「"A flash"」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, thumbnails other than the moving image and the still image recorded in the optical disk and a play list describing TOC (Table Of Contents) and a reproduction procedure are stored in a flash memory 109 mounted on this apparatus together with storage medium identifying information for identifying each optical disk and are managed.例文帳に追加

また、光ディスクに記録された動画像、静止画を除くサムネイル、及び、ＴＯＣ（Ｔａｂｌｅ Ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔｓ）、再生手続きを記述したプレイリストについては、本装置に搭載されたフラッシュメモリ１０９に、各光ディスクを識別する記憶媒体識別情報とともに記憶され管理される。 - 特許庁

When the boot program in a flash ROM 13 of a microcomputer 11 of the electronic control unit(ECU) 10 decides that the application program is executed, it is confirmed first that there is the check program at the head of the storage area of the application program and after the check program is executed, the application program is executed.例文帳に追加

ＥＣＵ１０のマイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３内のブートプログラムによってアプリケーションプログラムを実行すると判定されたときには、まず、アプリケーションプログラムの記憶領域の先頭アドレスのチェックプログラムが存在することが確認され、そのチェックプログラムが実行されたのちアプリケーションプログラムに移行される。 - 特許庁

When the prescribed print designation file designated to an image picked up and recorded on a flash memory 108a is recorded on the recording medium, a system controller 113 performs control to reproduce the print- designated image on a liquid crystal display 112 corresponding to the prescribed print designation file.例文帳に追加

撮像されてフラッシュメモリ１０８ａに記録された画像に対して指定される所定のプリント指定ファイルを記録媒体に記録されている場合に、システムコントローラ１１３が該所定のプリント指定ファイルに応じてプリント指定されている画像を液晶ディスプレイ１１２上に再生制御する構成を特徴とする。 - 特許庁

To execute an instruction to use data written in a vector table region in a loader region in which on-board rewriting is unavailable by realizing the rewriting in the loader region at the time of changing data in the vector table region after a user program is changed in a microcomputer incorporating a flash EEPROM.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ内蔵のマイクロコンピュータにおいて、オンボード書換えができないローダ領域内のベクタテーブル領域に書き込まれているデータを使用する命令を実行するにあたり、ユーザプログラムに変更がありベクタテーブル領域内のデータを変更する必要があっても、ローダ領域であるため書換えできない。 - 特許庁

A photocurable ink composition for ink jet recording comprises at least a polymerisable compound having a flash point, an initiator, and water, wherein the polymerisable compound has at least one hydroxy group and is at least one type selected from the group consisting of alkylene glycol monoallyl ether and alkylene glycol monovinyl ether, and the water content is 5-20 mass%.例文帳に追加

引火点を有する重合性化合物と、開始剤と、水と、を少なくとも含み、前記重合性化合物が、水酸基を少なくとも１つ含む、アルキレングリコールモノアリルエーテルおよびアルキレングリコールモノビニルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種であり、前記水の含有量が５〜２０質量％である、インクジェット記録用光硬化型インク組成物。 - 特許庁

At the time of updating old firmware 51 stored in a flash ROM 50 to new firmware 52, address information indicating the address of a floppy disk device initializing means 511 is stored in an initializing means address storing area 401 of a non-volatile RAM 40 by an address storing means 513.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ５０に格納されている旧ファームウェア５１を新ファームウェア５２に更新する場合に、番地格納手段５１３により、フロッピーディスク装置初期化手段５１１の番地を示す番地情報を、番地格納手段５１３により、不揮発性ＲＡＭ４０の初期化手段番地格納領域４０１に格納しておく。 - 特許庁

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The microcomputer 1 incorporating the flash memory is provided with an OR circuit 21 for calculating OR between a reset signal from a flash writer 3 and a reset signal generated by a reset circuit part 30 and a signal control part 20 for using one of I/O port signals also as a reset signal.例文帳に追加

フラッシュライター３からのリセット信号と、リセット回路部３０が生成したリセット信号とを論理和するための論理和回路２１と、入出力ポート信号の１本をリセット信号との兼用にするために信号制御部２０とをフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ１の内部に備える。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

A cyclic analog-to-digital converter constituted by connecting a circuit block comprising a multiplication type digital-to-analog converter and a flash analog-to-digital converter as one stage, measures the linearity due to the deviation in multiplication type digital-to-analog converter gain and adjusts the multiplication type digital-to-analog converter gain.例文帳に追加

乗算型デジタル／アナログ変換器とフラッシュアナログ／デジタルコンバータから構成される回路ブロックを１つのステージとして接続して構成された巡回型アナログ／デジタルコンバータにおいて乗算型デジタル／アナログ変換器ゲインずれに起因する直線性を測定し、該乗算型デジタル／アナログ変換器ゲインを調整することにより直線性誤差を補正する。 - 特許庁

An area rewritable by a PC (Personal Computer) and an area unrewritable are formed when connecting the PC by physically dividing an HDD (or a flash memory) recording the content into a first HDD 3a and a second HDD 3b, or logically dividing one HDD 4 into a first partition 4a and a second partition 4b.例文帳に追加

コンテンツを記録するＨＤＤ（またはフラッシュメモリ）を、物理的に第１ＨＤＤ３ａ、第２ＨＤＤ３ｂに分割して、または、一つのＨＤＤ４を論理的に第１パーティション４ａ、第２パーティション４ｂに分割することにより、ＰＣに接続した際該ＰＣから書き換え可能な領域と、書き換え不可能な領域とに分離する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

The controller controls a nonvolatile memory system (an example of a nonvolatile memory is a flash memory well-known for skilled in the art) organized into blocks, each block includes a plurality of sector locations for storing the sector information and a particular free block is designated for storing FSInfor sector information.例文帳に追加

そのコントローラは、複数のブロックに区分された不揮発性メモリシステム（不揮発性メモリの例は当業者にとって公知であるフラッシュメモリである）を制御し、各ブロックはセクタ情報を格納するための複数のセクタを含み、特定の空きブロックがＦＳＩｎｆｏセクタ情報を格納するように指定される。 - 特許庁

When an operator designates to use the flash in a state where the flash case pops down and when the operator starts to make the flash case in a pop down state forcibly manually pop up, a photometry switch is turned on in an automatic flash mode, and "1" is set to a flash up permitting flag (S210) when the shutter case pops down.例文帳に追加

フラッシュケースがダウンしている状態で、操作者によりフラッシュの使用が指定された場合、ダウンの状態にあるフラッシュケースを操作者が手動で強制的にアップさせ始めた場合、オートフラッシュモードにおいて測光スイッチがオンし、シャッターケースがダウンしている場合、フラッシュアップ許可フラグに「１」をセットする（Ｓ２１０）。 - 特許庁

To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.例文帳に追加

メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

The control is executed by connecting a flash memory 7 storing an operation program, a memory 8 capable of storing a part of the data stored in the memory 7 as development data and a data changing means capable of changing the development data stored in the memory 8 to the CPU 5.例文帳に追加

この制御は、動作プログラムが格納されたフラッシュメモリ７と、このフラッシュメモリ７に格納されたデータの一部を展開データとして格納し得るメモリ８と、このメモリ８に格納された当該展開データを変更し得るデータ変更手段とがＣＰＵ５に接続されることによって実行されるように構成されている。 - 特許庁

A CPU 11 estimates deterioration in an image on print paper on which the image expressed in image data stored in a flash memory 14 is printed, the CPU 11 itself generates and controls an image processing section 17 to generate a deteriorated image as to the image printed on the print paper and causes a display section 15 to display the deteriorated image.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、フラッシュメモリ１４に格納されている画像データで表現される画像がプリントされたプリント紙における該画像の劣化の想定を行ない、その想定の結果に基づいて、ＣＰＵ１１自身で、及び画像処理部１７を制御して該プリント紙にプリントされた画像についての劣化画像を生成し、表示部１５に表示させる。 - 特許庁

A request terminal 400, based on the tag IDs of all members of a visitor group, retrieves a photographed image in which the member is imaged from photographed images in the image server 300, makes the visitor select a desired photographed image, and performs outputting on a designated medium (for instance, printing by a printer 500, a flash memory, a cell-phone or the like).例文帳に追加

要求端末４００は、来園者グループのメンバー全員のタグＩＤを基に、撮影済みの画像からメンバーが映っている写真画像を画像サーバ３００より検索して、所望の写真画像を来園者に選択させて、指定された媒体（例えばプリンタ５００による印刷やフラッシュメモリ、携帯電話等）への出力を行う。 - 特許庁

To provide a control method and control device for flash memory, capable of extending the life of a flash memory by shortening the time required for rewrite of data in the flash memory and controlling a rewrite area of the flash memory or an area subjected to electric deleting processing to reduce the deterioration of the flash memory to a minimum area.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ書き換えに要する時間を短縮すると共に、フラッシュメモリの書き換えエリア、すなわち電気的消去処理を行うエリアを制御し、フラッシュメモリの劣化を最低限のエリアとすることにより、フラッシュメモリの寿命を延ばすことができるフラッシュメモリ制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁

The disk storage device 1 having a flash memory 22 is configured so as to store, when continuous data are requested to be recorded on a disk medium 10, the first data for one track containing a start address of the requested data in the flash memory 22 and continuously writes the data from the next address to the first data to the last address data on a disk medium 10.例文帳に追加

フラッシュメモリ２２を有するディスクドライブ１おいて、ディスク媒体１０に記録すべき要求データが連続的データの場合に、要求データの先頭アドレスを含む１トラック分の最初のデータをフラッシュメモリ２２に格納し、最初のデータの次から最終アドレスまでのデータをディスク媒体１０上に連続して書き込む構成である。 - 特許庁

The print engine controller section 205 that receives the mode switching request switches through the control of the mode switching part 207 the communication speed between a controller communication section 204 and an engine communication section 206 during the operation of forming an image to be in a high speed one as a firmware updating mode, and then the firmware to be stored in a flash ROM 210 is updated.例文帳に追加

該モード切替要求を受信したプリントエンジンコントローラ部２０５は、モード切替部２０７の制御により、画像形成動作時におけるコントローラ通信部２０４とエンジン通信部２０６間の通信速度をファームウェア更新モードとして高速な通信速度に切り替え、フラッシュＲＯＭ２１０に格納されるファームウェアを更新する。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus provided with a nonvolatile memory capable of rewriting information such as a program even when trouble such as power shut-down of the electronic apparatus is caused during the rewriting of the program or data on the nonvolatile memory such as a flash memory to break down the program on the non-volatile memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ上のプログラムやデータを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生し、不揮発性メモリ上のプログラムが破壊されても、再度プログラム等の情報の書込みを行うことができる、不揮発性メモリを備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film.例文帳に追加

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 - 特許庁

To provide a decorative panel not generating a plate warpage phenomenon caused by the absorption and discharge of moisture in the open air during keeping or long-term use and enabling the use of a method good in productivity like a high frequency heating method in the adhesion of a core material and a frame material, and a flash panel manufactured using the same.例文帳に追加

保管中或いは長期間の使用に際して、外気による吸湿、放湿等による板反り現象を起こさず、また、芯材、枠材との接着に高周波加熱法のような生産性の良好な方法を用いることが出来る化粧板及びそれを用いて作製されたフラッシュパネルを提供することにある。 - 特許庁

Therefore, differing from conventional methods, since one file does not use a particular memory area continually so that the early exhaust of a particular block lifetime in a flash memory is prevented, the whole memory area is equally used so that lifetimes of all blocks in the flash memory are kept in the same levels.例文帳に追加

よって、 従来の方法とは異なって、一つのファイルが特定のメモリ領域を継続的に用いないことから、フラッシュメモリ内の特定のブロックの寿命が他のブロックより早く尽きることを防止でき、メモリ領域の全体を均一に用いることから、フラッシュメモリ内の全てのブロックの寿命を同一に保持できる。 - 特許庁

The storage controller uses the address conversion information to identify a physical address corresponding to a logical address designated by an I/O request from a higher-order apparatus, and transmits an I/O command having I/O destination information based on the identified physical address to a memory controller in a flash memory module.例文帳に追加

ストレージコントローラが、上位装置からのＩ／Ｏ要求が指定する論理アドレスに対応した物理アドレスを、上記アドレス変換情報を用いて特定し、特定された物理アドレスに基づくＩ／Ｏ先情報を有したＩ／Ｏコマンドを、フラッシュメモリモジュール内のメモリコントローラに送信する。 - 特許庁

The printer stores a reservation setting date and a reservation setting content previously input to an input section in a flash ROM, and alters the reservation setting content stored in the flash ROM when the current date output from a calendar IC for counting the date matches the reservation setting date stored in the flash ROM or later than that.例文帳に追加

本発明に係る印字装置は、予め入力部に入力された予約設定日時および予約設定内容をフラッシュＲＯＭに記憶し、日時を計時するカレンダＩＣから出力される現在日時がフラッシュＲＯＭに記憶された予約設定日時と同一または予約設定日時以降の場合にフラッシュＲＯＭに記憶された予約設定内容に設定を変更することを特徴とする。 - 特許庁

When a computer apparatus 2 is connected to a USBI/F61 of the tape printing apparatus 3 via a USB cable K1, a USB controller 62 provides the computer apparatus 2 with a function of accessing a normal storage area 40 of a FLASH-ROM 34 conforming to the mass storage class specification.例文帳に追加

テープ印刷装置３のＵＳＢＩ／Ｆ６１にＵＳＢケーブルＫ１を介してコンピュータ装置２が接続された場合には、ＵＳＢコントローラ６２によって、マスストレージクラス規格に基づいたＦＬＡＳＨ・ＲＯＭ３４の通常記憶領域４０へのアクセス機能がコンピュータ装置２へ提供される。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.例文帳に追加

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable proper calculation of a checksum without being conscious of unnecessary data, a free area size or the like before update by making a flash memory store size information about data on a program to be updated and executing the checksum calculation about only a data area of the updated program on the basis of the size information.例文帳に追加

更新するプログラムのデータのサイズ情報をフラッシュメモリに記憶させ、そのサイズ情報に基づいて、更新されたプログラムのデータ領域だけについてチェックサム計算を実行することにより、更新前の不要なデータや空き領域サイズなどを意識せずに的確にチェックサムの計算が行えるようにする。 - 特許庁

To provide compositions for abrasion which is applicable to the process of forming a floating gate in a flash memory, and suitable for a CMP process in which a protrusion on a polysilicon film is flattened and polishing is stopped before exposing a ground.例文帳に追加

フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地を露出する前に研磨を停止するＣＭＰ工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。 - 特許庁

Then the prepared flash ROM is connected to the socket in place of an ICU flash ROM 99, and when a flash ROM for updating firmware is connected to the socket 98, data are transferred from the flash ROM storing the data received from the PC to the flash ROM connected to the socket 98.例文帳に追加

次に、作成されたフラッシュＲＯＭがＩＣＵフラッシュＲＯＭ９９のかわりにソケットに差込まれ、フラッシュＲＯＭライター用のソケット９８にファームウェアのアップデートを行なうフラッシュＲＯＭが装着されると、パーソナルコンピュータから受信したデータを記憶しているフラッシュＲＯＭから、ソケット９８に差込まれたフラッシュＲＯＭへデータが転送される。 - 特許庁

A flash ROM 23 stores a plurality of kinds of unit components obtained by dividing the icon into a plurality pieces, icon correspondence information 23c showing a collective component constituting the icon, the collective component comprising a plurality of unit components, and collective component correspondence information 23d showing a plurality of unit components constituting a collective component.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２３に、アイコンを複数に分割した複数種類の単位部品と、複数の単位部品からなる集合部品であって、アイコンを構成する集合部品を示すアイコン対応情報２３ｃと、集合部品を構成する複数の単位部品を示す集合部品対応情報２３ｄとを記憶する。 - 特許庁

The method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory comprises storing block state information on the bad block of the flash memory and on the alternate block for replacing the bad block, and providing the block state information to a user when a specific command is inputted.例文帳に追加

フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供する。 - 特許庁

The data processor has a flash ROM for recording count data and a work RAM for temporarily storing the count data, and writes count data written in the work RAM by write processing 2 in the flash ROM by write processing 3 at prescribed timing when a count class ID attached to the count data is a job class ID.例文帳に追加

データ処理装置は、カウントデータを記録するためのフラッシュＲＯＭと、カウントデータを一時的に記憶するためのワークＲＡＭを有し、カウントデータに付加されたカウント種別ＩＤがジョブ種別ＩＤである場合、書き込み処理２によりワークＲＡＭに書き込まれたカウントデータを、所定のタイミングにて書き込み処理３にてフラッシュＲＯＭへ書き込む。 - 特許庁

To judge whether or not the rewritten contents of a ROM are correct by confirming the version of firmware by enabling a video interface to give notice of the version of firmware rewritten in an image forming apparatus which rewrites a flash ROM of an engine CPU by using an external line, a service tool, etc.例文帳に追加

外部回線やサービス治具等を用いてエンジンＣＰＵのフラッシュＲＯＭの書き換えを行う画像形成装置において書き換えたファームウェアのバージョンをビデオインターフェースにて報知可能とすることにより、書き換えたＲＯＭの内容が正しいかどうかを、ファームウェアのバージョンを確認することで判断する。 - 特許庁

When a reset signal 109 is input to a flip-flop 100 by a user's reset operation while a CPU 105 is writing data to a flash ROM 106, output signal of an AND circuit 102 is regularly on "L" level since a reset delay signal 107 is on "H" level while the CPU 105 is writing data to the flash ROM 106.例文帳に追加

ＣＰＵ１０５がフラッシュＲＯＭ１０６にデータを書き込んでいる途中の時刻で、ユーザによるリセット操作によりフリップフロップ１００にリセット信号１０９が入力された場合、ＣＰＵ１０５がフラッシュＲＯＭ１０６にデータを書き込んでいる間は、リセット遅延信号１０７が‘Ｈ’レベルであるため、論理積回路１０２の出力信号は、常に‘Ｌ’レベルとなる。 - 特許庁

As a waveform data which a sample load processor reads from a flash memory 16 is loaded in a waveform memory 17, while a sound source processor reproduces the waveform data which is loaded in the waveform memory 17, and generates a musical sound waveform W according to instruction of a gate start/end processor, there is no loading waiting time for loading the waveform data from the flash memory to a RAM (a waveform memory).例文帳に追加

サンプルローダ処理がフラッシュメモリ１６から読み出した波形データを波形メモリ１７にロードすると同時に、ゲートスタート／エンド処理の指示に従って音源処理が当該波形メモリ１７にロードされた波形データを再生して楽音波形Ｗを生成するので、フラッシュメモリからＲＡＭ（波形メモリ）に波形データをロードする際のロード待ち時間を無くす。 - 特許庁

To provide a flash A/D converter including a plurality of differential amplifier circuits and a plurality of voltage comparator circuits, in which a A/D conversion accuracy is increased by making an output dynamic range for the differential amplifier circuits accurately match an input dynamic range for the voltage comparator circuits even if the input dynamic range for the voltage comparator circuits is narrowed due to reduction in a power supply voltage.例文帳に追加

複数個の差動増幅回路及び複数個の電圧比較回路を持つフラッシュ型のＡ／Ｄ変換器において、電圧比較回路の入力ダイナミックレンジが低電源電圧化に伴い狭くなっても、差動増幅回路の出力ダイナミックレンジを前記電圧比較回路の入力ダイナミックレンジと精度良く一致させて、Ａ／Ｄ変換精度を向上させる。 - 特許庁

To provide a stroboscopic device equipped with a light emitting part capable of securing the original life of a flash discharge tube and preventing the loss of emitted light quantity of the flash discharge tube without burning or carbonizing an elastic member for holding a reflector and the flash discharge tube even when heat is generated in the vicinity of a main electrode by the light emission of the flash discharge tube.例文帳に追加

本発明は、閃光放電管の発光により主電極近傍に熱が生じても、反射傘及び閃光放電管を保持させる弾性部材を焦がしたり、炭化させることなく、閃光放電管の本来の寿命を担保することができるとともに、閃光放電管の発光の光量ロスが生じない発光部を備えたストロボ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

If a recording error occurs during recording, an error address and an error code are stored in a flash ROM, and if the recording is stopped and when a loaded optical disk is a DVD-R or a DVD-RW for example, the error address and the error code stored in the above ROM are written in an RMA of the DVD-R or the DVD-RW.例文帳に追加

記録中に記録エラーが発生すると、エラーアドレスとエラーコードをフラッシュＲＯＭに格納し、記録が停止すると、装填されている光ディスクが例えばＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷの場合は、前記ＲＯＭに格納されているエラーアドレスとエラーコードをＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷのＲＭＡに書き込む。 - 特許庁

LTPb 152-i provided with the group of entries where the physical address of a block to which a logical block address is assigned is arranged in a flash memory 15 with a block group where the contents of a prescribed field in the logical block address are common as a unit and, then, one of LTPb 152-i is stored in a RAM 14.例文帳に追加

論理ブロックアドレスが割り当てられるブロックの物理アドレスが登録されるエントリの群を有するＬＴＰｂ１５２-iを、論理ブロックアドレスの所定フィールドの内容が共通のブロック群を単位にフラッシュメモリ１５に用意し、当該ＬＴＰｂ１５２-iの１つをＲＡＭ１４に格納する。 - 特許庁

A flash game machine is provided with a destaticizer 60 for performing destaticizing to a game ball shooting lever 4 and the destaticizer 60 comprises an earthed support plate 61 and a coil spring 62 whose tip part 65 to be one side end part is fixed to and supported by the side of the support plate 61 and has the other side end part contact supported by the game ball shooting lever 4.例文帳に追加

雀球遊技機に、遊技球発射レバー４を除電する除電装置６０を設け、該除電装置６０が、アースされた支持プレート６１と、該支持プレート６１側に一側の端部となる先端部６５が固定及び支持されるとともに他側の端部が遊技球発射レバー４に接触支持されたコイルばね６２と、からなるものとしている。 - 特許庁