庁

As a source voltage switching section which performs switching between a first potential Vcc_H and a second potential Vcc_L based on a power supply pulse DS from a power supply scanning line 105DS, a buffer circuit 530 with inverter constitution is provided between the power supply scanning line 105DS and a drain end D of the driving transistor.例文帳に追加

電源走査線１０５DSと駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄとの間に、電源走査線１０５DSからの電源走査パルスDSに基づき第１電位Ｖcc_Hと第２電位Ｖcc_Lとを切り替える電源電圧切替部としてインバータ構成のバッファ回路５３０を設ける。 - 特許庁

A drive current determination portion 15 refers to the Ta-Ifmax table 19, determins the maximum allowed current Ifmax from the obtained ambient temperature Ta, and applies instruction value of drive current of the LED element 100 to a constant current source 22 through a D/A converter 18.例文帳に追加

駆動電流決定部１５は、Ｔａ−Ｉｆｍａｘテーブル１９を参照して、求められた周囲温度Ｔａから最大許容電流Ｉｆｍａｘを決定し、ＬＥＤ素子１００の駆動電流の指令値をＤ／Ａ変換器１８を介して定電流源２２に与える。 - 特許庁

At least two gate areas (G1, G2) extending between the source area (S) and the drain area (D) are superposed and arranged in the thickness direction of the substrate(SUB), and at least the two gate areas (G1, G2) are mutually electrically coupled by a penetrating contact member DU.例文帳に追加

それぞれソース領域（Ｓ）とドレイン領域（Ｄ）との間に延びる少なくとも２つのゲート領域（Ｇ１，Ｇ２）を、基板（ＳＵＢ）の厚さ方向へ重畳配置し、少なくとも２つのゲート領域（Ｇ１，Ｇ２）を貫通接触部材ＤＵによって互いに電気的に結合する。 - 特許庁

When there is a match in destination address, source address, title or part of body between the reception mail a and the reception mail b, the reply mail A being created is automatically stored so as to be cited and pasted to a screen for creating the reply mail B (screen (d) in Fig.6).例文帳に追加

受信メールａ、受信メールｂ間で送信先アドレスや送信元アドレスが一致する、あるいは題名や本文の一部が一致すると、作成途中であった返信メールＡを引用可能に自動記憶して、返信メールＢの作成画面に送信メールＡを貼り付ける（図６（ｄ））。 - 特許庁

The sensor S, a diode D and a load resistance R are connected in series to an alternating current source P, and a comparator 5 for switching between ON/OFF states of an output by comparing the voltage amplified by an operational amplifier 6 with a prescribed threshold is connected to both ends of the load resistance R through the operational amplifier 6.例文帳に追加

センサＳとダイオードＤと負荷抵抗Ｒを交流電源Ｐに直列に接続し、負荷抵抗Ｒの両端にオペアンプ６を介し、このオペアンプ６で増幅された電圧を所定のしきい値と比較して出力のオン、オフを切り換えるコンパレータ５を接続する。 - 特許庁

Against this practice, a small distance d is maintained between the welding rod 2 and the base metal 6 to be welded, with arc discharge made in-between in an inert gas atmosphere by a high frequency voltage source 7, and with ionization of the inert gas intended thereby.例文帳に追加

これに対して、本発明は、溶接棒２と溶接すべき母材６との間に小さな間隔ｄを保ち、高周波電圧源７により不活性ガス雰囲気中で溶接棒２と溶接すべき母材６との間にアーク放電を起こし、それにより不活性ガスをイオン化することを意図している。 - 特許庁

The light diffusing part 13 is long in the axial direction of the light-guide member 11, while an interval L between the end surface 11B of the light-guide member 11 which is irradiated with the light from the light source means 12 and the light diffusing part 13 is kept at least twice the diameter D of the light-guide member 11.例文帳に追加

さらに、光拡散部１３は導光部材１１の軸方向に沿って細長く、光源手段１２によって光が照射される導光部材１１の端面１１ｂから光拡散部１３までの間隔Ｌは導光部材１１の直径Ｄの２倍以上に保たれる。 - 特許庁

In this noise reducing system of the sensor for the field measurement of the railroad track, a drive voltage of the sensor 12 for the field measurement from an external power source 11 is used as a reference voltage of a reference voltage generator 14 of an A/D converter 13 which is connected to the sensor 12.例文帳に追加

鉄道軌道の現場計測用センサのノイズ低減システムにおいて、外部電源１１からの現場計測用センサ１２の駆動電圧を前記現場計測用センサ１２に接続されるＡ／Ｄ変換装置１３の基準電圧発生装置１４の基準電圧として用いる。 - 特許庁

The depth D of the grooves 11B is ≥λ/(4.n) to ≤λ/(2.n) when the refractive index of the substrate 11 is defined as n and the wavelength of a light sources as λand the good crosswriting characteristic can be obtained even if the wavelength λ of the light source is specified to 400 nm and the numerical aperture NA of a lens to 0.6.例文帳に追加

グルーブ１１Ｂの深さＤは、基板１１の屈折率をｎ、光源の波長をλとするとλ／（４・ｎ）以上λ／（２・ｎ）以下となっており、光源の波長λを４００ｎｍ、レンズの開口数ＮＡを０．６としても、良好なクロスライト特性が得られる。 - 特許庁

The fixed part of the optical pickup is provided with a light source 105 which emits a luminous flux at such an angle that the luminous flux is reflected by the three planes of the reflecting planes S1, S2 and the surface of the optical disk D, and an angle detection part 106 for detecting the inclination of the luminous flux reflected by the three planes.例文帳に追加

光ピックアップの固定部は、反射面Ｓ１，Ｓ２、光ディスクＤの表面の３面で光束が反射するような角度で光束を出射する光源１０５と、この３面で反射した光束の傾角を検出する角度検出部１０６と、を備えている。 - 特許庁

The radioisotope-producing device 1A comprises a laser light source 10 for outputting a laser beam, a deuteron release target 20 for releasing deuterons D generated by convergent irradiation with the laser beam, and an isotope-producing target 30, and an isotope recovery device 40.例文帳に追加

レーザ光を出力するレーザ光源１０と、レーザ光を集光照射して発生した重陽子Ｄを放出する重陽子放出ターゲット２０と、同位体生成ターゲット３０と、同位体回収装置４０とを備えて放射性同位体生成装置１Ａを構成する。 - 特許庁

To reduce offset error voltage in a signal source impedance of analog input signal voltage supplied to an input terminal due to input offset voltage of an operational amplifier in a sampling circuit or a multiplexer coupled to an input terminal of an A/D converter.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器の入力端子に接続されたサンプリング回路またはマルチプレクサーを構成する演算増幅器の入力オフセット電圧による入力端子に供給されるアナログ入力信号電圧の信号源インピーダンスでのオフセット誤差電圧を低減すること。 - 特許庁

Each FET stage is constituted of parallel body of MOSFETs where positions of a source electrode and a drain electrode (S, D) are exchanged and gate width of each of the MOSFETs (11-20) is reduced to a half in comparison with the case of constituting the receiving side transfer circuit of one line of MOSFETs.例文帳に追加

各ＦＥＴ段は、ソース電極とドレイン電極（Ｓ，Ｄ）の位置が交換されたＭＯＳＦＥＴの並列体で構成するとともに、各ＭＯＳＦＥＴ（１１−２０）のゲート幅を、一列のＭＯＳＦＥＴで受信側トランスファー回路を構成する場合に比べて半減する。 - 特許庁

The night vision system is composed of an infrared camera 10 for photographing video in front of a vehicle, an image converting device 25 for expanding a source image D of a digital signal representing the photographed video through digital image processing and a head-up display 20 for displaying the video to which image processing is applied.例文帳に追加

車両前方の映像を撮影する赤外線カメラ１０と、撮影された映像を表すデジタル信号の原画像Ｄを、デジタル画像処理にて拡大する画像変換装置２５と、画像処理された映像を表示するヘッドアップディスプレイ２０とから車両前方暗視システムを構成する。 - 特許庁

In the low noise amplifier, a capacitor 9 having a capacitance sufficiently larger than the parasitic capacitance in a field effect transistor 3 is provided between the drain D and source S of the field effect transistor 3 in order to vary the parasitic capacitance in a field effect transistor 3 artificially.例文帳に追加

この低雑音増幅器では、電界効果トランジスタ３内部の寄生容量に比べて容量が十分に大きなコンデンサ９を、電界効果トランジスタ３のドレインＤとソースＳとの間に設けることによって、電界効果トランジスタ３内部の寄生容量を擬似的に変化させる。 - 特許庁

This audio amplifier device includes an audio amplifier section 1 as a class D amplifier and a power supply section 2 which controls a source voltage to a current amplification section 12 so that a peak value of the output voltage of a pulse-modulated signal of a current amplification section 12 in the audio amplifier section 1 is as constant as possible.例文帳に追加

このオーディオアンプ装置は、Ｄクラスアンプとしてのオーディオアンプ部１と、オーディオアンプ部１における電流増幅部１２のパルス変調された信号の出力電圧のピーク値を一定に近づけるように電流増幅部１２への電源電圧を制御する電源部２とを備える。 - 特許庁