「w. l.」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The coater 1 radiates laser beams B from the laser pointers 7 so as to enable visual check of the coating distance L by causing the laser beams B to intersect with one another on the surface of the outside wall Wa of the building and thereby keep constant the coating distance L between the outside wall W of the building and the spray gun 3.例文帳に追加

塗装機１は、建築外壁Ｗとスプレーガン３との塗装距離Ｌを一定に保つために、建築外壁表面ＷａでレーザービームＢが交差して塗装距離Ｌを目視で確認可能となるように、レーザーポインター７からレーザービームＢを照射させる。 - 特許庁

As an interval L between a partition wall 811 and a projection 812 is equal to the interval L between projections 812, a bending amount of a lower face WV of a work W held by the chuck is substantially equal in between the partition wall 811 and the projection 812 and between adjacent projections 812.例文帳に追加

仕切り壁８１１と突起８１２との間隔Ｌは、突起８１２同士の間隔Ｌに等しくなるので、保持したワークＷの下面ＷＶの撓み量は、仕切り壁８１１と突起８１２との間、及び隣接する突起８１２同士の間でほぼ等しくなる。 - 特許庁

A semiconductor die has a maximum width W_0, a maximum length L_0, and a first recessed part R_I, wherein W_0 is reduced by a first recessed depth D_rla to form a width W_la of a first minor axis and L_0 is reduced by a first recessed length L_rla to form a length L_la of the first minor axis.例文帳に追加

半導体ダイは、最大幅Ｗ_０、最大長さＬ_０及び第１凹部Ｒ_ｌを有し、Ｗ_０において第１凹部深さＤ_ｒｌａ減少されて第１短軸幅Ｗ_ｌａが形成され、Ｌ_０において第１凹部長さＬ_ｒｌａ減少されて第１短軸長さＬ_ｌａが形成される。 - 特許庁

The conductor width IW of the coil layers 12, included in an inductor L forming a DC-DC converter, is set at 30 μm to 100 μm, by which the inductor L can be lessened in both the direct current and alternating current loss, and the DC-DC converter can be decreased in loss as a whole.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するインダクタＬのコイル層１２の導体幅ｌ_wを３０μｍ以上１００μｍ以下とすることで、インダクタＬの直流損失及び交流損失を合わせた損失を低減させることができ、ＤＣ−ＤＣコンバータ全体の損失を低減できる。 - 特許庁

A controller 6 controls the timing of irradiation of the pulse laser light L irradiated by the laser light irradiation device 3 through a trigger generating device 5 based on the measurement result d1 of the displacement gage 2, so that the incident pulse laser light L is irradiated on the objective position of surface of the substrate W.例文帳に追加

コントローラ６が、変位計２の測定結果ｄ１に基づいて、基板Ｗ表面の目標位置にパルスレーザ光Ｌが入射するように、トリガ発生装置５を介してパルスレーザ光出射装置３によるパルスレーザ光Ｌの出射のタイミングを制御する。 - 特許庁

Furthermore, this pneumatic tire includes a plurality of inclined grooves 5 arranged in the tire circumferential direction in the tread part 1, that have groove length longer than the width W_L of the block line L, and inclined and extended both in the tire circumferential direction and the tire width direction.例文帳に追加

さらに、この空気入りタイヤは、トレッド部１に、ブロック列Ｌの幅Ｗ_Ｌよりも長い溝長さを有し、かつ、タイヤ周方向及びタイヤ幅方向の双方に対して傾斜して延びる傾斜溝５がタイヤ周方向に複数本配置されている。 - 特許庁

A fuel heating apparatus 30 includes a heater 28 heating fuel L inside a fuel delivery pipe 18 supplying the fuel L to the engine 20 of a vehicle 10, and the output density M of the heater 28 is set to be M≤27W/cm^2 (W:watt).例文帳に追加

燃料加熱装置３０は、車両１０のエンジン２０に燃料Ｌを供給するフューエルデリバリーパイプ１８の内側で燃料Ｌを加熱するヒーター２８を有し、ヒーター２８の出力密度ＭがＭ≦２７Ｗ／ｃｍ^２（Ｗ：ワット）となるように設定されている。 - 特許庁

The apparatus has: a light transmission plate S that is provided on the optical path of laser beams L between the introduction window 11c and the thin-film semiconductor substrate W and transmits the laser beams L; and a first transfer robot 31 carrying the light transmission plate S to and from an anneal chamber 11.例文帳に追加

導入窓１１ｃと薄膜半導体基板Ｗとの間のレーザ光Ｌの光路上に設けられてレーザ光Ｌを透過する光透過板Ｓと、アニール室１１に光透過板Ｓを搬入出する第１搬送ロボット３１とを備える。 - 特許庁

The alkaline zinc alloy electroplating solution contains (A) Zn ions in a content of 1-600g/L, (B) iron group element ions in a content of 1-600 g/L, (C) a tungstic acid-based compound in a content of 0.1-600 g/l as W ion and (D) a basic compound.例文帳に追加

（Ａ）Ｚｎイオンを１〜６００ｇ／Ｌ、（Ｂ）鉄族元素イオンを１〜６００ｇ／Ｌ、（Ｃ）タングステン酸系化合物をＷイオンとして０．１〜６００ｇ／Ｌ、及び（Ｄ）塩基性化合物を含有するアルカリ性電気亜鉛合金めっき液。 - 特許庁

In the cutter 1 for concrete or the like, the same water storage tank 10, in which cooling water W in a cooling mechanism 4 is stored, is used in the water storage tank 10, in which recovered sludge water L is stored, when sludge water L is recovered.例文帳に追加

コンクリート等の切断装置１において、前記汚泥水Ｌを回収するにあたり、回収された汚泥水Ｌを貯水する貯水タンク１０は、前記冷却機構４における冷却水Ｗを貯水していたものと同一の貯水タンク１０を用いる。 - 特許庁

In a packaging ream feeder 2c for feeding a packaging ream L to the flat paper packaging machine 2, the number of sheets of the flat paper that forms the packaging ream is counted by a sheet counter 20 from the top of the ream stack W, and the packaging ream L that has been formed is fed to the flat paper packaging machine 2.例文帳に追加

平判包装機２へ包装リームＬを供給する包装リーム給送装置2cに供して、リーム山Ｗの上部から包装リームを生成する平判紙の枚数をシートカウンタ20で計数し、生成された包装リームＬを平判包装機２へ供給する。 - 特許庁

On the other hand, the width of L-size paper sheet 2y is smaller than the widths w of the sorting holes 12a, 12b, so that the printing paper sheet 2 passes though the sorting holes 12a, 12b formed in the tray 11 for A4, and are conveyed to the tray 16 for L size by a conveyor 15.例文帳に追加

一方、Ｌ版用紙２ｙの幅は仕分け孔１２ａ，１２ｂの幅ｗよりも小さいためＡ４用トレイ１１に形成された仕分け孔１２ａ，１２ｂを通過し、さらにコンベア１５によってＬ版用トレイ１６へと搬送される。 - 特許庁

The trenches 45A, 45B have strip shapes parallel to the cleavage line L, and are formed on a non-formation region of an upper electrode 32 and between ridge parts 20A formed on a wafer W of surfaces of wafer W.例文帳に追加

溝４５Ａ，４５Ｂは、へき開ラインＬと平行な帯状の形状となっており、ウェハＷの表面のうち、ウェハＷ上に形成されたリッジ部２０Ａ同士の間であって、かつ上部電極３２の未形成領域に形成されている。 - 特許庁

A processing unit 70 of the surface activation apparatus includes a radical generation unit 80 for generating radicals, by making a processed gas excited by plasma and a processing unit 81 for activating surfaces W_U1, W_L1 of wafers W_U, W_L by the radicals generated by the radical generating unit 80.例文帳に追加

表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。 - 特許庁

In the cooling method, the gear is oil-quenched while giving the ultrasonic wave having 20 kHz-200 kHz frequency and 1 W/l-200 w/l output when the gear is heat-treated after machining or cold-forging and hot-forging.例文帳に追加

歯車を、切削加工ないしは冷鍛・熱鍛後に熱処理する際に、超音波を付与しながら焼き入れする冷却法，２０ＫＨｚ以上２００ＫＨｚ以下の周波数で１Ｗ／ｌ以上２００Ｗ／ｌ以下の出力の超音波を付与する冷却法，油焼き入れする冷却法。 - 特許庁

Thus, an incident angle α made by the luminous flux center of the laser light beams L of a deflection surface 20a of a polygon mirror 20 and by the optical axis C of the fθ lens 21a is set equal to or larger than (4π/N)-(W-D) and less than (4π/N)-{(W-β)/D}.例文帳に追加

これにより、ポリゴンミラー２０の偏向面２０ａのレーザ光Ｌの光束中心とｆθレンズ２１ａの光軸Ｃとのなす入射角度αを、（４π／Ｎ）−（Ｗ／Ｄ）以上、（４π／Ｎ）−｛（Ｗ−β）／Ｄ}未満に設定することができる。 - 特許庁

The tubular extrusion molded object W is molded by the extrusion molding machine 12 and the liquid coating raw material P is supplied to the inner peripheral surface L of the extrusion molded object W to be applied thereto during extrusion molding.例文帳に追加

押出成形機１２により管状の押出成形体Ｗを押出成形するとともに、押出成形体Ｗの内周面Ｌに液状のコーティング原料Ｐを供給し、押出成形中の押出成形体Ｗの内周面Ｌへ液状のコーティング原料Ｐを塗布する。 - 特許庁

As a result of this, particles contained in a processing solution left on the lower part of the wafer W are diffused together with a flow of overflowing pure water L and removed, and the particles can be prevented from readhering to the wafer, when the wafer W is reimmersed.例文帳に追加

これにより、半導体ウエハＷの下部に残留する処理液に含まれるパーティクルを、オーバーフローの流れに乗せて拡散し、除去することができると共に、再び浸漬する際に半導体ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止することができる。 - 特許庁

Then, the workpiece W is machined while the rotary tool T is moved on a tool travel path L in accordance with the machining program to avoid the workpiece W, so that the machining load becomes lower than the first setting value Pa after the machining load exceeds the first setting value Pa (2) (5).例文帳に追加

そして、加工負荷が第一設定値Ｐａを超えた後に加工負荷が第一設定値Ｐａ以下となるように、被加工物Ｗに対して回転工具Ｔを加工プログラムによる工具移動経路Ｌから回避移動させながら被加工物Ｗを加工する（２）（５）。 - 特許庁

A separation distance L of an opening edge part 15A of the push-in groove 15 is smaller than an external diameter of the electric wire W, and a width in an electric wire installation inner part 15B on the inner side of the opening edge part 15A of the push-in groove 15 is larger than the external diameter of the electric wire W.例文帳に追加

この電線押し込み溝１５の開口縁部１５Ａの離間距離Ｌは、電線Ｗの外径よりも小さく、かつ電線押し込み溝１５の開口縁部１５Ａよりも奥側の電線装着奥部１５Ｂでは、電線Ｗの外径以上の幅とされている。 - 特許庁

A graphic display control means 17 controls it such that a picture 31 on which a plurality of locations L are graphically displayed with the article W is displayed on a display 12 provided on a movement body for conveying the article W based on the memorized content of the memory means 21.例文帳に追加

グラフィック表示制御手段１７は、記憶手段２１の記憶内容に基づいて、物品Ｗを搬送するための移動体２に設けられるディスプレイ１２に、複数のロケーションＬを物品Ｗとともにグラフィック表示する画面３１が表示されるように制御する。 - 特許庁

Then successive W pieces of unit information are extracted as a retrieval tag by as many as (L-W+1) pieces from sample gene information while shifted by one piece of unit information at each time in order from the head, and the extracted retrieval tag is encoded into a query tag to perform retrieval.例文帳に追加

サンプル遺伝子情報から、連続するＷ個の単位情報を検索タグとして、先頭から順に１単位情報づつずらしながら（Ｌ−Ｗ＋１）個抽出し、抽出した検索タグを暗号化してクエリータグとして検索を行う。 - 特許庁

The recessed corner 78 is an approximate L-shaped recessed corner constituted between the pressing protrusion 84 arranged along the transfer path W and the abutting face 70A arranged in a direction crossing with the transfer path W, and a sheet member S to be transferred is smoothly introduced into the recessed corner.例文帳に追加

凹角部７８は、搬送路Ｗに沿って配置された押圧突部８４と、搬送路Ｗと交差する方向に配置された突当面７０Ａとの間に構成される略Ｌ字状の凹角部であり、搬送されるシート部材Ｓが、スムーズに誘い込まれる。 - 特許庁

A label attaching system for a plate-like member W includes a feeding unit SF and a receiving unit SR, at least one of which has label attaching mechanisms 160 and 260 for attaching a label L onto at least either of one surface Wa and the another surface Wb of the plate-like member W.例文帳に追加

板状部材Ｗのラベル貼付システムは、送り出し装置ＳＦと受け入れ装置ＳＲとの少なくとも一方には、板状部材Ｗの一方面Ｗａ及び他方面Ｗｂの少なくともいずれかにラベルＬを貼付するラベル貼付機構１６０，２６０を備える。 - 特許庁

The banana puree is obtained by cutting banana fruit flesh into round slices of a thickness of 5-15 mm, heating the center of the product to 85-100°C by heating vapor at a heating rate of ≥0.22°C/s, and adding 0.1-0.2 (w/w)% of L-ascorbic acid to the product followed by crushing.例文帳に追加

バナナ果肉を厚さ５〜１５ｍｍで輪切りし、これを加熱気体により０．２２℃／秒以上の昇温速度で中心を８５〜１００℃まで加熱し、これにＬ−アスコルビン酸を０．１〜０．２（ｗ／ｗ）％添加した後に、破砕して、課題のバナナピューレを得る。 - 特許庁

The first antenna pattern 11 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(11) drawn by a conductor thin film 11a with a prescribed line width w and a pitch P(11) of each triangle waveform is selected about thrice the line width w of the dielectric thin film 11a.例文帳に追加

第１アンテナパターン１１は一定線幅ｗの導電体薄膜１１ａにより描かれた細長い一定振幅Ｌ（１１）の三角波形の繰り返しパターンであり、各三角波形のピッチＰ（１１）が誘電体薄膜１１ａの線幅ｗの約３倍とされている。 - 特許庁

At the time of carrying in/out a substrate W to and from the support pins 2, the distance L is set to a sufficiently large value by positioning the lamp unit 9 to the carrying-in/out position so that the interference between the lamp unit 9 and the carried-in/out substrate W may be avoided.例文帳に追加

そして、支持ピン２に対する基板Ｗの搬入出時には、ランプユニット９を搬入出位置に位置決めしてランプユニット９と搬入出される基板Ｗとの干渉が回避されるように該距離Ｌが十分に広く設定されている。 - 特許庁

In an object discriminating method, a binary image of the surface of the object W to be detected is analyzed along the whole periphery, symbols L displayed on the surface are counted, and the count value is compared with a preset value to thereby discriminate whether the object W to be detected is right or wrong.例文帳に追加

被検知物Ｗの表面の２値画像を全周に沿って画像解析して、前記表面に表示されている記号Ｌの数を計数し、この計数値と予め設定された値とを比較して、前記被検知物Ｗの当否を識別する、物体識別方法。 - 特許庁

The length W_C of the opening 132 regarding a circumferential direction C orthogonal to the axial direction A of the stent is shorter than the length L_A of the opening 132 regarding the axial direction A, and is equal to or shorter than 1/3 of the length W_T of the housing 130 regarding the circumferential direction C.例文帳に追加

ステントの軸方向Ａと直交する周方向Ｃに関する開口部１３２の長さＷ_Ｃは、軸方向Ａに関する開口部１３２の長さＬ_Ａより小さく、かつ、周方向Ｃに関するハウジング１３０の長さＷ_Ｔの３分の１以下である。 - 特許庁

The control device compares the length L1 of the workpiece W recognized from the detected result of the photoelectric sensor 82 with the reference value L0 set as the minimum length of the remainder and stops the cutting operation when the length L of the workpiece W is reduced to less than the reference value L0.例文帳に追加

制御装置は、光電センサ８２の検出結果から認識したワークＷの長さＬ１と、残材の最小長さとして設定された基準値Ｌ０を比較し、ワークＷの長さＬが基準値Ｌ０以下になると切断動作を停止させる。 - 特許庁

A contact between the wafer W or the truer T and the grinding wheel for machining is detected by a sensor 3 disposed through a an auxiliary machining liquid L supplied to the wafer W or the truer T, and a relative coordinate position or the diameter of the grinding wheel for machining is determined from a coordinate position where the contact occurs.例文帳に追加

ウェーハＷまたはツルアーＴに供給される加工補助液Ｌを介して設けられたセンサ３によりウェーハＷまたはツルアーＴと加工用砥石との接触を検知し、接触した座標位置から相対的座標位置または加工用砥石直径を決定する。 - 特許庁

A laser machining head 14, which constitutes a laser machining apparatus 10, includes: a machining-laser irradiation mechanism 22, which conducts laser machining by irradiating a workpiece W with a machining-laser beam L; and a position detecting mechanism 24, which detects the position of the laser machining head 14 relative to the workpiece W.例文帳に追加

レーザ加工装置１０を構成するレーザ加工ヘッド１４は、加工用レーザ光Ｌを加工対象物Ｗに照射してレーザ加工を行う加工用レーザ照射機構２２と、前記加工対象物Ｗに対する前記レーザ加工ヘッド１４の位置を検出する位置検出機構２４とを備える。 - 特許庁

If, however, a water drop W adheres to the lens surface S as shown in (b), ruggedness is produced at the boundary with the air and since the way of refraction varies in the portion where the water drop W adheres and where the water drop does not adhere, parallel incident light L is not emitted in the parallel state any more.例文帳に追加

しかし、（ｂ）に示すように、レンズ表面Ｓに水滴Ｗが付いていると、空気との界面に凹凸ができ、水滴Ｗが付いている部分と付いていない部分とで屈折の仕方が異なるため、平行に入射した光Ｌが平行のまま出射しなくなる。 - 特許庁

Two board-like partition walls 40 are arranged along a flow direction in a linear inertmediate channel 21a, and an opening width W, which is a long side L of the linear middle channel 21a, is divided in the width direction, to form three-layered divided channels 21a' having each equal opening width W'.例文帳に追加

直線状中間流路２１ａ内には２枚の板状の仕切壁４０が流れ方向に沿って配置され、直線状中間流路２１ａの長辺Ｌとなる開口幅Ｗを幅方向に分割して３層の等しい開口幅Ｗ’の分割流路２１ａ’を形成している。 - 特許庁

Machining stations ST constituting a machining line of a workpiece W are arranged on both sides of a conveying line L of a conveying device 1, and the machining stations ST1, ST2, ST3, etc. are arranged in a predetermined mode according to the sequence of the machining processes of the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの加工ラインを構成する加工ステーションＳＴは、搬送装置１の搬送ラインＬを挟んで両側に配置されており、ワークＷの加工工程の順序に従って加工ステーションＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３・・・が所定の態様で配列されている。 - 特許庁

By disposing a laser light source L for laser light having a stationary wave on a lateral side of a substrate W, and emitting the laser light along a surface of the substrate from the lateral side of the substrate W, the substrate surface is excited at intervals of half wavelength of the stationary wave of the laser light.例文帳に追加

定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。 - 特許庁

A channel region 8, in which a distance between a source electrode 6 and a drain electrode 7 is defined as a channel length L and a direction orthogonal to the direction of the channel length L is defined as a channel width W, is disposed in an organic semiconductor layer 5 and a direction parallel with the direction of the channel length L is defined as a strain detection direction to detect a strain.例文帳に追加

ソース電極６とドレイン電極７との間の距離をチャネル長Ｌ、このチャネル長Ｌの方向と直交する方向をチャネル幅Ｗとするチャネル領域８を有機半導体層５内に設け、チャネル長Ｌの方向と平行方向を歪検出方向として、歪みを検知することを特徴とする。 - 特許庁

The drilling method comprises a first step of forming a through hole by irradiating one side W1 of a work W with laser beams L, and a second step of forming a through hole of the predetermined diameter by increasing the trepanning diameter while spirally turning the laser beams L, wherein at least in the second step, assist gas irradiates the work coaxially with the irradiation direction of the laser beams L.例文帳に追加

レーザー光ＬをワークＷの一方面Ｗ１に照射して貫通孔を形成する第一の工程と、レーザー光Ｌを螺旋状に回転させながらトレパニング径を大きくしていくことにより、所定径の貫通孔を形成する第二の工程と、からなり、少なくとも第二の工程において、レーザー光Ｌの照射方向と同軸方向にアシストガスがワークに照射される孔あけ加工方法である。 - 特許庁

Signal width MAX_L which becomes maximum within a maximum width period of the acquired signal width L is acquired by a maximum width detection part 13 and furthermore, signal width which becomes maximum within a setting period of reference synchronizing signal width of the signal width MAX_L is set as reference synchronizing signal width W by a synchronizing signal width setting part 14.例文帳に追加

取得した信号幅Ｌのうち最大幅期間内において最大となる信号幅ＭＡＸ＿Ｌを最大幅検出部１３にて取得し、さらに、信号幅ＭＡＸ＿Ｌのうち基準同期信号幅設定期間内において最大となる信号幅を同期信号幅設定部１４にて基準同期信号幅Ｗとして設定する。 - 特許庁

A wind barrier wall 34 is provided between a washing liquid spray nozzle 30 for blowing the washing liquid L against the surface of a fed web W and a gas jet nozzle 32 for ejecting a gas so as to form at least a jet stream in the direction opposed to the feed direction of the web W to remove the liquid film L1 remaining on the surface of the web W.例文帳に追加

搬送されるウエブＷの表面に洗浄液Ｌを吹き付ける洗浄液吹き付けノズル３０と、ウエブＷの搬送方向に対向する向きの噴出流が少なくとも形成されるように気体を噴出してウエブ表面に残存する液膜Ｌ１を除去する気体噴出ノズル３２と、の間に遮風壁３４を設けた。 - 特許庁

The production system X includes: a working apparatus 40a arranged at the production line L which automatically works the work piece W; a control device 40b which makes the working apparatus 40a perform working of the work piece W using working data including a working procedure; an unmanned transport device 60 which conveys the work piece W to the working apparatus 40a; and a scheduling terminal 20.例文帳に追加

生産システムＸは、ワークＷを自動加工する生産ラインＬに配置された加工装置４０ａと、作業手順を含む加工データを用いて加工装置４０ａにワークＷの加工を実行させる制御装置４０ｂと、加工装置４０ａにワークＷを搬送する無人搬送装置６０と、スケジューリング端末２０とを有する。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method capable of machining a penetrating groove 24 having the width W smaller than the diameter D of the focused laser beam and the length L larger than the diameter D of the focused laser beam.例文帳に追加

本発明はレーザの集光ビーム径Ｄより小さい幅Ｗで、かつ、レーザの集光ビーム径Ｄより大きい長さＬの貫通溝２４を加工するレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

A substance 4 with a heat conductivity of ≥0.024 W/mK is provided to the interface 3 of the thermoplastic resin 1 having transmission characteristics and the thermoplastic resin 2 having absorbing characteristics to perform the irradiation with the laser beam L.例文帳に追加

透過特性を有する熱可塑性樹脂１と吸収特性を有する熱可塑性樹脂２との界面３に、熱伝導率が０．０２４Ｗ／ｍＫ以上の物質４を介在させた状態でレーザー光Ｌの照射を行う。 - 特許庁

The reflective surface 62a is coated with the microcapsules 64 such that the grain size W and the arrangement pitch L fall within a range of 380-400 nm which is substantially equal to the wavelength of the magenta fixing light.例文帳に追加

マイクロカプセル６４は、その粒径Ｗ及び配列ピッチＬがマゼンダ定着光の波長とほぼ等しい３８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲になるように反射面６２ａに塗布される。 - 特許庁

Nitrogen gas is injected (Fig.b) to the substrate W having a liquid film L formed after rinsing (Fig.a) from below a gas injection head 200 while the substrate is rotated.例文帳に追加

リンス後の液膜Ｌが形成された基板Ｗに対して（図ａ）、該基板を回転させながらガス噴射ヘッド２００の下部から窒素ガスを噴射させる（図ｂ）。 - 特許庁