「供給プロセス」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

パーティクルボードの製造プロセスにおいて、接着剤を吹き付け塗布されたチップに空気を供給しながら攪拌し、次いで、フォーミングする。例文帳に追加

In the manufacturing process of the particle board, chips coated with the adhesive through spraying are agitated under the state that air is fed to them and then foamed. - 特許庁

潤滑剤の飛散が確実に抑止される、潤滑剤供給装置、クリーニング装置、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lubricant supply device that reliably suppresses the scattering of a lubricant, and to provide a cleaning device, a process cartridge, and an image forming apparatus. - 特許庁

ＣＶＤプロセスは、基板に導入され、ここで、枠体前駆体及びポロゲン前駆体は供給される。例文帳に追加

A CVD process is introduced to a substrate to which a frame precursor and a porogen precursor are supplied. - 特許庁

供給ローラの目詰まりが生じにくい画像形成装置、現像カートリッジ及びプロセスカートリッジを提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus, a developing cartridge and a process cartridge where clogging of a supply roller is hardly caused. - 特許庁

供給電圧、温度、及びプロセス変動による集積回路の性能変動を補償するための被制御電圧回路を提供する。例文帳に追加

To provide a controlled voltage circuit for compensating a variation of performance in an integrated circuit caused by voltage supply, a temperature and a process variation. - 特許庁

アフタランニングにおいて，エネルギ供給が停止する前に，安全上重要なプロセスを確実に実行して終了する。例文帳に追加

To end afterrunning by securely carrying out a process which is important for safety before energy supply stops. - 特許庁

熱処理のプロセスを行うときは、ガス導入管６からのガスの供給流量に応じた温度補正値によって目標温度の補正を行う。例文帳に追加

For executing a heat treating process, the target temperature is corrected by a temperature correcting value corresponding to the feed rate of the gas from the gas inlet pipe 6. - 特許庁

反応室において、第１ガス供給部からのシリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成される。例文帳に追加

The thin film production system is constituted in such a manner that a silicon-containing film is deposited on a substrate using silicon-containing process gas from a first gas feed part in a reaction chamber. - 特許庁

印刷基板種交換の際に、印刷基板が印刷プロセスに供給される前に、見当に対する交換の影響を最良に補償する。例文帳に追加

To appropriately compensate the influence of the replacement of a printing substrate on the registration before the printing substrate is supplied to a printing process, when replacing the kind of the printing substrate. - 特許庁

プロセスの運転の開始に当たっては、塩室に塩溶液、塩基室に水、酸室にアミノ酸を含む液を供給する。例文帳に追加

At the start of the process operation, a salt soln. is supplied to the salt compartment, water to the base compartment and a soln. contg. an amino acid to the acid compartment. - 特許庁

プロセス、電圧および温度による影響を受けることなく、書込電流を制御するトランジスタへ定電流に応じた内部電圧を供給する。例文帳に追加

To supply an internal voltage corresponded to a constant current to a transistor controlling a writing current without being affected by a process, voltage and temperature. - 特許庁

本発明は上記問題点を解決し、コンパクト化したプロセスガス供給ユニットを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a process gas supply unit which is compacted. - 特許庁

オゾンを含むをプロセスガスを反応室７に供給する手段と、反応室７内に置かれるウェーハ１へのプロセスガスの供給の通路に設けられた１段目のシャワープレート１０と２段目のシャワープレート１１を有するオゾン処理装置。例文帳に追加

The ozone treating apparatus comprises a means for supplying a process gas containing the ozone to a reaction chamber 7, a first stage shower plate 10 provided at a passage for supplying the process gas to the wafer 1 placed in the chamber 7, and a second stage shower plate 22. - 特許庁

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。例文帳に追加

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material. - 特許庁

プロセス副生ガス（４２）を収容しかつ制御弁（４４）を内蔵した供給プレナム（４０）は、ロータ空洞（６８、７０）の少なくとも１つに連結されて、ロータ空洞（６８、７０）の少なくとも１つにプロセス副生ガス（４２）を供給する。例文帳に追加

A supply plenum (40) storing a process by-product gas (42) and having a built-in control valve (44) is connected with at least one of the rotor cavities (68, 70), and supplies the process by-product gas (42) to the at least one of the rotor cavities (68, 70). - 特許庁

また、本発明は、潤滑剤供給装置２８および潤滑剤再供給装置３０を備えるプロセス・カートリッジを提供し、クリーニング部材２４の耐久性を向上させることにより、プロセス・カートリッジの耐久性を向上し、画像形成装置の長期信頼性を改善する。例文帳に追加

The process cartridge of the present invention is equipped with the lubricant supply device 28 and the lubricant resupply device 30 of which durability has been improved by the improvement of the durability of the cleaning member 24, thereby improving the long term reliability of the image forming device. - 特許庁

液晶基板やプリント基板の現像プロセスから回収された現像液のアルカリ濃度および溶解樹脂濃度をより高精度に検出でき、一層正確に濃度調節された現像液を現像プロセスへ供給できる現像液の供給装置を提供する。例文帳に追加

To provide a developer supply system capable of highly accurately detecting the alkali concentration and the dissolved resin concentration in developer recovered from the developing process of a liquid crystal substrate and a printed board, and capable of supplying the developer of more accurately adjusted concentration to the developing process. - 特許庁

電子写真感光体を用いて帯電、露光、現像、転写を含む電子写真プロセスを行う画像形成装置であって、感光体表面に安定剤を供給する安定剤供給装置を備え、且つ感光体表面の磨耗率が０．２〜５ｎｍ／ｋｃｙｃｌｅとなるように電子写真プロセスを行う画像形成装置。例文帳に追加

The image forming apparatus which performs an electrophotographic process containing electrification, exposure, development and transfer by using an electrophotographic photoreceptor is provided with a stabilizer supply apparatus for supplying a stabilizer to a photoreceptor surface and performs the electrophotographic process in such a manner that the wear rate of the photoreceptor surface becomes 0.2-5 nm/kcycle. - 特許庁

コントローラは、チャージ装置が電源喪失に見舞われた後に、初期化プロセスが完了したことを決定するように構成され、電力供給システムが、定められた開始時間におよび初期化プロセスが完了した後に電力貯蔵装置に電力を供給することを可能にする。例文帳に追加

The controller is configured to determine that an initialization process has completed after the charging device has experienced a loss of power and enable the power delivery system to deliver power to the power storage device at a defined start time and after the initialization process has completed. - 特許庁

また、フィルム供給ユニット７をプロセス部ＰＰに設けてシートフィルムＦをプロセス部ＰＰに直接的に供給しているので、シートフィルムＦの搬送効率を高めることができ、装置のスループットを向上させることができる。例文帳に追加

Moreover, since the film-supplying unit 7 is provided to the process unit PP for supplying directly the sheet film F to the process unit PP, the transfer efficiency of the sheet film F can be enhanced and the throughput of the apparatus can also be improved. - 特許庁

再熱器を有するボイラから工場設備へプロセス用蒸気を供給するにあたり、当該ボイラの運転範囲の制限やプロセス用蒸気の供給量の制限を従来よりも緩和し、且つ再熱器の温度上昇を抑制する。例文帳に追加

To suppress a temperature rise of a reheater by relaxing a limit on an operation range of a boiler and a limit on a supply amount of steam for processing in comparison with a conventional case, in supplying the steam for processing from a boiler having the reheater to factory equipment. - 特許庁

前記第２ハロゲン含有ガスの供給量は、前記第１シリコン含有プロセスガスの供給が停止された後に前記反応室内に残留している前記シリコン含有プロセスガスとの反応が所定の時間をかけて完了するように、制御されている。例文帳に追加

The amount of the second halogen-containing gas to be fed is controlled in such a manner that its reaction with the silicon-containing process gas remaining in the reaction chamber after the stop of the feed of the first silicon-containing process gas is completed taking a prescribed time. - 特許庁

本酸化炉装置は、ウエハを水平に保持するボートを収容する円筒状の縦型酸化炉本体１８、２０と、プロセスガス導入管２４を介してプロセスガスを酸化炉本体内に供給するガス供給装置１４とを備えている。例文帳に追加

This oxidizing furnace system is provided with cylinder-shaped vertical oxidizing furnace main bodies 18 and 20 for housing boats holding horizontally wafers and a gas feeding device 14 for feeding process gas in the main bodies 18 and 20 via process gas introducing tubes 24. - 特許庁

基板プロセス・チャンバ３０は、基板２５を処理するためにチャンバ３０の中にプロセスガスを供給するように適合された第１のガス分配器６５と、チャンバを洗浄するためにチャンバ３０の中に洗浄ガスを供給するように適合された第２のガス分配器２１５と、チャンバ３０からプロセスガスあるいは洗浄ガスを排出するための排気管９０を有する。例文帳に追加

The substrate processing chamber 30 comprises a first gas distributor 65 so adapted as to supply a processing gas into the chamber 30 to process the substrate 5; a second gas distributor 215 so adapted as to supply a cleaning gas into the chamber 30 to clean the chamber; and an exhaust pipe 90 for exhausting the processing gas or cleaning gas out of the chamber 30. - 特許庁

電解効果トランジスタに重水素を供給するプロセスにおいて、安価に重水素を電界効果トランジスタに供給することができ、さらに、設定した深度まで精度よく重水素を供給すること。例文帳に追加

To inexpensively supply deuterium to a field-effect transistor so that the deuterium may be supplied to a set depth with accuracy in a process of supplying the deuterium to the transistor. - 特許庁

ボート４の直下に、半導体ウェハＷの軸線Ｌ１に対して軸対称にノズル６３を配置して、ガス供給管６１から供給されたプロセスガスを、半導体ウェハＷに対して軸対称に供給する。例文帳に追加

A nozzle 63 is disposed directly below a boat 4 axisymmetrically to an axis L1 of the semiconductor wafer W, and a process gas supplied from a gas supply pipe 61 is axisymmetrically supplied to the semiconductor wafer W. - 特許庁

ＣＶＤプロセスにおいて液体材料を最低限の加熱により気化供給することができ、多くの材料を速やかに気化できる液体材料気化供給装置および液体材料気化供給方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vaporizing and feeding a liquid material by which a liquid material can be vaporized and fed by minimum heating in a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, and many materials can quickly be vaporized. - 特許庁

金属シリコンに塩化水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第１の製造プロセスと、金属シリコンにテトラクロロシラン及び水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第２の製造プロセスとを、互いに独立したプロセスで含み、前記第１の製造プロセスにより得られたトリクロロシランを含む反応生成ガスから、該トリクロロシランを凝縮分離し、トリクロロシランが凝縮分離された後の排ガスを、水素源として第２の製造プロセスに供給することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing trichlorosilane includes, as mutually independent processes, a first production process for generating trichlorosilane by reacting metallic silicon with hydrogen chloride and a second production process for generating trichlorosilane by reacting metallic silicon with tetrachlorosilane and hydrogen, wherein from a reaction product gas containing trichlorosilane obtained by the first production process, the trichlorosilane is condensed and separated, and the remaining effluent gas is supplied as a hydrogen source to the second production process. - 特許庁

第１のシリンジポンプによりディスポチップを通じてハイブリ溶液を反応空間に供給するのに同期させて、第２のシリンジポンプによりディスポチップを通じて反応空間内を吸引する第１の供給プロセスと、第２のシリンジポンプによる溶液の供給に同期させて、第１のシリンジポンプによる吸引を行う第２の供給プロセスとを交互に複数回繰り返す。例文帳に追加

In synchronism with the supply of the hybrid solution to the reaction space through the disposable chip by the first syringe pump, the first supply process for sucking the reaction space through the disposable chip by the second syringe pump is synchronized with the supply of the solution by the second syringe to alternately repeat the second supply process for performing the suction by the first syringe pump a plurality of times. - 特許庁

半導体基板３６に対するエッチング処理が終了した後、プロセスチャンバー６内にＡｒガスを供給して、反応生成物４３をプロセスチャンバー６の外部に排気した後、ダミーアーム２５と集塵板２６とをプロセスチャンバー６の内部に挿入することにより反応生成物４３を集塵する。例文帳に追加

After etching a semiconductor substrate 36, Ar gas is supplied into a process chamber 6 to evacuate a reaction product 43 from the process chamber 6, and the dummy arm 25 and the dust collection plate 26 are then inserted into the process chamber 6 to collect the reaction product 43. - 特許庁

少量の酸またはバッファをゆっくり供給することを含む段階的な添加プロセスを用いることによって、粒子同士が付着することが抑えられ、場合により、凝集プロセス中にキレート化剤をほとんど加えないか、まったく加えない、トナーの光沢を制御するプロセスを含み、その結果、トナーが、望ましい光沢と、きわめて融点が低いという特性をもちつつ、粒度分布が狭くなる。例文帳に追加

Methods include a process of controlling gloss of a toner utilizing a step-wise addition process, which includes feeding a small amount of acid or buffer slowly and prevents particle-to-particle sticking, optionally combined with little or no chelating agent added during an aggregation process, resulting in a narrow particle size distribution while achieving desired gloss and ultra low melting point properties of a toner. - 特許庁

一端に開口端部を有するプロセスチューブと、前記開口端部と接触する閉塞面を介して前記開口端部を閉塞するシャッターとを備える横型熱処理炉において、前記プロセスチューブに供給されるプロセスガスを排気する機能を有する凹部が前記シャッターの閉塞面に穿設されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the horizontal heat treatment furnace provided with a process tube having an opening end at one end and a shutter blocking the opening end part through a blocking face which is brought into contact with the opening end part, a recessed part having a function for exhausting process gas supplied to the process tube is made on a blocking face of the shutter. - 特許庁

原料を反応器内での存在量が所定の範囲となるように継続的に供給しながら、触媒を添加することで反応を進行させる化学プロセスにおいて、何らかの外乱により触媒の性能が変化した場合であっても、安定した制御を行なうことが可能な化学プロセスにおける制御方法および化学プロセスを制御するためのプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a method and a program for controlling a chemical process, for stably controlling the chemical process in which a reaction is advanced by adding a catalyst while continuously feeding a raw material so that the amount of the raw material to be retained in the reactor is kept within a predetermined range, even when the performance of the catalyst changes due to some disturbance. - 特許庁

そして、画像データの送信でエラーが発生した場合は、エラーの内容に基づいてプロセス定義ファイルの記述内容の修正が必要か否かを判定し（Ｓ１００７）、必要であればプロセス定義ファイルの供給元である管理者ＰＣに対してプロセス定義ファイルの記述内容の修正を要求する（Ｓ１００９）。例文帳に追加

When the error occurs in the transmission of the image data, the transmission server decides whether or not correction of description contents of the process definition file is needed based on contents of the error (S1007), and the correction of the description contents of the process definition file is requested to a manager PC that is the supply source of the process definition file if necessary (S1009). - 特許庁

プロセスユニット２をユニット収容部１ａに収容すると、プロセスユニット２の入力ギア２１２、２３４は駆動ユニット１６に設けられた駆動ギア１６０、１６１とそれぞれ噛合し、モータから供給される回転運動が入力ギア２１２、２３４へそれぞれ伝達可能となると共に、本体フレーム１０の受け部１０６とプロセスユニット２の係合部２０５が係合する。例文帳に追加

When the process unit 2 is housed in a unit housing part, the input gears 212 and 234 of the unit 2 respectively mesh with driving gears 160 and 161 provided in a driving unit, and rotary motion supplied from a motor is transmitted to the gears 212 and 234, respectively, and the receiving part 106 of a main body frame is engaged with the engaging part 205 of the unit 2. - 特許庁

原料を反応器内での存在量が所定の範囲となるように継続的に供給しながら、触媒を添加することで反応を進行させる化学プロセスにおいて、何らかの外乱により触媒の物性が変化した場合であっても、安定した制御を行なうことが可能な化学プロセスにおける制御方法および化学プロセスを制御するためのプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a control method for use in a chemical process wherein a reaction is caused to proceed by feeding a catalyst while continuously feeding a raw material in a manner maintaining the amount thereof present in a reactor within a predetermined range, capable of stably controlling the chemical process even if the property of the catalyst is caused to change by some kind of disturbance, and a program for controlling a chemical process. - 特許庁

カセットＣＳから基板Ｗを搬出可能なカセット側コンベヤ３と、前記基板Ｗに加工を施すプロセス装置へ前記基板Ｗを供給可能なプロセス側移載ハンド５と、前記カセット側コンベヤ３と前記プロセス側移載ハンド５との間で前記基板Ｗを受け渡すことが可能な基板受け渡し手段７とを有する。例文帳に追加

This board conveying device has a cassette side conveyor 3 for carrying the boards W out of the cassette CS, a processing side transferring hand 5 for supplying the boards W to the processing device for processing the boards W, and a board delivering means 7 for delivering the boards W between the cassette side conveyor 3 and the processing side transferring hand 5. - 特許庁

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。例文帳に追加

In a method for growing CNT wherein a substrate having a layer of a catalyst metal oxide is used as a catalyst layer for growing CNT and CNT is grown on the substrate by supplying a process gas for growing CNT to the substrate, the catalyst metal oxide is reduced by the process gas and CNT is grown on the catalyst metal during the CNT growth process. - 特許庁

プリンタ装置１０は、プリンタ装置本体に対して着脱自在なプロセスカートリッジ１４及びトナーカートリッジ１２を有し、プリンタ装置本体に設けられた本体側トナー搬送路１３を介してトナーカートリッジ１２からプロセスカートリッジ１４にトナーを供給する。例文帳に追加

A printer 10 has a process cartridge 14 freely attachable and detachable to and from a printer main body and a toner cartridge 12 and feeds the toner from the cartridge 12 to the process cartridge 14 through a main body side toner conveyance path 13 disposed in the printer main body. - 特許庁

その評価されたプロセス・パラメータは、次に、廃棄物焼却プラントのリアルタイム制御のためのコントローラの中で、廃棄物燃焼プロセスのモデルの入力変数に対応する廃棄物供給速度などの、制御パラメータを決定するために使用する。例文帳に追加

The estimated process/parameters are then used to determine, in a controller for real-time control of the waste incineration plant, control parameters, such as a waste feed rate corresponding to input variables of a model of the waste combustion process. - 特許庁

低抵抗率のIII−Ｖ族窒化物（例えば、ＧａＮ）ｐ型層を形成するプロセスの１つの実施形態が、成長後の冷却プロセスの間に、エピタキシャル成長チャンバ内の水素の全ての供給源（典型的には、ＮＨ_3）を取り除く。例文帳に追加

A practical form of a process of forming a lowresistivity III-V element nitride (e.g. GaN) p-type layer is that hydrogen supply sources (typically, NH_3) in an epitaxial growth chamber are all eliminated in a cooling process after growth. - 特許庁

１基または複数基のガス化プロセス３６は、石炭をガス化した粗ガスをガス化燃料調節弁２を介して受給し燃料ガスとして、ガスタービンと蒸気タービンとを有した１基または複数基の複合発電プロセス３７に供給する。例文帳に追加

In one or plural groups of gasification processes 36, coarse gas produced by gasification of coal is received as fuel gas by way of gasification adjusting valve 2 so as to let it be fed to one or plural groups of coal gasification composite power generation systems 37 provided with each gas turbine and each steam turbine. - 特許庁

プラズマ（５）を生成するための繰り返し供給されるターゲット流れ（２１）を提供して、多数の個別のプラズマ発生プロセスにわたって、所定のプロセス条件の下でいかなるターゲット材料に対しても、ターゲット流れ（２１）の高い指向安定性を確保する。例文帳に追加

A repeatedly supplied target flow (21) for generating plasma (5) is provided, and a high directional stability of the target flow (21) is secured for any target materials under given process conditions over a number of individual plasma generating processes. - 特許庁

非鉄金属の製造装置に酸素富化空気を供給するプロセス及びプラントにおいて、従来のものと比べて、全体のサイズを小さくし、且つエネルギー消費を相当に削減することができるプロセス及びプラントを提供する。例文帳に追加

To provide a process and a plant for supplying oxygen-enriched air into nonferrous metal manufacturing equipment by which overall dimension can be reduced as compared with that by the conventional ones and also the energy consumption can be considerably reduced. - 特許庁

プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

A dry etching method of using a mixed gas of a plurality of fluorine-based gases as a process gas, generating plasma in a high vacuum while supplying the process gas and applying low frequency bias power to perform etching is provided to solve the problem. - 特許庁