「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(216ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cover body 113, a movable part 113c having structure where minute covers 113d shielding the upper end faces of the respective holes 111 are coupled is held by hinge parts 113c thinly drawn from fixing parts 113a fixed on the base plate 110 at both edge side parts while putting an insulating layer 112 in between.例文帳に追加

蓋体１１３では、両縁辺部において絶縁層１１２を挟んで基板１１０に固定された固定部１１３ａから細く延伸するヒンジ部１１３ｄにより、各穴１１１の上端面を掩蔽する微小蓋１１３ｄを連結した構造を有する可動部１１３ｃが保持される。 - 特許庁

A self-illumination type key top unit comprises plural transparent key tops 11 each having a character printed layer on a lower surface, clicks 13 connected to each other which make clicking action when an upper surface is pushed, key tops 11, and transparent releasable adhesive layers 15 formed between the key top 11 and the click.13.例文帳に追加

本発明の自照式キートップユニットは、下面に文字印刷層を設けた複数の透明のキートップ１１と、上面が押されたときクリック動作をする互いに連結されたクリック１３と、前記キートップと前記クリックの間に形成した透明な離型粘着層１５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A conductive layer 13P for the upper electrode on the electron discharge electrode is film-formed on the whole face of an image display region, a voltage is applied between neighboring scanning electrodes 21n and 21n+1 and a current is made to flow, and the electron discharge electrode between the adjacent scanning electrodes 21n and 21n+1 is fused and separated by Joule's heat.例文帳に追加

画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層１３Ｐを成膜し、隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間の電子放出電極を溶断して分離する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The projection portion 10 is obtained by forming a liquid repelling portion 40 having a liquid repelling property to a liquid material and a hydrophilic portion 42 having higher wettability to the liquid material than that of the liquid repelling portion 40 to an upper face 20a of an insulation layer 20, and after that, spraying the liquid material to the hydrophilic portion 42 and curing the liquid material.例文帳に追加

凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The piezo-electric element includes the Si substrate, a piezo-electric film of niobic acid potassium sodium of perovskite structure whose general formula is (K, Na)NbO_3 formed on the upper portion of the Si substrate, and an intermediate layer formed between the Si substrate and the piezo-electric film, which makes the piezo-electric film generate stress in a compressing direction.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上方に形成され、一般式が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Ｓｉ基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。 - 特許庁

A circuit diagram editor having a function for applying a symbol name and a symbol number to elements of same configuration and for collectively describing a plurality of elements of same configuration in one element in a circuit diagram in an upper layer is configured to prepare a terminal connection table 22 for an arbitrary cell 10, and to achieve wiring expressions by using the terminal connection table 22.例文帳に追加

上位階層の回路図において、同一構成の要素にシンボル名とシンボル番号を付与して、複数の同一構成の要素を一つの要素に一括表記する機能を有する回路図エディタに、任意のセル１０について端子接続表２２を作成し、端子接続表２２を用いた配線表現を可能とする。 - 特許庁

To provide a machine readable information printed article effective for preventing forgery, alteration or the like, by hardly allowing a person to visually recognize a latent printed image, avoiding restrictions on a picture pattern to be formed on its upper layer and providing the image which cannot be read to inhibit recognition of the true image even if an infrared ray considered to be optimum is applied.例文帳に追加

目視では印刷画像の潜在に気づかずに、その上層の絵柄の制限を受けにくく、さらに最適なと思い込みの赤外線を適用しても、画像を読み取れず、真の画像を認識出来ず、偽造、改ざん等の予防に有効な機械読み取り可能な情報印刷物の提供にある。 - 特許庁

When a wiring trench 113 or a wiring trench and a connection hole are formed in an insulating film, in a forming process of a multilayer wiring having a metal wiring of copper or copper alloy, an edge cut region formed in a photoresist 105 for etching an upper layer insulating film 104 is shifted to the outer side of the insulating film 104.例文帳に追加

銅又は銅合金の金属配線を有する多層配線の形成工程において、絶縁膜に配線溝１１３もしくは配線溝及び接続孔をエッチング形成する際に、上層の絶縁膜１０４のエッチング用のフォトレジスト１０５に形成されたエッジカット領域を絶縁膜１０４の外側にずらす。 - 特許庁

The package 9 for electronic component storage includes, on an upper surface of an insulating base 1 formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers 1a, the recess 2 for electronic component storage formed penetrating center portions of some of the ceramic insulating layers 1a along the thickness, the inner surface of the recess 2 being coated with a ceramic coating layer 3.例文帳に追加

複数のセラミック絶縁層１ａが積層されてなる絶縁基体１の上面に、一部のセラミック絶縁層１ａの中央部が厚み方向に貫通されて形成された電子部品収納用の凹部２を有し、凹部２の内側面がセラミック被覆層３で被覆されている電子部品収納用パッケージ９である。 - 特許庁

This burglar preventing element 1 is provided with a lower-side conducting route 2 consisting of a coil and an upper-side conducting route 3 consisting of a coil, which are wound in the reverse direction, overlap in at least one overlapped area, and with an additional dielectric layer 4 at the overlapped area.例文帳に追加

防犯エレメント１は、巻線からなる下側導通経路２及び巻線からなる上側導通経路３を備え、これら２つの導通経路が逆方向に巻回され、少なくとも１つの重複領域において重複し、２つの導通経路の重複領域に追加の誘電体層４を備えている。 - 特許庁

When any request relating to a second mobility management process and issued by an upper layer is received after the request relating to the first procedure is transmitted and before the acceptance message is received, a maintaining request to maintain the connection is transmitted to the node in response to the acceptance message.例文帳に追加

第１の処理に関する要求が送信された後であって承認メッセージが受信される前に、第２の移動管理処理に関する上位のレイヤーによって発行された何らかの要求が受信された場合、承認メッセージに対する応答として、接続を維持する維持要求がノードへ送信される。 - 特許庁

Specifically, the extended portion 3b is formed by bending outer peripheral portions of two high permeability electromagnetic steel sheets upward and downward nearly at right angles, respectively, in the direction nearly parallel with the magnet 5, wherein the high permeability electromagnetic steel sheets include upper and lower faces (an outermost layer) among a plurality of laminated high permeability electromagnetic steel sheets which constitute a stator 3.例文帳に追加

この延長部３ｂは具体的には、ステータ３を構成する積層された複数の高透磁率電磁鋼板のうち、上、下面（最外層）を含む２枚の高透磁率電磁鋼板の外周部分を、前記磁石５と略平行方向にそれぞれ上、下方向に略直角に曲げることにより形成したものである。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

The hollow body 11 has a hollow air-permeable porous body 12 made of a ceramic and a non-air-permeable finished layer 33 provided on a part of this air-permeable porous body 12 positioned on the upper part side in water and only a part of the hollow body 11 positioned on the lower part side in water is air-permeable.例文帳に追加

中空体１１は、中空状のセラミック製の通気性多孔質体１２と、この通気性多孔質体１２のうち水中で上部側に位置する部分に設けられた非通気性仕上層３３とを有し、中空体１１のうち水中で下部側に位置する部分のみが通気性となっている。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.例文帳に追加

半導体装置は、複数の容量素子４１と、各容量素子４１の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜３４及び第２の層間絶縁膜２８と、容量素子４１同士の間の領域に形成され、ビット線３３と接続されたビット線コンタクトプラグ３１とを備えている。 - 特許庁

A permeation type UV (ultraviolet light) curable resin is coated and impregnated on the plywood 1 cured by the impregnation of a permeation type hydrophobic resin from the surface side, and the cured layer A of the permeation type UV curable resin is formed on the upper part of the plywood 1, and a substrate 2 is disposed on the lower part of the plywood 1.例文帳に追加

浸透型疎水樹脂が含浸されて硬化した単板１に、表面側から浸透型ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂が塗布含浸されてその浸透型ＵＶ硬化型樹脂の硬化層Ａが単板１の上部に形成されており、この単板１の下部には基材２が配設されていることとする。 - 特許庁

The flashing member 13 partitioning an upper external wall material 11 and a lower external wall material 12 of a building comprises a vent passage 45 allowing the air layer 31B between the lower external wall material 12 and a skeleton 10 to communicate with a space 50 outside the lower external wall material 12.例文帳に追加

建物における上部外壁材１１と下部外壁材１２との間を仕切る水切部材１３を備え、この水切部材１３は、下部外壁材１２と躯体１０との間の空気層３１Ｂと、当該下部外壁材１２の外側の空間５０とを連通する通気路４５を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

When the discrimination is performed, the ECU 100 prohibits mixing of the fuel in the phase separation state stored in a fuel tank 310 as long as a prescribed period, pumps out a gasoline from a gasoline phase 300G in an upper layer part through an intake port 301 for a lower gravity than the gasoline, and then supplies it to an injector 214.例文帳に追加

当該判別がなされた場合、ＥＣＵ１００は、燃料タンク３１０内に貯留される相分離状態の燃料の攪拌を所定期間禁止し、ガソリンよりも比重の小さい吸入口３０１を介して上層部にあたるガソリン相３００Ｇからガソリンを汲み出してインジェクタ２１４に供給する。 - 特許庁

This terminal block includes: a terminal stand provided with a plurality of thermocouple connection terminals; and a metal core print substrate formed by covering with an insulating layer, an upper surface provided with at least a conductor constituting wiring, a lower surface and an outer surface of a metal plate including a through-hole into which a lead terminal of the terminal stand is inserted.例文帳に追加

複数の熱電対接続端子が設けられる端子台と、少なくとも配線を構成する導体が設けられる上面及び下面、並びに、前記端子台のリード端子が挿入されるスルーホールを含む金属板の外面が絶縁層に覆われてなる金属コアプリント基板と、を備えているようにした。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head for accurately reading a fine reproduction signal without generating any deterioration of insulating characteristics between a lead to a magnetic resistance element and upper and lower shields even when a shield gap layer is made thin by reducing the resistance of the lead for improving the thermal asperity of a magneto-resistance effect type thin film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.例文帳に追加

基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI wafer, with which the occurrence of voids or crystal defect, a problem of the conventional SOI wafer manufacturing step, can be suppressed by eliminating the surface roughness and an overhung shape formed by the difference in growth speeds in upper and lower layers in a silicon epitaxial growth layer.例文帳に追加

シリコンエピタキシャル成長層における、表面ラフネスの解消と上下層の成長速度差に基づいて形成されるオーバーハング形状の解消とを図ることにより、ＳＯＩウエハ製造工程において問題となっていたボイドや結晶欠陥の発生を抑えることのできるＳＯＩウエハの製造方法の提供。 - 特許庁

The gate wiring layer (electrode film) of each transistor formed in the CMOS process is doubled and, in a pixel Tr in the vicinity of a PD 219, the gate electrodes of a transfer Tr 211 and a reset Tr 214 are formed by using the lower gate electrode film and the upper gate electrode film is utilized for the light shielding film of the FD 216.例文帳に追加

ＣＭＯＳプロセスで形成される各トランジスタのゲート配線層（電極膜）を２層化し、ＰＤ２１９の周辺の画素Ｔｒでは、転送Ｔｒ２１１とリセットＴｒ２１４のゲート電極を下層のゲート電極膜を用いて形成し、上層のゲート電極膜をＦＤ２１６の遮光膜に利用する。 - 特許庁

A fluid channel unit 11 is formed by bonding a plurality of plate materials and the diaphragm 15 to each other, a plurality of cavities to be pressurizing chambers 14Aa are formed to be arranged on the cavity plate adjacent to the diaphragm in the plate materials, and then a piezoelectric layer 12A is formed on the upper side of the diaphragm 15.例文帳に追加

複数枚のプレート材および振動板１５が接合されて流路ユニット１１が構成され、前記プレート材のうち前記振動板に隣接するキャビティプレートに、圧力室１４Ａａとなる複数のキャビティが配列状態で形成され、振動板１５の上側に圧電層１２Ａが形成されている。 - 特許庁

A laminated article 2 is made by laminating a plurality of veneers which are cut into sheets and form veneer layers 2'a within laminated cross section; wherein each veneer layer 2'a is piled so that the fiber directions a of upper and lower adjacent veneers intersect reversely slanting each other in a pitch angle of 60° to 120°.例文帳に追加

この発明は、シート状に切削形成され積層断面内で単板層２′ａを形成する複数枚の単板を、上下に隣接する単板層２′ａの繊維方向ａが互いに逆向きに傾斜する６０°〜１２０°の傾斜角で交差するように重ね合わせて積層接着した積層材２に関する。 - 特許庁

A multicast/broadcast method receives an Internet Protocol (IP) packet from an upper layer, determines whether a multicast destination address or a broadcast destination address is contained in the received IP packet, and transmits a packet in which a connection identifier (CID) for the multicast or the broadcast is selectively attached to the received IP packet according to a result of the determination.例文帳に追加

マルチキャスト／ブロードキャスト方法は、上位階層からＩＰパケットを受信し、そのＩＰパケット中にマルチキャスト目的地アドレス又はブロードキャスト目的地アドレスがあるかを判断し、判断結果に従い受信されたＩＰパケットにマルチキャスト／ブロードキャストのためのＣＩＤを選択的に付けたパケットを送信する。 - 特許庁

The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０と、磁気記憶素子１０に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層４にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁

In the transflective liquid crystal display device 50, a liquid crystal 26 is interposed between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 disposed opposite to each other, a semitransmission reflection layer 35 consisting of cholesteric liquid crystal layers 34r, 34g and 34b is provided on the lower substrate 23 and a backlight 22 is provided.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置５０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶層３４ｒ，３４ｇ，３４ｂからなる半透過反射層３５が設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

On the first inter-layer insulation film 112, a capacitor lower electrode 115 connected to the first plug 113, a capacity insulation film 118 composed of the ferroelectric film, and a capacity upper electrode 119 extended to the outer side of the capacity insulation film 118 and electrically connected to the second plug 114 are successively formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１１２の上に、第１のプラグ１１３と接続する容量下部電極１１５、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜１１８、及び容量絶縁膜１１８の外側まで延び且つ第２のプラグ１１４と電気的に接続する容量上部電極１１９を順次形成する。 - 特許庁

Scribing can be applied to a required part, that is, a desired position of even the semiconductor thin plate 2 wherein a side including a scribing reference differs from the scribed face, such as even the semiconductor thin plate 2 on the upper side of which a coating layer is formed entirely by individually or interlockingly controlling the cameras.例文帳に追加

個々のカメラを制御、或いは相互に同調させることによって、スクライブを行う基準が存在する面とスクライブを行う面とが異なる、例えば上面に全面的に被覆層が形成された半導体薄板２に対しても、所要部すなわち所望の位置にスクライブを行うことができる。 - 特許庁

In the analysis of the chemical bond of carbon by an X-ray photoelectron spectroscopic analysis method, coating layers 2 of polyphenylene ether-based organic matter are formed on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1 of 7-18% area ratio caused by carboxy groups in the C1s peak area of the surface.例文帳に追加

Ｘ線光電子分光分析法による炭素の化学結合状態の分析で、表面のＣ１ｓピーク面積におけるカルボキシル基に起因する面積の割合が７〜１８％である液晶ポリマー層１の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層２を形成して成ることを特徴とする絶縁フィルム３。 - 特許庁

When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.例文帳に追加

シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁

The optical connector device includes an optical waveguide substrate having an optical waveguide and a reference surface having the same height as the upper surface of a core layer thereof, and a connecting terminal member (a connector fixing part and a connector part) having a fitting structure and a reference surface for connecting the optical waveguide substrate to the other optical connector device.例文帳に追加

光コネクタ装置は、光導波路とそのコア層の上面と同じ高さをもつ基準面とを有する光導波路基板と、この光導波路基板を他の光コネクタ装置と接続するための勘合構造と基準面とをもつ接続端子部材（コネクタ固定部品、コネクタ部品）とを有する。 - 特許庁

Between a wiring layer 2 of the wiring substrate 1 and the protruding electrode (bump) 6 of the lower semiconductor chip 5, as well as a protruding electrode (bump) 7 of the lower semiconductor chip 5 and a protruding electrode (bump) 9 of the upper semiconductor chip 8 are electrically connected together by electroless plating that uses the reducing agent of redox base metal.例文帳に追加

配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。 - 特許庁

The fine pores reach the cathode electrode lines 13 through the insulation layer 14 and the gate electrode lines 15, a projecting structure made of metal having a trapezoidal cross section is projectingly provided in each fine pore, and on its upper surface part an electron emitting part is formed, having a carbon nanotube erected on a surface thereof.例文帳に追加

各微細孔１７は、上記絶縁層１４とゲート電極ライン１５とを貫通してカソード電極ライン１３に到達し、微細孔１７内には金属製の断面が台形状の凸構造１６１が突設され、その上面部に、表面にカーボンナノチューブ１６ａが立設された電子放出部１６が形成されている。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

The electrophoretic display device 1 has an electronic ink layer 6 containing many white electrified particles 4 and many black electrified particles 5 between an upper substrate 3 and a lower substrate 2 and also has a transmission display area T and reflection display area R in one pixel constituting a display pattern.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置１は、上基板３と下基板２との間に多数の白色帯電粒子４と多数の黒色帯電粒子５とを含有した電子インク層６が挟持され、表示パターンを構成する一つの画素内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有している。 - 特許庁

To provide a negative charging one component nonmagnetic toner, which is a one component nonmagnetic toner formed without adding a charge control agent, wherein charge distribution can be adjusted in regulating a thin layer, and leakage of regulation, scattering of an upper sealing and photoreceptor fog are not caused during endurance, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

荷電制御剤を添加しないで形成された一成分非磁性トナーであって、薄層規制に際し帯電分布調整を可能とすると共に、耐久時にあって規制モレ、上シール飛散や感光体カブリを生じることのない負帯電性一成分非磁性トナーおよび画像形成装置の提供。 - 特許庁

The messages indicate whether the SS and the BS are allowed to use an Upper Layer Signaling (R2) and a Dynamic Service Addition/Change (DSA/DSC) signaling (DSx) for multicast-broadcast services (MBS) for subsequent message exchanged between the SS and the BS, after the SS is admitted into the cell.例文帳に追加

メッセージは、ＳＳがセルに入ることを認められた後に、ＳＳとＢＳとの間で交換される後続のメッセージについてのマルチキャストブロードキャストサービス（ＭＢＳ）のために、ＳＳ及びＢＳが、上位レイヤシグナリング（Ｒ２）及び動的サービス追加／変更（ＤＳＡ／ＤＳＣ）シグナリング（ＤＳｘ）を使用することを可能にされるか否かを示す。 - 特許庁

After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed.例文帳に追加

シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。 - 特許庁

Further, the upper electrode sheet 11 and the lower electrode sheet 5 are adhered by a dot-pattern adhesion printed layer 15 made of a large number of small dots and capable of ventilating at a portion other than the embossing portion 9 so that the embossing portion 9 may be located at the outside direction of the lower contact electrode 3.例文帳に追加

また、前記エンボス部９が前記下部接点電極３の外方に位置するように、前記上部電極シート１１と前記下部電極シート５が、前記エンボス部９以外の部分で無数の小ドットからなる通気可能なドット模様粘着印刷層１５で粘着されていることを特徴とする。 - 特許庁