「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(591ページ目) - Weblio英語例文検索

絶縁部材２の表裏両面に開口するスルーホー３３Ａ及びこのスルーホール３３Ａの開口周縁部に延在する環状のランド３３Ｂを有する導体回路３３を備えた回路基板３１であって、ランド３３Ｂの幅Ｌｗは、０．６ｍｍ≦Ｌｗ≦１．２ｍｍを満足する寸法に設定されていることを特徴とする回路基板。例文帳に追加

A circuit board 31 is provided with a conductor circuit 33 having a through hole 33A opened on both of the inside and outside of an insulating material 2 and an annular land 33B extended in an opening periphery of this through hole 33A, A width Lw of the land 33B is set to a dimension satisfying 0.6mm≤Lw≤1.2mm. - 特許庁

絶縁性の基板１２上に、電極端子６〜１１及び電気的に直列接続されたコイル１〜５が設けられ、直列接続のための電気的接続部、及びすべてのコイルからなる直列接続体の両端を、それぞれ、電極端子６〜１１と電気的に接続してなるインダクタンス可変の平滑用インダクタを用いて、降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する。例文帳に追加

The reducing type DC-DC converter is constituted by employing a smoothing inductor with a variable inductance which is constituted of coils 1-5 electrically connected in series to electrode terminals 6-11 and provided on an insulating substrate 12, while both ends of series connecting body composed of electric connecting units for the series connection and all coils are electrically connected to the electrode terminals 6-11, respectively. - 特許庁

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。例文帳に追加

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103. - 特許庁

車両用バッテリーのポストに直付けされるヒュージブルリンク１は、導電性金属製板材から形成された複数のバスバー１０と、当該複数のバスバー間を電気的に接続するように配置された可溶体部と、バスバー１０に立設されて外部接続端子となるスタッドボルト４と、バスバー１０を絶縁被覆するハウジング５と、を備えている。例文帳に追加

The fusible link 1 directly attached to a post of a vehicle-use battery is provided with a plurality of busbars 10 formed of a conductive metal plate material, a fusible element part arranged so as to electrically connect between the plurality of busbars, a stud bolt 4 erected on the busbars 10 to be an external connection terminal, and a housing 5 insulation-coating the busbars 10. - 特許庁

同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む表示装置において、駆動回路は、並列に接続されたｐチャネル型ＴＦＴ１０４〜１０６および直列に接続されたｐチャネル型ＴＦＴ１０７〜１０９を含む複数のＮＡＮＤ回路を有したデコーダ１００と、三つのｐチャネル型ＴＦＴ１１４〜１１６を含む複数のバッファを有したバッファ部１０１とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

In a display device including a pixel section and a driver circuit on the same insulator, the driver circuit comprises: a decoder 100 having a plurality of NAND circuits including p-channel TFTs 104-106 connected in parallel and p-channel TFTs 107-109 connected in series; and a buffer section 101 having a plurality of buffers including three p-channel TFTs 114-116. - 特許庁

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。例文帳に追加

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12. - 特許庁

少なくとも２層の配線層（配線パターン１７，３１）と、該配線層間に設けられたポリイミド（層間絶縁膜）２２と、配線パターン１７と配線パターン３１間を導通させる層間導通ポスト（導体ポスト）１８とを有してなる多層配線基板の製造方法であって、層間導通ポスト１８の周辺に液滴吐出方式を用いてポリイミド２２を設ける。例文帳に追加

In the manufacturing method of a multilayer wiring substrate, which is constituted of a wiring layer of at least two layers (wiring patterns 17 and 31) and a polyimide (insulating film between layers) 22 and a conductive post between layers (conductive post) 18 that conducts between the wiring patterns 17 and 31, the polyimide 22 is provided around the conductive post between layers 18, using an entrainment discharge method. - 特許庁

比較的低温で加熱加圧成形でき、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率及び難燃性の層間絶縁層を形成できるプリント配線基板用プリプレグ、並びにそれを用いて作業性良く製造できる高性能、高密度の多層プリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a prepreg for a printed circuit board moldable by hot-pressing at a relatively low temperature, having sufficient adhesiveness to conductors and giving an interlayer insulation layer having high heat-resistance, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, low water absorption and high flame retardancy, and provide a multilayer printed circuit board having high performance and high density and producible in high work efficiency by using the prepreg. - 特許庁

本発明の固体撮像装置の製造方法では、撮像領域であるＡ領域と、ＮＭＯＳトランジスタが設けられるＢ領域とに、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５, ６, ７と、ゲート電極７の側面上に設けられるサイドウォール１３と、各不純物拡散層８, ９, １０とを形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the solid-state image pickup device, gate insulating films 4, gate electrodes 5, 6, and 7, side walls 13 provided on the side faces of the gate electrodes 7, and impurity diffusing layers 8, 9, and 10, are formed in an area A which is the image pickup area and another area B in which an NMOS transistor is provided. - 特許庁

シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成された複数の素子、層間絶縁膜２およびパッド３と、パッド３に電気的に接続するバンプ電極４と、シリコン基板１の裏面ｓ２に形成され、バンプ電極４に電気的に接続する裏面電極６とを有する半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device has a plurality of elements, an interlayer insulating film 2, and a pad 3, sequentially formed on the principal surface s1 of a silicon substrate 1, and is further provided with a bump electrode 4 electrically connected to the pad 3, and a rear surface electrode 6 formed on the rear surface s2 of the silicon substrate 1 and electrically connected with the bump electrode 4. - 特許庁

金属材料からなる配線層20が表面に形成された絶縁基体10と、配線層20を被覆するめっき層30と、配線層20の金属材料の腐食速度を低減するための腐食抑制剤を含み、少なくともめっき層30の外縁部に被着されている腐食抑制層60とを備える配線基板Ｘである。例文帳に追加

The wiring board X includes an insulating base 10 whose surface is overlaid with the wiring layer 20 made of a metal material, a plating layer 30 coating the wiring layer 20, and a corrosion inhibiting layer 60 which contains a corrosion inhibitor for slowing the corrosion rate of the metal material of the wiring layer 20 and covers at least an outer edge part of the plating layer 30. - 特許庁

半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。例文帳に追加

A manufacturing method of the semiconductor pressure sensor forms on a sacrificial layer 16 a lamination structure which includes a polysilicon diaphragm 6, a polysilicon gauge resistance 4b formed on a space 13 side to be a vacuum chamber below the diaphragm, and a group of insulator films 3, 5, 7 having an etching liquid introduction hole 15 that incorporates the diaphragm and resistance and are in contact with the sacrificial layer 16. - 特許庁

次いで高誘電層２２、キャパシタ上部電極２４、ＴＥＯＳなどの誘電層２５を積層した後、白金導電体２０を残してポリシリコンプラグ１２までエッチして開口部３２を穿ち、ライナー２８を成膜して上部電極２４と絶縁した形で導電コンタクト３０を成形して上部をＴＥＯＳなどて充填３２する。例文帳に追加

Then a high-dielectric layer 22, a capacitor upper electrode 24 and a dielectric layer 25 such as TEOS are layered, etching is carried out up to the polysilicon plug 12 leaving platinum conductors 20 to form an opening 32, a liner film 28 is formed, a conductive contact 30 is formed being insulated from the upper electrode 24, and the upper part is filled with TEOS 32 or the like. - 特許庁

高周波電源１１６はラジカル発生装置に電力を供給し、密閉された金属容器と絶縁された電極を誘電体で完全に被覆し、ガス導入部から反応性ガスを含むガスを導入し、金属容器と電極間に高周波電力を印加して放電を起こし、放電によって生じた反応性ガスのラジカルを放出可能とする。例文帳に追加

The high frequency power source 116 feeds electric power to the radical generating device 115, perfectly covers a sealed metallic vessel and an insulated electrode with dielectrics, introduces gas containing a reactive gas from a gas introduction part, applies high frequency electric power to the space between the metallic vessel and the electrode to cause discharge, and releases the radical of the reactive gas caused by the discharge. - 特許庁

（ａ）ポリイミド樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂及び（ｃ）硬化剤からなる樹脂組成物と無機フィラーとを含有し、５５５ｎｍにおける光透過率が１０％以上であり、上記樹脂組成物と上記無機フィラーとの屈折率の差の絶対値が０．１５以下である半導体封止用フィルム状接着剤。例文帳に追加

The filmy adhesive for sealing the semiconductor contains a resin composition comprised of (a) a polyimide resin, (b) an epoxy resin and (c) a curing agent and an inorganic filler and has at least 10% of a light transmittance at 555 nm and an absolute value of a difference of a refractive index between the resin composition described above and the inorganic filler described above is 0.15 or less. - 特許庁

硬化物における難燃性、耐湿性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a curable resin composition excellent in flame retardancy and moisture resistance in a cured product, a cured product thereof, and a resin composition for printed wiring boards, a printed wiring board, a resin composition for flexible wiring boards, a resin composition for semiconductor sealing materials and a resin composition for an interlayer insulation material for build-up substrates, using the curable resin composition. - 特許庁

液晶パネル２５の背面を照射するバックライト２３を駆動するインバーター回路基板１を、導電部３ａがバックライト２３を収容保持するバックライトシャーシ２０の外面に近接する状態に配置し、インバーター回路基板１の露出する導電部３ａを絶縁性のカバー体１０にて覆っている。例文帳に追加

An inverter circuit substrate 1 for driving the backlight 23 with which the back surface of a liquid crystal panel 25 is irradiated is disposed in the state so that the conductive part 3a is proximate to the outer surface of a backlight chassis 20 which stores and retains the backlight 23, and the exposed conductive part 3a of the inverter circuit substrate 1 is covered with the insulating cover body 10. - 特許庁

光源素子をレイアウトし、その素子を発光させるために電気接続し通電させる導電部材を有する積層部材又は配線部材であって、絶縁性シート基材の表面に金属箔又は導電性ぺースト材を付着させ、少なくとも１つの小孔又はスリットが加工されている導電部材を有することを特徴とする導電積層体である。例文帳に追加

This conductive laminate is a laminated member or wiring member having conductive members for laying out light source elements and electrically connecting and conducting these elements in order to cause the light emission of the elements and has the conductive members which are formed by adhering metallic foil or conductive paste material to the front surfaces of insulative sheet base materials and working these materials with at least one hole or slit. - 特許庁

チップ・オン・ガラス実装部とフィルム・オン・ガラス実装部に一体で共通の異方性導電フィルムを用いると同時に、フィルム・オン・ガラス実装部にはさらに異方性導電フィルムに重ねて、絶縁性フィルム、または先の異方性導電フィルムに含まれる導電粒と粒径の異なる導電粒を含む別の異方性導電フィルムを用いる構成をとる。例文帳に追加

While an anisotropic conductive film which is united with and common to a chip-on-glass mount portion and a film-on-glass portion is used, an insulating film or another anisotropic conductive film which contain conductive particles differing in particle size from conductive particles that said anisotropic conductive film contains is used for the film-on-glass mount portion over the former anisotropic conductive film. - 特許庁

セラミック回路基板の一面上に電子部品を搭載し、この電子部品を封止用樹脂にて包み込むように封止するとともに、封止用樹脂の少なくとも一部が、セラミック回路基板の一面上に形成された電気絶縁性の保護層に密着してなる樹脂封止型電子装置において、保護層と封止用樹脂との間に、別体の部材を設けることなく、両者の密着性を向上させる。例文帳に追加

To improve the adhesion property of a protection layer and sealing resin without arranging a different member between them in a resin sealing-type electronic device where an electronic part is loaded on one face of a ceramic circuit board, the electronic part is sealed so that it is encapsulated by sealing resin, and at least part of sealing resin is formed on one face of the ceramic circuit board. - 特許庁

発熱用導電性糸で構成してあり、所定間隔で配置される横糸８と、横糸８に交差して所定間隔で編み込まれて配置される縦糸１０と、横糸８の両端部に電気的に接続するようにそれぞれ配置される電極線６と、横糸８、縦糸１０および電極線６で折り込まれた織布５を被覆する絶縁被覆層４と、を有する面状発熱体２である。例文帳に追加

The surface heating element 2 comprises weft 8 composed of a heating conductive yarn and arranged at predetermined intervals, warp 10 woven and arranged across the weft 8 at predetermined intervals, an electrode wire 6 arranged to electrically connect with both ends of the weft 8, and an insulating cover layer 4 for covering a woven fabric 5 made by the weft 8, the warp 10 and the electrode wire 6. - 特許庁

計測流路１１に取付けられ、かつ導電性の有天状ケース１の頂壁内面に圧電体２の上部電極３側を固定するとともに、前記ケース１の下方開口部には導電性の端子板５を固定して超音波振動子を構成し、前記ケース１と計測流路１１との間には電気絶縁部材１３を介在させたものである。例文帳に追加

The ultrasonic vibrator fitted to a measurement flow path 11 is configured by fixing a side of an upper electrode 3 of a piezoelectric body 2 to a top wall inner face of a conductive case 1 with ceiling and fixing a conductive terminal board 5 to a lower opening of the case 1, and an electric insulating member 13 is interposed between the case 1 and the measurement flow path 11. - 特許庁

前記絶縁本体の第１部分の後端面に、外部接続したケーブル組合せを収容するための収容開口が設置され、該ケーブル組合せのケーブルによって、第１端子モジュールは、他の電子装置と電気的接続することができ、第２端子モジュールは、その底部分から延伸した溶接部を介して、回路基板に半田付けられ電気接続する。例文帳に追加

An opening for housing a cable combination, connected with an external part, is formed at the back end surface the first part of the insulation main body, and the first terminal module can be electrically connected to the other electronic device by the cables of the cable combination, and the second terminal module is electrically connected to the circuit board by soldering through a soldering part extended from the bottom part of it. - 特許庁

回転体の角度を検出する磁気回路部品を有する角度検出器５であって、前記磁気回路部品７，８及び２２，２３を剛性の高い支持部材６及び２１に固定し、該支持部材６及び２１を、前記磁気回路部品を装着する部品装着部２ａ及び４ｃに絶縁部材１２及び３１を介して固定するようにした。例文帳に追加

An angle detector 5 having a magnetic circuit component for detecting an angle of a rotor is configured such that the magnetic circuit components 7, 8 and 22, 23 are fixed to support members 6 and 21 having high rigidity, and that the support members 6 and 21 are fixed to component mounting parts 2a and 4c for mounting the magnetic circuit components via insulating members 12 and 31. - 特許庁

赤外線吸収層４２、この赤外線吸収層４２において発生した熱を電気信号に変換する熱電変換部４１とを備える検知部Ｘ_ｉ，ｊを、画素の主要部とし、この検知部Ｘ_ｉ，ｊの複数個を熱的に絶縁して基体（１，２，４）に配列した熱型赤外線撮像装置である。例文帳に追加

In this thermal type infrared imaging device, a detection part X_i, j equipped with an infrared absorption layer 42 and a thermoelectric conversion part 41 for converting heat generated in the infrared absorption layer 42 into an electric signal is used as a main part of a pixel, and a plurality of detection parts X_i, j are thermally insulated and arrayed on substrates (1, 2, 4). - 特許庁

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、トンネルバリアとなる絶縁層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、記憶層１７が、酸化物層１８を介して、下地層或いは上層の保護層１９に接している記憶素子３を構成する。例文帳に追加

The storage medium 3 is configured in such a way that it has a storage layer 17 holding information by a magnetic state of a magnetic body, a magnetized fixed layer 31 is provided via an insulating layer 16 being a tunnel barrier for this storage layer 17, and the storage layer 17 contacts a base layer or an upper protective layer 19 via an oxide layer 18. - 特許庁

ＤＶ線（引込用ビニ−ル絶縁電線）と一体化して使用される光ケーブル及びこの光ケーブルとＤＶ線とを集合化した複合ケーブルに関し、特に所要の引張り強度を有し、生産性に優れた光／ＤＶ線複合ケーブルを構成し得る光ケーブルを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an optical cable, capable of constituting an optical/DV wire composite cable which has the required tensile strength in particular and is superior in productivity relating to the optical cable to be used, being integrated with DV wires (insulated polyvinyl chloride wires for leading-in) and the composite cable, formed by assembling this optical cable and the DV wires. - 特許庁

アンテナコイル１１は、折り曲げ可能な単一の電気絶縁フィルム又はシート１４の一方の主面に一連の第１導体１３により１又は２以上の渦巻き部１３ａが形成され、フィルム又はシート１４が渦巻き部１３ａの中心位置で折り曲げられ、折り曲げられたフィルム又はシート１４の間に膜状、箔状、シート状又は平板状に形成された磁芯部材１２が設けられる。例文帳に追加

The antenna coil 11 has one or more spirals 13a of a series of first conductors 13 formed on one main surface of a foldable single electric insulation film or sheet 14 folded at the center of the spiral 13a, a film-like, foil-like, sheet-like or flat plane-like core member 12 is provided between the folded film or sheets 14. - 特許庁

巻線を施すための巻線ボビンを用いていない場合においては、金属製もしくは導電性を有するシート材と、この両面に設けられた絶縁シート材からなり、金属製もしくは導電性を有するシートが、巻線軸のまわりを一周する導体の閉じたループを形成しないように分割されていて、コアに直接、巻き付けて用いることが可能である巻線ボビンを用いる。例文帳に追加

When a coil bobbin is used to form a coil, a coil bobbin composed of a metal or conductive sheet material and an insulation sheet provided to both surfaces of the sheet material is used, whereby the metal or conductive sheet is divided not to form a closed loop of the conductor, by making a turn around the coil axis and it is wound directly around the core. - 特許庁

電源用半導体４、チップインダクタ５およびチップコンデンサ６を含む電力変換用部品が配設される高熱伝導率の基板１であって、基材となる金属板の少なくとも１つの面に高熱伝導の絶縁層が形成され、厚みが２００μｍ以下である基板１を備えた薄型の直流電源装置１０とする。例文帳に追加

The thin DC power supply device 10 is equipped with the highly heat conductive substrate 1 provided with components for power conversion including a semiconductor 4, a chip inductor 5 and a chip capacitor 6 which are arranged thereon, while at least one surface of the substrate 1 or a metallic plate is provided with a highly heat conductive insulating layer formed thereon and whose thickness is not more than 200μm. - 特許庁

セラミックヒータは、１対の棒状のリード部、リード部の先端部同士を連結する略Ｕ字状の連結部、及び、各リード部から外周方向に突出する電極取出部を具備し、導電性セラミックからなる発熱素子と、発熱素子を保持する絶縁性セラミックからなる基体とを備える。例文帳に追加

This ceramic heater is provided with a heat generating element comprising an approximately U-shaped connecting portion connecting tip portions of a pair of rod-shaped lead portions, and electrode taking-out portions projecting to the outer peripheral direction from each of the lead portions, and composed of electrically conductive ceramic, and a base retaining the heat generating element and composed of insulating ceramic. - 特許庁

半導体装置８は下地膜１の上に形成された下層金属配線２と、下地膜１および下層金属配線２の上に形成された絶縁材料から成る有機層間膜４と、有機層間膜４の上に形成された上層金属配線７と、有機層間膜４を貫通して下層金属配線２に接続するコンタクトメタル１２を含んでいる。例文帳に追加

The semiconductor device 8 contains a lower layer metal wiring 2 formed on a base film 1, an organic interlayer film 4 composed of an insulating material formed on the base film 1 and on the lower layer metal wiring 2, an upper layer metal wiring 7 formed on the organic interlayer film 4, contact metal members 12 that are connected to the lower layer metal wiring 2 piercing the organic interlayer film 4. - 特許庁

そして、直流電源２６により薄膜電極２０にプラスの電圧を印加し、基板電極２２から半導体層１６に注入された電子を高電界強度の薄膜絶縁層１８において加速し、薄膜電極２０をトンネルして被帯電物１０に向かわせる際に、バイアス電源２８によるバイアス電圧を調整して、電子の運動エネルギーが２４．３ｅＶ未満になるようにする。例文帳に追加

In the case of applying plus voltage to the electrode 20 by a DC power supply 26, accelerating electrons injected from the electrode 22 into the layer 16 on the layer 18 having high field strength and directing the accelerated electrons to the object 10 through the electrode 20 acting as a tunnel, bias voltage from a bias power supply 28 is adjusted so that the kinetic energy of electrons becomes <24.3 eV. - 特許庁

第１および第２ソース／ドレイン領域と、該第１および第２ソース／ドレイン領域を接続する、半導体基板の中に配置されたチャネル領域と、ゲート電極とを含み、該ゲート電極は、上記第１および第２ソース／ドレイン領域間に流れる電流を制御するために、上記チャネル領域に沿って配置され、該チャネル領域から電気的に絶縁されている。例文帳に追加

A first and a second source/drain regions, a channel region disposed in a semiconductor substrate for connecting the first and the second source/drain regions, and a gate electrode are included; and the gate electrode is disposed along the channel region for controlling the current flowing between the first and the second source/drain regions and is electrically insulated from the channel region. - 特許庁

本来ポリイミド樹脂が有する耐熱性、電気絶縁性、機械強度特性、不燃性等の優れた特性を維持したまま、スクリーン印刷用オーバーコート材等の耐熱電子部品用途に適したポリイミド前駆体組成物及びこれを用いた電子部品並びに被膜形成方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a polyimide precursor composition that is useful for a heat-resistant electronic component such as an overcoat material for screening printing while maintaining excellent properties such as heat resistance, electrical insulating properties, mechanical strength properties, nonflammability, etc., which a polyimide resin essentially has and an electronic component using the same and to provide a method for forming a film. - 特許庁

上側電極部材と前記下側電極部材との間に、枠状で且つその一辺において枠外に外部接続部を一体的に突出してなる屈曲性を有する絶縁基材の上面および下面にバスバーおよび引き回し回路を設けてなる回路シートを配置した狭額縁タッチパネル。例文帳に追加

In this four-side narrow frame touch panel, a circuit sheet provided with bus bars and drawing-around circuits on the upper face and the lower face of a frame-like insulative base material 21 with flexibility integrally projecting an outside connection part to the outside of the frame in one side is disposed between an upper electrode member 1 and a lower electrode member 2. - 特許庁

樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed. - 特許庁

固体基材を、（Ａ）微粒子のゼータ電位の絶対値が１〜４５ｍＶの範囲内に制御された微粒子分散液と、（Ｂ）その微粒子の表面電荷と反対電荷のイオン性を有するポリマー溶液に、交互に浸漬することにより、基材上に微粒子とポリマーが交互に積層された微粒子積層膜を形成する。例文帳に追加

A solid base material is alternatively immersed in (A) a particulate dispersion liquid in which an absolute value of ζ potential of the particulate is controlled within a range between 1 mV and 45 mV and in (B) a polymer solution which has ionicity of opposite charge to surface charge of the particulate to form a particulate stacked film constituted by alternatively stacking the particulate and the polymer on the base material. - 特許庁

導電性繊維が面方向に連続的に接合された導電性繊維層が互いに平行に二層形成され、該二層の導電性繊維層の間に、該二層の導電性繊維層を絶縁する状態で非導電繊維層が形成されることを特徴とする織編機で一体に形成される導電性三層構造布帛が提供される。例文帳に追加

A conductive three-layer structured fabric, which is formed integrally by a knitting machine, comprises: two conductive fiber layers arranged in parallel in which a conductive fiber is continuously joined in a face direction; and a non-conductive fiber layer formed between the two conductive fiber layers so as to insulate the two conductive fiber layers. - 特許庁

この絶縁層５では、表面硬化露光プロセスにおいて、Ｉ線により表面乾燥露光された部分の表面（上端面６）のみが選択的にプレ硬化されると共に、加熱プロセスにおいて、上端面６の平坦性が維持されたまま、Ｉ線により露光されなかった部分が選択的に流動して丸みを帯びて傾斜したのち、最終的に全体が硬化する。例文帳に追加

The insulating layer 5 is selectively prehardened in the surface hardening exposure process only on the surface (top end face 6) of the segments subjected to surface drying and exposing by I rays and the segments not exposed by the I rays are selectively fluidized and inclined by having roundness while the flatness of the top end face 6 is maintained in the heating surfaces and finally the entire part is hardened. - 特許庁

ダイヤフラム電極の弾性構造及び／又は当該弾性構造に対向する固定電極に、絶縁体からなる突起構造が、当該突起構造の中の隣接する複数の突起構造によって囲まれる弾性構造の面積があらかじめ定められている大きさになるようにして立設されている静電容量型真空センサによって課題を解決した。例文帳に追加

The purpose is accomplished by this electrostatic capacitance type vacuum sensor wherein a projecting structure formed of an insulating material is erected on the elastic structure of the diaphragm electrode and/or the fixed electrode facing to the elastic structure so that the area of the elastic structure surrounded by plural adjacent projecting structures in the projecting structure can be set to a predetermined size. - 特許庁

（１）一般式（Ａ）で表わされる繰り返し単位を有するポリアミドと該ポリアミド構造中のカルボキシ基、アミノ基又はヒドロキシ基と反応し得る置換基を有する反応性オリゴマ−とを反応させて得られた共重合体、（２）少なくとも１個のアセチレン基を含む官能基を有するアセチレン化合物、および（３）有機溶媒、を必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用コーティングワニス。例文帳に追加

The coating varnish for insulation film contains (1) a copolymer produced by reacting a polyamide containing a repeating unit expressed by general formula (A) with a reactive oligomer having a substituent reactive with the carboxy group, amino group or hydroxy group in the polyamide structure, (2) an acetylene compound having a functional group containing at least one acetylene group and (3) an organic solvent as essential components. - 特許庁

ウェーハ１１中に半導体素子を形成し、このウェーハの上層に比誘電率が低い絶縁膜１６を含む多層膜１５を形成した後、上記多層膜におけるダイシングライン１２上に位置合わせマーク１３及びテストパッド１４−１，１４−２の少なくとも一方として働く金属層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor device is formed in a wafer 11, and after forming a multilayer film 15 including an insulating film 16 low in dielectric constant in an upper layer of the wafer, a metallization layer functioning as at least one side between a positioning mark 13 and test pads of 14-1, 14-2 is formed on a dicing line 12 in the above-mentioned multilayer film. - 特許庁

第１トランジスタ、第２トランジスタ、及びゲート絶縁膜が厚い第３トランジスタを有する第１半導体装置を製造する場合は、第１トランジスタの第１低濃度不純物領域６ａ、第２トランジスタの第２低濃度不純物領域６ｂ、及び第３トランジスタの第３低濃度不純物領域６ｃの順に形成する。例文帳に追加

When manufacturing a first semiconductor device having a first transistor, a second transistor, and a third transistor having a thick gate insulation film, a first lightly doped region 6a in the first transistor, a second lightly doped region 6b in a second transistor, and a third lightly doped region 6c in a third transistor are formed in this order. - 特許庁

絶縁ボビンの一方の側壁２ａに隣接して設けている２つの端末線引き出しスリットのうち、巻き終わり端末線引き出しスリット６ｂを、そのスリット入口６b1に対してスリット底部６b2がコイル本体３の巻き終わり端末線３ｂの巻回方向に対して後退する位置に存在するように傾斜して設ける。例文帳に追加

Of two terminal wire drawing out slits provided neighboring to one side side wall 2a of an insulation bobbin, a winding finish terminal wire drawing-out slit 6b is provided by inclining in order to exist the slit bottom part at the position retreating to the winding direction of the winding finish terminal wire 3b of the coil main body to the slit inlet. - 特許庁