「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(220ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chlorine gas removing method for electrolytic water generating device which allows the chlorine gas generated on the upper part of electrolytic cell of electrolytic water generating device for domestic use obtaining acidic water and alkaline water from city water layer to be removed with a neutralization means of chlorine gas or uses the neutralization means of chlorine gas and a chlorine gas adsorption means by mixing the same.例文帳に追加

水道水層から酸性水とアルカリ水を得る家庭用の電解水生成装置の電解槽の上部に生成する塩素ガスを、塩素ガスの中和手段で除去させるか、塩素ガスの中和手段と塩素ガス吸着手段を混合して用いる電解水生成装置用の塩素ガス除去方法を提供する。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

In a manufacturing process of this light emitting device, counter electrodes 112 are formed on upper layers of the organic function layer 113 and barrier ribs 105 by using an aluminum film formed by a deposition method, and thereafter compound layers 112x formed out of an aluminum oxide film are formed on the counter electrodes 112 by irradiating the counter electrodes 112 with oxygen plasma.例文帳に追加

発光装置の製造工程において、有機機能層１１３および隔壁１０５の上層に、蒸着法により成膜したアルミニウム膜を用いて対向電極１１２を形成した後、対向電極１１２に酸素プラズマを照射して対向電極１１２の表面にアルミニウム酸化膜からなる化合物層１１２ｘを形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which suppresses electric charging on an upper face of an embedded silicon oxide 2 acting as a capacitor dielectric between a substrate and a silicon layer configuring an element region when a high voltage is applied to a circuit element, decreases an on resistance of the element, and also dissipates heat generated in an element part efficiently.例文帳に追加

回路素子に高電圧を印加したときに、基板と素子領域を構成するシリコン層との間でコンデンサ誘電体の作用をする埋め込み酸化シリコン２の上面に電荷が蓄えられるのを抑制して、素子のオン抵抗を減少させると共に、素子部で発生した熱を効率よく放出することができる半導体デバイスを得る。 - 特許庁

A ground electrode 31 in a rectangular frame shape, a center electrode 32 disposed in the center of the reverse surface, a capacity lower electrode 33 connected to the center electrode and disposed opposite the capacity upper electrode 21, an inductance portion 34 connecting the center electrode 32 and ground electrode 31 to each other, are formed on the reverse surface side of the dielectric layer 10.例文帳に追加

誘電体層１０の下面側には、四角枠状のグランド電極３１、下面中央に配置される中央電極３２、中央電極に接続され且つ容量上部電極２１に対向配置される容量下部電極３３、中央電極３２とグランド電極３１とを接続するインダクタンス部３４を形成する。 - 特許庁

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁

The liquid crystal display device 20 is the transflective liquid crystal display device wherein a liquid crystal 26 is held between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 opposing each other and a transflective layer 35 including cholesteric liquid crystal films 34r, 34g and 34b is provided above the lower substrate 23 an which is provided with a backlight 22.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置２０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶層３４ｒ，３４ｇ，３４ｂからなる半透過反射層３５が設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

This local anesthetic preparation for endoscopic pretreatment of upper alimentary canal has a long substrate 10 having 40-150 mm bending resistance and a plaster layer 20 which is formed on one side or both sides of one end part of the substrate 10 in the long length direction and contains at least a local anesthetic and an adhesive polymer.例文帳に追加

本発明の上部消化管内視鏡前処置用局所麻酔製剤は、剛軟度が４０〜１５０ｍｍである長尺状の支持体１０と、支持体１０の長尺方向の一端部の片面または両面において形成され、少なくとも局所麻酔薬および粘着性高分子を含有する膏体層２０とを有する。 - 特許庁

This plate member storage device is provided with a roller conveyor to support only upper and lower end parts of the plate member 1 which is vertically or diagonally stored, a roller 3 and a porous body 7 to support a central part, and air passing through the porous body 7 forms an air layer 8 between the plate member 1 and a surface facing the porous plate member 1.例文帳に追加

垂直あるいは斜めに収納された板状部材１の上下端部のみを支持するローラーコンベア２とコロ３と中央部分を支持する多孔質体７とを設けたものであり、多孔質体７を通過した空気が、板状部材１と、多孔質体の板状部材１と対面する面との間に空気層８を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a photosensitive lithographic printing plate with a photosensitive layer formed on an aluminum support having a hydrophilic surface, the method is characterized in that an upper end notched part is formed in the end parts of at least the opposed two sides of the plate by pressing the end parts with the help of a continuous press.例文帳に追加

親水性表面を有するアルミニウム支持体上に感光層が設けられている感光性平版印刷版の製造方法において、感光性平版印刷版の少なくとも対向する２辺の端部を連続プレス機によって押圧して上端切り欠き部を形成することを特徴とする感光性平版印刷版の製造方法。 - 特許庁

The aseismatic structure building is comprised by forming an internal space by a plurality of pillars erected on a foundation, a floor provided on the foundation, a roof provided on upper parts of the pillars, and walls provided in outer sides of the pillars, and anchor bolts are driven to a load bearing layer of the ground through the foundation.例文帳に追加

基礎上に立設された複数本の柱と、前記基礎上に設けられた床と、前記柱の上部に設けられた屋根と、前記柱の外側に設けられた壁体とにより内部空間を形成してなる建造物であって、アンカーボルトが前記基礎を貫通して地盤の支持層まで打ち込まれてなる耐震構造建造物とする。 - 特許庁

In the decorative synthetic resin sheet wherein synthetic resin films 3 and 3 having light perviousness are integrally laminated on both upper and back surfaces of Japanese paper 1, an antistatic intermediate layer 2 comprising an antistatic anchor coat agent having adhesiveness is interposed between at least one of the synthetic resin films 3 and 3 on both surfaces and the Japanese paper 1.例文帳に追加

和紙１の表裏両面に透光性のある合成樹脂フィルム３、３を貼着一体化した装飾合成樹脂シートにおいて、表裏両面の合成樹脂フィルム３、３の少なくとも一方と和紙１とを相互間に接着性を有する静電防止性アンカーコート剤よりなる帯電防止中間層２を介在させて貼着一体化する。 - 特許庁

In a manufacturing method for the SOI high-voltage transistor 200, a control channel region 208 and an auxiliary channel region 210 adjacent to the control channel region 208 are formed in an Si upper layer 206 of an SOI substrate 201, and a control gate 220 is formed on the control channel region 208 and an auxiliary gate 222 on the auxiliary channel region 210.例文帳に追加

本発明に係るＳＯＩ高電圧トランジスタ２００の製造方法においては、ＳＯＩ基板２０１のＳｉ上部層２０６に、制御チャネル領域２０８及びこれに近接する補助チャネル領域２１０を形成し、制御チャネル領域２０８上に制御ゲート２２０と、補助チャネル領域２１０上に補助ゲート２２２とを形成する。 - 特許庁

A dummy pattern, deposited in the lower layer of the integrated circuit and connected to a complementary upper skin bonding pad via metal connection and the metal connection, which has no additional or special process stage, are formed simultaneously while a process stage used for forming a circuit component included in the integrated circuit is advanced.例文帳に追加

集積回路の下層に蒸着されて複数の相補的な上皮ボンディングパッドまで金属連結を介して連結したダミーパターンを含むのであるが、かかるダミーパターンと金属連結とは、追加されたり特別の工程段階がなく、集積回路内に含まれた回路成分を形成するために使われる工程段階が進められる間に同時に形成される。 - 特許庁

A process tank 10 in which the dampening water divided by the branch pipe 15 is allowed to stand, a concentration tank 11 which receives liquid of an upper layer from the tank 10, separates suspending ink, and returns the residual liquid to the tank 10, and a filter device 7 which filters the liquid in the tank 10 and introduces the liquid into the tank 8 are provided.例文帳に追加

分岐管１５で分岐された湿し水を静置するプロセスタンク１０と、同プロセスタンク１０内から上層の液を受入れて浮遊したインキを分離し残留液を前記プロセスタンク１０へ戻す濃縮タンク１１と、前記プロセスタンク１１の液を濾過して湿し水冷却循環タンク８へ流入させる濾過装置７を有している。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and sufficiently high resolution, excels in adhesion to a substrate, a base or an upper layer, suppresses generation of a sublimate during baking in a film forming process, ensures a large development margin, and can be suitably used for forming an interlayer insulation film or microlenses.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、解像度が十分に高く、基板もしくは下地または上層との密着性に優れ、膜形成工程の焼成時における昇華物の発生が抑制され、且つ現像マージンが大きく、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用できる感放射線樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.例文帳に追加

リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも２つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、２つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁

To provide an electron source which is a thin film type electron source having a lower electrode and an upper electrode and an electron acceleration layer comprising an insulator or a semiconductor between them starting a diode current at lower threshold voltage than in the prior art and capable of securing a diode current required for electron emission even at low voltage, and to realize an image display device having a long service life and low power.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有する薄膜型電子源で従来よりダイオード電流が低い閾値電圧で立ち上がり、低電圧でも電子放出に必要なダイオード電流が確保できる電子源を提供し、長寿命、低消費電力の画像表示装置を実現すること。 - 特許庁

The fluorine-containing water is allowed to flow through not after the calcium carbonate particles of the small diameter are packed in the reaction tower 1 forming a packed layer, but the calcium carbonate particles are charged from the upper part of the reaction tower 1 while the fluorine-containing water is flowing upward through the reaction tower 1, and the calcium carbonate can thus effectively react with the fluorine in the fluorine-containing water.例文帳に追加

小粒径の炭酸カルシウム粒子を、反応塔１に充填して充填層を形成してからフッ素含有水を通水するのではなく、反応塔１に上向流でフッ素含有水を通水している際に反応塔１の上方から投入することにより、フッ素含有水中のフッ素と効率的に反応させることができる。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

The power constituent part is formed in an N-type silicon board defined by a P-type wall surface and has a lower surface including a first P-type region 3 connected to the wall surface, an upper surface including a second P-type region and a conductive layer extending between the second region 4, and a wall surface on a board.例文帳に追加

Ｐ型壁面によって画定されたＮ型シリコン基板中に形成されたパワー構成部品であって、この壁面に接続された第１のＰ型領域を含む下側表面、第２のＰ型領域を含む上側表面、および基板の上で第２の領域と壁面の間に延びる導電層を有するパワー構成部品である。 - 特許庁

To provide a water sealing sheet and a working method in a waste disposal facility, in which the water sealing sheet is formed swiftly and securely by laminating each layer sheet on the upper and bottom face members of a circulated liquid sealing tank, which forms the water sealing sheet connected with a supply and an exhaust pipes of circulated liquid, by engaging a partition pipe in a standard skeleton.例文帳に追加

循環液体の給排出管を接続して成る遮水シートを形成している循環液封入槽を、仕切り管を基準骨格にしてその上下面材上に各層シートを貼設するのみで、遮水シートを迅速かつ堅固に形成する廃棄物処分施設における遮水シートとその施工法を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric oscillation gyro module 1 is provided with the piezoelectric oscillation gyro element 2, having an electrode pad taken from a detecting oscillation arm and a driving oscillation arm, a metal bump 10 formed on an upper face of the electrode pad, and a central base 4 having the metal bump 10; and a flexible board 3, having a lead 12 overlying the surface of a base film 11 via an adhesive layer 13.例文帳に追加

圧電振動ジャイロモジュール１は、検出用振動アーム及び駆動用振動アームから引き出された電極パッド及びその上面に形成された金属バンプ１０を中央基部４に有する圧電振動ジャイロ素子２と、ベースフィルム１１の表面に接着層１３を介してリード１２を積層したフレキシブル基板３とを備える。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

In a reproducing head part 20, a first part 181 consisting of one kind or two kinds or more out of tungstic oxide, titanium oxide, tin oxide, and strontium oxide and having specific resistance of 10 kΩcm or less is provided between an upper shield layer 19 and a MR element and between a pair of electrode layers 17L, 17R.例文帳に追加

再生ヘッド部２０では、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫および酸化ストロンチウムのうちのいずれか１種または２種以上からなり１０ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する第１部分１８１が、上部シールド層１９とＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間に設けられている。 - 特許庁

To provide a rigid, inexpensive and lightweight water storage pipe for storing water and an underground water storage structure by stacking the pipes capable of efficiently using an underground space, facilitating the stacking work to shorten the construction, and resisting the load from an upper surface layer and having a high percentage of void.例文帳に追加

水を貯留する剛性が高く、低コスト・軽量の貯水管、およびそれを積層した地下貯水構造物において、地中空間を効率的に使用し、積層作業が容易で施工期間を短く抑え、地下貯水構造物の上部表面層からの荷重に耐え、かつ、空隙率の高い地下貯水構造物を提供することにある。 - 特許庁

When a contact hole CH is formed, a CF group polymer 25 formed in an upper layer of an etching stopper film 23 can be ashed with a gas using hydrogen to remove, and in particular, as it is possible to defend a progress of etching of the etching stopper film 23 with fluorine, it is possible to etch the etching stopper film stably and with superior controllability.例文帳に追加

コンタクトホールＣＨを形成する際に、エッチングストッパ膜２３の上層に形成されたＣＦ系ポリマー２５を水素を用いたガスでアッシングすることにより除去することができ、特にフッ素によるエッチングストッパ膜２３のエッチングの進行をふせぐことができるため、安定かつ制御性よくエッチングストッパ膜のエッチングをすることができる。 - 特許庁

The touch panel, having high light transmittance and good visibility and hardly deformed even when the panel is large in size, can be provided by composing the touch panel by forming a light transmitting gel layer 10, in which conducting powders 10A and insulating powders 10B having a larger particle diameter than the conducting powders 10A are dispersed between upper and lower electrode layers 1B and 2B.例文帳に追加

上下電極層１Ｂ，２Ｂ間に、導電粉１０Ａとこの導電粉１０Ａより粒子径の大きな絶縁粉１０Ｂが分散された光透過性ゲル層１０を形成してタッチパネルを構成することによって、光透過率が高く視認性が良好で、形状が大きくなっても変形し難いタッチパネルを得ることができる。 - 特許庁

Another embodiment of this invention is capacitors (296, 396) in a semiconductor device, which has two lower plates (230, 231, 330, 331) mutually separated, dielectric layers (260, 360) above the lower plate and upper plates (296, 396) above the dielectric layer which covers the lower plate, extends preferably across it.例文帳に追加

本発明の他の態様は、互いに間隔を置いて配置された２枚の下位プレート（２３０、２３１、３３０、３３１）、前記下位プレートの上方の誘電層（２６０、３６０）、および前記下位プレートを覆い、好ましくはこれを越えて延びる、前記誘電層の上方の上位プレート（２９６、３９６）を有する、半導体装置中のキャパシタ（２９６、３９６）である。 - 特許庁

The element 10 also includes: a second translucent electrode 18 arranged in the second conductive semiconductor layer 14 which is partially exposed on the upper surface of the lamination body; and a second translucent conductive part 26 extended from the second translucent electrode 18 to the lower surface of the substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、さらに、前記積層体の上面側に部分的に露出された前記第２導電型半導体層１４に設けられた第２透光性電極１８と、前記第２透光性電極１８から前記基板１２の下面まで延設された透光性の第２導電部２６と、をさらに備えることができる。 - 特許庁

The pad PDt is arranged on an upper layer of at least one of the first and second output transistors pITr, nITr so as to be overlapped to a part or all of at least one of the first and second output transistors pITr, nITr out of the operational amplifier OP and the first and second output transistors pITr, nITr.例文帳に追加

演算増幅器ＯＰ、第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒのうち、第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒの少なくとも１つの一部又は全部と重なるように、該第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒの少なくとも１つの上層にパッドＰＤｔが配置される。 - 特許庁

The storage 30 is formed by thermalbonding of a peripheral part of a cover film, where a transparent thermosensitive adhesive layer is laminated on the backside of the transparent base film, on an upper display piece of the leaflet body 20 and on the base film 10; and the article M is stored, in a space formed in between the leaflet body 20 and the cover film.例文帳に追加

収納部３０は、透明の基材フィルムの裏面に透明の感熱接着剤層が積層されたカバーフィルムの周縁部を、リーフレット本体２０の上位表示片及びベースフィルム１０に熱接着することによって形成されており、リーフレット本体２０とカバーフィルムとの間に形成された空間内に物品Ｍが収容されている。 - 特許庁

The functions of promoting peristalsis of an alimentary canal and curing and easing atopic dermatitis which are the new pharmacological effect of hyaluronic acid are effectively given to the upper alimentary canal, the target organ by oral administration of the pharmaceutical formulation having a coating layer containing an enteric polymer and an eggshell formed around the nucleus containing the hyaluronic acid.例文帳に追加

ヒアルロン酸を含有する核周囲に腸溶性ポリマーと卵殻を含有する被覆層を形成させた剤型を経口投与することによって、ヒアルロン酸の新規薬理効果である消化管蠕動運動促進作用及びアトピー性皮膚炎治療及び改善作用を、標的器官である上部消化管に効率的に付与することができる。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor for the FeRAM comprises an Ir film 21 for constituting a part of a lower part electrode layer of the capacitor and an IrOx film 22, a first PZT film 23 and a second PZT film 24 provided on the film 22, and an upper electrode 25 provided on the films 23 and 24.例文帳に追加

FeRAMにおける強誘電体キャパシタは、強誘電体キャパシタの下部電極層の一部を構成するＩｒ膜２１及びＩｒＯｘ膜２２を備え、該ＩｒＯｘ膜２２の上に設けられた第１ＰＺＴ膜２３及び第２ＰＺＴ膜４と、該第１及び第２ＰＺＴ膜２３，２４の上に設けられた上部電極２５とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target embraces a step where, in the forming of an ingot by melting and casting a sputtering target material, a pan-shaped mold is filled with a molten metal as a raw material and unidirectional solidification is performed to localize the cavities formed in a cast metal phase in the upper surface layer.例文帳に追加

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成するに際し、皿形鋳型に原料溶湯金属を充填し、一方向凝固を行うことによって鋳造金属相中に生成する巣を上部表面層に局在化させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The metal wiring layer 6 includes a bonding pad portion 6a, which is disposed overlaying the semiconductor element portion 20 with the interlayer insulating film 5 interposed, and the interlayer insulating film 5 includes a polyimide film 5b with a flat upper surface disposed at least in a region right below the bonding pad portion 6a and a region right above the semiconductor element portion.例文帳に追加

金属配線層６は、ボンディングパッド部６ａを含み、ボンディングパッド部６ａは、層間絶縁膜５を介して、半導体素子部２０と重なるように配置され、層間絶縁膜５は、少なくともボンディングパッド部６ａの真下の領域、および、半導体素子部の真上の領域に配置される平坦な上面を有するポリイミド膜５ｂを含む。 - 特許庁

The thin-film coil is provided with a 1st coil 24A having an upper face 24AU formed in the maximum width, insulation walls 24Z formed by selectively etching an insulation layer 24ZL which embeds areas 51 among windings, while using the 1st coil 24A as a mask, and a 2nd coil 24B separated from the 1st coil 24A by the insulation walls.例文帳に追加

上面２４ＡＵが最大幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａをマスクとして用い、巻線間領域５１を埋め込む絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングすることにより形成された絶縁壁２４Ｚと、この絶縁壁２４Ｚによって第１コイル２４Ａと隔てられた第２コイル２４Ｂとを備えるようにした。 - 特許庁

The electrophoretic display device has: an element substrate 2 having a display region; an electrophoretic sheet 3 having an electrophoretic layer 31 on a transparent substrate 30 and stuck to the display region of the element substrate 2; and a moisture preventing film 50 formed to cover at least the electrophoretic sheet 3 and an upper part of the element substrate 2 of an outer peripheral part of the electrophoretic sheet 3.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置は、表示領域を有する素子基板２と、透明基板３０上に電気泳動層３１を有し、素子基板２の表示領域に貼り合わされた電気泳動シート３と、少なくとも電気泳動シート３と、電気泳動シート３の外周部の素子基板２上を覆って成膜された防湿膜５０と、を有する。 - 特許庁

The photon detector has such a structure that metal fine particles coated with an insulation film are two-dimensionally arranged between upper and lower electrodes, at least one of which is a transparent electrode, via an insulation layer and semiconductor fine particles coated with an insulation film are arranged adjacently to the metal fine particles.例文帳に追加

本願発明の上記目的は、少なくとも一方は、透明電極である上下二枚の電極間に金属微粒子を絶縁膜で被覆し、絶縁層を介して二次元的に配置させ、上記金属微粒子に隣接するように絶縁膜で覆われた半導体微粒子を配置した構成とすることによって実現することで達成することができる。 - 特許庁

One electrode is formed on the opposite conductivity type semiconductor layer, the other electrode is formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the opposite conductivity type semiconductor layer additionally has light emitting layers and clad layers laminated in order, a film containing Zn is formed on an upper face, and thermal treatment is given after this to form a face given rough face treatment, thereby improving optical outside take-out efficiency.例文帳に追加

半導体基板上に双方の膜厚合計が１５μｍ以下になるように一導電型半導体層と逆導電型半導体層とを順次積層し、この逆導電型半導体層上に一方電極を、半導体基板の裏面に他方電極を形成し、さらに逆導電型半導体層は発光層とクラッド層とを順次積層して成り、上面にＺｎを含む膜を形成し、その後熱処理をくわえることで、粗面化処理面と成したことにより、光外部取り出し効率を向上させた。 - 特許庁

The electrode leads 132 has an overlapped area α in contact with the heater 130 at its upper end and formed on the upper shield layer in the layering direction and a heat radiation area β extending from the overlap in the height and track width direction.例文帳に追加

上下シールド層間に形成された再生素子と、上部シールド層上に積層された記録素子と、記録素子のコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して再生素子を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上記一対の電極引出線は、発熱体のハイト方向後端に接し、上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と、該オーバーラップ領域からハイト方向及びトラック幅方向に延出させた放熱領域とを有する。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance detecting type fingerprint reading sensor, the passivation film is formed into by accumulating silicone oxynitride a thick film by a PECVD method, a discharge layer is formed on the upper face of the passivation film, and a concentrated part of the electric field distribution is formed on one or two sets of discharge layers aligned in an opposed state out of discharge layers surrounding the four sides of the sensor electrodes.例文帳に追加

上記パシベーション膜はシリコンオキシナイトライドをＰＥＣＶＤ法により堆積させて膜厚に形成すると共に、パシベーション膜の上面に上記放電層を設け、更にセンサ電極の四辺を囲む放電層のうち対向状に並ぶ１又は２組の放電層に電界分布の集中部を形成するようにした静電気容量検知型指紋読取りセンサ。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁