「w. l.」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A belt-shaped web W is cut along a cutting line L while carrying the web W, and formed into first and second divided webs W1 and W2.例文帳に追加

帯状のウエブＷを搬送しながら、切断線Ｌに沿ってウエブＷを切断して第１および第２分割ウエブＷ１，Ｗ２を形成する。 - 特許庁

Then, reactive gas existing on the surface of the substrate W becomes radical by irradiation of the ultraviolet rays L, and, by the radical, the surface of the substrate W is etched.例文帳に追加

そして、基板Ｗの表面に存在する反応性ガスが紫外光Ｌの照射によってラジカルとなり、このラジカルにより、基板Ｗの表面をエッチングする。 - 特許庁

An observation updating device 80 updates a weight w^(n), based on the likelihood L^(n), A representative value calculator 30 calculates a representative value, based on the predicted hypothetical group {x^(n)} and an updated weight group {w^(n)}, to output a super resolution image.例文帳に追加

観測更新手段８０は、尤度Ｌ^（ｎ）に基づいて重みｗ^（ｎ）を更新し、代表値演算手段３０が、予測仮説群｛ｘ^（ｎ）｝及び更新重み群｛ｗ^（ｎ）｝に基づいて代表値を演算し、超解像画像ｓを出力する。 - 特許庁

The conveying device 1 runs the conveying line L along one side face of each machining station ST to convey the workpiece W and stops in a workpiece transfer position of each machining station ST to transfer the workpiece W.例文帳に追加

搬送装置１は、搬送ラインＬを各加工ステーションＳＴの一側面に沿って走行してワークＷを搬送し、また、各加工ステーションＳＴとのワーク授受位置でそれぞれ停止してワークＷの授受を行う。 - 特許庁

In a drying device which dries a wafer W wetted with liquid L, a moisture-absorptive capillary structure 3 is disposed opposite the wafer W in contact with or in proximity to the wafer surface.例文帳に追加

液体Ｌで濡れたウェーハＷを乾燥させる乾燥装置において、ウェーハＷに対向する位置に吸湿性の毛細管構造体３をウェーハＷ表面に接触・近接できるように配設する。 - 特許庁

Further, by irradiating the work W with laser beam L after the work W is preheated, a heat input process is eliminated or the time required for the heat input process is shortened, and the working time of the laser beam machining is shortened.例文帳に追加

また、ワークＷをあらかじめ加熱してからレーザ光Ｌを照射することにより、入熱過程を省略、あるいは、入熱過程に要する時間を短縮し、レーザ加工時間の短縮を図ることができる。 - 特許庁

The minimum inner diameter dGA, dw2 of a second shaft pipe 19 is larger than the maximum outer diameter DW1, DL of the rolling contact bearing 15 of the intermediate bearing 2 of the first shaft part 3.例文帳に追加

第２軸管（１９）の最小内径（ｄ_G A ，ｄ_w 2 ）が第１軸部分（３）の中間ベアリング（２）の前記転動接触ベアリング（１５）の最大外径（Ｄ_W 1 ，Ｄ_L ）より大きい。 - 特許庁

Thereby, the workpiece w can surely be involved in the low-speed region L, and the workpiece w is rubbed with polishing material or the like in a resident region, so that a desired polishing condition can be provided.例文帳に追加

このため、ワークｗを確実に低速領域Ｌ内へ巻き込ませることができ、これによってワークｗは滞留域内で研磨石等と擦れ合って所望の研磨状況を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method and manufacturing apparatus are characterized in that a laser beam L is used as a heat source of a heating means for a workpiece W which is a plate-like metal material, in burring by hot working or warm working for the workpiece W.例文帳に追加

板状の金属材料である被加工部材Ｗの熱間加工または温間加工によるバーリング加工における、前記被加工部材Ｗの加熱手段の熱源として、レーザビームＬを使用することを特徴とする。 - 特許庁

The linear projecting part 12 has a protrusive surface 120 and extends in the lateral direction W on the surface, by which the in-plane of the surface is divided in the longitudinal direction L intersecting with the lateral direction W.例文帳に追加

線状凸部１２は、突出面１２０を有し、一面の横方向Ｗに沿って延び、一面の面内を横方向Ｗに交差する縦方向Ｌに区切っている。 - 特許庁

A metallic thin film part 150 is manufactured, having a shape defined with a length L, a film thickness h, and a line width w, with only its end faces 151 and 152 exposed, as viewed along the line width w direction.例文帳に追加

長さＬ、膜厚ｈ及び線幅ｗで定義される形状であって、線幅ｗ方向でみた端面１５１、１５２のみを露出させた金属薄膜部１５０を作製する。 - 特許庁

To the turning plate part 12, a supporting plate part 13 in an approximately L-shaped cross section is fixed for supporting the container W so that the container W does not slip down from the turning plate part 12 during downward turn of the turning plate part 12.例文帳に追加

回動板部12には、回動板部12の下方回動時に容器Ｗが回動板部12上から滑り落ちないように容器Ｗを支持する断面略Ｌ字状の支持板部13を固定する。 - 特許庁

When the interval between the adjacent magnetic poles having different polarities is L, an interval W between the two magnetizing poles of the head is adjusted to 0.4≤W≤0.6.例文帳に追加

また、隣り合う異極性の磁極間隔をＬとすると、使用する着磁ヘッドの二つの着磁極間の間隙Ｗは、０．４≦Ｗ≦０．６の範囲とする。 - 特許庁

Accordingly, though the works W cut by an L-shaped blade type cutter are conveyed out of plural delivery positions, the works W can be transversely swept out and accumulated on the mounting block 77 provided in one prescribed position.例文帳に追加

したがって、Ｌ刃式切断機にて切断されたワークＷは１カ所でない搬出位置を持つが、このワークＷを横払いして一定の所定位置に設けた載置台７７上へ集積することができる。 - 特許庁

The center axis line C1 of a portion not bent in the pipe stock W and center axis line C2 of the bending end portion of the pipe stock W are continuous in a state in which the center C0 of declination is located on a bending boundary line L.例文帳に追加

素管Ｗの屈曲成形されない部分の中心軸線Ｃ１と素管Ｗの屈曲された端部の中心軸線Ｃ２とは、その偏角中心Ｃ０が屈曲境界線Ｌ上に位置する状態で連続している。 - 特許庁

In the case of estimating how the color of the image is perceived under the observing environment, environmental parameters X_wY_wZ_w, L_A, c, N_c, and F and background luminance Y_b in each environment are substituted into a conversion profile.例文帳に追加

観察環境下においてどのように知覚されるかを推定するにあたっては各環境における環境パラメータＸ_wＹ_wＺ_w，Ｌ_A，ｃ，Ｎ_c，Ｆと背景輝度Ｙ_bを変換プロファイルに代入する。 - 特許庁

This liquid treatment equipment supplies a treatment liquid L to a substrate W while producing a relative movement between a treatment liquid supply nozzle 86 and the substrate W by a moving mechanism.例文帳に追加

また、このように衝撃が小さいことに加えて基板表面に対する処理液の供給むらを小さくすることができる液処理装置および処理液供給ノズルを提供すること。 - 特許庁

A jig 100 for manufacturing electronic parts is arranged facing to both main surfaces WP of the work W respectively, and provided with a single pair of jig bodies 1 and 1 immersed into a processing liquid L, with the work W retained.例文帳に追加

電子部品製造用治具１００は、ワークＷの両主面ＷＰに各々対向して配置され、該ワークＷを保持した状態にて処理液Ｌ中に浸漬される１対の治具本体１，１を有する。 - 特許庁

Therefore, when cleaning a work W after completing its lapping work the cleaning liquid S so blow off from the clearances opened slightly between the work W and both the lapping surface plates 11, 21 that the working liquid L is cleaned and flow quickly.例文帳に追加

それゆえ、ラッピング加工が終わってワークＷを洗浄する際には、ワークＷと両ラップ定盤１１，２１との間に空いたわずかの隙間から洗浄液Ｓが吹き出し、加工液Ｌを速やかに洗い流す。 - 特許庁

Blank materials are press-molded in a transfer press, and a resultant product is cut at a cutting line c perpendicular to a transport direction a to produce molded products W_R, W_L.例文帳に追加

トランスファプレスで、ブランク材をプレス成形し、かつ搬送方向ａと直角な切断線ｃで切断して、成形品Ｗ_Ｒ、Ｗ_Ｌを製造する。 - 特許庁

A joining device includes: an upper chuck 230 for sucking and holding an upper wafer W_U on a lower surface; and a lower chuck 231 provided below the upper chuck 230, for mounting, sucking and holding a lower wafer W_L on an upper surface.例文帳に追加

接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。 - 特許庁

By rotating the flier 5 while rotating the core ring L to the peripheral direction, the coil reel 15 is rotated around the line of the core ring L while maintaining its posture to a given direction, and the coil W is spirally wound along the line of the core ring L.例文帳に追加

芯リングＬを周方向に回転させつつフライヤー５を回転させることにより、巻線リール１５を一定方向に姿勢を維持したまま芯リングＬの線の周りに回転させ、巻線Ｗを芯リングＬの線周に螺旋状に巻き付ける。 - 特許庁

The O/W-type emulsified oil-and-fat composition for roll-in use contains a triacylglycerol expressed by SLOSL (SL is palmitic acid residue, stearic acid residue or arachic acid residue; and O is oleic acid residue) in the oil phase in an amount of ≥35 wt.%.例文帳に追加

油相中にＳ_L ＯＳ_L （Ｓ_L ：パルミチン酸残基又はステアリン酸残基或いはアラキン酸残基、Ｏ：オレイン酸残基）で表わされるトリアシルグリセリンを３５重量％以上含むことを特徴とする水中油型乳化ロールイン用油脂組成物。 - 特許庁

This work rest device comprises the shoes 30a and 31a for supporting the machined portions Wa to We of the work W when the outer peripheral surface of the work W is ground while rotating the long work W about the axis L thereof in the state of supporting the work at both ends.例文帳に追加

長尺状のワークＷを両端にて支持した状態でその軸線Ｌを中心に回転させながら、ワークＷの外周面を研削加工する際に、ワークＷの加工部分Ｗａ〜Ｗｅを支持するシュー３０ａ，３１ａを備える。 - 特許庁

The second correction conveyer 50 increase the speed for a predetermined period when an article detection sensor 50a detects a gap to next article W within the predetermined period after travelling a distance of length L of the article W after the article detection sensor 50a detects a front end part of the article W.例文帳に追加

第２補正コンベヤ５０は、物品検知センサ５０ａが物品Ｗの先端部を検知してからその物品Ｗの長さＬの距離だけ走行した後の所定期間内に、物品検知センサ５０ａが次の物品Ｗとの隙間を検知すると所定期間だけ増速する。 - 特許庁

When the length of welded section W in the extending direction L is regarded as w, and the length of the part extending from the welded section W to a spark gap g side is regarded as d, a ground electrode 4 fulfills either one of the conditions stated below.例文帳に追加

接地電極４は、延伸方向Ｌにおける溶接区間Ｗの長さをｗ、該溶接区間Ｗよりも火花放電ギャップｇ側に突出している部分の長さをｄとしたとき、以下のいずれかの条件を満たすものとして構成される。 - 特許庁

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser.例文帳に追加

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Also, this chip manufacturing method comprises a process for forming a grinding groove GM in the wafer W by the dicing blade 21, a process for forming a scribing groove in the wafer W by a scribing cutter 51, and a process for emitting a laser beam L to the wafer W to form the reformation area P inside.例文帳に追加

また、チップ製造方法は、ウエーハにダイシングブレード２１で研削溝ＧＭを入れる工程、又はスクライビングカッタ５１でスクライビング溝を入れる工程と、ウエーハＷにレーザー光Ｌを入射して内部に改質領域Ｐを形成する工程とを併合した構成とした。 - 特許庁

The wafer W is diced through a first dicing process of making laser light L incident on a top surface side WA of the wafer W to form a reformed region P at the top surface side WA and a second dicing process of turning over the wafer W and making the laser light L at the reverse surface side WB to form a reformed region P at the reverse surface side WB.例文帳に追加

ウェーハＷの表面側ＷＡからレーザー光Ｌを入射して表面側ＷＡへ改質領域Ｐを形成する第１ダイシング工程と、ウェーハＷを反転させて裏面側ＷＢよりレーザー光Ｌを入射し裏面側ＷＢへ改質領域Ｐを形成する第２ダイシング工程とによりウェーハＷのダイシングを行う。 - 特許庁

In a substrate-cleaning processing method, where a semiconductor wafer W is dipped into a processing solution and a cleaning solution for cleaning and processing, the lower part of the wafer W is stopped once, when it comes into contact with the liquid level of pure water L when the semiconductor wafer W subjected to processing with a processing solution is immersed into an overflowing pure water L.例文帳に追加

半導体ウエハＷを垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する基板洗浄処理方法において、処理液での処理が終わった半導体ウエハＷを、オーバーフローする純水Ｌに浸漬する際、純水Ｌの液面と半導体ウエハＷの下部とを接触させ一旦停止する。 - 特許庁

This liquid immersion exposure device 1 contains an immersion liquid L between a wafer W with a photosensitizing agent applied and an exposure lens 10 and has a preprocessor 30 for immersing a surface of the wafer W in ozone water or exposing it to ozone irradiation or ultraviolet ray before containing the immersion liquid L between the wafer W and the exposure lens 10.例文帳に追加

本発明は、感光剤の塗布されたウェハＷと露光用のレンズ１０との間に液侵液Ｌを介在させて露光を行う液侵露光装置１において、ウェハＷとレンズ１０との間に液侵液Ｌを介在させる前に、ウェハＷの表面にオゾン水を浸す、もしくはオゾンを照射する、もしくは紫外線を照射する前処理部３０を備えているものである。 - 特許庁

The laser beam L which is transferred from the scanner 13 to a first direction is converged to a first converging point Pc1 in a workpiece W through a first route Ps1 and, in different timing from this, the laser beam L transferred from the scanner 13 to a second direction is converged to a second converging point Pc2 in the workpiece W.例文帳に追加

スキャナ１３から第１の方位に転送されたレーザ光Ｌは、第１の経路Ｐｓ１を経てワークＷ内の第１の集光点Ｐｃ１に集光され、これとは異なるタイミングで、スキャナ１３から第２の方位に転送されたレーザ光Ｌは、ワークＷ内の第２の集光点Ｐｃ２に集光される。 - 特許庁

In the method for forming the thermoplastic resin film, the thermoplastic resin film is contracted longitudinally while being stretched laterally by using a tenter, and the ratio (L/W) of the distance L between the chucks before the stretching of the tenter to the width W of the film before the stretching is 0.03-0.5.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムをテンターを用い横方向に延伸中に縦方向に収縮させる熱可塑性樹脂フィルムの製造方法において、該テンターの延伸前のチャック間距離Ｌと延伸前のフィルム幅Ｗの比（Ｌ／Ｗ）が０．０３以上０．５以下であることを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの製造方法。 - 特許庁

For that reason, since spectra of respective light source light L, W, Y and the mixed light LWY have continuous wavelength components of visible light region, and by controlling luminous flux ratio of respective light source light L, W, Y, it is enabled to set the mixed light LWY so as to be positioned at a desired color temperature on the black body radiation locus.例文帳に追加

そのため、各光源光Ｌ、Ｗ、Ｙおよび混色光ＬＷＹのスペクトルが可視光領域の連続する波長成分を有すると共に、各光源光Ｌ、Ｗ、Ｙの光束比率を制御することにより混色光ＬＷＹが黒体放射軌跡上の所望の色温度の位置となるように設定することが可能となった。 - 特許庁

Overheating for heating a wide range, including a movement locus K of an illumination site P of a magnetic circuit member W to a temperature lower than the melt temperature of the magnetic circuit member W, is started before the irradiation of the high-energy density beam L is completed, thus reducing a cooling speed due to heat conduction at a portion being fused by the high-energy density beam L.例文帳に追加

磁気回路部材Ｗの照射部位Ｐの移動軌跡Ｋを含む広い範囲を磁気回路部材Ｗの溶融温度よりも低い温度に加熱する余加熱を、高エネルギ密度ビームＬの照射の終了以前に開始して、高エネルギ密度ビームにより溶融された部分の熱伝導による冷却速度を小さくする。 - 特許庁

This type of spindle motor supports a rotational body 5 through a plurality of rolling bearings 3, 4 spaced apart from each other in the axial direction.例文帳に追加

軸方向に間隔を隔てて配設した複数個の転がり軸受３，４を介して回転体５を支承したハードディスク（ＨＤＤ）用スピンドルモータにおいて、温度変化に伴う軸受３，４間の距離Ｌの寸法変化δ_L と軸受のラジアル方向の寸法変化δｒとの比率を 1.8（ｒ_e 十ｒ_i −Ｄ_w ）^1/2 ≦δ_L ／δｒ^1/2 ≦2.2(ｒ_e 十ｒ_i −Ｄ_w )^1/2 の範囲内に制御する。 - 特許庁

The organic electroluminescence device has a configuration for making the ratio (W/L) of the width and length of a drive thin-film transistor (TD) greater by the source/drain electrodes of the driving thin-film transistor which are included in each sub-pixel and are composed in a form of combteeth comprising a number of vertical projections.例文帳に追加

本発明はこのために上部発光式有機電界発光素子の各サブピクセルに具備された駆動薄膜トランジスターのソース/ドレイン電極が多数の垂直突機を具備した櫛の歯形態で構成されて、お互いにフィンガー形態でかみ合って形成されることで、駆動薄膜トランジスター(TD)の幅と長さの割合(W/L)を大きくする有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The hybrid machining device 1 comprises an axis moving means for relatively moving the axis of the water jet flow (a liquid flow) W to the optical axis of laser beams L, and a measurement means 32 for measuring the intensity of the laser beams while transmitting the laser beams L in the liquid flow W ejected from a nozzle 6.例文帳に追加

ハイブリッド加工装置１は、上記ウォータジェット流（液体流）Ｗの軸心とレーザ光Ｌの光軸とを相対移動させる軸移動手段と、ノズル６から噴射される液体流Ｗ内にレーザ光Ｌを透過させながら該レーザ光の強度を測定する測定手段３２とを備えている。 - 特許庁

Consequently, spectra of the light source light beams L, W, and G and the mixed color light LWG have continuous wavelength components in the visible light range, and the luminous flux ratio of the respective light source light beams L, W, and G is controlled so that the mixed color light LWG is at a position of a desired color temperature on the black-body radiation locus.例文帳に追加

そのため、各光源光Ｌ、Ｗ、Ｇおよび混色光ＬＷＧのスペクトルが可視光領域の連続する波長成分を有すると共に、各光源光Ｌ、Ｗ、Ｇの光束比率を制御することにより混色光ＬＷＧが黒体放射軌跡上の所望の色温度の位置となるように設定することが可能となった。 - 特許庁

In this measuring method, the period from the time A when ultrasonic waves are transmitted to the time B when clock waves L rise immediately before a first zero-cross time D of received waves W is obtained by counting the clock waves L outputted simultaneously with the transmission of the ultrasonic waves.例文帳に追加

超音波が送信されてた時刻Ａから、受信波Ｗの第１ゼロクロス時Ｄ直前にクロック波Ｌが立ち上がる時刻Ｂまでの時間Ｔを、超音波の送信と同時に出力されたクロック波Ｌをカウントすることによって求める。 - 特許庁

The etching method for performing etching by immersing a glass substrate W to be etched in an etching chemical liquid L previously obtains relation of a temperature increase amount of the etching chemical liquid L and an etching amount of the base substance to be etched during etching.例文帳に追加

エッチング薬液Ｌに被エッチング基体であるガラス基板Ｗを浸漬してエッチングを行うエッチング方法であって、エッチングの際のエッチング薬液Ｌの温度上昇量と被エッチング基体のエッチング量との関係を予め得ておく。 - 特許庁

A silicon substrate W is placed on a susceptor (lower electrode) 12 disposed in a chamber 10 capable of being evacuated, and an etching gas is discharged in the chamber 10 to generate plasma, and a first high frequency RF_L for pulling ions to the susceptor 12 is applied.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ（下部電極）１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。 - 特許庁

In a dry etching method, a silicon substrate W is mounted on a susceptor 12 disposed in a chamber 10 in which a vacuum can be formed and an etching gas is discharged in the chamber 10 to generate plasma and a first high frequency RF_L for drawing ions is applied to the susceptor 12.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。 - 特許庁

The apparatus can suppress variations in total quality including the treatment on the substrate treatment lines L and exposure by the exposure machine EXP among a plurality of substrates W being subjected to the same type of treatment in the same substrate treating line L.例文帳に追加

これにより、同じ基板処理列Ｌで同種の処理が行われる複数の基板Ｗ間において、基板処理列Ｌにおける処理と露光機ＥＸＰにおける露光とを含んだ全体の処理品質がばらつくことを抑制することができる。 - 特許庁

The machining-laser irradiation mechanism 22 includes: a lens 30, which adjusts the condensing distance of the machining-laser beam L; and a scanning-laser mirror 34, which is arranged in the downstream from the lens 30 and irradiates the workpiece W by scanning the machining-laser beam L.例文帳に追加

加工用レーザ照射機構２２は、加工用レーザ光Ｌの集光距離を調整するレンズ３０と、前記レンズ３０の下流に配置され、前記加工用レーザ光Ｌを走査して加工対象物Ｗに照射するレーザ走査用ミラー３４とを備える。 - 特許庁