「ししもり」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

メモリコントローラ５はＣＰＵ３から出力される制御信号によって、電力供給回路６に駆動信号を供給し、初期時最小の数のバッファ６ａ〜６ｄを駆動し、メモリモジュール１に電流を供給してメモリモジュール１を駆動する。例文帳に追加

A memory controller 5 supplies a driving signal to a power supply circuit 6 according to a control signal outputted from a CPU 3 so that the minimum number of buffers 6a-6d can be driven in an initial time, and the power supply circuit 6 supplies current to a memory module 1 so that the memory module 1 is driven. - 特許庁

従って、生産調整の際、停止させるべき錘を選択して、当該錘のスピンドル制御装置４に対して機台制御装置14から駆動禁止指令を出力するという、簡単な操作で機台の一部の錘を停止させた状態で運転できる。例文帳に追加

Thus, in the production adjustment, the machine frame can be operated in a state in which a part of the spindles are stopped by simple operation that the drive inhibition command s output from the machine frame controller 14 to the spindle controller 4 of the spindle. - 特許庁

製造及び／または発行処理を指示するコマンドを含んだ命令データを受信すると、ＩＣカード１は、プログラムメモリ１８に記憶されている不揮発性メモリデータｂを、データメモリ１６の夫々対応する各領域１６１、１６２、１６３に対して転送し書込む。例文帳に追加

At the time of receiving instruction data including a command instructing a manufacture and/or issuance processing, an IC card 1 transfers nonvolatile memory data b stored in a program memory 18 to respectively corresponding areas 161, 162 and 163 of a data memory 16 and writes them. - 特許庁

このとき錘９０は、錘９０に作用する重力により、銅管１における巻き解かれた直後の部分に位置し、従って錘９０がコイル内面の位置又はその近傍の位置に存在した状態で銅管１の巻き解きが行われていく。例文帳に追加

At this time, the spindle 90 is positioned in a part immediately after unwinding in the copper pipe 1 by gravity acting on the spindle 90, and the copper pipe 1 is unwound while the spindle 90 is at a position of the inner face of the coil or a position in the vicinity of it. - 特許庁

目盛り記録部１３０は画像入出力部１１０から入力されたデジタルカメラなどによる電子写真画像の所定の位置に、操作部１２０を介して指定された目盛り間隔の目盛りを記録した画像を生成するプログラムを提供する。例文帳に追加

A program commands a scale recording part 130 to generate images with scales recorded at scale intervals specified via an operation part 120 in predetermined positions of an electrophotographic image by a digital camera or the like input from an image input/output part 110. - 特許庁

安定な防曇効果を有し、かつ高いブロッキング防止効果を持つ、ワンウェイ透明食品包装容器用成形材料として好適な防曇性樹脂シート材料及びそれを熱成形して得られる防曇性食品包装容器を提供する。例文帳に追加

To provide an anti-fogging resin sheet material having stable anti- fogging effect and high blocking preventing effect and suitable as a molding material for an one-way transparent food packaging container and the anti- fogging food packaging container obtained by thermoforming the same. - 特許庁

作業者がミシンモータを停止してメモリ切換スイッチによりメモリ番号を変更すると、そのメモリ番号の千鳥縫目模様種類、針振り幅を読込（Ｓ１２１）、縫目データ作成プログラムに従って縫目データを生成してＲＡＭの縫目テーブルに格納する（Ｓ１２２）。例文帳に追加

When an operator stops a sewing machine motor and changes a memory number using a memory changing switch, the kind of zigzag chain stitch and the oscillation width of a needle, both of which are indicated by the memory number, are read (S121), and seam data are created in accordance with a seam data creating program and stored in the seam table of a RAM (S122). - 特許庁

バス制御回路３は、各ＣＰＵ１，２のメモリアクセスの衝突を回避するため、一方のＣＰＵ１が共通のバス及びメモリ制御信号線を使用しているときは、他方のＣＰＵ２に対しウエイト信号を出力し、ＣＰＵ１のメモリアクセスが終了するまでウエイトをかける。例文帳に追加

While one CPU 1 uses the common bus and memory control signal line, in order to avoid the collision of memory access between the respective CPU 1 and 2, the bus control circuit 3 outputs the wait signal to the other CPU 2 and the wait signal is applied by the time when the memory access of the CUP 1 is finished. - 特許庁

複数のワードラインに接続されたメモリセル３１０含む複数のメモリセルブロックを有し、消去動作時に選択されたメモリセルブロックに消去動作電圧を印加し、その消去動作の結果に応じて消去動作電圧のレベルを変更する動作電圧生成部３３０を有する。例文帳に追加

The flash memory device includes a plurality of memory cell blocks including memory cells 310 connected to a plurality of word lines, and an operating voltage generating section 330 for applying an erase operation voltage to a memory cell block selected for an erase operation, and changing the level of the erase operation voltage according to the result of the erase operation. - 特許庁

電源発生部１５０は、メモリセルに記憶された対する消去動作のための消去電位を生成し、読出動作において選択されたメモリセルに与える第１の電位および非選択のメモリセルに与える第２の電位を可変に生成する。例文帳に追加

A power source generating section 150 generates an erasion potential for erasion operation for data stored in a memory cell, and generates variably a first potential given to the memory cell selected in read-out operation and a second potential given to the memory cell of non-selection. - 特許庁

相変化メモリセル（ＭＣ）において、選択メモリセル（ＭＣ）が接続されるビット線（ＢＬ）に、書込電圧を書込電圧発生回路（２４）から伝達した後、ワード線（ＷＬ）を選択状態へ駆動し、書込電流をメモリセルに供給する。例文帳に追加

In a phase change memory cell MC, a write voltage is transmitted from a write voltage generation circuit 24 to a bit line BL to which a selection memory cell MC is connected, and then a word line WL is driven to a selection state to supply a write current to the memory cell. - 特許庁

メモリからの誤ったデータの出力を防止し、データ読出し動作が煩雑なシステムの動作性能を向上させるメモリコントローラとそれを備えるスマートカード、およびメモリのデータ読出し動作制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory controller that prevents the memory from outputting erroneous data and enhances the operation performance of a system having a complicated data read operation, and to provide a smart card equipped with the memory controller, and a method of the operation of reading data in a memory. - 特許庁

画像読み取り部１で読み取った画像を電子データに変換してメモリ２に格納し、ＣＰＵ３の制御により、ＣＦカードスロット５に装着されたＣＦ（コンパクトキャッシュメモリ）カードにメモリ２の画像データを書き込む。例文帳に追加

An image, read by an image reading part 1, is converted into electronic data and stored in a memory 2 and under the control of a CPU 3, the image data in the memory 2 are written on a compact flash(CF) cache memory card loaded into a CF card slot 5. - 特許庁

シート外観に優れ、成形方法および金型形状によらず優れた高温防曇性および低温防曇性を有し、かつ、これを用いて量産した二次成形品の外観にも優れる防曇性樹脂シートおよびその二次成形品を提供する。例文帳に追加

To provide an anti-clouding resin sheet and a secondary molded article using the sheet, wherein its sheet appearance is excellent, an excellent anti-clouding effect at high and low temperature ranges is shown regardless of a molding method and a shape of a die and an appearance of a secondary molded article produced using the sheet on a large scale is also excellent. - 特許庁

金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element such as a NAND flash memory element for removing any factor disturbing the high charge transmission of metallic wiring, and for preventing the damage of the surface of metallic wiring, and for achieving the high speed operation of a semiconductor memory element. - 特許庁

カメラユニット１０１より出力される画像データを静止画用メモリ１０３Ａに記録し、静止画用メモリ１０３Ａに記録される画像データのうちの任意の領域を指定し、指定された領域に対応する画像データを情報表示用メモリ１０３Ｂに記録する。例文帳に追加

Image data output by a camera unit 101 are recorded in a memory 103A for a still image, and an arbitrary region among the image data recorded in the memory 103A for the still image is designated, and the image data corresponding to the designated region are recorded in a memory 103B for information display. - 特許庁

ショートチャネル効果を防止してメモリ素子のしきい電圧の調整を容易にし、ストレージノード接合領域で発生する接合漏れ電流を減少させてメモリ素子のデータ保持時間を増大させることのできるメモリ素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a memory device and its manufacturing method which facilitates adjusting the threshold voltage of the memory device by preventing the short channel effect, and reduces the junction leakage current generated in a storage node junction region to increase the data hold time of the memory device. - 特許庁

したがって、外部メモリーカードカバー２１が閉じられた状態であるにもかかわらず開けられたと誤認識することを防止し、外部メモリカード３０のデータを保護するとともに、外部メモリカード３０自体の破損を防止する。例文帳に追加

Thus, the occurrence of misrecognition that the external memory card cover 21 is opened can be prevented regardless of that the external memory card cover 21 is closed, data in the external memory card 30 are protected and the external memory card 30 itself is prevented from being damaged. - 特許庁

第２のメモリ回路１ｃは、第１のメモリ回路１ｂに対して内部接続されており、第１のメモリ回路１ｂに記憶されたデータ１ｂａ，１ｂｂ，１ｂｃ，・・・の複製データ１ｃａ，１ｃｂ，１ｃｃ，・・・を取得し、取得した複製データ１ｃａ，１ｃｂ，１ｃｃ，・・・を記憶する。例文帳に追加

The second memory circuit 1c is connected internally to the first memory circuit 1b, acquires duplicated data 1ca, 1cb, 1cc of the data 1ba, 1bb, 1bc stored in the first memory circuit 1b, and stores the acquired duplicated data 1ca, 1cb, 1cc. - 特許庁

録画データ生成部１３０は、録画開始指示を契機に、受信した放送データからＴＯＤを生成してデータメモリ５０（内蔵メモリ）に格納するとともに、格納したＴＯＤに対応するＭＯＩおよびＭＡＩを生成してワークメモリ８０に保持する。例文帳に追加

A recording data generation section 130 generates TOD from received broadcasting data for storing into a data memory 50 (built-in memory) with a recording start instruction as a trigger, and generates MOI and MAI corresponding to the stored TOD for holding in a work memory 80. - 特許庁

メモリ装置内にパスワードデータを記憶するにあたり、パスワードデータの記憶位置または／および記憶順序を工夫することにより、パスワードの不正取得を抑止してセキュリティ機能を高めたメモリ装置、およびメモリ装置のパスワード記憶方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a memory device and a password storage method for the memory device, in which unauthorized acquisition of a password is suppressed to enhance security function by designing the storage position or/and storage order of password data in storage of password data within the memory device. - 特許庁

チェック用ＰＣ６００は、警報監視システム動作時にＰＬＣに期待される入力メモリアドレスとそのビット値、及び出力メモリアドレスとそのビット値からなる期待値情報を含むチェックシートファイル６１１をメモリ６１０に記憶する。例文帳に追加

In a checking PC 600, a check sheet file 611, which includes expectation value information consisting of an input memory address and its bit value expected from the PLC in alarm monitoring system operation and an output memory address and its bit value, is stored in a memory 610. - 特許庁

ユーザが全連写画像データを消去する操作を行うと、メモリ・カード１２に記録していない画像ファイルに対しては、メモリ・カード１２に記録することを禁止し、既に記録した画像ファイルに対しては、メモリ・カード１２から消去する。例文帳に追加

When the user carries out operations of erasing full consecutive photography image data, the recording of the image files not recorded in the memory card 12 to the memory card 12 is inhibited, and the already recorded image files are erased from the memory card 12. - 特許庁

低電圧の動作時に接地電圧ラインの高抵抗によるメモリセルにラッチされたデータの電源電圧レベルと接地電圧レベル間のマージンを確保して、半導体メモリ装置の誤動作を防止し得るスタチック半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a static semiconductor storage device capable of preventing malfunction of a semiconductor storage device by ensuring the margin between a power source voltage level of data latched by a memory cell which is to be caused by high resistance of a ground voltage line in the case of low voltage operation and a ground voltage level. - 特許庁

ＩＣ半導体メモリーチップ上に製造可能なメモリーセルアレーは、２５６行×８列に配置されたメモリーセルと、１個の行アドレスレコーダ回路４４と、８個の列書き込み読み出し消去感知回路４６とで構成されている。例文帳に追加

A memory cell array, which can be manufactured on an IC semiconductor memory chip, is composed of; memory cells arranged at 256 lines × 8 columns; one line address recorder circuit 44; and eight column writing/reading/deleting sensing circuits 46. - 特許庁

不正な交換に対処することができる不揮発性メモリ及びこのような不揮発性メモリを備えた電子機器を提供し、さらには外部から不揮発性メモリに記憶されたプログラムを管理することができる不正監視システムを提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory capable of coping with illegal exchange, electronic equipment provided with such a nonvolatile memory and further an illegality monitoring system capable of managing a program stored in the nonvolatile memory from the outside. - 特許庁

再生時は、記録媒体６に記録されている画像を同一カメラの画像毎にまとめて順次読み出し伸張手段７で伸張して再生用一時保管メモリ８に蓄積し、その再生用一時保管メモリ８から読み出した画像を表示用メモリ９に展開してモニタ１１で表示する。例文帳に追加

In the case of reproduction, the images recorded in the recording medium 6 are collected by the images of the same camera and read sequentially, an expansion means 7 expands the image, a reproduction temporary storage memory 8 stores the expanded images, the images read from the reproduction temporary storage memory 8 and expanded in a display memory 9, and a monitor 11 displays the images. - 特許庁

ＰＣＩバスに沿って配置される装置へシステム・メモリからデータを読み取る時、ＰＣＩバスとキャッシュ・メモリの間のバス・トラフィックを監視して、当該装置の特性を判断し、それに応じてキャッシュ・メモリの範囲内でデータを管理する方法を変更する。例文帳に追加

In the case of reading out data from a system memory 128 to be written in a device arranged along a PCI bus, bus traffic between the PCI bus and a cache memory 126 is monitored, the characteristics of the device are judged and a method for managing data within the range of the memory 126 is changed in accordance with the judged result. - 特許庁

装備されるメモリの容量を超えるようなデータを出力する事態が生じても、何らメモリ容量を拡張することなく、外部装置のメモリ資源に代替蓄積し、出力時に蓄積したデータをそのままあるいは加工しながら画像出力させることである。例文帳に追加

To alternatively store data in a memory resource of an external device and to output the stored data as an image as they are or as working it without expanding the memory capacity at the output time even in the situation of outputting the data exceeding the capacity of a memory to be installed. - 特許庁

また記録中のメモリーカードに対応している個別のイジェクトボタン３１〜３５を２回すばやく押すことによって映像記録可能なメモリーカードに映像記録を開始させるとともにイジェクトボタンが押されたメモリーカードは映像記録を中止し、イジェクトされるようにする。例文帳に追加

Video image recording on a recordable memory card can be started by pushing each individual ink jet button 31-35 corresponding to the memory card under recording twice quickly, and video image recording on the memory card corresponding to a pushed eject button is stopped and that memory card is ejected. - 特許庁

本方法は、プロセッサタスクを実行するために、プロセッサタスクを共有メモリからサブ処理ユニットのローカルメモリにコピーし、共有メモリからのプロセッサタスクの実行を禁止し、少なくともひとつのプロセッサタスクを、サブ処理ユニットのひとつから別のサブ処理ユニットに移動する。例文帳に追加

In the method, the processor tasks are copied into the local memory of the sub-processing units from the shared memory in order to execute the processor tasks, execution of the processor tasks from the shared memory is prohibited and at least one processor task is migrated from one of the sub-processing units to another of sub-processing units. - 特許庁

ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリに関し、ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリの構造に簡単な改変を加えるのみで、トラップ膜の電荷蓄積領域に蓄積される電荷がマイグレーションすることを抑止し、メモリの読み出しマージン縮小の問題を解消しようとする。例文帳に追加

To prevent charges accumulated in a charge accumulating area of a trap film of a MONOS-type (metal oxide nitride oxide silicon-type) to migrate, by only simply changing the structure of the MONOS-type flash memory, and to resolve a problem that the read margin of the memory reduces. - 特許庁

第１の小型メモリカードが挿入口６２に装着されている状態においては、第１の小型メモリカード自身が排他的制御部材１６０の下降を制限し、斜面部１６２が第１のメモリカードの挿入口６１への誤挿入をブロックする。例文帳に追加

In a state where the first small memory is mounted on the insertion opening 62, the first small memory card itself restricts the lowering of the exclusive control member 160, and a slope part 162 blocks wrong insertion of the first memory card into the insertion opening 61. - 特許庁

この命令以降、ログデータ保存処理部４０３は、不揮発性メモリ４０５へのデータ保存処理を行うため、Ｓ２３で設定した不揮発性メモリへの保存開始サイズ７０６を参照し、取得したログデータを直ちに不揮発性メモリ４０５に保存する。例文帳に追加

After this command, the log data save processing part 403 refers to the save start size 706 to the nonvolatile memory which is set at the step S23 to carry out the data save process to a nonvolatile memory 405, and saves the obtained log data to the nonvolatile memory 405 immediately. - 特許庁

片面に防曇性能を有する表面改質層を有し、他面に文字や図柄などが印刷された印刷層を有するフィルムをロール巻き製品とした場合に生じる、包装時の防曇性能低下を防止して防曇性能を維持・発現する包装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging method which maintains an anti-fogging performance by preventing the deterioration of the anti-fogging performance in packaging which is generated when a film product whose one face is a surface modified layer with an anti-fogging performance and other face a printed layer printing a character or a symbol is rolled up. - 特許庁

メモリへの書込み及び読出しのクロックがあらゆる速度差で非同期の場合に関しても誤動作を防止し、メモリに蓄積されている未読のデータ量をリアルタイムに監視することが実現可能なメモリのデータ蓄積量監視装置を提供する。例文帳に追加

To prevent malfunctions also relating to the case that the clocks for write and read to/from a memory are asynchronous at any speed difference and to monitor the amount of non-read data stored in the memory in real time. - 特許庁

これにより、文字２ａ、主目盛３ａおよび副目盛３ｂと指針１ｃとをオーバラップさせて表示し且つ目盛板３の見映えを立体感に富むものとして、良好な視認性、且つ斬新な見映えのスピードメータＳを提供できる。例文帳に追加

The character 2a, the main scale 3a and the sub-scale 3b are thereby displayed overlappedly with the pointer 1c, and the appearance gets rich in the three-dimensional feeling to provide a speed meter S with excellent visibility and the novel appearance. - 特許庁

有機メモリ素子の動作特性を向上させ、スイッチング時間が短く、動作電圧も低く、製造費用が低廉し、信頼性に優れ、製造工程を簡単化でき、低温処理が可能となり、フレキシブルメモリ素子の製造の際にも適用可能な有機メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic memory element improved in operating characteristics, short in switching time, low in operating voltage, low in production cost, high in reliability, simplified in production process, enabling low-temperature treatment of its own, and applicable in producing flexible memory devices as well. - 特許庁

ユーザが全連写画像データを消去する操作を行うと、メモリ・カード１２に記録していない画像ファイルに対しては、メモリ・カード１２に記録することを禁止し、既に記録した画像ファイルに対しては、メモリ・カード１２から消去する。例文帳に追加

When the user carries out operations of erasing full consecutive shot image data, the image files not recorded in the memory card 12 are inhibited to be recorded to the memory card 12 and the image files having already been recorded are erased from the memory card 12. - 特許庁

不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路において、外部端子を通して不揮発性メモリの特性テストを実施し、更に、その外部端子にサージ電圧が印加された場合であっても、そのサージ電圧が不揮発性メモリに伝わることを防止する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit mounting a non-volatile memory capable of performing characteristic testing of the non-volatile memory via an external terminal, and further of preventing a surge voltage from being communicated to the non-volatile memory even in the case that the surge voltage is applied to the external terminal. - 特許庁

コンピュータ用プログラムをプログラム実行用メモリに記憶する場合、大きな連続領域を不要とし、複数のプログラムの実行、終了を繰り返しても、再利用できないような小さなメモリ領域の発生を防止し、メモリを効率的に利用できるようにする。例文帳に追加

To efficiently use a memory by dispensing with a large continuous area and preventing generation of a small memory area which can not be reused even when execution and completion of plural programs are repeated when a program for computer is stored in a memory for program execution. - 特許庁

振子軸２に回転可能に取り付けた振子４と、振子軸２に垂直な垂直目盛板３と、振子軸２を中心とする部分円筒状の平行目盛板６と、振子４と共に回転するアーム７に設けられ平行目盛板６に沿って移動する指針８とを備える。例文帳に追加

This angle meter is equipped with a pendulum 4 mounted rotatably on the pendulum shaft 2, a vertical scale plate 3 vertical to the pendulum shaft 2, a partially-cylindrical parallel scale plate 6 centered at the pendulum shaft 2, and a pointer 8 provided on an arm 7, rotating together with the pendulum 4 and moving along the parallel scale plate 6. - 特許庁

コントローラ３は、測定を開始して環境データを第２のメモリ領域に記憶するときに標識信号を第１のメモリ領域に格納し、測定が終了したときに上記標識信号を消去するように第１のメモリ領域を制御する。例文帳に追加

The controller 3 controls the first memory domain so as to contain the mark signal in the first memory domain, when the environment data after initiation of measurement are stored in the second memory domain, and to delete the mark data, when the measurement is terminated. - 特許庁

使用者Ｂは、ＵＳＢメモリ５とＣＤ−ＲＯＭ２とを受領し、ＣＤ−ＲＯＭ２内のソフトウェアローダ４を使用して、認証処理を行わせた後、ＵＳＢメモリ５内のソフトウェア本体３をＰＣ１の主メモリ１５に格納する。例文帳に追加

A user B receives the USB memory 5 and the CD-ROM 2, performs authentication processing by use of the software loader 4 in the CD-ROM 2, and then stores the software body 3 in the USB memory 5 to the main memory 15 of the PC 1. - 特許庁

かかる構成にすることにより、誤動作が発生した時点でメモリデバイスを搭載しているシステムを一旦停止し、メモリデバイスやメモリモジュールを診断モードに切り替え、誤動作直前の所定サイクル分のアドレス信号やコマンド信号を読み出すことができる。例文帳に追加

In such constitution, when malfunction is caused, a system incorporating a memory device is stopped once, the memory device and the memory module are switched to a diagnosis mode, and address signals of the prescribed cycles and a command signal directly before malfunction, can be read out. - 特許庁