「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(219ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of collecting the dust of a coke oven riser discharge gas includes emitting a jet of an atomized liquid against a dust-containing gas discharged from the coke oven riser 4 at the upper part of the riser and the jetted atomized liquid forms a multilayered atomization layer 8 having different droplet diameters.例文帳に追加

コークス炉上昇管４から排出される粉塵含有ガスに対して、微粒化した液体を上昇管上部に噴射するコークス炉上昇管排出ガスの集塵方法であって、噴射された微粒化液体が液滴径の異なる多層の噴霧層８を形成していることを特徴とするコークス炉上昇管排出ガスの集塵方法。 - 特許庁

The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern.例文帳に追加

ラインＬとスペースＳによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。 - 特許庁

This anchor installed for supporting a line body represented by a rope on a slope having a ledge and a surface soil layer covering the upper part of the ledge includes an anchor rod which comprises a line body mounting part at the head and which is buried in the ledge and a bearing blade device which is positioned so as to surround the anchor rod and fixed by driving rods separated from the anchor rod.例文帳に追加

岩層と該岩層の上部を覆う表土層とを有する斜面にロープで代表される条体を支持するため設置されるアンカーにおいて、該アンカーが頭部に条体の取付け部を有し、前記岩層に埋設されたアンカーロッドと、アンカーロッドを囲むように位置されたアンカーロッドとは別の打込みロッドで固定される支圧羽根装置を有している。 - 特許庁

The planar-structure heating structure is constituted by installing a heating function in planar structures (floors) of the building and includes a sheet-shaped electric heater 8 attached to back faces of the planar structures 1A, 2A, 3 and a field foamed polyuretane layer 15 sprayed and foamed from the upper side of the electric heater 8 to back faces of the planar structures 1A, 2A, 3.例文帳に追加

面構造体暖房構造は、建造物の面構造体（床）に暖房機能を組み付けたものであり、面構造体１Ａ，２Ａ，３の裏面に貼り付けられたシート状の電気ヒータ８と、電気ヒータ８の上から面構造体１Ａ，２Ａ，３の裏面に対して吹き付け発泡された現場発泡ポリウレタン層１５とを備えている。 - 特許庁

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.例文帳に追加

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。 - 特許庁

To provide a method for operating a blast furnace, which can prevent the furnace from falling in a bad condition during a low RAR operation, particularly can prevent poor heating for a charged material in the upper part of the furnace, when operating a normal blast furnace, and can stably lower the raw material without causing the fluidization or agitation of a charged layer of the raw material due to the blowing of a gas from a shaft portion.例文帳に追加

普通高炉の操業において、低ＲＡＲ操業時の炉況不調、特に炉上部での装入物の昇温不良を防止することができ、しかも、シャフト部からのガス吹き込みによる原料充填層の流動化や撹拌を生じさせることなく、原料降下の安定性を保つことができる高炉の操業方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁

In the electrooptical apparatus of an active matrix type, an element insulating layer 71 of the nonlinear element 5 has a part 711 covering a side surface of a lower electrode 61 for the element and constituted of a tantalum oxide film 7a and a part 712 covering an upper surface of the lower electrode 61 for the element and constituted of an oxidized film of a tantalum-niobium alloy.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、非線形素子５の素子用絶縁層７１は、素子用下電極６１の側面を覆う部分７１１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、素子用下電極６１の上面を覆う部分７１２がタンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂによって構成されている。 - 特許庁

In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 25 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, or the like thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３等を介して第１のサポート板２５が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁

The color filter has a base member, a coloring layer formed on a pixel region of the base substance, and a wall part formed so as to surround the pixel region on the region of the pixel region, with an adhering part formed on the outer side or the upper bottom face of the wall part.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材の画素領域上に形成された着色層と、上記画素領域の外側の領域上に、上記画素領域を囲むように形成された壁部とを有し、上記壁部の外側側面または上底面に、接着部が形成されていることを特徴とするカラーフィルタを提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。 - 特許庁

The quartz chip 50 is connected to lead electrodes 16, 16 formed on an insulation layer 12 in the container part 5 and a cover 6 is joined with a joining face 18 formed to an upper edge of the container part 5 to air-tightly sealing inside of the container part 5 thereby forming a quartz vibrator in a quartz module board 2.例文帳に追加

そして、この収納部５内の絶縁層１２上に形成した引出電極１６，１６に対して水晶片５０を接続すると共に、収納部５の上縁部に形成した接合面１８に蓋６を接合して収納部５内を気密封止することで、水晶モジュール基板２内で水晶振動子を形成するようにしている。 - 特許庁

In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a support plate 24 is stuck to upper surfaces of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via an adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に粘着層２３を介してサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁

A plywood having the same thickness and being composed of veneer is stuck on the surface and rear of the fiber board respectively while a fiber board layer and plywood layers are constituted so that the plywood layers appear to the upper and lower sections of the tongues for joining centering around a fiber board section in the thickness direction when the tongue sections for joining are formed to four peripheral sections.例文帳に追加

繊維板の表裏面に、各々同一の厚さ、単板構成の合板を貼着するとともに、四周縁部に接合用実部を形成したときに、厚さ方向において前記繊維板部分を中心とした前記接合用実の上下に合板層が現れるように繊維板層および合板層を構成したことを要旨とする。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with a pair of electrodes for generating an electric field in a direction parallel to a pair of transparent substrates in a pixel region of a liquid crystal side of one transparent substrate of the pair of transparent substrates disposed being opposed to each other through a liquid crystal and either electrode of the pair of the electrodes has two or more insulating layers laminated on its upper layer.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、透明基板と水平方向に電界を発生せしめる一対の電極を備え、この一対の電極はそのいずれの電極においてもその上層に積層させた絶縁膜が２層以上となっている。 - 特許庁

On the upper layer side of the pixel transistor 30, a light converging optical element part 4a is formed on a position overlapped to the gap area 9s, wherein the light converging optical element part 4a converges light made incident from the counter substrate 20 side and passed through the gap area 9s on the inside of the aperture 5b of the light absorbing film 5a.例文帳に追加

また、画素トランジスター３０より上層側には、隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側に集光させる。 - 特許庁

The resin molding 1 is formed by integrally forming a hard synthetic resin base 2 formed with a plurality of hollow parts 3, and a cushion part 5 made of soft synthetic resin formed at a front face part of the synthetic resin base 2, and integrally forming a colored resin layer 4 of metallic color imitating stainless steel, for instance, on the smooth upper face part of the hard synthetic resin base 2.例文帳に追加

樹脂成形品１を、複数の中空部３が形成された硬質合成樹脂基板２と、上記合成樹脂基板２の前面部に形成された軟質合成樹脂製のクッション部５と、を一体成形し、かつ、硬質合成樹脂基板２の平滑な上面部に、例えば、ステンレスを模した金属色の着色樹脂層４を一体成形した。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of each organic EL element of a specific color; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as a minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

特定色の有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

The electrolyte for electric double layer capacitor comprising an electrolyte, electrodes, and a case for containing them and repeating charge/ discharge within a specified voltage range is conditioned to have such an ion concentration as the electrolyte becomes an insulator at a voltage on the electrolyte side set not lower than the upper limit of the specified voltage range and not higher than a limit voltage.例文帳に追加

電解液、電極およびこれらを収納するケースから構成され、所定の電圧範囲内で充放電を繰り返す電気二重層コンデンサ用の電解液を、前記所定の電圧範囲の上限以上でかつ限界電圧以下で設定した電解液側の設定電圧値において、前記電解液が絶縁体となるようなイオン濃度に調整する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate which is mainly composed of silicon, a groove which is formed in the substrate and divides an element region, the SiGe film formed on the substrate and a silicon flow preventing layer which is formed in a sidewall from a surface in at least an upper part of the sidewall of the groove and includes at least nitrogen or carbon.例文帳に追加

シリコンを主成分とする基板と、前記基板に形成され、素子領域を区画する溝と、前記基板上に形成されたＳｉＧｅ膜と、前記溝の側壁の少なくとも上部において前記側壁の表面から内部に形成された、窒素および炭素のうち少なくともいずれかを含む、シリコン流動防止層と、を備える。 - 特許庁

A method for forming the organic semiconductor film comprises: a step for applying a liquid material in a region surrounded by a bank layer that is formed by stacking an lower insulation film consisting of an inorganic material and an upper insulation film consisting of an organic material; and a step for removing a solvent component from the liquid material.例文帳に追加

有機半導体膜の形成方法において、無機材料からなる下層絶縁膜、及び有材材料からなる上層絶縁膜が積層されてなるバンク層に区画された領域内に液状の材料を塗布する工程、及び前記液状の材料から溶媒成分を除去する工程、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a mechanical stress imparted by a probe needle to a bonding pad formed on the upper surface of the semiconductor device can be born by an insulation film especially by setting the line width of the rectangular interconnect lines on the lowermost wiring layer and the width of the insulation film filling the gap between the rectangular interconnect lines ideally.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置においては、特に最下部配線層の矩形状配線の線路幅、および矩形状配線間に充填される絶縁膜の幅を最適に設定することにより、当該半導体装置の上部表面に形成されるボンディングパッドに与えられるプローブ針による機械的な応力を上記絶縁膜で支持する。 - 特許庁

Before making connection by the wiring layer 30 for connecting a drive circuit part 60 of which the height from the insulating substrate 10 to the upper surface is high and a TFT 35 provided on the insulating substrate 10 at a prescribed distance from the drive circuit part 60, an SOG film 26 is formed between the TFT 35 and the drive circuit part 60.例文帳に追加

絶縁性基板１０からその上面までの高さが高い駆動回路部６０と、駆動回路部６０と所定の距離を隔てて絶縁性基板１０上に設けられたＴＦＴ３５とを接続する配線層３０によって接続する前に、ＴＦＴ３５と駆動回路部６０との間にＳＯＧ膜２６を形成する。 - 特許庁

In the display device, the peripheral drive circuit and the active matrix circuit are formed on the first substrate, the spacer, for maintaining the interval between the first substrate and the second substrate and made of the resin material, is disposed at the upper part of the peripheral driving circuit and a resin layer is formed between the peripheral drive circuit and the spacer.例文帳に追加

また、周辺駆動回路及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置され、樹脂層が前記周辺駆動回路と前記スペーサーとの間に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The transfer mask is provided with a supporting substrate, an intermediate oxide film formed on the upper surface of the supporting substrate, a silicon single crystal layer formed thereon, a rear oxide film formed on the rear surface of the supporting substrate, and a warpage adjusting film formed on the rear oxide film, and the warpage ranges -15 to +15 μm.例文帳に追加

支持基板、この支持基板の上面に形成された中間酸化膜、この中間酸化膜上に形成されたシリコン単結晶層、前記支持基板の裏面に形成された裏面酸化膜、及びこの裏面酸化膜上に形成された反り調整膜を備え、反り量が−１５〜＋１５μｍの範囲としたことを特徴とする。 - 特許庁

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked.例文帳に追加

主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁

A portion of a substrate power supply wiring line 120 is exposed by forming a power supply wiring line 110 in a U shape at a substrate power supply cell 100, and then a connection portion 140 to the upper-layer wiring line is disposed at the boundary portion of the substrate power supply cell 100, thereby reducing the leakage current without degrading signal wiring efficiency.例文帳に追加

基板電源供給セル１００にて電源配線１１０をコの字状に形成することにより基板電源配線１２０の一部を露出させ、以て上層配線への接続部１４０を基板電源供給セル１００の境界部に配置することにより、信号配線効率を低下させないでリーク電流を削減する。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

Furthermore, this semiconductor device comprises a source/drain region 7 selectively formed in the main plane of the silicon substrate 1, and a Co silicide layer 8 formed, so as to extend from the upper plane of the source/drain region 7 exposed from the sidewall 6 and the gate structure downward of an end part of the gate structure, in the principal plane of the silicon substrate 1.例文帳に追加

また、半導体装置は、シリコン基板１の主面内に選択的に形成されたソース・ドレイン領域７と、シリコン基板１の主面内において、サイドウォール６及びゲート構造から露出するソース・ドレイン領域７の上面から、ゲート構造の端部の下方にまで延在して形成されたＣｏシリサイド層８とを備えている。 - 特許庁

This thin-film transistor is formed on a glass plate that can stand heat treatment at 700°C or lower, and an electrode connecting with the source and drain areas is in contact with the upper and side surfaces of the source and drain areas and the glass plate, or a blocking layer, and the transistor can be completed with a small number of masks.例文帳に追加

７００度以下の熱処理に耐え得るガラス基板上に形成される薄膜トランジスタの構造において、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とガラス基板又はブロッキング層に接しており、その作製工程においては少ないマスク数で完成させることができる薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 24 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３を介して第１のサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁

At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.例文帳に追加

半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁

In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 24 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３を介して第１のサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１をの形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device according to this embodiment has a first wiring 5 formed on a substrate 1; a second wiring 16 formed on an upper layer of the first wiring 5 and disposed with an air gap 20 interposed between itself and the first wiring 5; and a carbon nano-tube 11 formed in the air gap 20 and used to connect the first wiring 5 to the second wiring 16.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置は、基板１上に形成された第１配線５と、第１配線５の上層に形成され、第１配線５との間にエアギャップ２０を介在させて配置された第２配線１６と、エアギャップ２０内に形成され、第１配線５と第２配線１６とを接続するカーボンナノチューブ１１とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus of a solar battery element, wherein a wafer carrier 2 contains a plurality of the solar battery elements 1 on the surface of which the electrodes are formed, an arm 3 supports the wafer carrier which is dipped in solder melting liquid to form a solder layer on the surface of the electrodes, a cleaning plate 5 is provided on the upper part of the solar battery elements.例文帳に追加

表面に電極が形成された複数の太陽電池素子１をウエハキャリア２に収容し、このウエハキャリアをアーム３で保持し、はんだ融液に浸漬して前記電極の表面にはんだ層を形成する太陽電池素子の製造装置において、前記太陽電池素子の上部にクリーニング板５を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the epitaxial growth of the semiconductor layer on the surface of a semiconductor wafer W, after a molten semiconductor material M produced inside a crucible 2 is fed onto the semiconductor wafer W, a heater 3 for temperature difference formation separated above a treatment vessel 1 is moved down and contacted to the upper surface of the molten semiconductor material M.例文帳に追加

半導体基板Ｗの表面に半導体層をエピタキシャル成長させる際には、るつぼ２内で作製された溶融半導体材料Ｍが半導体ウエハＷ上に供給された後、処理容器１の上方に離間していた温度差形成用ヒータ３が下降されて、溶融半導体材料Ｍの上面に接触させられる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁

Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.例文帳に追加

さらに、銅又は銅合金からなる金属膜２０が、結晶性向上膜１８上で且つスルーホール１３ａ及び配線形成溝１５ａを充填するように形成されており、第１の保護導電膜１６、第２の保護導電膜１７、結晶性向上膜１８及び金属膜１９により上部配線層２０が構成されている。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁

Substantially rhombic similar driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink pressure chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B of arrow shape is formed to be led out continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A to a position corresponding to the outside of the ink pressure chamber 19A.例文帳に追加

また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部からインク圧力室１９Ａの外側に対応する位置まで連続して引き出される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate in which a photopolymerization type photosensitive layer is formed on a metallic supporting body having a hydrophilic surface, when the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate is cut into a required size, a clearance between the upper and the lower blades of a slitter for cutting is set to be 0 to 30 μm.例文帳に追加

親水性表面を有する金属製支持体上に光重合性感光層が形成された光重合性感光性平版印刷版の製造方法において、該光重合性感光性平版印刷版を所望のサイズに裁断する際に、裁断用スリッターの上刃と下刃との隙間を、０μｍ〜３０μｍに設定することを特徴とする。 - 特許庁

A hydrogen barrier layer 32, wherein a capacitor 14 provided with an upper part electrode 28 comprising an electrostatic capacity film 26 of a PZT film and a laminated metal film of IrO2 film/Ir film is coated so that a hydrogen is prevented from approaching the capacitor 14 for contact, is an SiON film of thickness 600 Å which is film-formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜からなる静電容量膜２６及びＩｒＯ_2 膜／Ｉｒ膜の積層金属膜からなる上部電極２８を有するキャパシタ１４を被覆して、水素がキャパシタ１４に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層３２が、プラズマＣＶＤ法で成膜した、膜厚６００ÅのＳｉＯＮ膜である。 - 特許庁

On the upper surface part of a first piezoelectric layer 21, a substantially rhombic drive electrode 20A slightly smaller than and similar to the projection of an ink pressure chamber 19A is formed at a position corresponding to each ink pressure chamber 19A, and an arrow type land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the drive electrode 20A.例文帳に追加

第１圧電層２１の上面部には、各インク圧力室１９Ａに対応する位置に該インク圧力室１９Ａの投影形状よりも少し小さいほぼ相似形の略菱形の駆動電極２０Ａと、該駆動電極２０Ａの鋭角部から連続して形成される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

In the pyroelectric infrared sensor, a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light receiving element, a pyroelectric substrate where one or more light receiving elements are arranged on a substrate for the pyroelectric element is mounted on a support substrate, and a heat insulation region is disposed on the support substrate side of the pyroelectric substrate.例文帳に追加

下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises lower and upper substrates, a UV curing sealant formed to have a part for controlling a liquid crystal flow in at least two corner regions between the both substrates and a liquid crystal layer formed in the inside region of the UV curing sealant between the both substrates.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、下部基板及び上部基板と、前記両基板の間で、少なくとも２つのエッジ領域に液晶流れ調節部を有するように形成されたＵＶ硬化型シール剤と、前記両基板の間のＵＶ硬化型シール剤の内側の領域に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁