「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(210ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which enables a flip chip connection without the need for an underfill resin and the blow-out of a fuse is enabled based on the test result of electrical characteristics in a WLCSP including a stress relief layer, and moreover, the sealing of the upper part of the fuse can flexibley be dealt with.例文帳に追加

アンダーフィルの不要なフリップチップ接続を可能にするとともに、応力緩和層を設けるＷＬＣＳＰにおいて、電気的特性の検査結果をもとにヒューズの切断を可能にし、このヒューズの上部の封止に柔軟に対応することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrophoresis display device in which deterioration of adhesive force is suppressed, and structural durability and display durability are improved, even when an upper face of a structural body and a counter electrode board are adhered via an adhesive agent layer.例文帳に追加

接着剤層を介して構造体の上面と対向電極基板とを接着する場合であっても、接着力の低下を抑制し、電気泳動表示装置の構造的耐久性や表示耐久性を向上した電気泳動表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the size of an entire circuit module as compared with the case where an upper layer is supported directly by a substrate while suppressing a decrease in reliability of components and a connecting part in association with embedding of the component disposed on the substrate and the connecting part of the component to the substrate in resin.例文帳に追加

基板上に配置された部品およびその部品と基板との接合部分が樹脂中に埋設されるのに伴って、部品および接合部分の信頼性が低下してしまうのを抑制しつつ、上部層が基板によって直接支持された場合よりも回路モジュール全体を小型化する。 - 特許庁

The pixel electrode 18 and the external connection terminal 24 for the upper-layer drain line are connected to metal oxide films 11 and 22 which are provided on the source electrode 7 and the external connection terminal 21 for the drain line and made of ITO etc., through contact holes 17 and 23 formed in an overcoat film 16.例文帳に追加

画素電極１８および上層ドレインライン用外部接続端子２４は、オーバーコート膜１６に形成されたコンタクトホール１７、２３を介して、ソース電極７およびドレインライン用外部接続端子２１上に設けられた、ＩＴＯなどからなる金属酸化膜１１、２２に接続されている。 - 特許庁

Subsequently, an insulating material 12 is deposited on the substrate 1 to cover the laminate and the conductive material 11 is polished together with the insulating material 12 thus forming first and second electrode parts 2 and 3 and an insulator layer 4 having flattened upper surface on the substrate 1.例文帳に追加

次いで、この積層体を覆うように基板１上に絶縁材料１２を成膜した後、導体材料１１と絶縁材料１２を研磨することにより、基板１上に上面が平坦化された第１および第２の電極部２，３と絶縁体層４を形成する。 - 特許庁

The outdoor machine 1 using the color copper plate for the exterior part is coated with a middle low pressure polyethylene film 2 to eliminate the traces of boards and traces of corrugations of an upper packaging material 4 on the top 6 of the outdoor machine 1 on the lowermost layer when the outdoor machines 1 are stacked in stages.例文帳に追加

外装部品にカラー銅板を用いた室外機１を中低圧ポリエチレンフ１ルム２で被うことにより、段積みされた際にも最下層の室外機１の天板６に上部包装材４のダンポールの段目やコルゲート痕が残らないようにすることができる。 - 特許庁

Here, the SPQW is a quantum well which is divided into a plurality of sub-wells by at least one barrier layer which is so thin that the energy state on upper side and lower side is separated over its natural width, to contribute to different mini bands in respective RT regions.例文帳に追加

ここで、ＳＰＱＷとは、上側および下側のエネルギー状態がそれらの自然幅を超えて分離して各ＲＴ領域で相異なるミニバンドに寄与するほどに十分に薄い少なくとも１つの障壁層によって、複数のサブ井戸に分割された量子井戸をいう。 - 特許庁

In this base-isolated building constructed of a base isolating frame with the base isolating device 2 interposed between a column 3 and a foundation 1, a floor in a lowest layer is supported to a support part 7 for supporting the floor 6 below, through a sliding means 8 with the upper end and the lower end relatively movable in a lateral direction.例文帳に追加

柱３と基礎１との間に免震装置２を介在させた免震架構で構成してある免震建物において、最下層の床６は、床６を下方で支持する支持部７に対して、上端と下端とが横方向に相対移動自在な滑り手段８を介して支持されている。 - 特許庁

When a first surface material 12 is thermally fused on a second surface material 20, the molten first surface material 12 enters the second surface material 20, and the first surface material 12 and the upper half of the second surface material 20 are integrally solidified to form a first layer part 21.例文帳に追加

第２表面材２０に第１表面材１２を熱融着すると、第２表面材２０に、溶融した第１表面材１２が入り込んでいき、第１表面材１２と第２表面材２０の上半部とが一体に固化してなる第１層部２１が形成される。 - 特許庁

The flexible wire anchor 8 is inserted into an anchor insertion hole 4 formed in a ground 3, and at least a part is anchored onto an unmovable layer 5 composed of a hard geological section such as a baserock while the upper section of the wire anchor 8 is executed under the state in which it is bent in the direction of tensile force.例文帳に追加

地盤３に形成したアンカー挿入孔４に可撓性を有するワイヤアンカー８を挿入して、少なくとも一部を岩盤等の硬い地質部分からなる不動層５に定着させるとともに、ワイヤアンカー８の上部を引張力の方向に曲げた状態に施工する。 - 特許庁

The spacers for the liquid crystal display device are arranged for the purpose of keeping thickness of the liquid crystal layer of the liquid crystal display device, with the liquid crystal sealed in between substrates placed opposite to each other, constant wherein a surface with a fine irregular shape is formed on an upper surface of each of the spacers.例文帳に追加

対向させて配設された基板間に液晶が封入された液晶表示装置の該液晶層の厚さを一定に保つために配設される液晶表示装置用スペーサーであり、該スペーサー上面に微小な凹凸形状の表面が形成されている液晶表示装置用スペーサー。 - 特許庁

The silica glass crucible has a large number of recesses formed in the circumference direction in the initial melt line zone or an upper region including the zone on the generally smooth inner surface of a transparent layer, with each recess having a projection at the edge of the recess protruding by 20 to 1,000 μm from the smooth inner surface.例文帳に追加

本シリカガラスルツボは、透明層の全体的に滑らかな内表面の初期メルトライン帯域あるいはこれを含む上部域に、多数の凹部が円周方向に沿って設けられ、この各凹部の端部に滑らかな内表面から２０〜１０００μｍ突出する凸部が設けられる。 - 特許庁

An emission air chamber 61 is provided in the tip of the paper feed tray 3 and air emission ports 61h, 61i, and 61j for blowing air are provided in the upper layer part in the tip face of a sheet bundle S in projection parts 61e and 61f and in the side part of a sheet bundle in the projection part 61g.例文帳に追加

給紙トレイ３の先端部に吐出エアチャンバ６１が設けられ、凸部６１ｅ、６１ｆにはシート束Ｓの先端面の上層部に、凸部６１ｇにはシート束の側面部にエアを吹き込むためのエア吐出口６１ｈ、６１ｉ、６１ｊが設けられている。 - 特許庁

Throat height TH_T in the film thickness direction upper part which is a medium running direction trailing side of the main pole layer 34 and a throat height TH_L in the film thickness direction lower part being a medium running direction leading side are controlled, and the throat height TH_T of the trailing side is smaller than the throat height TH_L of the leading side.例文帳に追加

主磁極層３４の媒体走行方向トレーリング側である膜厚方向上部におけるスロートハイトTH_Tと、媒体走行方向リーディング側である膜厚方向下部におけるスロートハイトTH_Lを制御し、トレーリング側のスロートハイトTH_Tがリーディング側のスロートハイトTH_Lより短くなる構造とする。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a slip sheet removing method and device for releasing a slip sheet overlapped on an upper face of a panel in the uppermost layer from the panel and pulling it up easily when removing the slip sheets from a panel stacked body constituted by stacking panels through the slip sheets in a layered state.例文帳に追加

合紙を介してパネルが積層状に積み重ねられたパネル積層体から合紙を取り除くに際し、最上層のパネルの上面に重ね合わされる合紙をそのパネルから容易に剥離して引き上げることができる合紙除去方法および合紙除去装置を提供すること。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the third virtual circulating line from the inner side is such an interval that two of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first and second virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目及び２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を２本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The semiconductor laser device contains a substrate 11, a semiconductor multilayer film 20 which contains an active layer and is formed on the substrate 11, a first electrode 13 that is brought into contact with the upper surface of the semiconductor multilayer film 20, and a second electrode 14 that is brought into contact with the backside of the substrate 11.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ装置は、基板１１と、基板１１上に形成され活性層を含む半導体多層膜２０と、半導体多層膜２０の上面と接触する第１の電極１３と、基板１１の裏面側に接触する第２の電極１４とを含む。 - 特許庁

This simulation device changes an input port block having a configuration for receiving data from a block outside a subsystem block and inside an upper layer system, among a block group constituting the subsystem block, into a variable reading block acquiring a value set in a prescribed memory area (S220, S225).例文帳に追加

シミュレーション装置は、サブシステムブロックを構成するブロック群の内、サブシステムブロック外であって上層システム内のブロックからデータを受け取る構成にされた入力ポートブロックを、所定のメモリ領域に設定された値を取得する変数読出ブロックに変更する（Ｓ２２０，Ｓ２２５）。 - 特許庁

An upper layer outside electrode (a second outside electrode) 6 electrically connected to a spiral coil formed in a sintered body 10 is formed by respectively immersing the both end parts of the sintered body 10 with foundation outside electrodes (first outside electrodes) 4, 5 formed into an Ag/Pd paste bathig fluid.例文帳に追加

下地外部電極（第１の外部電極）４，５が形成されている焼結体１０の両端部を、それぞれＡｇ／Ｐｄペースト浴に浸漬させて、焼結体１０内に形成された螺旋状コイルと電気的に接続する上層外部電極（第２の外部電極）６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of certainly performing a bonding connection without damaging any active element under a connection pad and also raising a wiring using efficiency under the connection pad, when the connection pad is arranged at an upper layer of the active element.例文帳に追加

活性素子の上層に接続パッドを配置した場合に、接続パッド下の活性素子を損傷させることなくボンディング接続を確実に行うことができ、なおかつ接続パッド下の配線使用効率も向上させることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a plurality of lead-out electrodes 47, corresponding to the plurality of relay electrodes 48 respectively, are arranged on the upper surface of the first piezoelectric layer 40, and the relay electrodes 48 and the lead-out electrodes 47, each of which is continuous by using the conductive material in a plurality of through-holes 38.例文帳に追加

また、第１圧電層４０の上面には、複数の中継電極４８とそれぞれ対向する複数の引き出し電極４７が配列され、複数の中継電極４８と複数の引き出し電極４７は、複数のスルーホール３８内の導電性材料によってそれぞれ導通している。 - 特許庁

To design layout of lower modules of a semiconductor integrated circuit having a plurality of layers while considering a wiring state of an upper layer near the lower modules in each location of the lower modules to be used in a plurality of places.例文帳に追加

複数階層を有する半導体集積回路の階層レイアウトを行なう際に、複数個所で使用される下位モジュールについての各配置箇所における下位モジュール近傍の上位階層の配線状況を考慮して、下位モジュールのレイアウト設計を行なうことを課題とする。 - 特許庁

The plant fiber body is the kenaf fibers Kf with an average fiber length of 0.1-20 mm, which are dispersed in an asphalt layer formed from the asphalt mixture, or a kenaf fiber mesh sheet Ks which is interposed between two upper and lower asphalt layers formed from the formed from the asphalt mixture.例文帳に追加

前記植物繊維体は、アスファルト混合物から形成されるアスファルト層内に分散された平均繊維長０．１〜２０ｍｍのケナフ繊維Ｋｆ、若しくはアスファルト混合物から形成される上下２層のアスファルト層間に介在されるケナフ繊維製のメッシュシートＫｓである。 - 特許庁

To prevent lowering of wavelength conversion efficiency due to deterioration of a periodic polarization reversal structure in a miniaturized harmonic wave generator in which a wavelength conversion layer including a channel type optical waveguide provided with a periodic polarization reversal structure is held between a support substrate and an upper substrate.例文帳に追加

支持基板と上側基板との間に、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備える波長変換層が挟まれた形態の小型化された高調波発生素子において、周期分極反転構造の劣化による波長変換効率の低下を防止する。 - 特許庁

The ladder type thin film bulk wave resonator filter is provided with two series FBAR 10 and two parallel FBAR 11 each comprising a thin film bulk wave resonator (FBAR) having a lower electrode 25, upper electrodes 24, 27 and a piezoelectric layer held between them.例文帳に追加

はしご型の薄膜バルク波共振子フィルタは、それぞれ下部電極２５と上部電極２４，２７とこれらに挟まれた圧電層とを有する薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）よりなる２つの直列ＦＢＡＲ１０および２つの並列ＦＢＡＲ１１を備えている。 - 特許庁

The electrostatic chuck is characterized in that a groove is provided on the attracting surface and the groove connects regions at the upper part of the opening of the attracting electrode layer and extends to the peripheral part of the attracting surface or to one or a plurality of predetermined positions.例文帳に追加

吸着面に溝を施し、その溝が前記吸着電極層の開口部分上部の領域を連接し、前記吸着面の前記吸着面の周辺部又は一つ若しくは複数の定められた箇所へ延長することを特徴とする静電チャックとする。 - 特許庁

A photoresist film 5 is applied by photolithography to a laminate Josephson junction element base composed of a lower electrode 1 formed on a substrate 7, a insulation layer 3 formed thereon and an upper electrode 2 formed thereon, except a Josephson junction forming portion, thus performing a masking process.例文帳に追加

基板７上に下部電極１が形成され、その上に絶縁層３が形成され、さらにその上に上部電極２が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜５を塗布してマスキング処理を行う。 - 特許庁

The multilayer wiring board comprises a plurality of insulation film layers 4 of organic resin and wiring conductor layers 3 formed in multilayer on a substrate 1, and an overcoat layer 6 having steam transmission of 5 g/(m2.24 h) formed on the exposed upper surface of the insulation film layers 4.例文帳に追加

基板１上に、有機樹脂から成る複数の絶縁フィルム層４と配線導体層３とを多層に積層するとともに、絶縁フィルム層４の露出する上面に水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ^2・24ｈ）以下のオーバーコート層６を形成した多層配線基板である。 - 特許庁

Each vertical transfer 200 comprises the vertical transfer channel and a plurality of vertical transfer electrodes formed on the upper layer of the vertical transfer channel, which is formed so as to meander among the respective photoelectric conversion devices 100 constituting a corresponding photoelectric conversion device string.例文帳に追加

垂直転送部２００は、垂直転送チャネルと、垂直転送チャネルの上層に設けられた複数本の垂直転送電極とを含み、垂直転送チャネルは、対応する光電変換素子列を構成する各光電変換素子１００間を蛇行するように設けられる。 - 特許庁

The slit 41 closed by the lower electrode layer 2 and the upper electrode 3 makes a cavity 5, a part of which is filled with a static capacitance medium 6, thereby the common electrode 22 and the opposite electrodes 32 and 33 are immersed in the static capacitance medium 6.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにはその容積の一部を占めるように静電容量媒体６が注入され、これにより共通電極２２及び対向電極３２，３３が静電容量媒体６に浸漬されている。 - 特許庁

Gate electrodes 22 are formed on an upper surface, both right and left side surfaces and bottom surface of a semiconductor layer 11a for channel formation formed by processing a semiconductor substrate 11 into a Fin shape and a channel region is included which is surrounded on four sides by the gate electrodes 22.例文帳に追加

半導体基板１１をＦｉｎ状に加工して形成されたチャネル形成用半導体層１１ａの上面、左右両側面及び底面にゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２により４面を囲まれるチャネル領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can ensure the flatness of the surface of an upper layer formed on a semiconductor substrate on at least on an element formation area, as well as reduce the quantity of pattern data necessary to form a pattern for ensuring the flatness.例文帳に追加

少なくとも素子形成領域上において、半導体基板上に形成される上層の表面の平坦性を確保することができながら、その平坦性の確保のためのパターンの形成に必要なパターンデータの量の低減を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The stress releasing layers may be configured of a plastically deformable metal material such as indium (In) or an In-Ag alloy, and the upper and lower sides thereof may be sandwiched by an alloying prevention layer made of a completely unalloyable metal with indium (In), e.g., aluminum (Al).例文帳に追加

応力緩和層を、インジウム（Ｉｎ）あるいはＩｎ−Ａｇ合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層で挟んでもよい。 - 特許庁

The nonreversible circuit element 1 roughly consists of a metal case (a metal upper case 4 and a metal lower case 8), a permanent magnet 9, a center electrode assembly 13 and a multi-layer substrate 30 having a resistive element and a capacitor element for matching built-in and from which terminal electrodes 14, 15, 16 project.例文帳に追加

非可逆回路素子１は、概略、金属ケース（金属製上側ケース４及び金属製下側ケース８）と、永久磁石９と、中心電極組立体１３と、抵抗素子と整合用コンデンサ素子を内蔵し、端子電極１４，１５，１６が突出している多層基板３０からなる。 - 特許庁

A receiver of a duplicate network system discriminates whether a history information storage section 16 is to store history corresponding to the received frame, registers the history of the received frame to the history information storage section 16 when the history has not been registered, and informs the upper layer about the frame, by discriminating relay to be valid.例文帳に追加

受信したフレームに該当する履歴が履歴情報記憶部１６に登録されているかどうかを判定し、登録されていないときには履歴情報記憶部１６に受信したフレームの履歴を登録すると共に、中継有効として上位層にフレームを通知する。 - 特許庁

A first frame forming layer 32 is made flat by ensuring that respective upper end surfaces of a gate electrode 21G, a metal frame 21GF for the gate electrode, and an electric power supply wire metal frame VF, and a first insulating film Z1 formed in its exclusive domain is maintained flat so as to coincide with each other.例文帳に追加

ゲート電極２１Ｇ、ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦ、電源線メタルフレームＶＦと、その排他的領域に形成される第１の絶縁膜Ｚ１とのそれぞれの上端面が一致するように平坦化することで、第１フレーム形成層３２の平坦化した。 - 特許庁

This insect trap 1 having heat insulation function is characterized by being obtained by providing a tray 3 storing an exothermic element, on the surface of the bottom plate 12 of a housing 2 having a front inlet 31 and a side inlet 32 for insects invading therethrough, and having an adhesive layer 10 on the upper surface of the tray 3.例文帳に追加

保温機能を有する捕虫器１は、昆虫が侵入し得る正面入口３１と側面入口３２を設けた箱体２の底板１２面上に、発熱体を収納したトレイ３を配設し、このトレイ３の上面上に粘着剤層１０を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁

The sandwich structural material is manufactured by laminating reinforcing fibers to the upper and under surfaces of the core material 10 for the sandwich structural material to form a laminate, supplying the liquid matrix resin to the laminate and heating the laminate to which the matrix resin is supplied to provide a fiber reinforced resin layer.例文帳に追加

本発明のサンドイッチ構造材料の製造方法は、上述したサンドイッチ構造材料用コア材１０上下に強化繊維を積層して積層体を形成し、その積層体に液状マトリクス樹脂を供給し、加熱して繊維強化樹脂層を設ける方法である。 - 特許庁

In the apparatus for manufacturing and inspecting the semiconductor comprising the ceramic substrate having a conductor layer provided on its surface or therein and fixed to an upper part of the supporting container having a plate-like element, the columnar member is installed on the plate-like element of the container.例文帳に追加

その表面または内部に導体層が設けられたセラミック基板が、板状体を備えた支持容器の上部に固定されてなる半導体製造・検査装置であって、前記支持容器の板状体には、柱状部材が設置されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置。 - 特許庁

The floor heating radiator is composed by arranging a composite board of bonding metal plates on both sides of a resin sheet core material on an upper side of a base material layer 1 with floor heating pipe 3 embedded therein for passing a heat medium.例文帳に追加

熱媒を通す暖房配管３を埋没した基材層１の上側に、樹脂シートの芯材両面に金属板を接合した複合板４が配置されている床暖房放熱器、および、当該床暖房放熱器の上面に表装材が配置されてなる暖房可能な床の構造。 - 特許庁

Channels of each communication terminal are time-divided into a control packet area section to transmit and receive the control packet including the relay route information among the plural communication terminals and a data packet area section to transmit and receive the data packet related to an application and an upper layer.例文帳に追加

前記複数の通信端末間の中継経路情報を含んだ制御パケットの送受信を行なう制御パケット領域区間と、アプリケーション及び上位層に関わるデータパケットの送受信を行なうデータパケット領域区間とに、前記各通信端末のチャネルを時分割した。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a floating gate electrode itself is patterned easily, in addition, patterning performance is improved and yield in wiring is not degraded, even in patterning of an upper layer such as a subsequently formed control gate electrode; and a method for fabricating the device.例文帳に追加

フローティングゲート電極そのもののパターニングを容易にすると共に、その後に形成されるコントロールゲート電極など上層のパターニングにおいても、パターニング性能の向上及び配線歩留まりの低下を防ぐことができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate for liquid discharge head, an upper protective layer 107a which is formed in the region corresponding to a heating part is constituted by laminating two or more first layers which dissolve into a liquid by an electrochemical reaction with the liquid and two or more second layers which change into a passivity.例文帳に追加

発熱部に対応する領域に形成された上部保護層１０７ａは、液体との電気化学反応により、前記液体中に溶出する第１の層と、不動態となる第２の層とが其々２層以上積層された構成である液体吐出ヘッド用基板。 - 特許庁