「source effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

To provide a dirt detecting circuit of an ionizer discharge needle and a dirt detection method of an ionizer discharge needle, capable of capturing very small change due to existence of corona discharge of a discharge needle, with a small effect due to environmental changes such as difference of an installation place or change of power source voltage, and capable of preventing incorrect detection.例文帳に追加

放電針のコロナ放電の有無による僅かな変化を捉えることができ、設置場所の違いや電源電圧の変化などの環境変化による影響が小さく、誤検出を防止できるイオナイザ放電針の汚れ検出回路およびイオナイザ放電針の汚れ検出方法を提供する。 - 特許庁

Following that, when teeth are brushed with an appliance which is formed by integrating the toothbrush with the instrument to form the composite, the pyorrhea the source of all diseases can be repulsed or other diseases are prevented from being induced, because the flow of blood in the gum is activated by effect generated from the ore such as the inorganic germanium or the magnet.例文帳に追加

次に歯ブラシと器具をドッキングさせて一体化した複合帯を形成した器具で歯磨きを行えば、無機ゲルマニュウムあるいは磁石等の鉱石から発生する効能により、歯茎の血流の流れは活性化されるので万病の元である歯槽膿漏を撃退させる又他の病気の誘発を防ぐことができる。 - 特許庁

After forming the source and drain (n+ type semiconductor regions) of an MISFET, a p-type semiconductor region 10 is formed to suppress the short channel effect and the p-type semiconductor region 10 is formed at a minimum essential region by suppressing an impurity from diffusing due to the heat history of the process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン（ｎ^+型半導体領域）を形成した後に、短チャネル効果を抑制するためのｐ型半導体領域１０を形成し、プロセスの熱履歴による不純物の拡散を抑えることによって、必要最小限の領域にｐ型半導体領域１０を形成する。 - 特許庁

To provide an active noise controller for a sound insulation wall by strictly discriminating between a secondary sound source which cancels noise and a noise detection part properly adaptively to a flow of noise while using multiple diffraction of the sound insulation wall with a thickness, and improving noise reduction effect at a sound reception point.例文帳に追加

厚みを持つ遮音壁の多重回折を利用しつつ、騒音の流れに適切に対応させて、騒音を相殺する二次音源と騒音検出部を峻別して、受音点における騒音の低減効果をより向上させて性能改善を図ることができる遮音壁における能動的騒音制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a headlight for vehicle in which temperature rise of the semiconductor light emitting element being a light source is suppressed by achieving an excellent heat radiation effect with a simple structure, thereby, deterioration of luminous efficiency is suppressed to secure a prescribed irradiation light amount while maintaining reliability of the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

簡易な構造による優れた放熱効果を実現して光源となる半導体発光素子の温度上昇を抑制し、よって半導体発光素子の信頼性を維持しつつ発光効率の低下が抑制されて所定の照射光量を確保することが可能な車両用前照灯を提供することにある。 - 特許庁

Further, when the lamp tool 1 is at the topmost position in the movable range as shown in Fig.1(b), a direction of the lamp tool 1 is reversed up and down to make the irradiation direction A1 downward, and therefore, an effect of direct illumination is obtained that the floor face or the like is illuminated by direct light irradiated from the light source LT1.例文帳に追加

また、図１（ｂ）に示すように灯具１が可動範囲の上限位置にあるときには、灯具１の向きが上下反転して照射方向Ａ１が下方向とされ、従って光源ＬＴ１から出射した直射光で床面等が照明されるという直接照明の効果が得られる。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor memory and a manufacturing method thereof, whereby the parasitic capacitance between a gate electrode and source can be reduced to thereby reduce the charge consumption at the gate electrode, avoid lowering the operating speed, and reduce the power consumption.例文帳に追加

ゲ−ト電極とソ−スとの間に形成される寄生容量を小さくすることができ、そのため、ゲ−ト電極の電荷の消費量を低減させ、動作速度の低下を防止し、消費電力の低減をはかることができる電界効果型半導体メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The information recording element comprises a field effect transistor having a gate electrode 20, a dielectric layer 30, a semiconductor layer 50, and a drain and source electrode 40 formed on a substrate 10 wherein at least one of the materials forming the dielectric layer 30 is dioxyribonucleic acid (DNA).例文帳に追加

また、基板１０上に、ゲート電極２０、誘電体層３０、半導体層５０、ドレイン及びソース電極４０を有する電界効果型トランジスタであって、上記誘電体層３０を形成する材料の少なくとも一つがデオキシリボ核酸（DNA）であることを特徴とする電界効果型トランジスタにより構成される情報記録素子。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a thin low resistance metallic film on the surface of a silicon layer in a source region and a drain region at the time of forming a field effect transistor in an MOS configuration, and increasing the operating efficiency of the transistor.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ構造の電界効果型トランジスタを形成するに際し、ソース領域およびドレイン領域のシリコン層の表層部に薄い低抵抗金属膜を製造することができ、トランジスタの動作効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Therefore, when the inputted voltage of the commercial AC power source is higher than Vc×(1-n2/n1), inputted power flows in, a power-factor improvement effect is obtained and the voltage to be generated in the input capacitor C1 is made to be constant without being affected by the load current of a DC/DC converter 1.例文帳に追加

したがって、商用交流電源の入力電圧がＶｃ×（１−ｎ２／ｎ１）より高ければ入力電流が流入することとなり、力率改善効果が得られるとともに、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の負荷電流に影響されず、入力コンデンサＣ１に発生する電圧を一定にすることができる。 - 特許庁

After searching various kinds of excreta compost for any bacteria capable of changing bad-smelling elements into odorless ones, making the deodorant effect last, and preventing the bad smell from generating, when added to such the bad-smelling source as the excreta, the compost and the sludge, Bacillus fusiformis, one of the subspecies of Bacillus bacteria, was found to fulfill those requirements above.例文帳に追加

糞尿，コンポスト，汚泥等の悪臭発生源に対して添加することによって効果が持続し，悪臭成分を無臭の成分に変化させ，しかも細菌による糞尿，コンポスト，汚泥等からの悪臭発生を抑制する能力を有する細菌を得るべく各種糞便のコンポストを分離源として検索を行った。 - 特許庁

In this way, rounding operation can be carried out without respect to the number of projections and recesses in eaves or the length of a traveling distance, while a snow removing effect in an early stage of snowfall in a power source fixed type one can be maintained.例文帳に追加

走行レール内収納のトロリ線から集電装置により電源の供給を受け台車に搭載の電動モータにより駆動自力走行するため、電源固定式の降雪初期時除排雪の有効性を維持し、軒先の出入りの多少、走行距離の長短にかかわらず周回走行が可能となっている。 - 特許庁

A cross-coupled latch has body-contact FETs 84, 86 whose body is connected to either of a source or a drain and it minimizes switching history effect and in the latch, each of input FETs 80, 82 has a gate switching voltage higher than a regular gate switching voltage and, at the same time, the FETs increase the sensitivity of input signals.例文帳に追加

クロス結合ラッチは、ボディがソースおよびドレインのうちの一方に接続されたボディ・コンタクトＦＥＴ８４，８６を有し、スイッチング履歴効果を最小化し、入力ＦＥＴ８０，８２が通常のゲート・スイッチング電圧より高いゲート・スイッチング電圧を有すると同時に、入力信号感度を増加させる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since elongation of source and drain depletion layers 27, 28 can be controlled and the depletion layer regions 29s, 29d not contributing to the threshold voltage of a MOS transistor can be minimized, short channel effect is suppressed resulting in a highly stable high performance semiconductor device in which finer patterning can be effected.例文帳に追加

この構造によれば、ソース、ドレイン空乏層２７、２８の伸びを抑えることが出来、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧に寄与しない空乏層領域２９ｓ、２９ｄを最小限に出来るので、ショートチャネル効果を抑制し、より微細化が可能で安定性の高い高性能なＭＯＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

The flexible printed wiring board FPC for connecting the motor 32 to a power source is foldable, two flexible light shielding plates 44 and 45 attached to a shutter cover plate 12 come in contact with the folding surface from different directions, then, the light shielding effect of clearance holes formed in the frame body 10 and the cover plate 12 is enhanced.例文帳に追加

モータ３２を電源に接続するフレキシブルプリント配線板ＦＰＣは、折りたたみ式であり、シャッタ用カバー板１２に取り付けられた可撓性を有する二つの遮光板４４，４５が、異なる方向からその折りたたみ面に接触し、枠体１０とカバー板１２に設けられた逃げ孔の遮光効果を上げている。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is made faster and less in loss (lower in power consumption) by greatly reducing ohmic contact resistance of a heterojunction field effect transistor using a nitride semiconductor and simultaneously greatly reducing resistance (access resistance) from a source electrode 2 to a channel, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極２からチャネルまでの抵抗（アクセス抵抗）を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化（低消費電力化）が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can adjust a threshold of a gate voltage for switching an energization state between a source electrode and a drain electrode to a predetermined value while generating a secondary electron gas layer on a first semiconductor layer by the hetero-junction of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ接合により第１半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The field effect transistor includes a substrate formed of the organic polymer compound, a gate electrode, a gate insulating layer, the semiconductor layer, and a source electrode, and a drain electrode where the semiconductor layer contains a carbon nanotube composite having a conjugate polymer stuck on at least a part of the surface thereof.例文帳に追加

有機高分子化合物からなる基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The field effect transistor controls the conductivity of the semiconductor layer provided between a source electrode and a drain electrode by a gate electrode provided via an insulating layer and the semiconductor layer is formed by the organic polymer semiconductor in which carbon nano-tubes are dispersed and the current is controlled in the depletion mode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。 - 特許庁

This drier in Fig. 1 is a multi-effect drier constructed by combination of two drying chambers in which a propeller fan and heater direct- coupled to a motor are installed in a drying chamber, exhaust steam generated by drying with circulating superheated steam is recovered, the exhaust steam is again used as a heat source.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の乾燥装置図１は、モーター直結のプロペラファン及びヒーターを乾燥室内に設置し循環する過熱蒸気によって乾燥で発生する排蒸気を回収し、その排蒸気を熱源として再利用する乾燥室を２室以上組み合わせることで構成した多重効用的乾燥機 - 特許庁

To provide a display which enables an arbitrary pattern to be displayed in at least a part of an entirely black display screen by light non-emitting display elements even when a display power source is turned off and is superior in decoration and design and has an effect as an interior accessory and whose power consumption is reduced.例文帳に追加

本発明は、ディスプレイ電源をオフの状態にした場合でも画面全体が黒の表示画面内の少なくとも一部で非発光の表示素子による任意のパターン表示が可能となる、装飾性・意匠性に優れ、インテリアとしての効果を有する、消費電力も少ないディスプレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

The MFS type field effect transistor 100 includes a semiconductor layer 10, a PZT-based ferroelectric layer 15 formed on the semiconductor layer 10, a gate electrode 16 formed on the PZT-based ferroelectric layer 15, and impurity layers 14, which are formed on the semiconductor layer 10 and constitutes a source or drain.例文帳に追加

ＭＦＳ型電界効果型トランジスタ１００は、半導体層１０と、半導体層１０の上に形成されたＰＺＴ系強誘電体層１５と、ＰＺＴ系強誘電体層１５の上に形成されたゲート電極１６と、半導体層１０に形成された、ソースまたはドレインを構成する不純物層１４と、を含む。 - 特許庁

The power source control part 15 determines whether or not an occupant stays in a vehicle room when the engine is stopped and the function position is put in a function ON state being ignition ON, and controls notification of notifying the effect of being the function ON state when determining that the occupant does not stay in the vehicle room.例文帳に追加

電源制御部１５は、エンジンが停止しているとともに機能ポジションがイグニッションＯＮとなっている機能ＯＮ状態にあっては、車両室内に乗員が存在するか否かを判断し、乗員が車両室内に存在しないと判断した場合には、該機能ＯＮ状態である旨を報知する報知制御を行う。 - 特許庁

The composition can provide a film which is combined with a metal nanowire or a carbon nanotube to use in a drain, a source, or a gate electrode in a thin layer unipolar field effect transistor, thereby to give a buffering layer which is useful in an organic electronic device including an electroluminescence device such as an organic light emitting diode (OLED) display.例文帳に追加

発明組成物からのフィルムは、薄膜電界効果トランジスタでのドレイン、ソース、またはゲート電極のような用途において金属ナノワイヤまたはカーボンナノチューブと組み合わせて例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのような、エレクトロルミネセンスデバイスをはじめとする、有機電子デバイスでの緩衝層として有用である。 - 特許庁

To obtain an electrostatic chuck that can increase the plasma- resistance property of an electrostatic chuck base, without damaging attraction force by the Johnson-Rahbek effect, can suppress generation of impurity elements that become the contamination source for a body to be attracted and generation leakage current accompanying reduction of resistivity, and can be used over a wide temperature range.例文帳に追加

ジョンソンラーベック力による吸着力を損なうことなく、静電チャック基材の耐プラズマ性を高め、被吸着体に対して汚染源となる不純物元素の発生、及び、抵抗率の低下に伴うリーク電流の発生を抑制でき、幅広い温度範囲で使用できる静電チャックを提供する。 - 特許庁

By removing an insulating film on the gate electrode, source electrode and drain electrode of the thin film transistor (TFT) or superimposing a transparent electrode on it, the effect of heat conducting paths from the electrodes to a liquid crystal layer is improved, the temperature rise of the TFT is suppressed and the TFT with excellent reliability is obtained.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の上の絶縁膜を除去する、あるいはその上に透明電極を重ねることにより各電極から液晶層に至る熱伝導パスの放熱効果を高め、ＴＦＴの温度上昇を抑制し、信頼性に優れたＴＦＴが得られる。 - 特許庁

To provide a ceramic nanoparticle or a colloidal water dispersion including the same which is a medical effective ingredient for effectively exerting a free radical erasing performance against the free radicals in living bodies, particularly hydrogen peroxide being a free radical generation source, and which exerts an innovative effect in its use in various fields, and also to provide a method for production thereof.例文帳に追加

生体内ラジカル、特にラジカル発生源となる過酸化水素などに対し効果的にラジカル消去能を発揮することができる医薬の有効成分となる他、凡ゆる分野において利用され、夫々の分野で画期的な効果を発揮するナノセラミック微粒子とナノコロイド水を提供し、その製造方法を提唱すること - 特許庁

To provide a microlens sheet which has the high utilizing efficiency of light, is free from the generation of sidelobes, can obtain a desired light distribution, and is free from the generation of a light-dark boundary and light leakage when a light source is area-divided and driven, and to provide a back light and a display using the microlens sheet which has a high luminance improvement effect.例文帳に追加

光の利用効率が高く、サイドローブが発生せず、所望の配光分布が得られ、また光源をエリア分割駆動した際に、明暗の境界や光漏れが発生しないマイクロレンズシートを提供し、さらにこのマイクロレンズシートを用いた輝度向上効果の大きいバックライト、及びディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

Image formation is appropriately controlled by estimating change due to VL increase and change due to VL decrease, while taking into account the rotating time of a photoreceptor, stopping time of the photoreceptor, the temperature of atmosphere environment, the absolute humidity of atmosphere environment, and the effect of the fixing device on the heat source for each process station.例文帳に追加

感光体回転時間、感光体停止時間、雰囲気環境の温度、雰囲気環境の絶対湿度、定着装置からの熱源の影響をプロセスステーション毎に考慮して、ＶＬアップとＶＬダウンによる変動をそれぞれ予測することで、適切な画像形成制御を行うことを特徴とする。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

The laser irradiation apparatus is provided with the laser beam source 12 for emitting the laser beam 1a of the circular shape, a lens system 14 for deforming the laser beam to the rectilinear shape, a homogeneizer 16 for homogeneizing the intensity distribution of the laser beam 1b, and an interference reducer 20 disposed between the homogeneizer and the lens system to reduce the interference effect of the laser beam.例文帳に追加

円形のレーザビーム１ａを出射するレーザ光源１２と、レーザビームを直線状に変形するレンズ系１４と、レーザビーム１ｂの強度分布の均質化するホモジナイザ１６と、ホモジナイザとレンズ系の間に設けられレーザビームの干渉作用を低減する干渉低減装置２０とを備える。 - 特許庁

Furthermore, replacement of a tetrode magnet can be made possible by converging the charged particle beam to a vertical and horizontal directions by an edge focus effect giving a slope to the charged particle beam with an incident surface and an outgoing surface of the charged particle beam in a magnetic field area formed by a structure magnet of the inserting light source.例文帳に追加

さらに、挿入光源の構成磁石が形成する磁場領域における荷電粒子ビームの入射面と出射面が荷電粒子ビームに対して傾斜を持たせてエッジフォーカス効果により荷電粒子ビームを縦横方向に収束させるようにすることにより４極磁石の代替をさせることができる。 - 特許庁

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode.例文帳に追加

（１）ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。 - 特許庁

The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.例文帳に追加

帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁

A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁

To provide an optical device which includes an electrooptical element comprising a material having a large electrooptical effect in the vicinity of paraelectric/ferroelectric phase transition temperature, which enables a system to stably operate even when a power source is interrupted, thermal separation of a driving electric circuits is made unnecessray and high speed operation is achieved with lower power consumption.例文帳に追加

常誘電・強誘電相転移温度付近で大きな電気光学効果を有する材料からなる電気光学素子を有する光デバイスにおいて、電源が遮断されたときにもシステムが安定に動作し、駆動電気回路の熱的分離を不要にし、より低消費電力で高速の動作を実現する。 - 特許庁

Because the light diffusion plate brings about the profound effect of suppressing the warpage and the waviness yielded with heat etc. produced from the light source in continuously lighting the backlight unit, it is suitably used for liquid crystal display devices, for example, for liquid crystal display devices for a large sized liquid crystal monitor, a household television, a display for a personal computer and so on.例文帳に追加

本発明の光拡散板は、バックライトユニットを連続点灯する際に光源から発生する熱等により生じる、反り及びうねりの抑制効果が大きい等の効果を奏するため、液晶表示装置、例えば大型液晶モニタ、家庭用テレビ、及びパソコンディスプレイ等の液晶表示装置等に適する。 - 特許庁