「source effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the field-effect transistors has a gate trench formed in a second region of the semiconductor substrate 10, gate insulating films formed on the bottom face and side faces of the gate trench, a gate electrode that touches the insulating-film liner 18a and the gate insulating film formed in the gate trench, and source and drain regions formed in the semiconductor substrate 10 and adjacent to the gate electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板１０の第２部位内に形成されたゲートトレンチと、ゲートトレンチの底面上及び側面上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲートトレンチ内に形成され絶縁膜ライナー１８ａ及びゲート絶縁膜と接触するゲート電極と、半導体基板１０内に形成されゲート電極と隣接するソース／ドレイン領域とを有する。 - 特許庁

Since a lighting system can be located in the dome-shaped bore part of the cover body 92 in the state the cover body 92 is largely opened, the cover body can function as the shade to the lighting system and guide the light of a light source on the reverse side of the housing body to the front to show an indirect lighting effect.例文帳に追加

収納本体９１の裏面側に位置するように照明装置を設けると、カバー体９２を大きく開いた状態で、当該カバー体９２のドーム状の内径部に照明装置を位置させることができるから、照明装置に対する笠の機能を果たし、収納本体の裏面側の光源の光を前方に誘導して間接照明効果を果たすことができる。 - 特許庁

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

In the optical integrated element, fundamentally, a light source comprising a wavelength-changeable laser 1 and a wavelength-fixable laser 2, a semiconductor optical amplifier 5 which performs four light wave mixing to light from two semiconductor lasers 1 and 2 by using a nonlinear effect to generate a frequency comb, and a semiconductor optical detector 6 to which the light from the two semiconductor lasers 1 and 2 is input are integrated.例文帳に追加

波長可変レーザ１及び波長固定レーザ２からなる光源と、２つの半導体レーザ１及び２からの光を非線形効果に依る四光波混合を行って周波数コムを生成する半導体光増幅器５と、２つの半導体レーザ１及び２からの光が入力される半導体光検出器６とが集積化されてなることが基本になっている。 - 特許庁

This fixed light for the curved roads of an automobile is provided with at least two light sources, a means E responding to the road to supply a signal based on characteristics of the road where an automobile travels and a means U for controlling successive switching on a light source based on the supplied signal and generating a beam having a sweep effect toward inside of the curved road.例文帳に追加

自動車のカーブ路用の固定ライトは、少なくとも２つの光源と、自動車が走行する道路の特性に基づいた信号を供給するために、道路に反応する手段Ｅと、供給された信号に基づいて、光源を連続してオンさせるように制御し、カーブ路の内側へ向かって掃引効果を有するビームを発生させる手段Ｕとを備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing a photocatalyst capable of reacting with visible light and exhibiting effect in a site or an apparatus such as an indoor space, an interior of a tunnel and a deodorizing section of an air cleaner using an artificial light source with a low ultraviolet density and not permitting sunlight to enter, and a method of removing contaminants by using the catalyst thus obtained.例文帳に追加

可視光下でも反応し、室内、トンネル内、空気清浄機内の脱臭部など、太陽光が当たらず、紫外線分が少ない人工光源を使用する場所や装置内でも効果を発揮し、かつ、高価な装置や原料を用いず安価に製造でき、経済性に優れた光触媒を製造する方法、および、得られた光触媒を用いての汚染物質を分解する方法の提供。 - 特許庁

By moving a material A coated with an ultraviolet setting resin composition to the prescribed direction and irradiating the material A with ultraviolet ray flash likely from the whole direction surrounding the moving passage, the distance between a material A and a light source 30 is set to be short without necessitating to consider the effect of heat on the material A and the working is carried out in a small space.例文帳に追加

紫外線硬化性樹脂組成物を塗布された物体Ａを所定の方向に移動させながら、その移動経路を取り囲む全方向から閃光的に紫外線照射を行うことにより、物体Ａに対して熱の影響を考慮する必要がなく、物体Ａと光源３０との距離を短く設定することができ、小さなスペースで加工を行うことができる。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

The heterojunction field effect transistor comprises a nitride semiconductor layer including a barrier layer 4 and a cap layer 5 formed thereon, a gate electrode 10 provided on the nitride semiconductor layer so that the lower part is buried therein, and a drain electrode 8 and a source electrode 9 provided, respectively, on both sides of the gate electrode 10 with a space between one other.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合電界効果型トランジスタは、バリア層４及びバリア層４上に形成されたキャップ層５を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして窒化物半導体層上に設けられたゲート電極１０と、ゲート電極１０の両側に離間して夫々設けられたドレイン電極８及びソース電極９とを備える。 - 特許庁

To provide a deterioration detector of a lubricant capable of stably estimating the deterioration state of the lubricant without receiving the effect of the thickness or light transmittance of the lubricant being a measuring target while enhancing the degree of freedom of arrangement without fixing the interval between a light source and a light detecting element, and a bearing with a detector equipped with the deterioration detector of the lubricant.例文帳に追加

光源と受光検出素子の間隔が固定されず、配置の自由度を高くしつつ、被測定物である潤滑剤の厚さや光透過率の影響を受けずに潤滑剤の劣化状態を安定して推定することのできる潤滑剤劣化検出装置、およびその潤滑剤劣化検出装置を備えた検出装置付き軸受を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

During the STR mode, running-away of a sub CPU is detected, recovery from running-away is performed and information for high-speed engine initiation for judging whether correction operation of an optical system is required is stored in a nonvolatile memory, thereby avoiding a sensor power source from being constantly turned on during the STR mode, so that reduction in energy saving effect during the STR mode can be prevented.例文帳に追加

ＳＴＲモード中に、サブＣＰＵの暴走を検知し、暴走からの復帰を行い、光学系の補正動作が必要か否かを判断するためのエンジン高速起動用情報を不揮発性メモリに格納させることにより、ＳＴＲモード時のセンサー電源が常にＯＮ状態になることを回避するので、ＳＴＲモード中の省エネ効果低減を防止することができる。 - 特許庁

Next, a high frequency electric power is fed to working electrodes 3 and 4 from a high frequency power source 5 to generate plasma, charged particles in a reaction gas present in the plasma are allowed to collide against the surface of the work 1 by self-bias effect, and the surface of the work 1 is subjected to physico-chemical surface treatment by the chemical reaction between the radical and the work 1.例文帳に追加

次に、加工電極３、４に対して高周波電源５より高周波電力の供給を行ってプラズマが発生させ、自己バイアス効果により、プラズマ中に存在する反応ガス中の荷電粒子を被加工物１の表面に衝突させ、また、ラジカルと被加工物１表面との化学反応により、被加工物１表面に物理化学的な表面加工を行う。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging unit capable of obtaining a pixel signal with excellent linearity without narrowing a dynamic range of a circuit for processing signals outputted from pixels even when the threshold voltage Vth of an amplifier transistor is varied due to variations in an output voltage (source voltage) caused by a substrate bias effect of each amplifier transistor of each pixel and to provide the drive method of the solid-state imaging unit.例文帳に追加

画素から出力される信号を直接Ａ−Ｄ変換回路に入力すると、画素の増幅トランジスタの基板バイアス効果により、出力電圧（ソース電圧）の変動によって増幅トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈも変動し、結果として、Ａ−Ｄ変換回路に入力される画素信号のダイナミックレンジが狭くなり、且つ、リニアリティが悪くなってしまう。 - 特許庁

The system has a field measuring section 33 for measuring the field by utilizing the electrooptic conversion effect, a laser source 30 for exciting a laser beam to be projected into the section 33, and a laser beam path 40 arranged on both sides of the section 33 for enabling the laser beam to travel back and forth several times in the section 33 without experiencing interference.例文帳に追加

帯電電界を電気光学変換効果を用いて測定する電界計測部３３と、電界計測部３３に入射させるためのレーザ光を発振するレーザ源３０と、電界計測部３３の両側に設けられ、レーザ光を電界計測部３３部分にて干渉させずに複数回往復させるためのレーザ光往復手段４０とを備えている。 - 特許庁

Voltage drop Vdc generated between the two ends of field-effect transistors Tr11 and Tr12 interposed in series in the charging/discharging path of the secondary battery B11 and controlling the charging and discharging is measured with a differential amplifier 13, and the case temperature Tc of each transistor is measured with a temperature sensor 21, and the drain-source potential difference Vgs of the transistor is detected.例文帳に追加

二次電池Ｂ１１の充放電路に直列に介挿されて、その充放電を制御する電界効果トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２の両端間に発生する電圧降下Ｖｄｃを差動増幅器１３を用いて測定すると共に、各トランジスタのケース温度Ｔｃを温度センサ２１で測定し、更にトランジスタのドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓを検出する。 - 特許庁

When a TFT array substrate is irradiated only once with laser light having a wavelength of 0-355 nm, a pulse width of 5-200 nsec and an energy in the range of 0.16-0.6 mJ/mm^2, only the pixel electrode 5 can be cut off selectively without having any effect on the underlying gate line 1, source line 3, TFT 6 and common capacitive line 2.例文帳に追加

また、波長が０を超え３５５ｎｍ以下、パルス幅が５〜２００ｎｓｅｃ、エネルギーが０．１６〜０．６ｍＪ／ｍｍ^2の範囲であるレーザー光を１回のみ照射するようにすると、画素電極５の下に存在するゲート配線１、ソース配線３、ＴＦＴ６および共通容量配線２に影響を与えることなく、画素電極５のみを選択的に切断しやすい。 - 特許庁

A field-effect transistor 10 includes a source 18s and a drain 18d formed in a surface region of a semiconductor active layer 13 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 15 formed on the semiconductor active layer 13 through a gate oxide film 14, and a passivation film 20 formed on the semiconductor active layer 13 between the gate electrode 15 and the drain 18d.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１３の表面領域に形成されたソース１８ｓ及びドレイン１８ｄと、半導体活性層１３上にゲート酸化膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン１８ｄの間の半導体活性層１３上に形成されたパッシべーション膜２０とを備える。 - 特許庁

A luminous flux emitted from a second semiconductor laser 201 is converted into diverging luminous flux in entering the objective lenses (111, 112) by the diffraction effect of a diffraction element 108 based on a light source wavelength difference even while it is sent through the same optical path of the luminous flux emitted from the first semiconductor laser 101, and thus there is an advantage of easily correcting spherical aberration.例文帳に追加

一方、第２半導体レーザ２０１から出射された光束は、第１半導体レーザ１０１から出射された光束と同じ光路をたどりながらも、光源波長差に基づく回折素子１０８の回折効果により、対物レンズ（１１１，１１２）に入射する際には発散光束とでき、それにより球面収差補正をしやすいという利点がある。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of surely preventing the damage of a device easily affected by thermal effect in the image forming apparatus by changing a power for driving a heat discharging apparatus in accordance with a temperature difference between a temperature inside the device including a heat source in the image forming apparatus body and the outside temperature of the image forming apparatus.例文帳に追加

画像形成装置の機内における熱源を有する装置の機内温度と画像形成装置の機外温度との温度差に応じて排熱装置を駆動する電力を変化させることで、熱源を有する装置で発生する熱による画像形成装置の機内において熱の影響を受けやすい装置の損傷等を確実に防止することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The laser light source includes distribution feedback-type semiconductor laser having a wavelength twice the wavelength of a single absorption line selected from among the oxygen absorption rays existing at a wavelength 759 nm to 768 nm, an optical waveguide having a secondary nonlinear optical effect and a polarization maintaining fiber connecting the output of the distribution feedback-type semiconductor laser and one end of the optical waveguide.例文帳に追加

レーザ光源は、波長７５９ｎｍから７６８ｎｍに存在する酸素吸収線の中から選択された１つの吸収線の波長の２倍の波長を有するレーザ光を発振する分布帰還型半導体レーザと、二次非線形光学効果を有する光導波路と、分布帰還型半導体レーザの出力と光導波路の一端とを接続する偏波保持ファイバとを備えた。 - 特許庁

The method for producing ethanol comprises the following process: Lignocellulosic biomass is delignified by alkali digestion technique, saccharifying enzyme-productive bacteria are cultured with the resultant biomass as a carbon source to produce an enzyme suitable to saccharifying the lignocellulosic biomass, and a cultured liquid containing the resultant saccharifying enzyme and ethanol-fermentative bacteria are added to the alkali-digested lignocellulosic biomass to effect fermentation.例文帳に追加

リグノセルロース系バイオマスをアルカリ蒸解法で脱リグニンし、アルカリ蒸解したリグノセルロース系バイオマスを炭素源として糖化酵素生産菌を培養し、リグノセルロース系バイオマスの糖化に適した酵素を生産させ、得られた糖化酵素を含有する培養液とエタノール発酵菌をアルカリ蒸解したリグノセルロース系バイオマスに添加して発酵させることを特徴とするエタノールの製造方法。 - 特許庁

In the field-effect silicon-carbide semiconductor device provided with a metal/semiconductor contact formed on one major surface of the silicon carbide substrate 1, contact electrodes contacted with at least one of a gate contact 16 and a source contact 14 or a drain contact 15 are made of an identical material (e.g., Ti, Mo or Ni), and are formed concurrently in the same step.例文帳に追加

炭化珪素基板１の一主面に形成した金属−半導体接触を具有する電界効果型の炭化珪素半導体装置であって、ゲート接触１６と、ソース接触１４またはドレイン接触１５の少なくとも一方の接触の接触電極が同一材料（例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｎｉ）であり、かつ同一工程で並行して形成された接触電極である炭化珪素半導体装置。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a nitride semiconductor laminate 102 formed on a substrate 101; a source electrode 105; a drain electrode 106; a gate electrode 107; an insulator film 110 formed on the nitride semiconductor laminate 102; and a field plate 115 formed over the insulator film 110 in contact therewith and having an end located between the drain and gate electrodes 106 and 107.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１０１の上に形成された窒化物半導体積層体１０２と、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びゲート電極１０７と、窒化物半導体積層体１０２の上に形成された絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０の上に接して形成され、端部がゲート電極１０７とドレイン電極１０６との間に位置するフィールドプレート１１５とを備えている。 - 特許庁

The confocal scanning microscope 1 produces a confocal effect by a line slit member 5a arranged in a position optically conjugate to the focal position on the side of the sample 12 of the objective optical system 6, between the light source part 2 and the objective optical system 6 and intercepts the self-fluorescence by a line slit member 15a arranged in a position optically conjugate to the line slit member 5a in the imaging optical system 13.例文帳に追加

共焦点走査型顕微鏡１は、光源部２と対物光学系６の間で、且つ、対物光学系６の試料１２側の焦点位置と光学的に共役な位置に配置されたラインスリット部材５ａにより共焦点効果を生じさせ、撮像光学系１３内でラインスリット部材５ａと光学的に共役な位置に配置されたラインスリット部材１５ａにより自家蛍光を遮断する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element is provided with electric contacts provided at the outside of a pair of grooves on the surface of an upper electrode layer to effect electric connection with an external source, and a thickness from the surface of the upper electrode layer at the electric contacts to the nitride semiconductor growth layer is thicker than that from the upper electrode layer immediately above a ridge to the nitride semiconductor growth layer.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、上部電極層表面の一対の溝より外側に設けられた外部との電気的な接続を行うための電気的接続点を有し、電気的接続点における上部電極層の表面から窒化物半導体成長層までの厚さが、リッジ部直上おける上部電極層から窒化物半導体成長層までの厚さよりも、厚いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an evaporation source, vapor deposition system, and vapor deposition method capable of uniformly promoting melting of a material for vapor deposition even if the material is an organic material and of efficiently forming uniform and good-quality vapor deposited films containing fewer impurities by averting damaging the organic material and by enhancing the effect of heat transfer thereof.例文帳に追加

蒸着材料が有機材料であっても、有機材料に熱ダメージを与えることなく、しかも伝熱効果を高めて、蒸発材料の溶融を均一に促進させることができ、均一で不純物の少ない良質な蒸着膜を効率よく形成することができ、しかも、大型基板にも同様に対応できる蒸発源、蒸着装置および蒸着方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Because of using a biomass carbide having physical properties close to those of cokes as the auxiliary fuel or the carburizing material, this steelmaking method can melt and refine the cold iron source without giving any harmful effect to an operation of the arc furnace, simultaneously greatly reduce an amount of the auxiliary fuel used or the carburizing material formed from a fossil fuel such as coke, and consequently greatly reduce the amount of greenhouse-gas emissions.例文帳に追加

その物性がコークスの物性に近いバイオマス炭化物を補助燃料または加炭材として使用するので、アーク炉の操業に何ら悪影響を及ぼすことなく、冷鉄源の溶解及び精錬が可能となるとともに、コークスなどの化石燃料からなる補助燃料または加炭材の使用量を大幅に減少することができ、温室効果ガス排出量の大幅な削減が達成される。 - 特許庁

The field effect transistor includes a semiconductor structure including a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 4 in heterojunction with the first semiconductor layer 6, a source electrode 8, a drain electrode 10, a gate electrode 9, each formed on the first semiconductor layer 6, and a protective film 11 including at least a metal-doped fullerene formed on the first semiconductor layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、第１の半導体層６と当該第１の半導体層６とヘテロ接合した第２の半導体層４とを含む半導体構造と、第１の半導体層６上に形成されたソース電極８、ドレイン電極１０、及びゲート電極９と、第１の半導体層６上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜１１と、を有する。 - 特許庁

A diode D0 where an anode is connected to a power source voltage VDD, a resistor R0 connected in series to the cathode of the diode D0, a depletion field-effect transistor Q1 connected in series between the resistor R0 and a ground voltage GND, and a bias voltage take-out terminal T provided between the cathode of the diode D0 and the resistor R0, are provided.例文帳に追加

本バイアス電圧発生回路は、アノードが電源電圧ＶＤＤに接続されているダイオードＤ０と、ダイオードＤ０のカソードに直列に接続されている抵抗Ｒ０と、抵抗Ｒ０と接地電圧ＧＮＤとの間に直列に接続されているデプリーション型電界効果トランジスタＱ１と、ダイオードＤ０のカソードと抵抗Ｒ０との間に配置されたバイアス電圧取り出し端子Ｔと、からなる。 - 特許庁

In this LED light source module structure wherein a silicon submount mounting the LED chip is directly arranged on a base metal of a metal wiring substrate to realize a mounting structure with low thermal resistance, the LED chip, the silicon submount and the metal wiring substrate are arranged as prescribed for effectively diffusing the heat generated by the LED chip to a metal wiring substrate side to realize high heat dissipation effect.例文帳に追加

熱抵抗の低い実装構造を実現するため、ＬＥＤチップを搭載したシリコン製サブマウントを金属配線基板のベース金属上に直接配置したＬＥＤ光源モジュール構造において、ＬＥＤチップ、シリコン製サブマウント、金属配線基板を所定の配置とすることにより、ＬＥＤチップからの発熱を金属配線基板側へ有効に拡散させ、高い放熱効果を与えることを特徴としている。 - 特許庁

A film obtained from the composition is useful as a hole injection layer in organic electronic devices, including electroluminescent devices such as, for example, organic light-emitting diode (OLED) displays, as a hole extraction layer in organic optoelectronics devices such organic photovoltaic devices, and in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.例文帳に追加

本発明の組成物から得られる膜は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等のエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機エレクトロニクスデバイスにおける正孔注入層として、有機光電デバイス等の有機オプトエレクトロニクスデバイスにおける正孔引抜き層として、金属ナノワイヤーまたはカーボンナノチューブと組み合わせて薄膜電界効果トランジスタにおけるドレイン、ソースまたはゲート電極等の用途に有用である。 - 特許庁

To enhance the cooling effect of a printed circuit board unit for noise prevention, sufficiently insulate an electric high-voltage part and low-voltage part, and make power-source noise preventing performance of the printed circuit board unit for noise prevention less liable to be adversely affected by useless electromagnetic wave emitted from a printed circuit board unit for high-frequency power generation.例文帳に追加

本発明は高周波加熱装置に関するもので、電源雑音防止用印刷回路基板ユニットの冷却効果を上げること，電気的高圧部と低圧部と充分な絶縁をすること，高周波電源発生用印刷回路基板ユニットより放射される不要電磁波で電源雑音防止用印刷回路基板ユニットの電源雑音防止性能が悪影響を受けにくくすることを課題とする。 - 特許庁

Later the Imperial government came up with the reform ideas of stopping a part of the nenryo betsuno sokoku and transfering it to fudokoku; however, there was no effect; in 964 a new rule, Shini Fudokokusei was introduced, determining that the source of fudokoku should be a new tax substituting rice field tax, but the central government left the execution and management of this new rule to the officials in provinces; therefore, it seems to have come to an end before anything was done there. 例文帳に追加

その後も年料別納租穀の一部停止と不動穀への転用などの再建策が出されたが効果は無く、康保元年（964年）には令制国に対して不動穀の財源を田租に代わる税より賄うとする新委不動穀制（しんいふどうこくせい）が導入されるが、その実施と管理を令制国側に一任したために、現地ではほとんど実施されずに終わったとみられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the sense amplifier circuit including a latch circuit formed by connecting two inverters, and two transistors for precharge inserted between a bit line and each output node of the latch circuit to perform precharge operation in response to a sense amplifier activation signal, precharge operation is accelerated by applying predetermined voltage between a substrate and a source of each transistor for precharge, using a substrate bias effect of the transistor and lowering threshold voltage.例文帳に追加

２個のインバータを接続してなるラッチ回路と、ビット線とラッチ回路の各出力ノードとの間に挿入されセンスアンプ活性化信号に応答してプリチャージ動作する２個のプリチャージ用トランジスタとを備えたセンスアンプ回路において、各プリチャージ用トランジスタの基板−ソース間に所定の電圧を印加してトランジスタの基板バイアス効果を利用してしきい値電圧を低下させることによって、プリチャージ動作を高速化する。 - 特許庁

When an occupying print request is received from each data processor, a CPU 2 sets the state of a printer 18 to an occupied printer state, subsequently rejects a processing request for a print job from other data processors until the processing of a print job from the data processor of a registering source is finished or until a set occupied period passes and notifies the other data processors of the effect.例文帳に追加

各データ処理装置からの占有印刷要求を受信した場合に、プリンタ１８の状態をＣＰＵ２が占有印刷装置状態に設定し、以後、登録元のデータ処理装置からの印刷ジョブの処理が終了するまで、あるいは設定された占有期間が経過するまで、他のデータ処理装置からの印刷ジョブの処理要求を拒否してその旨を通知する構成を特徴とする。 - 特許庁

The field effect transistor includes a gate electrode film 14, the plurality of semiconductor nanowires 11 disposed so as to pass through the gate electrode film 14, a source electrode film 12 formed so as to be in contact with one end of each of the semiconductor nanowires 11 to connect them, and a drain electrode film 13 formed so as to be in contact with the other end of each of the semiconductor nanowires to connect them.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極膜１４と、ゲート電極膜１４を貫通するように配置された複数の半導体ナノワイヤ１１と、半導体ナノワイヤ１１のそれぞれの一端に接触してそれらを接続するように形成されたソース電極膜１２と、半導体ナノワイヤのそれぞれの他端に接触してそれらを接続するように形成されたドレイン電極膜１３とを含む。 - 特許庁

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

A compiler for compiling a source program to an execution program generates a name reference and solution calling instruction for calling a name solution procedure for solving a name which can be solved only at the time of program execution and an instruction without any side effect having name identification information for identifying the name which can be solved only at the time of program execution and the number of a target register for storing a solved name.例文帳に追加

本発明は、ソースプログラムを実行プログラムにコンパイルするコンパイラにおいて、プログラム実行時にしか解決することのできない名前を解決するための名前解決手続きを呼び出す名前参照解決呼び出し命令と、プログラム実行時にしか解決することのできない名前を識別するための名前識別情報及び解決した名前をストアするための目的レジスタの番号を有する副作用のない命令とを生成する。 - 特許庁

To provide an alarm unit and system that analyzes a transmission state of a radio wave from a mobile wireless unit, timely, properly, directly and substantially gives a warning according to a transmission state of a user of a transmission source so as to enhance the alarming effect on the user to urge voluntary restraint of use by the user.例文帳に追加

従来の警報装置は、位置登録状態は検出しないので、電源を切っていない利用者に警告することができないという問題点があったが、本発明は、携帯無線機からの電波の発信状態を分析し、発信源の使用者に対し、タイムリーに適切な、また直接的、実質的な発信状態に応じた警告を与え、使用自粛を促す警報効果を強化できる警告装置及び警告システムを提供するを提供する。 - 特許庁

In such event, the Convention shall cease to have effect: a) in the case of Japan: (i) with respect to taxes withheld at source, for amounts taxable on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; (ii) with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and (iii) with respect to other taxes, as regards taxes for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and b) in the case of the Netherlands: (i) with respect to taxes withheld at source, for amounts taxable on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; (ii) with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year and period beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and (iii) with respect to other taxes, as regards taxes for any taxable year and period beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given.例文帳に追加

この場合には、この条約は、次のものにつき効力を失う。(a)日本国については、(i)源泉徴収される租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に租税を課される額(ii)源泉徴収されない所得に対する租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の所得(iii)その他の租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の租税(b)オランダについては、(i)源泉徴収される租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に租税を課される額(ii)源泉徴収されない所得に対する租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度及び課税期間の所得(iii)その他の租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度及び課税期間の租税 - 財務省

We welcomed the commitment made by Ministers at the APEC Oceans-Related Ministerial Meeting in October in Paracas, Peru, to focus efforts on sustainably developing and conserving the marine environment, promoting free and open trade and investment in sustainably managed fisheries and aquaculture, addressing the adverse effect of climate change on oceans, and taking steps to ensure that fisheries and aquaculture will continue to be a secure source of food.例文帳に追加

我々は，１０月にペルーのパラカスで開催されたＡＰＥＣ海洋関連大臣会合において，海洋環境の持続可能な形での開発及び保全，持続可能な形で管理された水産業並びに水産養殖業の自由で開かれた貿易及び投資の促進，気候変動が海洋に与える悪影響への対応，並びに水産業及び水産養殖業が安全な食料源であり続けることを確保するための措置への取組に焦点を当てるとの閣僚のコミットメントを歓迎した。 - 経済産業省