「source structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.例文帳に追加

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁

A semiconductor has a transistor in longitudinal trench gate structure having a high-density drain area, a low-density drain area, a channel area, and a source area formed one after another; and the bottom of a gate conductor layer is positioned in a boiled-up layer formed by diffusing impurities from the high-density drain area to the adjacent low-density drain area.例文帳に追加

高濃度ドレイン領域、低濃度ドレイン領域、チャネル領域、ソース領域が順次形成された縦型のトレンチゲート構造のトランジスタを有する半導体装置であって、前記高濃度ドレイン領域から隣接する低濃度ドレイン領域に不純物が拡散して形成される沸き上がり層にゲート導体層の底部を位置させる。 - 特許庁

A reaction vessel for performing vapor deposition in a vacuum state comprises an outer wall at normal temperature to keep the vacuum and a heated inner wall 10 which surrounds a vaporizing source, and in a partition structure, the inner wall 10 is integrally guided in the vicinity of a vapor deposition surface, and a heated seal part 23 is formed inside the inner wall 10.例文帳に追加

真空状態で蒸着を行う反応容器において、真空を保持する常温の外壁９と蒸発源を包みかつ加熱された内壁１０とで構成されており、その内壁１０を蒸着面近傍まで一体で案内し、かつ内壁１０の内部に加熱されたシール部２３を作成した仕切り構造である。 - 特許庁

A resistive element of the first inverter includes a first high leakage current structure such that a leakage current density generated when a reverse direction bias is applied to a drain of the first transfer transistor and the first well is greater than the leakage current density generated when the reverse direction bias of the same voltage is applied to a source of the first transfer transistor and to the first well.例文帳に追加

第１のインバータの抵抗素子は、第１の転送トランジスタのドレインと第１のウェルとに逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度が、第１の転送トランジスタのソースと第１のウェルとに同一電圧の逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度よりも大きくなるような第１の高リーク電流構造を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, there are an n-type IGBT 102 and an n-type MOSFET 104 that are parallel each other in the same breakdown voltage structure in semiconductor substrates 110, 112, and the drain-source breakdown voltage of the MOSFET 104 should be smaller than the collector-emitter breakdown voltage of the IGBT 102.例文帳に追加

半導体基体１１０，１１２における同一耐圧構造内に、互いに並列の関係にあるｎ型のＩＧＢＴ１０２と、ｎ型のＭＯＳＦＥＴ１０４とを有する半導体装置であって、ＭＯＳＦＥＴ１０４のドレイン・ソース降伏電圧は、ＩＧＢＴ１０２のコレクタ・エミッタ降伏電圧より小さいことを特徴とする半導体装置１００。 - 特許庁

The rotary tool includes: a motor 2 as a rotary driving source; a torque application structure for applying torque generated by rotation of the motor to an output shaft 7; a sensor 10 for measuring the torque applied to the output shaft; and a controller C for stopping the torque application to the output shaft when the torque measured by the sensor reaches a set target torque.例文帳に追加

回転駆動源としてのモータ２と、モータ回転で発生させたトルクを出力軸７に加えるトルク印加手段と、上記出力軸に加わるトルクを測定するセンサ１０と、該センサにより測定されたトルクが設定された目標トルクに達した時に上記出力軸へのトルク印加を停止させる制御手段Ｃとを備える。 - 特許庁

To provide a power circuit with a standby function, capable of reducing standby power for power saving during standby by covering a light load during standby to a load during the operation of an electrical apparatus with a single power transformer for a commercial power source, and attaining a simple circuit structure and noise reduction.例文帳に追加

本発明の目的は商用電源に単一の電源トランスを用いて、待機時の軽荷から電気機器動作時の負荷までをカバーし、スタンバイ電力の低減を図ることによりスタンバイ時の省電力化を可能にし、かつ簡単な回路構成とノイズの低減を実現したスタンバイ機能を備えた電源回路を提供することにある。 - 特許庁

In an acoustic model experiment system, the 1/50 to 1/10 scale model of a structure demanding a severe acoustic property such as a hall or a music room to be constructed and a loudspeaker for an acoustic model experiment described in the claim 1 having a frequency equivalent to the reduction scale installed at a sound source position on the inner side of the scale model are combined.例文帳に追加

この発明は、建設すべきホール又は音楽室などの、音響性状に厳しい建造物の１／５０〜１／１０縮尺模型と、その内側の音源位置に、前記縮尺に相当する周波数とした請求項１記載の音響模型実験用スピーカとを組み合わせたことを特徴とする音響模型実験システムにより目的を達成した。 - 特許庁

The fixing leg protection structure for the heat source unit includes an outdoor unit 11 having a fork insertion hole 13g into which a fork of a forklift is inserted on the fixing leg 13a arranged on a bottom of an outdoor unit body 12, and a protection member 14 made of elastic resin and detachably attached to a lower flange 14b of the fixing leg 13a and protecting the fixing leg.例文帳に追加

室外機本体１２の底部に配設された固定脚１３ａに、フォークリフトのフォークが挿入されるフォーク挿入孔１３ｇを形成した室外機１１と、固定脚１３ａである下フランジ１４ｂに着脱可能に装着されてこの固定脚を保護する弾性を有する樹脂製の保護部材１４と、を具備している。 - 特許庁

It was described in the preceding section how SMEs are responding to changes in economic structure through business innovation. These diverse and dynamic activities of SMEs are the "source of economic dynamism" of the Japanese economy, and policies to encourage business innovation activities by SMEs are considered a top priority.例文帳に追加

前項で述べたように、経営革新を行うことにより経済構造の変化に対応する中小企業の姿がみられたのであるが、こうした中小企業の多様で活力ある活動は我が国の「経済のダイナミズムの源泉」であり、政策的にも中小企業の経営革新活動を促進することが最も重要な位置付けとなっている。 - 経済産業省

In other words, Japan’s income surplus has expanded on a “single-track” structure, whereby the current account surplus leads to an increase in net external assets, which leads, in turn, to an income surplus expansion. On the other hand, in the UK and the US, the source of income balance is the “dual-track” structure where they have expanded both internal and external investments and profited from the difference between the return rate on external assets and return rate on external debts, thereby maintained income surplus (flow) even though net external assets (stock) have been on the decline.例文帳に追加

すなわち、我が国は「経常収支黒字→対外純資産増加→所得収支拡大」という「単線的」構造によって所得収支を拡大してきたのに対し、英国、米国については対外純資産（ストック）は減少しているものの、対内投資と対外投資の双方を拡大しつつ、対外資産収益率と対外負債収益率の格差を収益源とし、所得収支（フロー）の黒字を継続させてきたのであり、「複線的」構造によって所得収支を獲得しているといえる。 - 経済産業省

A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 - 特許庁

To provide a light source which comprises a discharge lamp and a concave reflector, and reflects light irradiated from the discharge lamp to the front side of the reflector to the rear part, and again returns to a front focal point of the reflector, and which has a structure in which the reflection light from the front part is not attenuated or scattered by passing through an arc tube.例文帳に追加

放電ランプと凹面反射鏡とからなり、該反射鏡の前面側に放電ランプ放射から放射された光を後方に反射して、これを再度反射鏡の前方焦点に戻すようにした光源装置において、前方からの反射光が発光管を通過することによって減衰されたり、発散されたりすることのないようにした構造を提供することである。 - 特許庁

To provide a damping device mounting structure for a ship capable of sufficiently suppressing vibration at a stage of a ship bottom plate adjacent to a propeller which is an exciting source in regard to vibration excited by rotation of the propeller, and positively reducing vibration within a wide frequency range by a small installation space in a portion requiring sufficient suppression of the vibration and noises such as a living quarter.例文帳に追加

プロペラの回転を起振力とする振動に対して起振源であるプロペラに近接する船底板の段階において振動を充分に抑制可能として、居住区等の振動や騒音の充分な抑制を要する箇所において、少ない設置スペースで以って広範囲の周波数範囲での振動を確実に低減し得る船舶の制振装置取付構造を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.例文帳に追加

１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁

The lighting tool for a vehicle with at least one light source arranged inside provided with a lamp room having an opening for light emission is so structured that a lamp cover consisting of a transparent cover main body and a polarizing film set on an inner surface of the cover main body and equipped with a microscopic concavo-convex structure is fitted at the opening for light emission of the lamp room.例文帳に追加

内部に少なくとも１灯の光源が配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えた車両用灯具において、ランプ室の光出射用開口に、透明なカバー本体とそのカバー本体の内面に設けられた表面に微細な凹凸構造を備えた偏光フィルムとからなるランプカバーが取り付けられているように構成する。 - 特許庁

A first switching element 1 of a longitudinal MOSFET including wide-band gap semiconductor wafers 11, 21 each being composed of a silicon carbide, source electrodes 15, 25 and gate electrodes 17, 27 provided on the principal surface side of each wafer and drain electrodes 18, 28 provided on the rear surface of each wafer, and a second switching element 2 of the identical structure are constituted, by mutually overlapping their principal surface sides.例文帳に追加

炭化珪素からなるワイドバンドギャップ半導体基板１１、２１と、基板の主面側に設けられたソース電極１５，２５及びゲート電極１７，２７と、基板の裏面上に設けられたドレイン電極１８，２８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴの第１のスイッチング素子１と、同構造の第２のスイッチング素子２をその主面側同士を重ねて構成する。 - 特許庁

To provide a small table which enables successively connecting of top boards thereof closely when the tables are arranged side by side by providing legs in place within and right and left sides of the top boards, moreover, allows stacking thereof in layers with one across another positioned below it and further, includes a structure ideal for leading an information line or a power source line onto the top boards from thereunder.例文帳に追加

脚を天板の左右側辺からはみ出すことなく設けることにより、並べて使用する場合に天板同士を密着した形で連接させることができ、しかも下方に位置する天板を跨いだ形態での積層スタッキング可能であり、更には、天板の下から情報線，電源線を天板の上へ導出する上でも好適な構造を具備した小形のテーブルを提供すること。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

A porous separator 1 impregnated with an electrolyte solution comprising ferrous chloride, calcium chloride and water is interposed between a porous gas-exchangeable negative electrode 3 and a porous gas-exchangeable positive electrode 2, and power is supplied from an external DC power source to both the electrodes through a power collection structure to thereby transfer oxygen from the negative electrode side to the positive electrode side, the electrode sides being mutually isolated in a gas phase.例文帳に追加

多孔質のガス交換性の負極３、多孔質のガス交換性の正極２の間に、塩化第一鉄、塩化カルシウム、水を含む電解質溶液を含浸せる多孔質セパレータ１を挟み、集電構造を介して外部直流電源より両電極に給電して、互いに隔離された気相の負極側から正極側に酸素の移動を行うものである。 - 特許庁

The back light unit has an integral structure of a light guide plate for guiding illuminating light made incident from a light source, a diffusing sheet for diffusing illuminating light emitted from the light guide plate, a prism sheet for polarizing illuminating light diffused by the diffusing sheet, and a reflecting sheet for reflecting illuminating light emitted from the light guide plate toward a display surface.例文帳に追加

本発明のバックライトユニットは、光源から入射される照明光を導光する導光板と、前記導光板から出射される照明光を拡散する拡散シートと、前記拡散シートで拡散された照明光を偏光するプリズムシートと、前記導光板から射出される照明光を表示面側に反射する反射シートとを一体構造としたものである。 - 特許庁

The Al-Si aluminum alloy billet having a structure including an eutectic phase and an α-Al phase, which has been grown to be lumps after dividing the billet, is reheated up to a temperature between the eutectic temperature and the liquidus line of the Al-Si aluminum alloy by means of a ceramic infra-red heating source.例文帳に追加

共晶相と、分断して塊状に成長させたα−Ａｌ相を有する組織としたＡｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを、セラミックス赤外線加熱源により当該Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金の共晶温度から液相線の間の温度に再加熱して前記Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを半溶融状態した後に、所定の加圧成形を施す。 - 特許庁

In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more.例文帳に追加

繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a serial control system controlling a constant current generator for an electron light emission source attaining highly accurate adjustment of luminance by a simple circuit structure of a load circuit connected in series with a plurality of lights using the electronic light emission sources and attaining reduction in time for controlling a plurality of load circuits and reduction in load on the maintenance of the lights.例文帳に追加

電子発光光源を用いた複数の灯火が直列に接続されている負荷回路に対して簡単な回路構成で輝度調整の高精度化を図ると共に、複数の負荷回路に対する制御時間を短縮し、さらに、灯火の保守メンテナンス負担を軽減することができる電子発光光源用定電流発生器シリアル制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a structure in which a converging solid angle of laser light condensed and made incident in a plasma container can be enlarged in a laser-driven light source which includes the plasma container having a light-emitting medium sealed therein and condensing means for condensing the laser light in the plasma container, and generates plasma in the plasma container by the condensed laser light.例文帳に追加

発光媒体が封入されたプラズマ容器と、レーザ光を該プラズマ容器内に集光させる集光手段とを備え、該集光されたレーザ光によって前記プラズマ容器内にプラズマを生成するレーザ駆動光源において、プラズマ容器に集光入射されるレーザ光の集光立体角を大きくとることができるような構造を提供することである。 - 特許庁

The organic ferroelectric memory 100 comprises a memory cell 114 of thin film transistor structure and a thin film transistor 112 for controlling the memory cell 114, wherein the memory cell 114 is formed above the thin film transistor 112 and includes an organic semiconductor layer 140, an organic ferroelectric layer 150, a gate electrode 160, a source electrode 120, and a drain electrode 122.例文帳に追加

本発明にかかる有機強誘電体メモリ１００は、薄膜トランジスタ構造のメモリセル１１４および当該メモリセル１１４を制御する薄膜トランジスタ１１２を有し、前記メモリセル１１４は、前記薄膜トランジスタ１１２の上方に形成され、かつ、有機半導体層１４０と、有機強誘電体層１５０と、ゲート電極１６０と、ソース電極１２０と、ドレイン電極１２２とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the mask ROM formed on a semiconductor substrate 1 including at least one transistor Tp having a gate insulating film 3 having the charge accumulating function (ONO structure), a gate electrode 4a formed on the gate insulating film 3, and a source region 2 formed in the side of the gate electrode 4a in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の上に形成され、電荷蓄積機能（ＯＮＯ構造）を持つゲート絶縁膜３と該ゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４ａと、半導体基板１におけるゲート電極４ａの側方にそれぞれ形成されたソース・領域２とを有する少なくとも１つのトランジスタＴｐを含むマスクＲＯＭ部を備えている。 - 特許庁

Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20.例文帳に追加

凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus having a substantially O-shaped gantry ring including an X-ray source and a detector, in which the gantry ring can be fixed and connected to a support body or can be connected to a support structure through a ring-positioning unit which can move a gantry in parallel or incline it relative to the support body on one or a plurality of axes.例文帳に追加

Ｘ線源および検出器を有するほぼＯ字形のガントリ・リングを備える画像化装置であって、ガントリ・リングは、支持体に固定して接続することができ、あるいは、ガントリを支持体に対して１つまたは複数の軸上で並進または傾斜させることができるリング位置決めユニットを介して、支持構造体に接続することができる、画像化装置を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The structure 20 is provided with a notched part 25 having an erected surface 20a erected toward an object direction at a part on the side of the image sensor 15 and near the object, in order to prevent the light emitted from the light source 16 from being guided by the light guide type optical member 24 and received by the image sensor 15 without being reflected at the object.例文帳に追加

上記構造体２０には、撮像素子１５側でかつ被写体に近い部位に、光源１６から出射された光が被写体で反射することなく上記導光型光学部材２４によって導光されて撮像素子１５に受光されることを防止するために、被写体方向に向かって立設する立設面２０ａを有する切欠き部２５が設けられている。 - 特許庁

The problem is solved by the light guide film which includes: a light incident part in which incoming incident light from a light source is entered on the surface of the incident light side; and a light emitting part in which the incoming incident light in the light incident part is emitted to the outside, wherein a fine concave-convex structure is formed on at least one surface of the light emitting part.例文帳に追加

光源から入射される入射光を該入射光側の面で入光させる光入射部と、前記光入射部から入射された光を外部に出射する光出射部と、を有し、前記光出射部の少なくとも一つの面の表面には微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする導光フィルムにより、上記課題を達成できる。 - 特許庁

The outdoor apparatus attaching structure to an aerially supported line in which the outdoor apparatus 10 housing a communication device 11 as a source of heat generation in a resin-made case 12 is suspended and supported to messenger wire 20 by a metal-made suspension plate 30, and a heat-dissipation path for transferring heat from the communication device 11 to the suspension plate 30 is formed between the communication device 11 and the suspension plate 30.例文帳に追加

発熱源となる通信装置１１が樹脂製ケース１２に収容された屋外用機器１０を金属製吊り下げ板３０によりメッセンジャーワイヤ２０に吊り下げ支持した架空支持線への屋外用機器取付構体であって、通信装置１１と吊り下げ板３０との間に、通信装置１１から吊り下げ板３０へ熱を伝達する放熱経路を設ける。 - 特許庁

This invention discloses the display apparatus (0200) comprising: the thin type case (0210); a metal chassis (0220) which is arranged inside the thin type case and functions as a structure member; and a display board (0230) arranged on one face of the metal chassis, and comprising a lengthy rectangular light source unit (0240) arranged closely to the metal chassis.例文帳に追加

本発明は、薄型筐体（０２１０）と、薄型筐体の内部に配置されて構造部材として機能する金属シャーシ（０２２０）と、金属シャーシの一の面に配置されるディスプレイ板（０２３０）とからなるディスプレイ装置（０２００）であって、ディスプレイ板の一辺に沿わせ、かつ、前記金属シャーシに近接させて配置した長尺短冊状の光源ユニット（０２４０）を有するディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

The surface light source includes: a substrate having a plurality of divided regions; a plurality of red, green, and blue LEDs arranged on the substrate with a prescribed arrangement structure; and a plurality of LED drive sections including red, green, and blue LED drive circuits for driving the red, green, and blue LEDs, respectively.例文帳に追加

上記面光源は、複数個の分割領域を有する基板と、上記基板上に所定の配置構造で配置された複数個の赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、及び上記赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤを各々駆動するための赤色ＬＥＤ駆動回路、緑色ＬＥＤ駆動回路、 青色ＬＥＤ駆動回路を含む複数個のＬＥＤ駆動部を含む。 - 特許庁

To provide a pinball game machine and a slot machine with enhanced attraction of games by providing an attaching structure for irradiating the light from a light transmitter evenly over a wide range without changing the design such as changing a light emitting source to feed the light to the light transmitter and giving impression to a player with the optical presentation.例文帳に追加

光伝送体に光を供給する発光源を替える等の設計変更を伴うことなく、光伝送体から放射される光により広い範囲にわたって均一に照射することができる取付け構造を提案し、光演出により遊技者に印象を与えることにより遊技の興趣性が向上した弾球遊技機およびスロットマシンを提供することである。 - 特許庁

To provide a disk brake which has an electric heating circuit installed therein to have a structure to allow the electric heating circuit to generate an induction current utilizing an electromagnetic induction phenomenon, thereby enabling supply of electric power to the electric heating circuit without connecting a power source line to the disk and attaining the drying of a brake even while a vehicle is running at the time of rainy weather.例文帳に追加

ディスクに電気発熱回路を設置して、電磁誘導現象を利用して電気発熱回路に誘導電流を発生させる構造を備えることによって、ディスクに電源線を繋ぐことなく電気発熱回路に電力を供給することができるようになり、雨天時の車両の走行中にもブレーキの乾燥がなされるようにするディスクブレーキを提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.例文帳に追加

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the horizontal MISFET formed on the main surface of a SOI substrate 2, and on the substrate 2 where concave-convex structures 6 for expanding the current pathway between a source region 3 of the MISFET and the drain region 4 are disposed, and the boundary of the concave part 11 and the convex part 12 of the concave-convex structure 6 is constituted by a slanting face.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ基板２の主表面に横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成り、基板２の主表面には、ＭＩＳＦＥＴのソース領域３とドレイン領域４間の電流経路を拡大させるための凹凸構造６が設けられており、凹凸構造６の凹部１１と凸部１２の境界が斜めに傾斜している面によって構成されている。 - 特許庁

This field emission electron source device is equipped with a substrate, an insulating layer having a plurality of openings formed on the substrate, withdrawable electrodes formed on the insulating layer and a cathode formed in each of the openings in the substrate, wherein the insulating characteristic of the entire insulating layer is controlled by the use of an insulating layer of multilayer structure that has a relative dielectric constant different from the other layers.例文帳に追加

基板、基板上に形成された複数の開口部を有する絶縁層、絶縁層上に形成された引き出し電極、および基板上の開口部内に設けられた陰極を備えた電界放出型電子源装置において、比誘電率が他の層とは異なる多層構造の絶縁層を用いることで、絶縁層全体の絶縁性を制御する。 - 特許庁

Concerning this data retrieving device, by designating the address of a memory means for retrieval while using an associated memory address number outputted from an address number output part, a coupling destination element data stream corresponding to a coupling source element data stream is outputted from the relevant memory means for retrieval so that the element data streams coupled in the data structure can be serially outputted.例文帳に追加

データ検索装置であって、アドレス番号出力部から出力された連想メモリアドレス番号を用いて検索用メモリ手段をアドレス指定することによって、結合元要素データ列に対応する結合先要素データ列を、当該検索用メモリ手段から出力することで、連鎖的に、データ構造によって結合され要素データ列を出力するように構成する。 - 特許庁

To securely prevent damage to the peripheral sides of a loading plate when the uncontrollable operation of a drive source for raising the loading plate for recording paper occurs not only when a large quantity of recording paper is loaded but also a small quantity of recording paper is loaded in a sheet feeder and easily realize the sheet feeder without complicating the structure of the sheet feeder.例文帳に追加

シート供給装置において、多くの記録用紙を積載している場合だけでなく、少量の記録用紙を積載している場合であっても、その記録用紙の積載プレートを上昇させる駆動源の暴走発生時に、確実に積載プレート周辺の破損防止が図れるとともに、これを装置構成の複雑化等を招くことなく容易に実現可能にする。 - 特許庁

The packaging structure is provided with the optical modulator 10, a metal wire 60 connected in order to apply the signal voltage from the prescribed external power source to the signal electrode existing alongside the optical modulator and a member 50 having a grounding electrode layer in at least a portion of a major face of the optical modulator 10 for the purpose of impedance control of the optical modulator 10.例文帳に追加

光変調器１０と、この光変調器の側方に位置する前記信号電極に所定の外部電源からの信号電圧を印加するために接続された金属線６０と、この金属線６０の周囲において、光変調器１０のインピーダンス制御のために、光変調器１０の主面の、少なくとも一部に接地電極層を有する部材５０を設ける。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film.例文帳に追加

本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 - 特許庁