「再結晶温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

部品を製造するひとつの方法は、このβ型チタン合金を、βトランザス以上であって１１００℃以下の温度で鍛造または圧延を行なって部品とし、それに続いて固溶化熱処理を施して、結晶粒を再結晶させる。例文帳に追加

In one method for producing the component, the β type titanium alloy is forged or rolled at β transus or higher and also at ≤1,100°C into a component, and the component is successively subjected to solution heat treatment to recrystallize crystal grains. - 特許庁

部品を製造するひとつの方法は、このβ型チタン合金を、βトランザス以上であって１１００℃以下の温度で鍛造または圧延を行なって部品とし、それに続いて固溶化熱処理を施して、結晶粒を再結晶させる。例文帳に追加

The alloy can further include 7% or less Ni. - 特許庁

再結晶化開始温度と結晶融解ピーク温度の差が４５℃以上であり、末端カルボキシル基量が２６当量／ｔ以下であり、極限粘度が０．６５ｄｌ／ｇ以上である二軸配向ポリエステルフィルムからなることを特徴とする太陽電池裏面保護用ポリエステルフィルム。例文帳に追加

The polyester film for backside protection of a solar cell consists of a biaxially oriented polyester film where the difference of the recrystallization start temperature and the crystal fusion peak temperature is 45°C or higher, the amount of terminal carboxyl group is 26 equivalent/t or less, and the limit viscosity is 0.65 dl/g or higher. - 特許庁

たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for producing a single crystal, for example, for producing a SiC single crystal by a sublimation method, the device capable of suppressing degradation of a heat insulating material during growing a single crystal, increasing reproducibility of the temperature distribution in a crucible and suppressing increase in the production cost. - 特許庁

また、ガラスセラミックスの製造方法は、原料を混合してその融液を得る溶融工程と、前記融液を冷却してガラス体を得る冷却工程と、前記ガラス体の温度をガラス転移温度を超えた領域まで上昇させる再加熱工程と、前記温度を前記温度領域内で維持して結晶を生じさせる結晶化工程と、を有するものである。例文帳に追加

The method for producing the glass ceramic includes: a melting step to mix raw materials and obtain a molten liquid; a cooling step to obtain a glass body by the cooling of the molten liquid; a reheating step to raise the temperature of the glass body up to a range beyond glass transition temperature; and a crystallization step to generate a crystal by keeping the temperature of the glass body within the temperature range. - 特許庁

その後で、部分的にコーティングされた基板をＩＴＯ層の再結晶温度よりも高い温度まで加熱して、ＩＴＯ層の残部をスパッタ堆積する。例文帳に追加

After that, the partially coated substrate is heated up to a higher temperature than the recrystallization temperature of the ITO layer, and the remaining part of the ITO layer is sputter-deposited. - 特許庁

第１の溶体化と第２の溶体化とは、１〜１０％の水素を含み、雰囲気露点−７〜０℃の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first and second solid solution treatments are applied under the nitrogen atmosphere containing 1-10% hydrogen with the dew point of the atmosphere -7 to 0°C, and in the temperature range not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁

次に、相対的に低い周波数特性を有する弾性表面波素子を、金属バンプの再結晶温度よりも高い温度までパッケージを熱してから、フリップチップボンディング法で搭載する。例文帳に追加

Then the surface acoustic wave element with a relatively low frequency characteristic is mounted on the package after it is heated to a temperature higher than the recrystallization temperature of the metallic bumps by the flip chip bonding method. - 特許庁

目的とする金属管の断面形状１１を有する金属板を積層し、これらを加圧した状態で該金属の再結晶温度以上の温度で加熱して金属板同士を固着させることにより金属管を得る。例文帳に追加

By laminating metallic sheets having the cross-sectional shape 11 of an objective metallic tube and sticking the metallic sheets to each other by heating them in the state where they are pressed at a temperature not lower than the recrystallization temperature, the metallic tube is obtained. - 特許庁

このとき、低温熱処理は純ニッケルの再結晶温度以下の低温、すなわち600(℃)程度の温度で施されることから、その機械的性質は殆ど変化しない。例文帳に追加

At this time, since the low temperature heat treatment is performed at a low temperature less than the recrystallization temperature of pure nickel, i.e., at about 600(°C), the mechanical properties of the pure nickel rolling stock are hardly changed. - 特許庁

Ｃａ系鉛合金の圧延シートを網目状に展開加工してエキスパンド格子体１を得た後に、このエキスパンド格子体１にＣａ系鉛合金の再結晶温度以下の温度で熱処理を施す。例文帳に追加

After a rolled sheet of Ca-based lead alloy is reticulately expanded to obtain an expanded lattice body 1, heat treatment is applied to the expanded lattice body 1 at a temperature of not more than the recrystallization temperature of the Ca-based lead alloy. - 特許庁

前記溶体化は、リング４を加熱炉中５でマルエージング鋼の再結晶温度以上８５０℃以下の範囲の温度で加熱し、溶体化後のリング４が円環形状となるように行う。例文帳に追加

The solution treatment is performed by heating the rings 4 in a heating furnace 5 at the temperature not less than the recrystallization temperature of marageing steel and not more than 850°C so that the rings 4 after the solution treatment may be formed into annular shapes. - 特許庁

続けて、基板上に、第１積層１７ａの形成温度よりも高く，Ａｌの融点よりも低い温度で熱処理を行なうことにより、ＡｌＣｕ層５におけるＡｌ結晶粒の再配向を促す。例文帳に追加

In succession, a heat treatment is executed to the substrate at a temperature which is higher than the formation temperature of the first laminate 17a and which is lower than the melting point of Al, and the reorientation of Al crystal particles in the AlCu layer 5 is promoted. - 特許庁

冷間圧延後の鋼板を、３００℃以上で、且つ、前記鋼板の再結晶温度未満の温度で加熱し、前記鋼板表面に付着しているＣ量を５０ａｔ％以下、Ｓｉ量を４０ａｔ％以下とする。例文帳に追加

This manufacturing method includes heating a steel sheet after having been cold-rolled at a temperature of 300°C or higher but lower than a recrystallization temperature of the steel sheet to control the amount of C sticking to the surface of the steel sheet to 50 atom% or less and the amount of Si to 40 atom% or less. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered under the temperature conditions of a temperature (about 550°C) or less in which the gate electrode 14 is recrystallized, and heat treatment at about 1000°C is carried out. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered under the temperature conditions of a temperature(about 550°C) or less in which the gate electrode 14 is recrystallized, and heating treatment at about 1000°C is carried out. - 特許庁

また、前記高強度冷延鋼板は、冷延後、750〜950℃の再結晶焼鈍温度、10〜1200秒の焼鈍時間で熱処理し、次いで2段冷却を行い、150〜500℃の温度で焼戻しし製造する。例文帳に追加

Also, the high-strength cold rolled steel sheet is manufactured by subjecting the steel sheet to heat treatment for a recrystallization temperature of 750 to 950°C for the annealing time of 10 to 1,200 seconds after cold rolling, then subjecting the steel sheet to two-stage cooling and annealing at 150 to 500°C. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

A silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered in the temperature condition below a temperature (about 550°C) at which the gate electrode 14 is recrystallized, and thereafter a heating treatment at about 1,000°C is carried out. - 特許庁

鋼板上にＣｕまたはＣｕ合金の粉末を散布し、一次焼結、一次圧延および二次焼結を順次行った後、圧下率１０％以上で二次圧延を行い、続いて、ＣｕまたはＣｕ合金の再結晶開始温度以上で鋼裏金の再結晶開始温度未満の温度で加熱処理を行い、銅系焼結摺動材料を製造する。例文帳に追加

The copper-based sintered sliding material is manufactured by scattering a powder of Cu or Cu alloy on a steel plate, followed by a primary sintering process, a primary rolling process with pressure, and secondary sintering process, and then a secondary rolling process at a pressure drop rate of 10%, and finally a heating process at a temperature over the Cu/Cu alloy recrystallization starting temperature but under the recrystallization starting temperature of the steel backing strip. - 特許庁

粉末状、ショット状あるいは、金属板状の高純度金を溶解後鋳造してインゴットとし、前記インゴットの圧延を行い、最終冷間圧延率を９０％以上として得られた高純度金シートを熱分析法により測定し、熱分析発熱ピーク温度を再結晶温度とする高純度金の再結晶温度の測定方法である。例文帳に追加

This measuring method for recrystallization temperature of high purity gold is such that powdery, a shot state, or a plate state high purity gold is melted, cast in an ingot, the ingot is rolled to a final cold rolling reduction ratio of 90% or more, an obtained high purity gold sheet is measured by a thermal analytical method, and exothermic peak temperature in thermal analysis is decided as the recrystallization temperature. - 特許庁

ピストンの鍛造方法は、前記鋳造体に対して、２００〜２４０℃の温度で、２０〜４５％の加工率の予備加工を施して鍛造用アルミニウム合金素材を形成し、該鍛造用アルミニウム合金の再結晶温度を超える温度で鍛造加工を施す。例文帳に追加

In the method for forging a piston, the cast body is subjected to previous working at 200 to 240°C at a working ratio of 20 to 45% so as to form an aluminum alloy stock for forging, and the stock is subjected to forging at a temperature above the recrystallization temperature of the aluminum alloy for forging. - 特許庁

前記の焼鈍加工においては、各磁路部材の全てに施しても良いが、各磁路部材の一部に対してのみ施しても良く、鉄鋼を再結晶温度（変態点の温度）以上の温度にて加熱（例えば、数時間加熱）した後、徐々に冷却（例えば、焼成炉内にて徐々に冷却）して行う。例文帳に追加

The annealing may be applied to all of the magnetic path members, or may be applied to only a part of each magnetic member, and is performed by heating iron and steel at a temperature higher than a recrystallization temperature (transformation temperature), heating for several hours for example, and thereafter gradually cooling (for example, gradually cooing in a firing furnace). - 特許庁

耐食鋼の製造方法は、冷間加工１０７、加熱処理１０８及び冷却処理１０９により処理される結晶粒微細化工程１１０を含み、結晶粒微細化工程１１０は、再結晶温度まで加熱速度を３０℃／秒以上の急加熱として結晶粒の粒径を５μm以下となるよう微細化するものであること、を特徴とする。例文帳に追加

A method for producing a corrosion resistant steel includes a crystal grain-refining process 110 performing cold-working 107, heating treatment 108 and cooling treatment 109; and the crystal grain-refining process 110 is characterized in that the crystal grain-refining is performed so that the grain diameter of the crystal grain becomes ≤5 μm by rapidly heating to a recrystallization temperature at ≥30°C/sec heating speed. - 特許庁

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。例文帳に追加

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum. - 特許庁

このリチウムマンガン複合酸化物は、所定組成の無機材料を、電気化学的に活性な結晶相に転移可能である電気化学的に不活性な結晶相を含む複合酸化物を生成する所定の焼成温度で焼成したのち所定の徐冷速度で徐冷し、この焼成温度よりも低い所定の加熱温度で複合酸化物を酸化する再酸化工程を１回以上行うことにより作製されている。例文帳に追加

The lithium-manganese compound oxide is produced by firing an inorganic material having predetermined composition at predetermined firing temperature to prepare a compound oxide comprising an electrochemically-inactive crystal phase convertible into an electrochemically-active crystal phase, slowly cooling the prepared compound oxide at a predetermined cooling rate, and performing once or more times a reoxidation step of oxidizing the cooled compound oxide at predetermined heating temperature lower than the firing temperature. - 特許庁

純モリブデン製シームレスパイプに比べ、再結晶温度並びに再結晶前後の圧環強さが夫々高く、且つ水平姿勢における耐高温特性（耐垂下性）に優れるモリブデン製シームレスパイプおよびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a seamless pipe made of molybdenum, which has a higher recrystallization temperature, higher radial crushing strength each before and after recrystallization, and a more excellent high-temperature resistance (hanging down resistance) in a horizontal-position than the seamless pipe made of pure molybdenum has, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

アミノ酸Ｎ−カルボキシ無水物を１回又は２回以上の再結晶により精製し、精製アミノ酸Ｎ−カルボキシ無水物を得、該精製アミノ酸Ｎ−カルボキシ無水物を重合してポリペプチドを得るポリペプチドの製造方法であって、該再結晶のうち少なくとも最後の再結晶化の操作を０℃以下の温度下で行うことを特徴とするポリペプチドの製造方法。例文帳に追加

In the producing method of the polypeptide comprising purifying the amino acid N-carboxy anhydride by recrystallizing it at least once to obtain the purified anhydride, and polymerizing the purified anhydride to obtain the polypeptide, among the recrystallizations at least the last operation thereof is carried out at a temperature of ≤0°C. - 特許庁

本発明に係るマグネシウム合金の組織制御方法は、マグネシウム合金を歪加工して組織制御するマグネシウム合金の組織制御方法であって、マグネシウム合金を１８０℃以上２３０℃以下で歪加工する歪加工工程（Ｓ１２）と、歪加工されたマグネシウム合金を、再結晶温度で熱処理して再結晶化する再結晶化工程（Ｓ１４）とを有する。例文帳に追加

The method for controlling the structure of a magnesium alloy where a magnesium alloy is subjected to strain working, so as to control its structure comprises: a strain working process (S12) where a magnesium alloy is subjected to strain working at 180 to 230°C; and a recrystallization process (S14) where the strain-worked magnesium alloy is heat-treated at a recrystallization temperature, so as to be recrystallized. - 特許庁

Ｐ_CM＝Ｃ＋Ｓｉ／３０＋（Ｍｎ＋Ｃｕ＋Ｃｒ）／２０＋Ｎｉ／６０＋Ｍｏ／１５＋Ｖ／１０…（１） 製造方法は、前記組成の鋼片を、Ｎｂが溶体化する温度に再加熱し、γ相未再結晶温度域で３０％以上圧延し、７５０℃以上で圧延終了し、７００℃以上から空冷相当超の冷却速度で５５０℃まで冷却し、その後に空冷する。例文帳に追加

In this producing method, a slab having the above composition is reheated to a temperature in which Nb enters into solid solution, is rolled by ≥30% in the γ phase unrecrystallized temperature region so as to be finished at ≥750°C, is cooled from ≥700 to 550°C at a cooling rate above that of air cooling and is subsequently air-cooled. - 特許庁

第３アニール工程では、アニール温度を７００℃以上として再度熱処理を施すと、第１アニール工程および降温工程により形成された結晶核１０を中心として結晶を成長させ、低抵抗なチタンシリサイド膜９を低抵抗金属膜として形成させる。例文帳に追加

In a third annealing process, at the time of carrying out heat treatment again at an annealing temperature which is 700°C or higher, a crystal is grown with the crystal core 10 formed in the first annealing process and the temperature reducing process as a center, and a low-resistance titanium silicide film 9 is formed as a low-resistance metal film. - 特許庁

再結晶化開始温度と結晶融解ピーク温度の差が４５℃以上であり、末端カルボキシル基量が２６当量／ｔ以下であり、極限粘度が０．６５ｄｌ／ｇ以上であるポリエステルフィルム中に黒色顔料を０．７重量％以上含有することを特徴とする太陽電池裏面保護用二軸配向ポリエステルフィルム。例文帳に追加

The biaxially oriented polyester film for solar cell backside protection contains 0.7 wt% or more of a black pigment in a polyester film which has the difference of recrystallization start temperature and the crystal fusion peak temperature equal to or higher than 45°C, the amount of terminal carboxyl group equal to or smaller than 26 equivalent/t, and a limit viscosity of 0.65 dl/g or higher. - 特許庁

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。例文帳に追加

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method. - 特許庁

上記課題を解決するため、前記サーメット粒子の温度をその結合相を構成する金属成分の再結晶温度以上かつ融点未満に保持し、マッハ１以上にて基材へ衝突させ成膜することを特徴とする。例文帳に追加

The problems are solved by keeping the temperature of cermet particles at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature but lower than the melting point of a metal component composing a binder phase and crashing it against a substrate at ≥1 mach to form a film. - 特許庁

相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子を金属バンプの再結晶温度よりも低い温度に熱したパッケージに、フリップチップボンディング法で搭載して、相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子をパッケージのアースと導通させる。例文帳に追加

The surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic is mounted on a package heated to a temperature lower than a recrystallization temperature of metallic bumps by the flip chip bonding method to make the surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic conductive to earthing of the package. - 特許庁

超合金からビレットを形成し、超合金のγ′ソルバス温度よりも低温で加工して加工物品を形成し、次いで超合金のγ′ソルバス温度よりも高温で熱処理して結晶粒を均一に粗大化した後、冷却してγ′を再析出させる。例文帳に追加

A billet is formed of the superalloy and worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article, which is then heat treated above the γ' solvus temperature of the superalloy to uniformly coarsen the grains of the article, after which the article is cooled to reprecipitate γ'. - 特許庁

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜１０％の水素を含み、雰囲気露点−７〜０℃の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first solution heat treatment to the welded drum 2 and the second solution heat treatment to the rolled rings 4 are achieved in the nitrogen atmosphere containing 1-10% hydrogen and of the atmospheric dew point of -7 to 0°C, and in the temperature range of not lower than the recrystallization point of the maraging steel and not higher than 850°C. - 特許庁

また、鋼スラブに、熱間圧延、冷間圧延を施し、フェライト単相温度域またはAc_１変態点未満の温度域で再結晶焼鈍し、次いで1.5%以下(0を含む)の圧延率で調質圧延を行うことによりカラー陰極線管用磁気シールド鋼板の製造方法。例文帳に追加

Further, in the method for producing a magnetic shielding steel sheet for a color cathode ray tube, a steel slab is subjected to hot rolling and cold rolling, is subjected to recrystallization annealing in a ferrite single phase temperature region or in the temperature region of less than the Ac1 transformation point and is then subjected to skin passing at a rolling ratio of ≤1.5% (inclusive of zero). - 特許庁

加工品を次いで加工品の結晶粒を均一に粗大化するのに十分な時間超合金のγ′ソルバス温度を超える温度で熱処理し、しかる後に加工品を加工品内でγ′相を再析出させるのに十分な速度で冷却する。例文帳に追加

Thereafter, the worked article is heat treated at a temperature above the γ' solvus temperature of the superalloy for a duration sufficient to uniformly coarsen the grains of the worked article, after which the worked article is cooled at a rate sufficient to reprecipitate γ' within the worked article. - 特許庁

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜３０％の水素を含み、雰囲気露点−４０〜−７０℃の範囲の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first solution heat treatment of the welded drum 2 and the second solution heat treatment of the rolled rings 4 are performed in a nitrogen atmosphere containing 1-3% hydrogen in an atmospheric dew point between -40°C to -70°C and at a temperature range of not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁

その製法は、溶鋼を鋳造で厚さ５０ｍｍ以上の鋼片に凝固させ、圧延温度５００℃以上８５０℃以下の熱間温度域で剪断歪を付与し、この圧延組織を残存させたまま冷間圧延を行った後、再結晶焼鈍を行う。例文帳に追加

In its production method, a molten steel is solidified into a slab with a thickness of ≥50 mm by casting, shearing strain is imparted thereto in the hot rolling temperature range of 500 to 850°C, cold rolling is performed as the rolled structure is left, and recrystallization annealing is performed. - 特許庁

クラッド工程以前での再結晶温度の低下に起因した軟化を引き起こすことなく屈曲特性のさらなる向上を可能としたプリント配線板用銅箔を提供する。例文帳に追加

To provide a copper foil for a printed wiring board that further enhances bending property without causing softening due to the lowering of a recrystallization temperature prior to a cladding process. - 特許庁

再結晶温度が高く、室温での伸線ダイス加工が容易で、かつイニシャルボール硬さが小さく、ＩＣチップ割れを生じない高純度銅合金ボールボンディングワイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a high-purity copper alloy ball bonding wire which has high recrystallization temperature, is easily die drawn at room temperature, has small initial ball hardness, and causes no IC chip cracking. - 特許庁

高い鋳造温度におけるシェルモールドの引張強度を向上させ、冷却中のモールドの圧縮強度を低下させることによって、鋳造の熱亀裂、再結晶その他の欠陥を低減又は解消させる。例文帳に追加

To reduce or remove casting defects such as heat cracking, recrystallization or the like by raising tensile strength of a shell mold at high casting temperature and reducing compressive strength of a mold under cooling. - 特許庁

キャスト鉛−銀合金を十分に高い温度で圧延、または冷間圧延−熱処理することにより、圧延方向に配向されない微細な粒界を有する、微細粒子化した再結晶構造が作製される。例文帳に追加

Finely grained recrystallized structure having fine grain boundaries and not oriented in a rolling direction can be obtained by subjecting a cast lead-silver alloy to rolling or a cold-rolling and heat treatment at sufficiently high temperature. - 特許庁

液溶媒に対する顔料溶解量の温度依存性が強くなると、溶解した成分の再結晶化が起こりやすくなるため、粗大粒子の発生などにより保存安定性や吐出安定性が劣化する原因となる。例文帳に追加

To solve the problem that, since recrystallization of a dissolved component is liable to occur when temperature dependence on the amount of pigment dissolved in a liquid solvent becomes strong, and the occurrence of a coarse particle causes deterioration of storage stability and discharge stability. - 特許庁