「source effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the position and the orientation of the sense coils are so set in the sense coil unit to hinder effect of metal on a three-dimensional space, a less error is possible in the estimation of the position of a source coil to reduce the deformation of the shape of an endoscope in the insertion thereof.例文帳に追加

３次元空間上の金属の影響を受け難いようにセンスコイルユニット内のセンスコイルの位置と向きを設定するため、ソースコイルの位置推定の誤差を小さくでき、内視鏡挿入形状の変形を軽滅することができる。 - 特許庁

A local oscillation amplifier 1 is constituted of a field effect transistor 4, its source is grounded at high frequency by using a capacitor 20, and its gate is connected with a resistor 7, whose one end is grounded and a resistor 8.例文帳に追加

局部発振増幅器１は電界効果型トランジスタ４で構成され、ソースは容量２０で高周波的に接地され、ゲートは一端が接地された抵抗７と抵抗８が接続され、抵抗８の他端は電源供給端子１９に接続される。 - 特許庁

In a field effect transistor provided in the first switch, compensation capacitors (Cdb11-Cdb14) for offsetting a parasitic capacity generated when the first switch is in an off state are formed between a drain and a body or between a source and a body.例文帳に追加

第１のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第１のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ１１〜Ｃｄｂ１４）がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 - 特許庁

Also, in a field effect transistor provided in the second switch, compensation capacitors (Cdb21-Cdb24) for offsetting a parasitic capacity generated when the second switch is in an off state are formed between a drain and a body or between a source and a body.例文帳に追加

また、第２のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第２のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ２１〜Ｃｄｂ２４）が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 - 特許庁

When an unrecognisable term is detected at the time of OCR processing, the main control section 101 of an OCR processor 30 automatically notifies a source facsimile 90 to this effect using a facsimile server 20.例文帳に追加

ＯＣＲ処理装置３０の主制御部１０１は、ＯＣＲ処理時に認識できない項目を検出したとき、その旨をファクシミリサーバ装置２０を用いて発信元である相手先のファクシミリ装置９０に対して自動的に通知するように制御する。 - 特許庁

To provide a zinc (II) complex containing vitamins, amino acids except histidine, their derivatives, and a zinc source as a nutritive functional food, a specific health food, a health dietary supplement or the like having an antioxidative effect.例文帳に追加

本発明は、ビタミン類、ヒスチジンを除くアミノ酸類およびそれらの誘導体と亜鉛源とを含んでなる亜鉛（II）錯体を、抗酸化作用をもつ栄養機能食品、特定保健用食品および健康補助食品などとして提供することにある。 - 特許庁

To obtain an economic effect creation system for properly calculating economic effects by the switching management of the source of water supply for living to underground water, and for contributing to financial structure enhancement about high-rise housing property in the management of high-rise housing repair cost savings.例文帳に追加

高層住宅修繕積立金運用に関する地下水への生活用水源切り替え運営による経済効果を適切に算定でき、前記高層住宅物件についての財務体質強化に寄与する経済効果創出システムを得る。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a semi-insulating substrate 10, a channel layer 13 arranged on the substrate 10, a gate electrode 21 for applying an electrical field to the channel layer 13, and a source electrode 19 and a drain electrode 20 arranged so as to sandwich the gate electrode 21.例文帳に追加

半絶縁性の基板１０と、基板１０上に配置されたチャネル層１３と、チャネル層１３に電界を印加するためのゲート電極２１と、ゲート電極２１を挟むように配置されたソース電極１９およびドレイン電極２０とを含む。 - 特許庁

Accordingly, the photonic crystal has the lens effect with excellent abberation performance by making a gaussian or rectangular wave light emitted from a light source placed, for example, in a near finite distance or far finite distance incident along the gradient of an equi-frequency surface.例文帳に追加

これにより、例えば近有限距離または遠有限距離に置かれた光源から発するガウシアンや矩形波の光を等周波数面の勾配に沿って入射することで、優れた収差性能を発揮するレンズ作用を有することとなる。 - 特許庁

It can excite the surface acoustic wave W by self excitation, and can reduce considerably the manufacturing variations and the effect of temperature characteristics, being different from a conventional case in which the excitation is carried out by determining the excitation frequency with an external high frequency power source.例文帳に追加

自励発振によって弾性表面波Ｗを励振でき、従来のような外部の高周波電源によって励振周波数を決めて励振する場合と異なり、製造ばらつきや温度特性の影響を大幅に低減できる。 - 特許庁

To provide a quality inspection apparatus that can improve efficiency of inspection work with making it possible to remove contaminants attached on an outgoing surface of illuminating light and can improve economical effect with making it possible to use an illuminating light source to its life.例文帳に追加

照明光の出射面に付着する汚損物質を簡単に除去することができて検査作業能率を向上させることができ、また、照明光源をその寿命まで使用することができて経済性の向上を図ることができる。 - 特許庁

In the case that a short-circuit takes place between the gate and the source or between the base and the emitter in one of the unit cells configuring a multi-cell, a DC cut-off characteristic of a diode arranged by each unit cell suppresses the effect on operations of the other normal unit cells.例文帳に追加

マルチセルを構成する単位セルの１つで、ゲート−ソース間あるいはベース−エミッタ間に短絡があった場合には、単位セル毎に配置されたダイオードの直流遮断特性により、他の正常な単位セルの動作への影響を抑える。 - 特許庁

The solid scanning type optical write apparatus is provided which has a plurality of optical shutter elements 12a with electrooptical effect juxtaposed in a horizontal scanning direction, and modulates light emitted by a light source by turning ON/OFF the optical shutter elements 12a to form an image on a photoreceptor.例文帳に追加

電気光学効果を有する複数の光シャッタ素子１２ａを主走査方向に並置し、光源から放射された光を、光シャッタ素子１２ａのオン／オフにて変調し、感光材上に画像を形成する固体走査型光書込み装置。 - 特許庁

The respective gates of the field-effect transistors 4a, 4b, 4c forming the device 4 are connected respectively to the comparator 3, their drains are connected to a battery source (B), and their sources are connected respectively to a door lock unit 31, a power window unit 21, and a belt release unit 41.例文帳に追加

デバイス４を構成する電界効果トランジスタ４ａ、４ｂ、４ｃは、夫々ゲートが比較器３に接続され、ドレインがバッテリ電源（Ｂ）に接続され、ソースが夫々ドアロックユニット３１、パワーウィンドユニット２１及びベルト解除ユニット４１に接続されている。 - 特許庁

To obtain a deodorant capable of more easily and quickly preventing a mal-odor generated from sludge and excretions than conventional ones by covering a mal-odor generating source only by bubbling and capable of maintaining the effect, over a long time.例文帳に追加

汚泥や糞尿などから発生する不快臭を、単に発泡させ臭気発生源を被覆することにより従来よりも簡便かつ迅速に防臭することが可能で、かつ長時間にわたってその効果が持続する防臭剤を提供すること。 - 特許庁

By this constitution, raw water is effectively cleaned by together using the magnetic field and the filter medium and, by discharging the washing water of the filter medium to the source of a stream, useful microorganisms in the filter medium are utilized to enhance cleaning effect and the labor for treating the washing water of the filter medium can be omitted.例文帳に追加

磁場と濾材との併用により効果的に浄化し、濾材洗浄水を水源へ放出することで、濾材中の有益微生物を利用してさらに浄化効果を高めるとともに、濾材洗浄水の処理の手間を省く。 - 特許庁

To maintain a high deodorization effect of an air cleaner having a UV light source and a photocatalyst filter for a long period by effectively irradiating the photocatalyst filter with UV energy within a restricted space of an apparatus.例文帳に追加

紫外線光源と光触媒フィルターを備える空気清浄機において、機器の制約されたスペースの中で紫外線エネルギーを有効に光触媒フィルターに照射させ、高い脱臭効果を長期にわたって維持することを目的とする。 - 特許庁

It applies the positive voltage and the negative voltage to the gate electrode of the field effect transistor for voltage applied to the source and the drain, and then applies the negative voltage ( or the positive voltage ) pulse preferably for one or multiple times.例文帳に追加

前記電界効果型トランジスタのゲート電極に、ソースおよびドレインに印加される電圧に対して、正の電圧（または負の電圧）パルスを連続印加し、つぎに負の電圧（または正の電圧）パルスを１回または複数回印加するのが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an advertising bid phrase proposal apparatus, an advertising bid phrase proposal system and an advertising bid phrase proposal method that can enhance an advertising effect by proposing appropriate translations of an advertising bid source word.例文帳に追加

広告入札用の原語に対して適切な翻訳語を提案することができ、広告効果の向上を図ることのできる広告入札用語句提案装置、広告入札用語句提案システムおよび広告入札用語句提案方法を提供すること。 - 特許庁

The laser beam generator 1 having a stimulation light source for generating the stimulation light of continuous waves and a resonator utilizing thermal lens effect by heat generation at a stimulating position comprises a laser medium 3, an intermediate medium 4, and a reflection means 5 as the components.例文帳に追加

連続波の励起光を発生させる励起光源と、励起位置での発熱による熱レンズ効果を利用した共振器を備えたレーザ光発生装置１は、その構成素子として、レーザ媒質３、中間媒質４、反射手段５を備える。 - 特許庁

To provide a speaker system wherein two listeners present in the same space can listen to sounds of separate sound sources, the system is downsized, a suppression ratio with respect to the sound from other sound source is increased, and a suppression effect can be obtained over a wide area.例文帳に追加

同じ空間にいる２人の聴取者が別々の音源の音を聴き取れるようにすることができるスピーカー装置において、装置を小型化し、他の音源からの音に対する抑圧比を大きくし、広い領域で抑圧効果を得ること。 - 特許庁

Since a variety of performances (amplification, muting, sound source conversion or the like) are made possible by using a putting out sound which has not been applied as a sound effect through a hearing sense, a new sound performance is added and can improve the interesting property of a game.例文帳に追加

従来全く聴覚を通じた効果音として適用していなかった払出音を用いて、様々な演出（増幅、消音、音源変換等）を可能としたため、新たな音演出が加味され、遊技趣向性を向上することができる。 - 特許庁

A field-effect transistor Q1 is turned on between a gate and a source through the Zener diode ZD1 with DC voltage through a starter resistor R2, and pulse starting voltage having a pulse width of 500 μs is applied to the arc tube 13 with a starter 36.例文帳に追加

始動手段36により発光管13に、ツェナダイオードZD1 を透して電界効果トランジスタQ1のゲート・ソース間が起動抵抗R2を介した交流電圧により電界効果トランジスタQ1がオンして、パルス幅５００μｓのパルス状の始動電圧を印加する。 - 特許庁

In the case of performing detour transmission to the public telephone network 7 here, a speech communication path is established with an accommodation terminal 3 being a call transmission source before the detour transmission, and voice guidance to the effect that the public telephone service is used is transmitted to the speech communication path.例文帳に追加

ここで、公衆電話網７に迂回発信する場合に、この迂回発信に先立って、呼の発信元である収容端末３との間に通話路を確立し、この通話路に公衆電話サービスを利用する旨の音声ガイダンスを送出する。 - 特許庁

Because the increase of the heat generation in the field effect transistors FET1 to FET4 in the low voltage operation can be suppressed, the steering assistance can be continued without any troubles until the power source voltage VB which is comparatively low drops below the lower limit value VB_MIN of the operating voltage.例文帳に追加

前記電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ４の、低電圧動作時の発熱量の増加を抑制することができるから、比較的電圧値の低い動作電圧下限値ＶＢ_MINを下回るまで操舵アシストを継続したとしても問題ない。 - 特許庁

To make steep dopant distribution in a channel region by avoiding point defects without using any processes for removing thick gate sidewalls after forming deep source/drain regions by a manufacturing method in a minute field effect transistor whose gate length is equal to or less than 0.1 micron.例文帳に追加

ゲート長０．１ミクロン以下の微細な電界効果型トランジスタの製造方法で、深いソース／ドレイン領域形成後に厚いゲート側壁を取り除く工程を用いることなく、点欠陥を抑制し、チャンネル領域の不純物分布を急峻化する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can surely prevent leakage current due to sneak current down to the gate electrode of the source and the drain regions at the edge of a field oxide film, without increasing the gate electrode area, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電極面積を増大させることなく、フィールド酸化膜のエッジ部分でのソース及びドレイン領域のゲート電極下への回り込みによるリークを確実に防止することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each solar power generation portion is located vertically or at an inclined angle and is also located so that the light received from a light source can be received from a front surface of each power generation portion by locating a material, such as a lens, having a refraction effect or a reflection effect in its spaces, thereby, each power generation portion of the equipment can efficiently generate electric power.例文帳に追加

各々のソーラー発電（太陽光発電）部を、垂直もしくは傾斜角度を有して複数配置を行い、その隙間部分には、プリズム等の屈折効果やレンズ，反射効果が可能な素材を用いて、光源より受けた光を、各々の発電部の正面より受けられるように設置することで、各々の発電部が、効率的に発電できるようにした装置を設ける。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

With respect to the constitution of the semiconductor device in a semiconductor substrate wherein a source, a drain and a gate are so provided as to constitute the field effect transistor, a metal wiring connected with either one of the source, and the drain is so disposed in the form of a plane as to provide a heat radiating surface.例文帳に追加

半導体基板に、ソースと、ドレインと、ゲートとを設けて構成した電界効果トランジスタの半導体基板には、ソースまたはドレインのいずれか一方に接続した金属配線を平面状に配置して放熱面を設けるとともにビアホールを設け、金属配線と接続されていないドレインまたはソースと、半導体基板の他面に設けた電極とをビアホールを経て接続する構成とする。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

To provide a system and a method for estimating a propagation path which estimate an exact propagation path, excluding an effect given by an ionosphere for remote sensing when a radio wave transmitted from a satellite is reflected on the surface of the earth and the reflected wave is received by the satellite or when the radio wave transmitted from a transmission source on the ground is received by the satellite and the location of the transmission source is estimated.例文帳に追加

衛星から送信された電波が地表で反射され、当該反射波を衛星で受信するリモートセンシングの場合や、地上の送信源から送信された電波を衛星で受信して送信源の位置を推定するような場合に、電離層が与える影響を排して正確な伝搬経路を推定する伝搬経路推定システム及び伝搬経路推定方法を提供する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a semiconductor layer 5; a source electrode 1 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a drain electrode 2 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a gate electrode 3 that is in Schottky contact with the semiconductor layer 5; and a Schottky electrode 4 that is provided in a gap formed in a portion of the source electrode 1 and is in Schottky contact with the semiconductor layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極３と、ソース電極１の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。 - 特許庁

The field effect transistor is characterized by a gate oxide formed on a substrate, at least one germanium nano-rod embedded in the gate oxide with its both ends exposed, a source electrode and a drain electrode connected to both ends of the germanium nano-rod, respectively, and a gate electrode formed on the gate oxide between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート酸化物と、ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート酸化物上でソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタである。 - 特許庁

In such event, the Agreement shall cease to have effect: (a) with respect to taxes withheld at source, for amounts taxable on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and (b) with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given. 例文帳に追加

この場合には、この協定は、次のものについて適用されなくなる。(a)源泉徴収される租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に租税を課される額 (b)源泉徴収されない所得に対する租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の所得 - 財務省

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

The field effect transistor comprises a source region and a drain region, a channel layer extending between the source region and the drain region comprising an organic semiconductor material, an electric insulating layer comprising an organic/inorganic mixed material arranged adjacently to the channel layer, and a gate region adjacent to the opposite side of the channel layer of the electric insulating layer.例文帳に追加

本発明はソース領域およびドレーン領域と、有機半導体材料からなる前記ソース領域と前記ドレーン領域の間を延びるチャネル層と、前記チャネル層に隣接するように配備された有機／無機混成材料からなる電気絶縁層と、ゲート領域が前記電気絶縁体層の前記チャネル層と反対側に隣接するように配備された電界効果トランジスタである。 - 特許庁

The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.例文帳に追加

バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor wherein a noise superposed on a power source voltage is avoided from affecting the signal level of an output signal line which is read with a horizontal scanning circuit, resulting in improved resistance against the noise superposed on the power source voltage, thereby suppressing degradation in picture quality such as appearance of horizontal streaks on an imaged screen under the effect of the noise.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、電源電圧に重畳されているノイズの影響が、水平走査回路により読み取られた出力信号線の信号レベルに及ぶのを回避することができ、これにより、電源電圧に重畳されたノイズに対する耐性を高め、引いては、このようなノイズによる影響で、撮像画面などに横筋が現れるといった画質の劣化を改善する。 - 特許庁

The module 20 is provided with: a light source system 24 emitting light having two or more output peak wavelengths different from each other; and a non-linear medium body 26 having an input port 34 and an output port 36 and exerting a non-linear effect on light from the light source system 24 inputted from the input port 34 and outputting the light as the excitation light from the output port 36.例文帳に追加

このモジュール２０は、互いに異なる２以上の出力ピーク波長を有する光を出射する光源システム２４と、入力ポート３４と出力ポート３６とを有し、入力ポート３４から入力された光源システム２４からの光に非線形効果を及ぼして、出力ポート３６から励起光として出力する非線形媒質体２６と、を備える。 - 特許庁

The base bias circuit 1 acts nearly like a constant voltage source, is configured such that its generating base bias voltage is not susceptible to the effect of a power supply voltage and an ambient temperature, and has a function of controlling the base bias voltage in response to an external control signal.例文帳に追加

ベースバイアス回路１は、定電圧源に近い動作をし、かつ発生するベースバイアス電圧が電源電圧や環境温度の影響を受けない構成となっており、かつベースバイアス電圧を外部からのコントロール信号に応じて制御する機能を有している。 - 特許庁

To provide a power controller capable of transmitting and receiving electric power between an electricity-storing device mounted on a vehicle and an electric load or power source outside the vehicle and miniaturizing a filter while having sufficient noise-suppressing effect, and to provide a vehicle equipped with the controller.例文帳に追加

車両に搭載された蓄電装置と車両外部の電気負荷または電源との間で電力を授受可能であって、十分なノイズ抑制効果を有しつつフィルタを小型化可能な電力制御装置およびそれを備えた車両を提供する。 - 特許庁

In the p-channel power MIS field effect transistor formed on a silicon surface having a substantially (110) plane, a withstand voltage between a gate and a source is set to 10V or more, and a silicon surface is flattened or a gate insulating film containing Kr, Ar or Xe is used.例文帳に追加

実質的に（１１０）面を有するシリコン表面に形成されたＰチャネルパワーＭＩＳ電界効果トランジスタにおいて、ゲート、ソース間耐電圧を１０Ｖ以上とし、かつシリコン表面を平坦化するか、Ｋｒ、ＡｒまたはＸｅを含むゲート絶縁膜を用いる。 - 特許庁