「substrate cracking」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive substrate for semiconductor module with excellent heat transfer/dissipation characteristics, especially at a part for mounting a semiconductor chip, while preventing of cracking due to thermal stress.例文帳に追加

半導体チップの搭載部分において特にすぐれた伝熱、放熱特性を有し、熱応力に起因するクラック等の発生を防止することができ、しかも安価な半導体モジュール用基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a coloring matter for the production of a seal by drawing a pattern with the matter on a substrate having a flat surface such as a glass plate and drying the pattern to give a seal resistant to cracking.例文帳に追加

ガラス板等の平滑面を有する基材に塗布描画した絵の具を乾燥させてシールを作成するにあたって、ひび割れを起こすことのないシールを作成できる絵の具を提供する。 - 特許庁

A hard cubic structure 14 having a facet 15 is removed in parallel with a ridge or the like from a gallium nitride crystal body 27, so as to obtain a gallium nitride substrate in which the generation of chipping and cracking is suppressed.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate which does not cause cracking in the electrode or a semiconductor thin film constituting the thin-film transistor nor exfoliate easily even with heat or atmosphere when a thin-film transistor substrate is produced using a plastic base exhibiting poor dimensional stability.例文帳に追加

寸法安定性に乏しいプラスチック基材を用いて薄膜トランジスタ基板を製造する際に加わる熱や雰囲気によっても、薄膜トランジスタを構成する電極や半導体薄膜にクラックが生じることがなく且つ剥離し難い薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To easily separate a wafer from a support substrate while preventing the cracking of the wafer, after processing the rear face of the wafer in such a state that the support substrate is bonded to the front face of the wafer, in manufacturing a semiconductor device such as an IGBT which has a thin thickness by back-grinding the rear face of the wafer.例文帳に追加

ウエハ裏面をバックグラインドしてデバイス厚の薄いＩＧＢＴ等の半導体素子を製造するにあたり、ウエハ表面に支持基板を接合した状態でウエハ裏面の加工をした後、ウエハが割れるのを防ぎながら、支持基板からウエハを容易に離脱させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MEMS device capable of suppressing the occurrence of cracking in a substrate while suppressing, when forming a penetration part in the thickness direction of the substrate, the extension of a time required for forming the penetration part, and also to provide a device for performing the method of manufacturing the MEMS device.例文帳に追加

基板の厚さ方向への貫通部の形成に際し、その形成に要する時間の長期化を抑えつつ、該基板に亀裂が生じることを抑制可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法、及びこのＭＥＭＳデバイスの製造方法を実施する装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can realize good alloy formation between a metal formed on a semiconductor substrate and a semiconductor material without involving the complication of device arrangement and process in order to reduce a risk of thermal cracking in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の熱割れのおそれを低減するために、装置構成及びプロセスの複雑化を招くことなく、半導体基板上に形成した金属と半導体材料との合金化を良好に行うことを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a semiconductor wafer wherein, after a divided semiconductor wafer is mounted on a supporting substrate and predetermined wafer processing is carried out, the supporting substrate can be peeled off from the semiconductor wafer regardless of the thickness of the semiconductor wafer without producing wafer cracking.例文帳に追加

分割した半導体ウエハを支持基板に搭載して所定のウエハ加工を行った後、半導体ウエハから支持基板を、半導体ウエハの厚みによらず、ウエハ割れを起こすことなしに剥離することができる半導体ウエハの処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a press molding method which prevents cracking by a thermal stress of glass in forming a glass substrate by press molding and accelerates the parting of the glass and die, the press dies and a substrate for a magnetic disk formed by press molding.例文帳に追加

プレス成形によりガラス基板を作成する際に生じる、ガラスの熱応力による割れを防止すると共に、ガラスと金型の離型を促進するようにした、プレス成形方法およびプレス成形用金型、ならびに、プレス成形により形成した磁気ディスク用基板を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating substrate with an adhesive that is excellent in high density and the size reduction and can be used for a small semiconductor package to be prevented against package cracking and excellent in reliability, its manufacturing method, a substrate for mounting a semiconductor using it, and a manufacturing method of its substrate for mounting the semiconductor excellent in efficiency.例文帳に追加

本発明は、小型化、高密度化に優れ、かつ、パッケージクラックを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジに用いることのできる接着剤付絶縁基材とその製造方法とそれを用いた半導体搭載用基板と、並びに効率に優れたその半導体搭載用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an insulating substrate with an adhesive that is excellent in high density and size reduction and can be used for a small semiconductor package to be prevented against package cracking and excellent in reliability, its manufacturing method, a substrate for mounting a semiconductor using it, and a manufacturing method of its substrate for mounting the semiconductor excellent in efficiency.例文帳に追加

本発明は、小型化、高密度化に優れ、かつ、パッケージクラックを防止し信頼性に優れる小型の半導体パッケ−ジに用いることのできる接着剤付絶縁基材とその製造方法とそれを用いた半導体搭載用基板と、並びに効率に優れたその半導体搭載用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve adhesiveness of a mounting structure and electric reliability by disposing a resin member with no defects such as cracking between a substrate and a wiring board, related to the substrate, a method for forming a solder ball, and a mounting structure thereof if the solder ball is formed on an electrode pad provided on the substrate, which is mounted on the mounting board.例文帳に追加

基板に設けられた電極パッド上にハンダボールを形成し、配線基板に実装する場合の基板及びハンダボールの形成方法及びその実装構造に関し、基板と配線基板との間にクラック等の損傷のない樹脂部材を配設することにより、実装構造の密着性及び電気的信頼性の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device capable of preventing destruction such as cracking of a piezoelectric substrate by reducing a load of stress caused by a difference in coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

本発明は、熱膨張率の違いによる応力の負荷を軽減することができ、これにより、圧電基板の割れなどの破壊を防止することができる弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method.例文帳に追加

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。 - 特許庁

To provide a resin composition for an insulating layer that enables a through hole etc., of the electronic substrate, especially, a small-diameter through hole to be bored with good operability, and can suppress cracking in a heat cycle.例文帳に追加

電子基板のスルーホール等の孔開け、とくに小径のスルーホールの孔開けを作業性良く行うことができ、ヒートサイクル時のクラック発生を抑えることができる絶縁層用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a crystalline silicon film which enables a glass substrate, a base protective film and a crystalline silicon film to suppress cracking, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing contraction-cracking of a run over bonding material, when pressure-bonding a semiconductor element and a substrate with the bonding material containing metal particles, and excellent in heat cycle resistance characteristic.例文帳に追加

金属粒子を含有した接合材で半導体素子と基板とを加圧接合するときに、はみ出した接合材の収縮割れを抑制し、耐ヒートサイクル特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a flattened film of uniform thickness on a ceramic substrate with recesses on its surface so as to hard to cause cracking of the film and be capable of sufficiently flattening the recesses.例文帳に追加

表面に凹部を有するセラミック基板の平坦化膜の形成方法であって、クラックが発生しにくく膜厚が均一で、かつ、基板の凹部を十分に平坦化することができる平坦化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a nitride semiconductor light emitting element having a tapered surface by using a nitride semiconductor substrate in which high yield is ensured by suppressing cracking or chipping.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体基板を用いて、なおかつテーパー面の形成された窒化物半導体発光素子を、割れや欠けを抑制して高い歩留りで製造する方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Even if temperature rises at the connection portion for generating stress after the semiconductor package 51 is connected onto the substrate 50, the core section 2 absorbs the stress, thus reducing the cracking at the solder section 4.例文帳に追加

半導体パッケージ５１が基板５０に接続された後に、接続部分が高温となって応力が発生しても、コア部２がその応力を吸収するので、半田部４にクラックが発生する危険が減少する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor substrate comprising an epitaxial layer using single crystal silicon or polycrystal silicon, at a low cost with less cracking.例文帳に追加

単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the thermal diffusion of impurities is performed at a low temperature of 1050°C or lower, and cracking of the insulating film constituting the membrane and slippage between the insulating film and the substrate are prevented.例文帳に追加

このため、１０５０℃以下という低温で不純物の熱拡散を行うことが可能となり、メンブレンを構成する絶縁膜にクラックが生じたり、絶縁膜と基板との間にスリップが生じることを防止することができる。 - 特許庁

To obtain the bonding structure of a semiconductor device called CSP in which cracking is prevented especially at the joint of columnar electrodes at four corners among columnar electrodes formed in matrix on a silicon substrate.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置の接合構造において、特に、シリコン基板上にマトリクス状に形成された柱状電極のうち４角の柱状電極の接合部分にクラックが発生しにくいようにする。 - 特許庁

To prevent the cracking of a resin coating layer in long-term use as well as to ensure superior adhesion of the resin coating layer to an electrically conductive elastic substrate.例文帳に追加

導電性弾性基材と樹脂被覆層との密着性に優れると共に、長期使用時における樹脂被覆層のひび割れを防止しうるトナー担持体、及びそれを装着した画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI wafer capable of preventing the occurrence of thermal distortion, peeling, cracking, etc., resulting from a difference in the coefficient of thermal expansion between an insulating substrate and an SOI layer and improving the evenness of film thickness of the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、絶縁性基板とＳＯＩ層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を防止でき、ＳＯＩ層の膜厚均一性を高くできるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, even if stress is generated due to a difference in thermal expansion between a core substrate 12 and an IC chip 50, the stress is securely relaxed by the stress relaxation layer 30, and peeling from which cracking easily originates is not caused.例文帳に追加

したがって、コア基板１２とＩＣチップ５０との熱膨張差に起因する応力が発生したとしても、その応力は応力緩和層３０によって確実に緩和されるしクラックの起点になりやすい剥離が生じることもない。 - 特許庁

To provide a thermal head of such a structure that thermal interference is suppressed between two arrays of heating resistor while facilitating manufacture and the yield of manufacture is increased using a substrate material causing no cracking at the time of heat treatment.例文帳に追加

２列の発熱抵抗体間の熱干渉を抑制し、かつ、容易に製造が行え、製造時の熱処理において割れ生じない基板の材料を用い、製品の製造歩留まりを向上させる構造のサーマルヘッドを提供する。 - 特許庁

To suppress the cracking of a cell in the subsequent process due to the warp of a substrate which occurs after sintering because of difference in the heat-shrink rate between aluminium and silicon by a simple method with high reproducibility while sustaining the output characteristics of a solar cell element.例文帳に追加

太陽電池素子の出力特性を維持しつつ、アルミニウムとシリコンの熱収縮率の違いによって焼成後に発生する基板の反りによる後工程でのセル割れを簡易な方法で再現性よく抑制する。 - 特許庁

To provide a laminator capable of preventing a problem such as the mutual shift of constituent members or the cracking of a glass substrate when the constituent members of a solar cell module are laminated, and to provide a method for manufacturing the solar cell module using the same.例文帳に追加

太陽電池モジュールの構成部材をラミネートするときに、構成部材同士のズレや、ガラス基板の割れ等の問題を防止することができるラミネート装置及びこれを用いた太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing light emitting element by which a compound semiconductor layer containing a light emitting layer can be stuck surely to an element substrate without causing cracking nor chipping even when the semiconductor layer is extremely thin and warps.例文帳に追加

発光層部を含む化合物半導体層がごく薄く、また反りを生じている場合であっても、素子基板への貼り合わせを、割れや欠けを生ずることなく確実に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic control module that prevents the occurrence of solder cracking due to thermal stress at a solder junction portion between a ceramic substrate and a package type semiconductor even in a severe environment during an in-vehicle use, and is compact, lightweight and inexpensive.例文帳に追加

車載用途の厳しい環境下でも、セラミック基板とパッケージ型半導体のはんだ接合部に、熱応力によるはんだクラックが発生するのを防ぎ、かつ小型・軽量で低コストな電子制御モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate having dividing recesses which can be divided surely while preventing cracking along the dividing recess when each element is formed therein or during carriage to each process.例文帳に追加

分割用凹部を有するセラミック基板への各素子の形成時や各工程への搬送時に分割用凹部に沿って割れが発生するようなことがなく、かつ分割する時には確実に分割することが可能なセラミック基板を提供する。 - 特許庁

To improve the uneven thickness of a layer and the lack of surface flatness thereof produced when the layer having a nitride semiconductor light emitting device structure is laminated on a nitride semiconductor substrate while suppressing the cracking thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、窒化物半導体基板上に窒化物半導体発光素子構造を有する層を積層する際に生じる、層厚の不均一性、表面の平坦性欠如を、クラックを抑制しつつこれらを改善することである。 - 特許庁

By reducing the stress caused by the difference in thermal expansion between the IC chip 20, the core substrate 30 is relaxed by the filler resin 34, thus protecting an interlayer insulation layer 50 against stripping or cracking.例文帳に追加

充填樹脂３４の弾性率を下げることで、充填樹脂３４によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間の熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a wiring board which can prevent cracking or peeling of a bent part in a three-dimensional wiring or of a connection part to a surface wiring and deformation or damage on a ceramic insulating substrate, and can be made small in size and weight and excellent in heat radiating.例文帳に追加

立体配線の曲げ加工部や表層配線との接続部の亀裂や剥離、セラミック絶縁基板の変形や破損を防止するとともに、小型かつ軽量で放熱特性に優れた配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which stripping or cracking is prevented from occurring at the connecting portion of an electrode, by absorbing misregistration between an electronic function component and a base substrate or between electronic function components due to the difference in the coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

電子機能部品とベース基板との間、または電子機能部品間における熱膨張係数の違いによる位置ずれを吸収して電極の接続部分に剥離やクラックが生じることのない半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ND filter 20 is cut near a root part of the groove part 61 machined in the substrate 41 beforehand and, therefore, can be cut into the final shape without causing the cracking in the ND filter film 54 on the inner side of the ND filter 20.例文帳に追加

ＮＤフィルタ２０は予め基板４１に加工されている溝部６１の谷底部近傍で切断されるため、ＮＤフィルタ２０の内側のＮＤフィルタ膜５４にクラックを生ずることなく、最終形状に切断できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a vertical power transistor is formed on a semiconductor substrate and electrodes are formed on a principal surface side and a back side of the semiconductor substrate respectively, wherein the semiconductor device has an electrode structure such that the principal surface side and back side of the semiconductor substrate are balanced low in residual stress and trouble such as peeling and cracking is hardly caused during solder joining.例文帳に追加

半導体基板に縦型パワートランジスタが形成され、該半導体基板の主面側と裏面側にそれぞれ電極が形成されてなる半導体装置であって、半導体基板の主面側と裏面側とで残留応力が低くバランスされており、半田接合に際して剥がれや亀裂等の不具合が生じ難い電極構造を有してなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction apparatus and an electronic device having an insulation membrane which can be easily crystallized, prevent cracking and ablation of the insulation membrane easy to generate when a metal substrate is deformed under a high-temperature environment and increase the reliability of the electric insulation between the metal substrate and a thin-film heater.例文帳に追加

容易に結晶化でき、高温環境下において金属基板が歪んだ際に起こりやすい絶縁膜の亀裂、剥離を防止することができ、金属基板と薄膜ヒータとの間の電気的絶縁の信頼性を高めることができる絶縁膜を備える反応装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an aggregate substrate such that a punch die for forming the aggregate substrate need not be in a complicate shape, an increase in height of an electronic component mounted on a circuit board is suppressed, and while an electronic component is prevented from cracking at a connection part or from getting out of order, the circuit board is separated.例文帳に追加

集合基板を形成する際の打ち抜き金型の形状を複雑にすることなく、且つ、回路基板に実装される電子部品の高さの上昇を抑制し、電子部品の接続部におけるクラックの発生及び電子部品の故障を防止しつつ回路基板の分離が可能な集合基板を提供する。 - 特許庁

Thereby, since the resist region 20 is positioned in a scribed line on the peripheral part of a color filter substrate of a panel, the resist region 20 protects the passivation layer 22 and the gate insulating layer 14 from cracking and also protects the gate terminal and the lead wiring from corrosion after a portion of the color filter substrate is removed along the scribed line.例文帳に追加

このレジスト領域２０が、パネルのカラーフィルタ基板の周辺上のスクライブ線に位置するので、レジスト領域２０は、不動態化層２２とゲート絶縁層１４を割れから保護することができ、かつカラーフィルタ基板の一部がスクライブ線に沿って除去された後にゲート端子とリード線を腐蝕から保護することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by which a substrate is ground to a predetermined thickness without cracking a wafer, even if the substrate is warped in a film forming operation for a group III nitride semiconductor layer, or even while flakes produced in the film forming operation are left.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく基板を所定の厚さに研削することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel prepreg having strength and surface hardness enabling heavy walking and also having bonding strength with a substrate and substrate cracking followability being required conditions as a waterproof material, dispensing with a laminating process, unnecessary for handling many kinds of curing materials and enabling simple and short-term waterproof execution.例文帳に追加

重歩行が可能な強度や表面硬度、及び防水材としての要件である耐水性、下地との接着強度および下地ひび割れ追従性を有し、積層工程が不要でかつ多種の硬化材料を扱う必要のない、簡略かつ短期的な防水施行を可能とする新規プリプレグを提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board with which a great current can be made to flow by lowering the resistance of a wiring conductor without cracking an insulating substrate or disconnecting the wiring conductor even when the wiring conductor of low resistance containing copper having the thickness of ≥50 μm is provided on the insulating substrate composed of oxidized aluminum ceramic.例文帳に追加

酸化アルミニウム質セラミックスからなる絶縁基板に対して、５０μｍ以上の厚さを有する銅を含む低抵抗の配線導体を設けても、絶縁基板のクラックや配線導体の断線等が発生せず、配線導体の低抵抗化を実現し大電流を流すことが可能な配線基板を得る。 - 特許庁

To provide a method of forming silicon type thin film capable of improving adhesiveness of a silicon type thin film to a substrate and forming the silicon type thin film hardly causing cracking and peeling without damaging an electronic device formed on the substrate and without making a device constitution large-size.例文帳に追加

基板上に形成された電子デバイスにダメージを与えることなく且つ装置構成を大掛かりなものとすることなく、基板上へのシリコン系薄膜の密着性を向上させることができ、クラックや剥離が生じ難いシリコン系薄膜を形成できるシリコン系薄膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁