「書き下」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

共有メモリへの読書きに起因するプログラム処理効率の低下を防止すること。例文帳に追加

To prevent the decline of program processing efficiency due to reading and writing from/to a shared memory. - 特許庁

メモリセルに書き込まれたデータを読み出すときの読み出しマージンの低下を防止する。例文帳に追加

To prevent lowering in a reading margin when reading data written in a memory cell. - 特許庁

書き換え時の閾値電圧変動を抑制し、かつ、データ保持特性低下を防止する。例文帳に追加

To suppress a shift in threshold voltage during rewriting and prevent the degradation of data holding characteristic. - 特許庁

薄膜誘導書き込み磁気ヘッドは、上部磁極層２８と下部磁極層２９とを備える。例文帳に追加

The thin-film induction writing magnetic head has an upper magnetic pole layer 28 and a lower magnetic pole layer 29. - 特許庁

ミラーリングにおけるデータ書き込み速度の低下を抑制し、拡張性を高くする。例文帳に追加

To enhance extensibility by suppressing lowering of data write speed in mirroring. - 特許庁

画素への書き込み時間の不足により生ずる画素への充電不足、表示品位の低下。例文帳に追加

To eliminate a deficiency of charging to pixels and a decrease in display quality due to a deficiency in the time of writing to the pixels. - 特許庁

尚，清書／下書きの別の判断は，例えば選択されたトレイ等によって判断できる。例文帳に追加

In this case, the fair copy/draft can be judged from a selected tray, for example, or the like. - 特許庁

表示むらや画質低下を招くことなく、画素容量への書き込みを高速化する。例文帳に追加

To increase a writing speed to a pixel capacity without inviting an uneven displaying or deterioration of image quality. - 特許庁

共有メモリへの読書きに起因するプログラム処理効率の低下を防止すること。例文帳に追加

To prevent the deterioration of program processing efficiency due to read/write to a shared memory. - 特許庁

以下、このような手順が繰り返されることにより、手書き線が複数の近似線分で近似される。例文帳に追加

Thereafter, by repeating the above procedure, the handwritten line is approximated by a plurality of approximate lines segments. - 特許庁

メモリセルに書き込まれたデータを読み出すときの読み出しマージンの低下を防止することを課題とする。例文帳に追加

To prevent read margins from degrading when reading the data written in memory cells. - 特許庁

第１のストレージシステム（以下「ＳＳ」と称す）(102)上の特定位置にデータブロックを書き込む(304)。例文帳に追加

A data block is written to a particular location on a first storage system (hereinafter, abbreviated as "SS") (102) (304). - 特許庁

この青い書類がそうです、それからこちらが、ご説明したとおり、下書きです。例文帳に追加

This is it on the blue paper, and these slips, as I have explained, are the rough draft.  - Arthur Conan Doyle『ノーウッドの建築家』

ホームズは、摘み上げた遺書の下書きを、熱心な興味に満ちた顔で見つめた。例文帳に追加

Holmes had picked up the pages which formed the rough draft of the will, and was looking at them with the keenest interest upon his face.  - Arthur Conan Doyle『ノーウッドの建築家』

表示装置には、下地画像を表す下地画像データがあらかじめ記憶されており、使用者が手書きで文字等を書き込む場合には、この下地画像を表示する。例文帳に追加

The display device stores base picture data indicating a base picture beforehand, and displays the base picture when a user manually writes characters or the like. - 特許庁

画像データの書き込みに要する時間が落下時間以上である場合には、書き込み制御回路７８が通常モードから落下モードに切り替わり、圧縮率に従って圧縮された画像データが記録メディア６０に書き込まれる。例文帳に追加

When the time required for writing the image data is equal to or longer than the dropping time, a write control circuit 78 is switched from a regular mode to a drop mode, and the image data compressed according to a compreasion rate is written in a record medium 60. - 特許庁

そのため、最初の書き込みで一旦共通電源電圧ＶＣＣの高電圧値が下がり、書き込み可能電圧以下になったとしても、クロック信号ＣＬＫがロウレベルの期間で、共通電源電圧ＶＣＣ及びデータ線ＤＬが書き込み可能電圧まで上昇される。例文帳に追加

Thus, even when the high voltage value of a common power voltage VCC is lowered temporarily by first writing to be equal to or lower than a writable voltage, the common power voltage VCC and a data line DL are raised to the writable voltage in the period when the clock signal CLK is at a low level. - 特許庁

オフトラック要因となった振動が収まるのを待ってから書き直し処理を実施でき、書き直し処理時のオフトラックエラーの発生、ないし寄せ書きの発生を抑止でき、また書き直し処理をバックグラウンドで行うことで当該ライトコマンドの実行時間の延伸を軽減し、書き直し処理によるドライブの性能低下を軽減させることができる。例文帳に追加

Rewrite processing can be performed after stopping of vibration being primary factor of off-track, occurrence of off-track errors during rewrite processing or occurrence of deviation writing can be suppressed, extension of a performance time of the write command is lightened by performing rewrite processing in the background, and reduction of performance of drive due to rewrite processing can be lightened. - 特許庁

画像のスキャンラインを下端から上端に向かって読み書きする (flag はゼロ、SGI GL 互換の方法) か、上端から下端に向かって読み書きする (flag は 1、 X 互換の方法) かを決めるグローバルなフラグです。例文帳に追加

This function sets a global flag which defines whether the scan linesof the image are read or written from bottom to top (flag is zero,compatible with SGI GL) or from top to bottom(flag is one,compatible with X).  - Python

書き込みに要する電流ピークを下げる一方で、メモリーセルのソース−ドレイン間の電位差を保ち、ホットエレクトロンのエネルギーと発生効率が低下することを防止して、書き込み時間の増加を最小限におさえる。例文帳に追加

To maintain a potential difference between the source and the drain of a memory cell, while lowering the current peak required for write and prevent energy and production efficiency of hot electrons from lowering to suppress the increase in write time to a minimum. - 特許庁

書き込みトランジスタのオフ時のカップリングに起因する駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧の低下に伴う輝度低下を防止しつつ、入力信号電圧の書き込みを安定して行うことを可能にする。例文帳に追加

To stably write an input signal voltage while preventing a decrease in the luminance accompanying a decrease in a gate-source voltage in a drive transistor caused by coupling of a writing transistor in an off period. - 特許庁

他の端末との手書きチャット中に、当該手書きチャット用の下図画像をサーバから取得したり、当該下図画像を他の端末と共有したりする。例文帳に追加

To acquire a rough sketch image for handwriting chat from a server during a handwriting chat with the other terminal, and to share the rough sketch image with the other terminal. - 特許庁

この判定結果によってレベル以下のときに（Ｓ４）前景画記憶部６５に描画データを書き込み（Ｓ１１）、さらに電池残量が低下したことを示すデータを背景画記憶部６２に書き込む。例文帳に追加

When the judgment result is at the level or lower (S4), the drawing data are written in a foreground picture storage part 65 (S11), and further, the data showing that the battery residual capacity has decreased are written in a background picture storage part 62. - 特許庁

アンチヒューズ型メモリ素子への書き込みが完了した直後、メモリ素子の抵抗が急激に低下するため、書き込み電圧を生成する昇圧回路の出力が急激に低下する。例文帳に追加

Immediately after the end of writing information to the anti-fuse memory element, resistance of the memory element is reduced suddenly, so that an output of a boosting circuit generating writing voltage is reduced suddenly. - 特許庁

一方、データ書込部２２２は、稼働が開始される際、記憶部２３に下限電圧履歴データが書き込まれていない場合、記憶部２３に下限電圧履歴データを書き込み電池パック１を使用禁止状態にする。例文帳に追加

The data write 222 at the start of the operation writes the historical data for the lower limit of voltage to the memory 23 when such data are not written to the memory 23, thereby disabling the battery pack 1. - 特許庁

そして、制御部５の動作は電源部２の電源電圧の降下を検知する電圧降下検知手段６と、不揮発性メモリ１へのデータ書き込み中であることを検知する書き込み検知手段７の結果とによって決まる。例文帳に追加

The operation of the control part 5 is decided according to the results of a voltage decrease detecting means 6 for detecting the decrease of the power supply voltage of the power source 2 and a writing detecting means 7 for detecting that data are being written in the non-volatile memory 1. - 特許庁

同様に、液晶パネル15の下側の30本の奇数ラインにブランキングが同時に書き込まれた後、下側の30本の偶数ラインにブランキングが同時に書き込まれる。例文帳に追加

Similarly, after blanking has been written in 30-odd number lines on the lower side of the liquid crystal panel 15 at the same time, blanking is written in 30-even number lines on the lower side at the same time. - 特許庁

（書き下し文）和宮様御下向之説、宿継人馬多く入る間、左の村々中山道浦和宿へ当分助郷申し付け候条。例文帳に追加

(Translation) On the occasion of Kazunomiya's trip to Edo, the following villages are ordered to support Urawa inn town for the time being because many people and horses are needed.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

書き込み補助層８の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、分離層２１の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下である。例文帳に追加

The writing auxiliary layer 8 has 3 to 5 nm film thickness and the separation layer 21 has 3 to 5 nm film thickness. - 特許庁

広告したい単語または熟語を書き、下にアンダ−ラインを引き、アンダーラインの下にホ−ムペ−ジのアドレスを書く広告方法。例文帳に追加

In the advertising method, a word or an idiom to be advertised is written and underlined, and an address of the homepage is written under the underline. - 特許庁

電源電圧が基準電圧（３．４Ｖ）以下に低下したら、レンズ収納とフラッシュメモリへのデータ書き込み動作を開始する。例文帳に追加

When power source voltage drops to be equal to or under reference voltage (3.4V), lens housing operation and data writing operation in a flush memory are started. - 特許庁

書き込み電圧を低下することができ、トランジスタの耐圧を下げることが可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device capable of reducing a breakdown voltage of a transistor by reducing a write-in voltage. - 特許庁

下位キャッシュステージング手段は、上位キャッシュデステージング手段から書き出されたデータを、下位キャッシュにステージングする。例文帳に追加

A low-order cache staging means carries out staging of data written out of the high-order cache destaging means into the low-order cache. - 特許庁

高温環境下での保存による反射率の低下を抑制した表示媒体、及びそれを利用した書き込み装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a display medium which prevents a decrease in reflectance during storage at high temperatures, and a writing apparatus using the display medium. - 特許庁

これにより簡単な回路構成で１つの論理アドレスに対して消去動作を伴わずにデータの書き換えを可能でき、デバイスの面積を増大させること無く且つ、書き換え回数を仕様以下に制限すること無く、不揮発性メモリへの書き換えを行うことができる。例文帳に追加

rewriting of data is performed without performing erasing operation for one logical address with simple circuit constitution, rewriting for the nonvolatile memory can be performed without increasing area of the device and without restricting the number of times of rewriting under specifications. - 特許庁

バッファアンダーランエラーが生じないよう、バッファメモリが一定以下になったときに書き込みを中断し、その後に中断した位置から書き込みを再開する光ディスクドライブ装置において、再生モードから書き込みモードへの移行時に、高速にレーザーパワーを切り換える。例文帳に追加

To switch laser power at a high speed during transfer from a reproduction mode to a writing mode in an optical disk driving device which suspends writing when a buffer memory capacity is at a fixed or lower level, and then resumes the writing from the suspended position. - 特許庁

書き込み動作の際に、書き込み不良、信頼性低下等の問題が生じることなく、シリコン窒化膜への電子の注入を行うことができるとともに、書き込む力の制御、シリコン窒化膜からの電荷の抜けの防止、及びチャネル領域への確実なバイアスを同時に達成する。例文帳に追加

To inject electrons into a silicon nitride film without causing such problems as poor writing or degradation in reliability during writing operation; and to achieve control of writing force, prevention of coming-out of charges from the silicon nitride film, and positive bias to a channel region simultaneously. - 特許庁

データの消去を電気的に行う不揮発性メモリを内蔵した半導体集積回路において、書き込み用電源電圧をあまり低下させることなく供給し、書き込み用外部電源端子をオープンにしても書き込み系回路が誤動作しないようにする。例文帳に追加

To supply a writing power supply voltage without largely decreasing the voltage so that a writing system circuit is not erroneously operated even when an external power supply terminal for writing is opened, in a semiconductor integrated circuit having a built-in nonvolatile memory electrically erasing data. - 特許庁

電位を段階的に変化（上昇又は下降）させ続け、推移させながら所望の書き込み電位を確定し、書き込まれたデータに対する読み出しの結果のデータの正誤を常に監視することで、高精度な書き込み動作と高精度な読み出し動作を実現する。例文帳に追加

It achieves a high-accuracy write operation and a high-accuracy read operation by continuously changing (raising or dropping) the potential stepwise, determining a desired write potential during a shift, and constantly monitoring whether the readout result data for written data is correct. - 特許庁

映像信号を書き込む書き込み期間の略中間時に映像信号が書き込まれている画素における透過率の上昇過程で光源が点灯を開始し、前記画素における透過率の下降過程で前記光源が点灯を終了するように、その光源を備えるバックライトを制御する。例文帳に追加

A back light equipped with a light source is so controlled that the light source begins to illuminate in an increase stage of the transmissivity of a pixel where a video signal is written nearly in the middle of a write period wherein the video signal is written and finishes illuminating in a decrease stage of the transmissivity of the pixel. - 特許庁

このため、たとえ電池３５の電池切れなどによって書き込み途中で書き込み動作が中断されても、それまでに書き込まれたデータをファイルとして残すことが可能となり、画質は低下するものの、残ったデータだけで元の画像を復元することが可能となる。例文帳に追加

Thus, even when data write is interrupted halfway due to a worn battery 35 or the like, it is possible to leave data having so far been written as files, and although the image quality may be deteriorated, the original processing can be recovered only with the data left as the files. - 特許庁

書き込みユニット１１により書き込み、作像ユニット１０により画像を形成する画像形成装置において、前記書き込みユニット１１下部に高熱伝導部材１７を設け、冷却ファン１４にて前記高熱伝導部材１７端部を冷却する。例文帳に追加

In the image forming apparatus in which the write unit 11 performs writing and the imaging unit 10 forms an image, a high heat conducting member 17 is provided below the write unit 11 and an end of the high heat conducting member 17 is cooled by a cooling fan 14. - 特許庁

同期型ＤＲＡＭにおいて、センスアンプ回路と、このセンスアンプ回路に接続される書き込み演算処理判定回路（検出回路）２０と、この書き込み演算処理判定回路２０に接続されるライトドライバ回路を備え、ある一定条件下で、通常書き込みを禁止するようにした。例文帳に追加

A synchronizing type DRAM is provided with a sense amplifier circuit, a write-in arithmetic processing discriminating circuit (detecting circuit) 20 connected to this sense amplifier circuit, and a write-driver circuit connected to this write-in arithmetic processing discriminating circuit 20, and normal wrote-in is prohibited under some definite conditions. - 特許庁

書き込み動作時に、非選択のメモリセルの制御ゲートに、電源電圧ＶCCより高く、書き込み電圧ＶPGMより低い電圧ＶPASSが印加されるとき、転送トランジスタのゲートに電圧ＶPASSより高く、書き込み電圧ＶPGM以下の電圧ＶRDECが印加される。例文帳に追加

When voltage VPASS being higher than power source voltage VCC and lower than write voltage VPGM is applied to the control gate of the memory cell of non-selection during write operation, voltage VRDEC being higher than voltage VPASS and not more than write voltage VPGM are applied to the gate of the transfer transistor. - 特許庁

書き込み時のサイドフリンジ磁界を低減し、書き込み幅が１μｍ以下という狭幅の状態でも書き込みトラック位置と読み出しトラック位置との位置関係を厳密に管理することを可能にした磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To reduce the side fringe magnetic field at the time of writing and to make strictly controllable the positional relation between a wiring track position and reading track position even in a narrow width state that a writing width is 1 μm or less. - 特許庁