「ししもり」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

電位特性も良好で良好な画像を出力可能な電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor having satisfactory potential characteristics and outputting a satisfactory image, and also to provide a process cartridge, and an electrophotographic apparatus. - 特許庁

粒状粉体の有する機能を充分に発揮し、しかも粒状粉体が安定的に固定された不織布製のシートを提供する。例文帳に追加

To provide a nonwoven fabric sheet which adequately fulfills a function of a granular powder and to which the granular powder is stably fixed. - 特許庁

高耐久性を有し、繰り返し使用でも良好な画像が得られる電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor which has high durability and makes good images obtainable in spite of repetitive use. - 特許庁

トラップ膜を有するメモリセルのデータ保持特性の劣化を防止し、信頼性が高い半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain highly reliable semiconductor device by preventing the deterioration of a holding characteristic of a memory cell including a trap film. - 特許庁

ＳＤＲＡＭの同一のバンクに連続してアクセスすることを防止し処理時間を向上させたメモリ制御装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a memory control device that processing time is improved by preventing the same bank in an SDRAM from being continuously accessed. - 特許庁

パケットの到達順序が入れ替わった場合でもリアルタイム性を失わずにデータを再生し、しかも通信品質を向上する。例文帳に追加

To reproduce data in real time nature even if the arriving order of a packet is exchanged and to improve communication quality. - 特許庁

本発明は、誤動作を防止し、信頼性を向上することが可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory card capable of improving reliability by preventing malfunction. - 特許庁

第１のＣＰＵ１０１は、第２のメモリ１０４に対する電源の供給が開始された場合においてデータ送信要求を受けた際に、各々のメモリブロックを所定の順番で特定するメモリブロック識別子を順次生成し、所定の順番に従ってメモリブロックにデータを書き込むとともにメモリブロック識別子を転送管理テーブル２０５に書き込む。例文帳に追加

When a power is started to supply to a second memory 104, and when a data transmission request is received, a first CPU 101 sequentially generates memory block identifiers each of which specifies each memory block in a predetermined order, writes data into the memory blocks in a predetermined order, and writes the memory block identifiers into a transfer management table 205. - 特許庁

メモリカードのＩ／Ｆを有する電子機器において、Ｉ／Ｆに複数のメモリカードを接続する際に、使用するメモリカードにのみ信号を供給し、使用しないメモリカードには信号を供給しないように制御することにより、前記Ｉ／Ｆの数よりも多くのメモリカードを切り替えて使用できるようにする。例文帳に追加

To enable switchable use of memory cards more than I/Fs by executing control of supplying a signal only to a memory card to be used and supplying no signals to memory cards not to be used when a plurality of memory cards are connected to an I/F, in an electronic device having an I/F for memory cards. - 特許庁

強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、層間絶縁層を介して各層に配置されたメモリセルアレイが、隣接するメモリセルアレイから受けるノイズを防止して、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a cross-point type ferroelectric memory of high quality, wherein a memory cell array constituted of ferroelectric capacitors in the cross-point type ferroelectric memory in which lamination of a plurality of layers is performed, and memory cell array arranged in each layer via an interlayer insulator prevents noise from adjacent memory cell array. - 特許庁

消去動作後にメモリセルの記憶が消去されたか否かを確認する読み出し試験中に、未消去メモリセルが検出されるごとに未消去メモリセルの数を計数し、未消去メモリセルの数に対応して消去動作の実行回数を選択して実行する半導体メモリ試験方法を提案する。例文帳に追加

The number of memory cells being not yet erased are counted for whenever a memory cell being not yet erased during a read-out test confirming whether storage of memory cells are erased or not after erasure operation, the number of performing erasure operation is selected in accordance with the number of memory cells being not yet erased and a test is performed. - 特許庁

メモリ装置の各ワードに配設される付加ビット（パリティビットを含む）を備えるメモリ１０９において、パワーオン（電源オン）により付加ビット２１５をリセットし、初期化を行ったワードの付加ビット２１５を１回限り反転させる制御を行うメモリ初期化状態管理回路を備え、メモリの初期化漏れの検出機能を備えたメモリ装置が提供される。例文帳に追加

This memory device having a detection function of the initialization leakage of a memory has a memory initialization state management circuit performing control to reset an overhead bit 215 by power ON (a power source ON) and to invert the overhead bit 215 of an initialized word only once in the memory 109 having the additional bit (including a parity bit) disposed to each the word of the memory device. - 特許庁

盛土荷重載荷工法において、地盤改良が不十分なことによる計画盛土の沈下を防止しつつ、初期載荷盛土１の盛土幅Ｗ_１をできるだけ狭くできるようにし、もって用地買収の負担を軽減すると共に、初期載荷盛土１の土量を減らすことで、工期の短縮および施工コストの軽減を図る。例文帳に追加

To shorten a construction period and to reduce a construction cost by minimizing the banking width W_1 of initial loaded fill 1 while preventing the settlement of planned fill caused by the insufficiency of a soil improvement in a method of loading a banking load, thereby reducing a burden of site purchase and reducing the soil amount of the initial loaded fill 1. - 特許庁

メモリブロックＡを所定数のセグメントを１単位として複数に分割して小メモリブロックＢを形成し、小メモリブロック内のデータ記憶開始セグメントＳからデータ記憶終了セグメントＥまでの間のセグメントに連続してデータを記憶するようにし、各小メモリブロックＢにアクセス順位を付すメモリブロックとする。例文帳に追加

Small memory blocks B are formed by dividing the memory block A into plural with the prescribed number of segments as one unit, data are stored successively in the segments from a data storage start segment S to a data storage end segment E inside the small memory block and an access order is attached to the respective small memory blocks B for the memory block. - 特許庁

本装置は、ＦＩＦＯメモリからのトランスポートストリームデータを格納するメインメモリと、このメインメモリにトランスポートストリームデータを格納するまで、ＦＩＦＯメモリのトランスポートストリームデータを選択し、格納後、メインメモリのトランスポートストリームデータを選択し、出力するセレクタとを設けたことを特徴とする装置である。例文帳に追加

The generator is provided with a main memory that stores the transport stream data from the FIFO memory, and a selector that selects the transport stream data in the FIFO memory until the main memory stores the transport stream data, selects and outputs the transport stream data in the main memory after the storage. - 特許庁

学習予約処理部７は、第１のメモリ部１に確保したメモリ領域を監視し、第１のメモリ部１を断片化する特定メモリ領域が、記憶容量レンジ幅を順次大きくした複数の記憶容量レンジの何れに属するかの予約確保情報を作成して第２のメモリ部９に格納する。例文帳に追加

A learning reservation processing part 7 monitors the memory area secured in the first memory part 1, and prepares reservation securing information of indicating that a specified memory area for fragmentizing the first memory part 1 belong to any of a plurality of storage ranges with storage range widths enlarged sequentially to be stored in the second memory part 9. - 特許庁

カードソケット１０に着脱されるメモリカード１１内のファイル管理情報の初期化処理に先立ち、メモリカード全領域に対して電気的消去処理を実施し、メモリカード１１内のフラッシュメモリのフラグメンテーション発生状況を解消することで、メモリカード１１へのデータ書込みが常時、最適な状況下で実行され得る。例文帳に追加

Thereby, the data writing to the memory card 11 can be executed, under optimum situation at all times. - 特許庁

金属管に摩擦肉盛を行うに際し、形成した摩擦肉盛金属の希釈率を最小に抑え、しかも、肉盛対象物である金属管の変形も実用に支障のない程度に抑えることが可能な複合金属管の摩擦肉盛方法及び摩擦肉盛により形成した複合金属管を提供する。例文帳に追加

To provide a friction surfacing method of a composite metal tube by which a dilution ratio of a formed friction surfacing metal is minimized and deformation of a metal tube being a friction surfacing target is suppressed in a practically permitted range when friction surfacing is performed on the metal tube and to provide the composite metal tube formed by the friction surfacing. - 特許庁

測定値の大きさに応じて移動する指針１２と、この指針１２の移動方向に沿って刻まれた目盛１３と、この目盛１３が刻まれた方向に沿って移動可能かつ任意の位置で静止可能に設けられ少なくとも一部が目盛１３と重なる指示部分１６を有する限界指針１５Ａ，１５Ｂとを備えた測定器において、前記限界指針１５Ａ，１５Ｂが透明な材料で形成されている。例文帳に追加

The measuring instrument has a pointer 12 moving according to the size of a measured value, scales 13 scored along the direction of the movement of the pointer 12, and limit pointers 15A and 15B set to be movable in the direction of the scored scales 12 and rested at arbitrary positions, each of which has an indicator part 16 partly overlapping the scales 13. - 特許庁

バッファ部１のメモリ部１１は２セル分の入力主信号を一時蓄え、リタイミング部１２は入力主信号をメモリ部１１を通さずにリタイミングのみで出力させ、セレクト部１３は入力主信号がメモリ部１１を通るパスと入力主信号がリタイミング部１２を通るパスとのうちの一方を選択する。例文帳に追加

A memory section 11 of a buffer section 1 temporarily stores a received main signal by two cells, a retiming section 12 outputs only with retiming not through the memory section 11, and a select section 13 selects a path through which the received main signal passes through the memory section 11 or a path through which the received main signal passes through the retiming section 12. - 特許庁

デジタルスチルカメラ１は、外面に目盛りが付された蓋本体２３と、目盛りが付され、蓋本体２３の内側に設けられた文字盤２２と、蓋本体２３の目盛りおよび文字盤２２の目盛りをそれぞれ指し示す指針２１１〜２１３が設けられたムーブメント２１とを有する表示ユニット２を備えている。例文帳に追加

The digital still camera 1 is provided with a display unit 2 comprising a cover body 23 of which the outer surface is marked with degrees, a dial 22 marked with degrees and arranged on the inside of the cover body 23 and the movement 21 provided with pointers 211 to 213 respectively pointing out the scales of the cover body 23 and the dial 22. - 特許庁

大規模集積回路などの外部に設けられてデータなどを格納する外部メモリの故障検出方式に関し、該外部メモリの数を増加させることなくパリティ・ビットを格納し、しかも、該外部メモリにおける記憶形式にかかわりなくパリティ・ビットを格納することができる外部メモリの故障検出方式を提供する。例文帳に追加

To provide a fault detection system for an external memory capable of storing a parity bit without increasing the number of the external memory and capable of storing a parity bit without regard to a storing form in the external memory as for the fault detection system for the external memory provided in outside of a large-scale integrated circuit, etc., for storing data, etc. - 特許庁

本発明は、フローティングゲートを有するメモリセルを複数設けた半導体不揮発性メモリにおいて，消去中のメモリセルの状態を監視し，消去の進捗状態に応じてコントロールゲートに印加する消去電圧を制御することで，具体例として，消去中のメモリセルのリーク電流を監視する。例文帳に追加

In a non-volatile semiconductor memory provided with a plurality of memory cells having a floating gate, this device monitors a leak current of a memory cell being in erasure, by monitoring a state of a memory cell being in erasure and controlling erasure voltage applied to a control gate in accordance with a progress state of erasure. - 特許庁

本発明のファームウェアの更新方法では、新規のファームウェアを直接不揮発性メモリに書き込むのではなく、一旦揮発性メモリに書き込んで、その後現在稼動中のファームウェアのシステムを停止し、新規のファームウェアのシステムを揮発性メモリ上から起動してから、新規ファームウェアを不揮発性メモリに書き込む方法により解決した。例文帳に追加

In the firmware update method of this invention, the new firmware is not directly written to a nonvolatile memory but is temporarily written to a volatile memory, then the system of the firmware operated at present is stopped, the system of the new firmware is activated from the volatile memory, and then the new firmware is written to the nonvolatile memory. - 特許庁

制御部７はメモリ部３を監視し、メモリ部３の空き容量が予め定めた容量になった場合、又はメモリ部３が記憶を開始した以降の経過時間を計時しているタイマ部５が予め定めた時間を計時した場合にはメモリ部３より古いデータ順から読み出し、データ処理手段４においてそのデータ量を減ずる処理を行わせる。例文帳に追加

A control section 7 monitors the memory section 3 and when the free capacity of the memory section 3 attains a predetermined capacity or when a timer section 5 clocking the lapse time after the memory section 3 starts storage, the data are read out successively in the order in which the data are stored from the memory section 3 and the processing to decrease the data quantity is performed in a data processing means 4. - 特許庁

バスマスタとして動作し、所定の処理を行う複数の機能ブロックと、メモリコントローラと、前記複数の機能ブロックと前記メモリコントローラとを接続するバスとにより構成されるメモリシステムであって、前記機能ブロックは、メモリアクセスを発行する時に前記メモリアクセスが終了する時間情報を付加し、前記バスは、メモリアクセス情報に前記メモリアクセスが終了する時間情報を付加して転送する。例文帳に追加

This memory system is constituted of a plurality of the functional blocks operated as bus masters and for carrying out prescribed processing, a memory controller, and a bus for connecting the plurality of functional blocks to the memory controller, the functional block adds the time information of finishing memory access when issuing the memory access, and the bus adds the time information of finishing the memory access to memory access information, and transfers it. - 特許庁

指針２３が配置された文字板３０と、指針２３を回転させる駆動機構４０とを備えた時計において、文字板３０に設ける目盛３１を部分的にずらすことにより、駆動機構４０のバックラッシュに起因する指針２３と目盛３１との位置ずれを小さくした構成の時計である。例文帳に追加

In the clock which is equipped with a dial 30 having the pointer 23 and a drive mechanism 40 rotating the pointer 23, the scale 31 disposed on the dial 30 is shifted partially, thereby reducing misalignment of the pointer 23 to the scale 31 caused by the backlash of the drive mechanism 40. - 特許庁

指針４０の虚像の長さは、指針４０の回動位置に応じた覆い板６０の指針４０の先端部に対する遮蔽作用により、目盛り盤２０ａの左右方向では長く目盛り盤２０ａの高さ方向では短く見える。例文帳に追加

The virtual image length of the pointer 40 is seen long in the lateral direction of the scale plate 20a and short in the vertical direction of the scale plate 20a by the shielding effect of a cover plate 60 according to the rotating position of the pointer 40 to the tip of the pointer 40. - 特許庁

より詳細には、バックラッシュに起因して指針２３が回転する角度をＸ度とするとき、バックラッシュに起因して指針２３と目盛３１との位置ずれが発生する部位周辺の目盛３０を指針２３の回転方向に（Ｘ／２）度ずらした。例文帳に追加

In more detail, in such a state that the pointer 23 rotates through an angle X degrees because of the backlash, a portion of the scale 31 around which the misalignment of the pointer 23 to the scale 30 is caused by the backlash, is shifted by (X/2) degrees, in the rotation direction of the pointer 23. - 特許庁

また、相変化メモリは、相変化メモリセルのアレイと、読み出し障害の状態を検知し、当該読み出し障害の状態の検知に応じて上記アレイにおけるリフレッシュ動作を実行するように構成される読み出し障害システムとを有する。例文帳に追加

Also the phase change memory has an array of phase change memory cells, and a read disturb system configured to identify the read disturb condition and perform the refresh operation on the array in response thereto. - 特許庁

燃料計１００の指針１０１が目盛Ｅを指示した後のある液面位置から最低位置となるまでの間は、液面検出装置からの信号レベルを一定値とし、指針１０１を目盛Ｅのわずかに外側で停止させる構成とした。例文帳に追加

The fuel meter 100 is constituted such that after the pointer 101 indicated the scale E, between a certain liquid level position and the lowest position, the signal level from the liquid level detector is made to a constant value, and the pointer 101 is stopped a little out side of the scale E. - 特許庁

繰り返し使用しても良好な画像を提供できる高耐久の電子写真感光体、この感光体を用いる電子写真装置、電子写真プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide the electrophotographic photoreceptor capable of forming good images even in the case of repeated uses and high in durability and to provide the electrophotographic apparatus and the electrophotographic process each using this photoreceptor. - 特許庁

指針取付ボルト１３の所定位置に指針台１７を固着し、この指針台１７には、開度表示目盛１１に対応する指針１２を相対移動可能に挿通して載置する。例文帳に追加

A needle base 17 is fixed to a specific position of a needle mounting bolt 13, and a needle 12 corresponding to an opening indicating scale 11 is inserted in the needle base 17 in a relatively movable manner to mount. - 特許庁

好適な電気特性を有し、長期間繰り返し使用したとしても良好な画像を形成することができ、光疲労にも強い電子写真感光体及び該電子写真感光体を用いた電子写真装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor having adequate electrical properties, which can form a good image even after long-term repeated use, and also having optical fatigue resistance, and to provide an electrophotographic apparatus using the same. - 特許庁

防人歌は東国から徴集された防人の詠んだ歌の意で、巻13や巻14にも少量見えるが、最も著名なのは巻20に「天平勝宝七歳乙未二月、相替遣筑紫諸国防人等歌」として84首収録されているものである。例文帳に追加

A small number of sakimoriuta, poems composed by coast guards conscripted from Togoku, can be found in volumes 13 and 14 but the majority (84 poems in total) appear in volume 20 under the title of 'In August, 749, the poems of Sakimori and others dispatched in turns to the provinces in Chikushi' (天平勝宝七歳乙未二月、相替遣筑紫諸国防人等歌).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

清盛は3月に石清水臨時祭の舞人に選ばれるが、清盛の馬の口取を祇園女御の養子とされる内大臣・源有仁の随身が勤めていることから、幼少期の清盛は祇園女御の庇護の下で成長したと思われる。例文帳に追加

Kiyomori was selected to be one of the dancers at the Iwashimizu-rinji-matsuri festival in March, and the reins of his horse were attached by an attendant of Nai-daijin (Minister of the Center), MINAMOTO no Arihito, who was said to be an adopted child of the Gion no nyogo; therefore, it is believed that the Gion no nyogo served as a guardian of young Kiyomori while he was growing up.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

『愚管抄』によれば、成親は「何事ニカメシノ候ヘバ見参ハセン（何事か御召しがあったので参りました）」と公卿座にいた重盛・頼盛に挨拶して奥に入ったところ、清盛の家人・平盛俊に縄をかけられ部屋に押し込められてしまった。例文帳に追加

The "Gukansho" gives a description of the incidents: "When Narichika arrived at the palace and greeted Shigemori and Yorimori, who were in the seats of Kugyo, he was tied up by TAIRA no Moritoshi and confined in a room.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その際、先立って頼政の嫡男源仲綱が愛馬のことで宗盛に辱めを受けていたことの報復として、馬のたてがみと尾の毛をそり、尻に「昔は何両、今は平宗盛入道」の焼印をして突き返し、宗盛を激怒せしめたという逸話が知られる（『平家物語』四・競）。例文帳に追加

In an anecdote from the "Heike monogatari" (The Tale of the Heiki) (chapter four, Kio), Kio enraged Munemori by returning the horse after shaving its mane and tail and branding "formerly Nanryo, now TAIRA no Munemori Nyudo" on its rear; this was in retaliation for Munemori having insulted MINAMOTO no Nakatsuna, the legitimate son of Yorimasa, over his horse.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

メモリーカードの挿抜と空き容量を監視し、ファームウェアを保存するための、十分な空き容量のあるメモリーカードを認識した場合には、バックグラウンドでインターネット上のファームウェア公開サーバに保存されているファームウェアを自動的にダウンロードし、メモリーカードに保存する。例文帳に追加

The insertion, extraction, and space area of a memory are monitored, and the firmware stored in a firmware public server on the Internet is automatically downloaded in the background and stored in the memory card when the memory card having an enough space area for storing the firmware is recognized. - 特許庁

禁止手段は、主電源から揮発性メモリに電源が投入された際に不揮発性メモリに電源遮断情報が書き込まれていなかった場合、書込未完了情報が表すユーザデータの不揮発性メモリからの読み出しを禁止する。例文帳に追加

The prohibition means prohibits retrieval of user data shown by the writing non-completion information from the nonvolatile memory if the power cutoff information is not written into the nonvolatile memory when the power is applied to the volatile memory from the main power supply. - 特許庁

製造プロセスにおいてメモリセルに熱が加えられた場合にあっても、メモリセルの特性劣化や強誘電体層の電極からの剥離を効果的に防止し得る強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a ferroelectric non-volatile semiconductor memory capable of effectively preventing the characteristic deterioration of a memory cell and peeling from an electrode of a ferroelectric layer even when heat is applied to the memory cell in a manufacturing process. - 特許庁

メモリセルが上下線状電極の交差位置に形成される単純マトリクス構造を採用し、所定のメモリセル位置の電極表面に対しインクジェットヘッドを用いて絶縁材料を選択的に吐出することにより、前記所定のメモリセル位置の電極表面を絶縁材料で被覆する。例文帳に追加

A simple matrix structure having memory cells formed at intersections of upper and lower linear electrodes is adopted, and an insulation material is selectively jetted on the electrode surface at a specified memory cell position using an ink jet head, thereby covering the electrode surface at a specified memory cell position. - 特許庁

その中断されたと判定された処理の一つ前の処理からプログラム動作を開始し、書き込みが不十分であるメモリセルにデータを上書きすることによって、不安定な状態のメモリセルを安定したメモリセルに戻す（ステップＳ２）。例文帳に追加

The program operation is started from one processing prior to the processing determined that it is interrupted, and a memory cell of an unstable status is returned to a stable memory cell by overwriting data to the memory cell of inadequate writing (step S2). - 特許庁

バッファ読出部５３２によってバッファメモリ４２６から読み出された更新データによりドライブ制御データ更新部５２３がドライブ制御メモリ４２０のファームウェアを更新し、システム制御データ更新部５３３はシステム制御メモリ４２７のファームウェアを更新する。例文帳に追加

A drive control data update section 523 updates firmware of a drive control memory 420 by means of the update data read out from the buffer memory 426 by a buffer reading section 532, and a system control data update section 533 updates firmware of a system control memory 427. - 特許庁

データ消去するワード線に隣接するワード線のメモリセルへの影響を防止しかつ短時間で少なくとも１本のワード線のメモリセルのデータを同時に消去することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for erasing a NAND flash memory, which prevents an influence on the memory cells of word lines adjacent to word lines subjected to data erasure and simultaneously erases data in the memory cells of at least one word lines in a short period. - 特許庁