「source structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

In the light source apparatus 3, since a gap 70 is formed between a sub-mount 90 and a first electrode 50a, the sub-mount 90 is constituted in the structure in contact only with a second electrode 50b formed on the upper surface 40a of a reinforcing member 40 but not in contact with the first electrode 50a formed on the upper surface 20a of the mesa part 20.例文帳に追加

本発明に係る光源装置３において、サブマウント９０と第１の電極部５０ａとの間に空隙７０が形成されてなることから、サブマウント９０は、補強部材４０の上面４０ａに形成された第２の電極部５０ｂとのみ接触し、メサ部２０の上面２０ａに形成された第１の電極部５０ａとは接触しない構造となる。 - 特許庁

The transition of the world to such social structure not only contributes to solving global issues in the age of increasing demand for energy and global warming, but also leads to the creation of new demand, and can also be a new source of growth for Japan's economy by expanding business in regards to energy conservation, new energy technologies and other industries in which Japan has strength.例文帳に追加

このような社会構造へ世界が転換することは、エネルギー需要の増大や地球温暖化問題といったグローバルな課題の解決に対する貢献といった意義のみならず、新たな需要を創出することにつながり、我が国が強みをもつ省エネ・新エネ技術・産業をビジネス展開することによって、我が国経済の成長の新たな源泉ともなる。 - 経済産業省

For improving energy usage and achieving both manufacturing at low costs and a solid and compact structure, the concave mirrors 116 and 118 and the tubes 120 and 122 are constituted at least partially integrally with housings 106 and 112, in which the radiation source, the gas measuring chamber, and the detector are arranged, and formed at least at part of one wall of the housings by a reflecting coating.例文帳に追加

エネルギー利用を改良し、低コスト製造及び堅牢でコンパクトな構造を可能にするために、凹面鏡１１６，１１８及び管１２０，１２２は、放射源、ガス計測室及び検出器が配置されたハウジング１０６，１１２と少なくとも部分的に一体に構成されると共に、ハウジングの一壁の少なくとも一部分に反射コーティングにより形成される。 - 特許庁

A compressor fixing structure for fixing a compressor 200 being a vibration source on a base plate 310 includes a compressor mounting leg 210 formed at a lower part of a body of the compressor 200, a vibration absorption body 450 fixed on the base plate 310 and on which the compressor mounting leg 210 is installed, and a projection 311 formed on the base plate 310 for fixing the vibration absorption body 450.例文帳に追加

振動源であるコンプレッサ２００を基板３１０に固定するコンプレッサ固定構造は、コンプレッサ２００の本体下部に形成されたコンプレッサ取付用脚部２１０と、基板３１０上に固定され、コンプレッサ取付用脚部２１０が載置される振動吸収体４５０と、基板３１０上に形成され、振動吸収体４５０を固定するための突起部３１１とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。 - 特許庁

The optical frequency comb generation source has a structure in which a semiconductor phase modulator for generating a sideband by modulating an input light, a semiconductor optical amplifier for equalizing the intensity of the sideband generated by the semiconductor phase modulator and a wavelength variable semiconductor laser for outputting the input light to the semiconductor phase modulator are monolithically integrated on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 - 特許庁

To provide a waste treatment apparatus capable of preventing flames and dissolution of objects to be treated and evolution of harmful gases and malodor, carrying out burning, deodorizing and detoxicating treatment for the resulting waste gas while using the heat source of a heat medium as it is without requiring a specific structure, and recovering resources and making wastes finally disposable by safe and efficient treatment without increasing the cost up.例文帳に追加

被処理物の発火・溶解を防止すると共に有害ガスや臭気の発生を防止し、しかも排ガスを特別な構成を別途用意することなく、熱媒体の加熱源をそのまま利用して燃焼脱臭ないし無害化処理することが可能であり、コスト高を招くことなく、安全かつ効率良く処理して資源回収または最終処分が可能な廃棄物処理装置を提供する。 - 特許庁

The server analyzes a database having a table, in which a network structure is hierarchically classified, and the control request received from the client terminal, stores each control information by a client terminal unit of the control source inside the table of the database matching the control target, and generates control information to the network based on the control request to manage the control information by a client terminal unit on the server side.例文帳に追加

サーバは，ネットワークの構成を階層化して分類したテーブルを備えたデータベースと，クライアント端末から受け取った制御要求を解析して，制御対象に対応したデータベースのテーブル中に制御元のクライアント端末単位の各制御情報を格納し，制御要求に基づいてネットワークへの制御情報を作成することによりサーバ側でクライアント端末単位の制御情報を管理するよう構成する。 - 特許庁

This driving gas inlet structure for turbo supercharger for taking the driving gas discharged from the predetermined engine as a driving source is formed so that any one of an inlet casing 17 and an intermediate duct 40 is insertable into the other thereof, and a seal material 41 is provided between the inlet casing 17 and the intermediate duct 40.例文帳に追加

本発明にかかるターボ形過給機の駆動ガス入口部構造は、所定機関から排出された駆動ガスを駆動源として取り込むターボ形過給機の駆動ガス入口部構造であって、入口ケーシング１７と中間ダクト４０とをいずれか一方が他方に挿入可能となるように形成し、これら入口ケーシング１７と中間ダクト４０との間にはシール材４１を設けて構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The optical multilayer interference film 11 has low refractive index films 2 and high refractive index films 1 alternately layered on a transparent base body 10 and at least one layer of the high refractive index films 1 is a high refractive index oxide film having an amorphous structure deposited by sputtering a reduction type oxide target as the source material.例文帳に追加

透明基体１０上に、低屈折率膜２と高屈折率膜１とが交互に積層された光学多層干渉膜１１であって、該高屈折率膜１の少なくとも一層が還元型酸化物ターゲットを原料としてスパッタ成膜されたアモルファス構造を有する高屈折率酸化物膜であることを特徴とする光学多層干渉膜１１とその製造方法および該光学多層干渉膜を用いたフィルター。 - 特許庁

A periodical opening array comprising each opening having a shape which is not rotationally symmetrical by 90 degrees in a film surface is provided on a thin film of a hydrogen absorbing metal, the film surface of a surface plasmon resonance element 65 for detecting hydrogen constituting a surface plasmon resonance enhancing structure is irradiated with light from a light source means (wavelength variable laser 61), and transmitted light is detected by a photodetection means (actinometer 62).例文帳に追加

水素吸蔵金属の薄膜に、その膜面内において９０度回転対称でない形状を有する開口でなる周期的な開口のアレイを設けて表面プラズモン共鳴増強構造を構成した水素検出用表面プラズモン共鳴素子６５の膜面に光源手段（波長可変レーザ６１）からの光を照射し、透過光を光検出手段（光量計６２）で検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The qualitative analysis system has an infrared source for irradiating a surface of a to-be-inspected member disposed within a predetermined structure with an infrared ray, an infrared detector for detecting a reflective infrared spectrum generated by the infrared ray irradiated and reflected by the surface of the to-be-inspected member, and a monitoring apparatus for monitoring an infrared absorption band specific to a boric acid within the reflective infrared spectrum detected by the infrared detector.例文帳に追加

所定の構造物内に配置された検査対象となる部材の表面に赤外線を照射する赤外線源と、照射された赤外線が検査対象の部材表面で反射することにより生じる反射赤外線スペクトルを検出する赤外線検出器と、赤外線検出器が検出した反射赤外線スペクトル内のホウ酸特有の赤外吸収帯を監視する監視装置とを有する。 - 特許庁

Each pixel includes a light emission layer 104 in which phosphor particles 105 are dispersed in a background medium 106 having the same refractive index as that of the phosphor particle, an excitation source 103 exciting the phosphor particles to make them emit light, and a refractive index distribution structure 107 arranged between the front plate and the light emission layer and having a periodic refractive index distribution in a direction along an inner surface of the front plate.例文帳に追加

各画素は、蛍光体粒子１０５が、該蛍光体粒子と同じ屈折率を有する背景媒質１０６中に分散した発光層１０４と、蛍光体粒子を励起して発光させる励起源１０３と、前面板と発光層との間に配置され、該前面板の内面に沿う方向に周期的な屈折率分布を有する屈折率分布構造１０７とにより構成されている。 - 特許庁

In a method of manufacturing the field emission type electron source equipped with the cold cathode which discharges electrons by being applied with an electric field, by exposing the carbon material 10 to be a material of the cold cathode to a combustion flame 11 of a mixture of hydrogen and oxygen, an etching treatment to form a nanometer structure of carbon on a surface of the carbon material 10 is performed, and the cold cathode is formed of the obtained carbon material 10.例文帳に追加

電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 - 特許庁

This optical potentiometer includes a metallic pipe 114 of closing one end, a metallic pipe 112 having the relationship of a nesting structure to the metallic pipe 114 and movably guiding the metallic pipe 114 in its longitudinal direction, a light source 122 and an optical fiber 118 for supplying the light inside the metallic pipe 114, and a light power meter 124 for detecting a change in a reflected light quantity from the inside of the metallic pipe 114.例文帳に追加

一端が閉じられた金属パイプ１１４と、金属パイプ１１４に対して入れ子構造の関係を有し、金属パイプ１１４をその長手方向に移動可能に案内する金属パイプ１１２と、金属パイプ１１４内部に光を供給する光源１２２及び光ファイバ１１８と、金属パイプ１１４内部からの反射光量の変化を検出する光パワーメータ１２４と、を光ポテンショメータに具備させる。 - 特許庁

To provide a structure capable of obtaining an enough light output through restraint of absorption of ultraviolet rays at a lower half part of a lamp, in a light source device and a light irradiation device including a discharge lamp driven by alternating current and a concave reflecting mirror into which the discharge lamp is assembled, and arranged so as a center axis of the discharge lamp and a light axis direction of the concave reflecting mirror to be in agreement.例文帳に追加

交流駆動される放電ランプと、該放電ランプが組み込まれた凹面反射鏡とからなり、前記放電ランプの中心軸と凹面反射鏡の光軸方向とが一致するように配置されてなる光源装置および光照射装置において、ランプの下半部内での紫外線吸収を抑制して、十分な光出力を得ることのできる構造を提供しようとするものである。 - 特許庁

In a CUI/Web input/output conversion server 102, Web screen control information is prepared in advance by use of CUI screen control information and, for each CUI screen, processing for converting CUI screen data structure information output from the CUI application into a format usable in the Web application is generated in advance using source codes describing the CUI application.例文帳に追加

ＣＵＩ／Ｗｅｂ入出力変換サーバ１０２において、ＣＵＩ画面制御情報を用いてＷｅｂ画面制御情報を事前に生成しておくこと、及びＣＵＩアプリケーションを記述するソースコードを用いてＣＵＩアプリケーションから出力されたＣＵＩ画面データ構造情報をＷｅｂアプリケーションで利用できる形式に変換する処理を、ＣＵＩ画面ごとに生成しておくことを事前に実施しておく。 - 特許庁

The field effect transistor includes a semiconductor structure including a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 4 in heterojunction with the first semiconductor layer 6, a source electrode 8, a drain electrode 10, a gate electrode 9, each formed on the first semiconductor layer 6, and a protective film 11 including at least a metal-doped fullerene formed on the first semiconductor layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、第１の半導体層６と当該第１の半導体層６とヘテロ接合した第２の半導体層４とを含む半導体構造と、第１の半導体層６上に形成されたソース電極８、ドレイン電極１０、及びゲート電極９と、第１の半導体層６上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜１１と、を有する。 - 特許庁

The laser device comprises a first laser resonator having a first solid-state laser medium excited by the excitation light source, second solid-state laser medium which is located inside the first laser resonator and is excited by light amplified by the first solid-state laser medium, second laser resonator having the second solid-state laser medium, and a structure for taking out the output light from the second laser resonator.例文帳に追加

励起光源により励起された第１の固体レーザー媒体を備えた第１のレーザー共振器と、前記の第１のレーザー共振器内に設けられ上記の第１の固体レーザー媒体で増幅された光により励起される第２の固体レーザー媒体と、前記の第２の固体レーザー媒体を備えた第２のレーザー共振器と、前記第２のレーザー共振器から出力光を取り出す構成とを備える。 - 特許庁

In the evaporation source provided with: a crucible storing an organic matter as an organic thin film material and having a heating unit ; and at least one spray nozzle of spraying the organic matter on a substrate, the crucible has at least one baffle arranged onto a moving path of the organic matter to be evaporated, and the spray nozzle has a shower head structure capable of shielding radiant heat.例文帳に追加

本発明による有機薄膜材料である有機物が収納され、加熱部を有するるつぼと、前記有機物を基板に噴射する少なくとも一つの噴射ノズルとを備える蒸発源において、前記るつぼは蒸発する前記有機物の移動経路上に配設される少なくとも一つのバッフルを有し、前記噴射ノズルは、輻射熱を遮断することができるシャワーヘッド構造を有する。 - 特許庁

The vehicular lamp equipment with a light source arranged therein and a lamp chamber having a light emission opening comprises a lamp cover mounted in the light emission opening of the lamp chamber and a selective polarization layer further provided on the inner face of the lamp cover with structural portions having finely irregular structure surfaces and non-structural portions having no such irregular structures formed in a predetermined pattern.例文帳に追加

光源が配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えた車両用灯具において、ランプ室の光出射用開口に、透明なランプカバーが装着されているとともに、そのランプカバーの内面に、微細な凹凸構造面をもった構造部及びそのような凹凸構造を有しない非構造部が予め定められたパターンで形成された選択偏光層がさらに設けられているように構成する。 - 特許庁

Deep impurity diffused layer parts 34, 35, isolated from the ends of gate electrodes 29 at source and drain regions, are formed first, then sidewall spacers formed in a laminate structure on the sidewalls of the gate electrodes 29 are partly removed, and shallow impurity diffused layers 36, 37 adjacent the gate electrodes 29 are later formed to allow the diffused layers 36, 37 to be heat treated at low temp.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域のゲート電極２９の端部から離隔した深い不純物拡散層部分３４、３５を先に形成し、その後ゲート電極２９の側壁に形成した積層構造のサイドウォールスペーサ３２の一部を除去し、ゲート電極２９に隣接する浅い不純物拡散層３６、３７を後から形成することにより、不純物拡散層３６、３７の低温での熱処理を可能とする。 - 特許庁

This lithography system projects a patterned radiation beam on the target of a substrate containing a radiation photosensitive layer by a radiation source, a patterning structure and a projection system is provided with a gas flashing system for supplying air from a region between the projection system and the substrate in order to remove gas spread from the target section while the target section is exposed by the patterned radiation beam.例文帳に追加

放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electronic watermark embedding device capable of embedding electronic watermark information corresponding to a sound production structure by noticing a voice generation mechanism of a voice generation source and extracting of electronic dispersively embedding the information in many frequency bands by the extraction, and dealling with many kinds of codings so that the information is not lost even though resampling and compression and restoration of voice data are repeated many times.例文帳に追加

音声の発生源における音声の生成メカニズムに着目し、発音構造に対応して電子透かし情報を埋め込み、また、抽出することによって、電子透かし情報が多数の周波数帯域に分散して埋め込まれ、リサンプリングや音声データの圧縮及び復元を繰り返しても消えてしまうことがなく、かつ、多数種類の符号化に対応することができるようにする。 - 特許庁

The transmissive illumination apparatus for a stereomicroscope includes, successively from the light source, at least a collector lens, a diffusing plate and a convex lens 4b, and has an optical element 7 having a one-dimensional periodical structure disposed near the lens 4b which is disposed nearest to the observation side 5.例文帳に追加

光源より順に、少なくとも、コレクタレンズと、拡散板と、凸レンズ４ｂを有し、最も観察面５側に配置されたレンズ４ｂの近傍に、１次元方向に周期的な構造を持つ光学素子７が配置されている実体顕微鏡用透過照明装置であり、１次元方向に周期的な構造を持つ光学素子７が入射した光束を分割する角度αは、０．５Ｄ／Ｌ＜ｔａｎα＜０．９Ｄ／Ｌの範囲にある。 - 特許庁

To provide a structure of a light source device which includes high-pressure mercury lamp and a concave reflection mirror surrounding the high pressure mercury lamp, reflecting ultraviolet light out of irradiated light and transmitting visible light, so that feeder terminals to connect feeder wires to supply electricity to a high-pressure discharge lamp are not to be oxidized by being heated with the visible light including infrared light transmitting the reflection mirror.例文帳に追加

高圧水銀ランプと、この高圧水銀ランプを取り囲むとともに、放射光のうち紫外光を反射するとともに可視光を透過する凹面反射鏡よりなる光源装置において、高圧放電ランプに給電するための給電線を接続する給電端子が、反射鏡を透過してくる赤外光を含む可視光によって加熱されて酸化してしまうことがないような構造を提供することである。 - 特許庁

To improve the productivity for manufacturing a module package assembly and to easily structure an optical communication system by making the length of an optical fiber cable, led out of a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., or the module package storing the chip longer than a certain length by using the surface light emitting semiconductor laser element as the light emitting source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、当該面発光型半導体レーザ素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバーケーブルのファイバーケーブル長を一定長以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性の向上を図るとともに、容易に光通信システムを構築できるようにすることにある。 - 特許庁

In the manufacturing method for the polyarylene sulfide resin, a monomer mixture containing at least one kind of a sulfur source selected from an alkali metal sulfide and an alkali metal sulfhydrylated compound, a dihalogenated aromatic compound and an organic polar solvent is fed to a polymerization line in which one or more continuousation tubular reactor having a structure body for static mixing at the inside is assembled, and the monomer mixture is passed while polymerizing it.例文帳に追加

アルカリ金属硫化物およびアルカリ金属水流化物から選ばれる少なくとも１種の硫黄源とジハロゲン化芳香族化合物ならびに有機極性溶媒を含む単量体混合物を、静的混合用構造物を内部に有する1個以上の連続管状反応器を組み込んである重合ラインに供給し、単量体混合物を重合させながら通過させることを特徴とするポリアリーレンスルフィド樹脂の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁

The structure comprises at least a ferroelectric material 22, a pair of electrodes 20, 24 (not decomposing when depositing or annealing) contacting opposite surfaces of the ferroelectric material 20, and an oxygen source layer 26 (made of a metal oxide at least partly decomposing in deposition and/or post-treatment) contacting at least one of electrodes 22, 24.例文帳に追加

少なくとも、強誘電体材料２２と、強誘電体材料２２の対向する面と接触する一対の電極２０，２４（電極２０，２４は、付着またはアニール時に分解しない）と、電極２２，２４のうちの少なくとも１つと接触する酸素源層２６（酸素源層２６は、付着および／または後の処理の際に、少なくとも部分的に分解する金属酸化物である）とを備える強誘電体／ＣＭＯＳ集積化構造、およびその形成方法である。 - 特許庁

Article 9 The matters necessary for prevention of fire with regard to the position, structure and management of fixed cooking stoves, bath heaters and other equipment which uses fire or equipment which might pose a fire risk when used, the handling of kitchen ranges, kotatsu [a heater consisting of a low table with a heat source underneath, covered with a heavy blanket] and other appliances which use fire or appliances which might pose a fire risk when used, and other cases of the use of fire shall be specified by municipal ordinance in accordance with the standards specified by Cabinet Order. 例文帳に追加

第九条　かまど、風呂場その他火を使用する設備又はその使用に際し、火災の発生のおそれのある設備の位置、構造及び管理、こんろ、こたつその他火を使用する器具又はその使用に際し、火災の発生のおそれのある器具の取扱いその他火の使用に関し火災の予防のために必要な事項は、政令で定める基準に従い市町村条例でこれを定める。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, at least two layers where the concentration of impurities is different are composed in an empty region that greatly affects the element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor from a gate electrode end to source/drain electrode ends, thus reducing the series resistance of the heterojunction field effect transistor, and at the same time achieving a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁

The transconductor tuning circuit is provided with first and second MOS transistors respectively connecting their source terminals to a power supply voltage and mutually connecting their gate terminals and their drain terminal to be an MOS diode structure, and a first error amplifier respectively connecting the gate terminals of the first MOS transistor and the second MOS transistor with its input terminals for outputting its output signal as a bias signal for controlling tuning of the transconductor.例文帳に追加

本発明のトランスコンダクタのチューニング回路は、電源電圧にソース端子がそれぞれ接続され、そのゲート端子とそのドレイン端子が、それぞれＭＯＳダイオード構造となるように相互に接続された第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタと、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタのゲート端子がそれぞれ入力端子と接続されており、その出力信号をトランスコンダクタのチューニング制御用バイアス信号として出力する第１エラーアンプを備える。 - 特許庁

Article 281-3 The consideration specified by a Cabinet Order prescribed in Article 161(i)-3 (Domestic Source Income) of the Act shall be the consideration for the transfer of land, etc. (land or any right on land, or any building and auxiliary equipment or structure thereof, all of which are located in Japan; hereinafter the same shall apply in this Article) (excluding one that amounts to more than 100 million yen), which is paid by an individual who has received the said land, etc. for the purpose of using it as his/her own residence or his/her relative's residence. 例文帳に追加

第二百八十一条の三　法第百六十一条第一号の三（国内源泉所得）に規定する政令で定める対価は、土地等（国内にある土地若しくは土地の上に存する権利又は建物及びその附属設備若しくは構築物をいう。以下この条において同じ。）の譲渡による対価（その金額が一億円を超えるものを除く。）で、当該土地等を自己又はその親族の居住の用に供するために譲り受けた個人から支払われるものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Specifically, Sakaiya (a) defined the value of creative knowledge that is socially recognized by conforming to the structure of society and social subjectivity as "knowledge value," and argued that in the 1980s, the creation of "knowledge value" became the principal source of economic growth and corporate profits and the economy and society as a whole are beginning to shift in a major way to a society where the "knowledge value" will be a predominant worthiness (knowledge-value society); (b) this "knowledge-value society" should not be interpreted as a society with the growing tendency to turn away from material possessions or a highly service-oriented society but as a society where designs, brand images, sophisticated technology or the creation of specified functions, regardless of for goods or services, would be accorded much greater importance in the prices of goods and services.例文帳に追加

具体的には、①「社会の仕組みや社会主観に適合することによって社会的に認められる創造的な知恵の値打ち」を「知価」と定義した上で、1980年代には、「知価」の創造が経済の成長と企業利益の主要な源泉となり、「知価」の値打ちが支配的になる社会（「知価社会」）へと経済・社会が大きく移行し始めていること、②このような「知価社会」は、単純にモノ離れあるいはサービス化が進展した社会と考えるべきではなく、モノかサービスかにかかわりなく、デザイン性やブランド・イメージ、高度な技術、あるいは特定の機能の創出といったことが、物財やサービス価格の中で大きな比重を占めるようになる社会と考えるべきこと、を主張している。 - 経済産業省