「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(593ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、 研磨粒子、少なくとも１種の界面活性剤、水を含む研磨用組成物であって、該界面活性剤の少なくとも一つが、２つ以上の３級アミノ基と１つの親油部を含む化合物である研磨用組成物。例文帳に追加

The polishing solution is used for the chemical mechanical polishing of the barrier layer and the interlaminar insulation film of a semiconductor integrated circuit, wherein its polishing composition includes abrasive grains, at least one of surfactants, and water, and at least one of the surfactants is a compound containing two or more tertiary amino groups and one lipophile part. - 特許庁

センサ５０の長手方向と直交する断面は、内側電極５９と、該内側電極５９と空間を介して配置され、前記内側電極５９方向に可撓可能な第１外側電極６１，第２外側電極６３と、第１外側電極６１，第２外側電極６３間に配置された絶縁体６５とを有する。例文帳に追加

The section of a sensor 50 orthogonal to the direction of the length thereof includes an inner electrode 59, a first outer electrode 61 and second outer electrode 63 disposed with a space between them and the inner electrode 59 and having flexibility in the inner electrode 59 direction, and an insulator 65 disposed between the first outer electrode 61 and second outer electrode 63. - 特許庁

そこで、多層プリント配線板を組み立てる材料として、絶縁材料に導体を貼り付けた基板材料と接着層に用いるプリプレグがあることに着目し、特性の異なる材料を組み合わせる場合は、先の基板材料とプリプレグの間で特性を変えることにより、課題である積層加熱圧着の温度を単一化する。例文帳に追加

The first insulating layer 13 is constituted by a primary material with a low dielectric loss, and the second insulating layer 14 is constituted by a secondary material with a higher dielectric loss than that of the primary material. - 特許庁

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。例文帳に追加

In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b. - 特許庁

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching. - 特許庁

半導体装置１００は、シリコン基板１１０上に、離間して形成されたＮウェルソース領域１７０およびＮウェルドレイン領域１６０と、Ｎウェルソース領域１７０上からＮウェルドレイン領域１６０上にわたって形成されたゲート絶縁膜１３１を介して設けられたゲート電極１３０と、を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has, on a silicon substrate 110, an N well source region 170 and an N well drain region 160 formed apart from each other, and a gate electrode 130 provided while a gate insulating film 131 formed from above the N well source region 170 toward on the N well drain region 160 is interposed therebetween. - 特許庁

本発明は、重量平均絶対分子量が５００００〜７００００のキトサン及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、プリン体の吸収を抑制するための組成物、血中尿酸値上昇抑制用組成物、並びに高尿酸血症の予防用及び／又は改善用組成物を提供する。例文帳に追加

The composition for inhibiting the absorption of the purine body, the composition for suppressing the increase of a uric acid value in blood, and the composition for preventing and/or ameliorating the hyperuricemia each contains at least one kind selected from the group consisting of a chitosan having 50,000-70,000 weight-average absolute molecular weight and a salt thereof. - 特許庁

リン原子含有フェノール類の製造方法、新規リン原子含有フェノール類、新規フェノール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHENOL RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED ARTICLE THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEALING MATERIAL OF SEMICONDUCTOR, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE - 特許庁

電池を効率よく製造することができ、しかも、電池の製造後は、イオン透過性と電気絶縁性のいずれにもすぐれるのみならず、電極シートとの間に強い接着を有する電極シート／セパレータ接合体として機能して、高性能で、しかも、安全性にすぐれる電池を与える電池用セパレータと該電池用セパレータの製造方法、更に該電池用セパレータを用いる電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a separator which enables to manufacture a battery efficiently and has not only an excellent ion permeability and electric insulation but also high efficiency as well as high safety due to functioning as a junction of electrode/separator having strong adhesiveness between electrode sheets, and to provide a manufacturing method of the above separator and a battery using the above separator. - 特許庁

パッケージもしくは基板に搭載された高耐電圧半導体チップに封止用樹脂を塗布し、硬化させる際に、チップの電極もしくはチップからワイヤ等の配線によって接続された電極端子の少なくとも１つと、この電極端子との間で絶縁耐電圧を必要とする他の電極との間に高電圧を印加しながら樹脂を硬化させる。例文帳に追加

When a sealing resin is applied to the high withstand voltage semiconductor mounted on a package or a substrate and is hardened, the resin is hardened while applying a high voltage between at least one electrode terminal connected from the electrode of a chip or the chip by wiring such as a wire and another electrode which requires a dielectric withstand voltage between it and the electrode terminal. - 特許庁

本発明は、少なくとも金属酸化物からなる絶縁性基板１と、金属酸化物からなるガス感応体３に接するように、一定の間隔をおいて、基板上に設けられた一対の金属電極薄膜２が、金または白金を主成分とし、第二成分として鉛および／またはビスマスを含むことを特徴とする。例文帳に追加

A pair of metallic electrodes made of thin film 2 which are arranged at a constant spacing on a dielectric substrate 1 made of at least metallic oxide so as to be in contact with the substrate and a gas sensing element 3 made of metallic oxide, include gold or platinum as a principal component and lead and/or bismuth as a secondary component. - 特許庁

画素を構成する絶縁基板ＳＵＢ１上に、該画素を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同一の半導体膜で、ＴＦＴからなる検出波長域が異なる光を検出する複数の光センサＰＳＥと、光センサＰＳＥの出力に基いて画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路ＰＳＰを形成する。例文帳に追加

The image display device forms a plurality of light sensors PSE for detecting light whose detection wavelength region is different comprising a thin film transistor (TFT) on the same semiconductor film as the TFT composing pixels on an insulation substrate SUB1 composing the pixels, and a signal processing circuit PSP for generating signals controlling brightness of the pixels based on output of the light sensors PSE. - 特許庁

互いに隣接して平行であり、非腐食性材料が、それらの間において障壁又は絶縁体として機能している２つ、３つ、及び４つの電極に関し、該電極のガルバニック電流の値及び方向を計測するべく使用される電気化学統合システム（ソフトウェア、ハードウェア、及びガルバニック腐食セル）の提供。例文帳に追加

To provide an electrochemically integrated system (software, hardware, and a galvanic corrosion cell) to be used for measuring the value and the direction of the galvanic current, regarding 2, 3, and 4 electrodes of the non-corrosive material which are functioning as a barrier or an insulation material between the mutually adjacent parallel plate. - 特許庁

従って、後の下層ゲート電極層２３ｂ、２３ｃの露出表面に形成された自然酸化膜を除去する際にゲート絶縁層２２ｂ、２２ｃが同時に除去されることがなく、選択ゲートトランジスタ及びＭＯＳトランジスタのゲート電極ＳＧ、ＴＧと半導体基板２１との電気的ショートを防止することができる。例文帳に追加

Since the gate insulating layers 22b and 22c are not removed simultaneously when a native oxide layer formed on the exposed surface of the underlying gate electrode layers 23b and 23c is removed, electrical short-circuit can be prevented between the gate electrodes SG and TG of a selection gate transistor and an MOS transistor and a semiconductor substrate 21. - 特許庁

まず、絶縁基材１１上の導体層２１をパターンニング処理して配線層２１ａを形成し、ネガ型のレジストを塗布、乾燥、パターン露光してパターン露光された第一ネガ型感光層４１ａを、さらに、パターン露光された第一ネガ型感光層４１ａ上にパターン露光された第二ネガ型感光層５１ａを形成する。例文帳に追加

A conductor layer 21 on an insulating substrate 11 is subjected to patterning treatment to form a wiring layer 21a, and a negative type resist is coated, dried and patternwise exposed to form a patternwise exposed first negative type photosensitive layer 41a, on which a patternwise exposed second negative type photosensitive layer 51a is also formed. - 特許庁

液晶装置の保持容量１ｈでは、第１の電極３ｃと、ゲート絶縁膜４のうち、第１の電極３ｃと重なる部分からなる第１の誘電体層４ｃと、ドレイン電極６ｂの延設部分からなる保持容量用の第２の電極６ｃとによって第１の保持容量１ｉが形成されている。例文帳に追加

In the retention capacitance 1h of a liquid crystal device, a first retention capacitance 1i is composed of a first electrode 3c, a first dielectric layer 4c comprising a part superimposed with the first electrode 3c among a gate insulation film 4 and a second electrode 6c for retention capacitance comprising extension part of a drain electrode 6b. - 特許庁

高誘電率、低誘電正接かつ絶縁性に優れた誘電体ペーストは高誘電率充填材、エポキシ樹脂、硬化剤および希釈剤を必須成分として、その高誘電率充填材の平均粒径および含有量ならびに希釈剤の含有量、沸点および蒸気圧を規定することにより達成される。例文帳に追加

The dielectric paste having the high dielectric constant, the low dielectric tangent and the excellent insulating property is attained by prescribing the mean grain size and content of a high dielectric-constant filler and the content, boiling point, and vapor pressure of a diluent while using the high dielectric-constant filler, an epoxy resin, a curing agent, and the diluent as essential components. - 特許庁

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。例文帳に追加

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer. - 特許庁

本発明の半導体装置は、第１配線を有する第１配線層と、第１配線層上に第１絶縁層を介して形成された第２配線を有する第２配線層とを備え、平面的又は断面的に見たときの外接円の直径が４０ｎｍ以下である微小突起を第２配線層又はその上層に備えることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a first wiring layer having first wiring, a second wiring layer having second wiring formed on the first wiring layer via a first insulating layer, and minute projections whose circumscribed circles having a diameter not larger than 40 nm as seen in a plan view or in a cross-sectional view on the second wiring layer or on the upper layer thereof. - 特許庁

インキや塗料の分野で利用されたとき、チタンブラックの濃度が高い場合及びチタンブラックの粒子径が微細な場合であっても、流動性や分散安定性が良好で、非常に高い絶縁性を有する組成物を得ることができる処理チタンブラック及びその分散体、並びに、チタンブラックの処理に適したチタンブラック処理用化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a treated titanium black which can provide a composition having a good flowability and dispersion stability and very high insulation properties even in the cases where titanium black has a high concentration and it has a fine particle size when utilized in the fields of ink and coatings, and to provide a dispersion thereof, and a compound for treating titanium black suitable for treating the same. - 特許庁

半導体ウェル中に形成されたＭＯＳトランジスタ型電気ヒューズのプログラム方法において、ゲート電極に第１の電圧を印加し、ソース・ドレイン領域の一方に第１の電圧と異なる第２の電圧をかけ、ゲート電極とソース・ドレイン領域の一方との間のゲート絶縁膜のみを実質的に短絡させる。例文帳に追加

In a method of programming a MOS transistor electric fuse formed in a semiconductor well, a gate electrode and a gate insulating film formed between the gate electrode and one of source and drain regions are substantially short-circuited by applying a first voltage to the gate electrode and a second voltage which is different from the first voltage to one of the source and drain regions. - 特許庁

隙間を介して相対する第１プリント基板２１と第２プリント基板２２とで挟持されたときに弾性変形して、第１プリント基板２１の複数の電極２１ａと第２プリント基板２２の複数の電極２２ａとを導通させる複数の弾性導電体５が、絶縁板３に支持されている。例文帳に追加

A plurality of elastic conductors 5 to conduct a plurality of electrodes 21a of a first printed circuit board 21 and a plurality of electrodes 22a of a second printed circuit board 22 by elastic deformation when pinched by the first printed circuit board 21 and the second printed circuit board 22 opposed through a gap is supported by an insulating plate 3. - 特許庁

ガラス基板を用いて、その上に半導体膜や絶縁膜を積層して形成する薄膜素子を形成する工程において必要となる熱処理を、該基板に熱的な損傷を与えることなく行うために、薄膜素子が形成される基板の特定部分にパルス光の吸収が可能な光吸収層を局所的に形成して熱処理を行うものである。例文帳に追加

In order to perform a heat treatment required in a process for forming a thin film element by forming a semiconductor film and an insulating film on a glass substrate without causing any thermal damage on the substrate, a light absorption layer capable of absorbing pulse light is formed locally at a specified part on the substrate for forming the thin film element. - 特許庁

電解液、電極およびこれらを収納するケースから構成され、所定の電圧範囲内で充放電を繰り返す電気二重層コンデンサ用の電解液を、前記所定の電圧範囲の上限以上でかつ限界電圧以下で設定した電解液側の設定電圧値において、前記電解液が絶縁体となるようなイオン濃度に調整する。例文帳に追加

The electrolyte for electric double layer capacitor comprising an electrolyte, electrodes, and a case for containing them and repeating charge/ discharge within a specified voltage range is conditioned to have such an ion concentration as the electrolyte becomes an insulator at a voltage on the electrolyte side set not lower than the upper limit of the specified voltage range and not higher than a limit voltage. - 特許庁

中心領域は、中心領域の表面に設けられているボディ領域２７と、そのボディ領域２７内に設けられているコンタクト領域２６と、そのコンタクト領域２６に電気的に接続されているソース電極３６と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域２６と終端領域の間に設けられている絶縁体領域２８を備えている。例文帳に追加

The center region comprises: a body region 27 formed on the surface of the center region; a contact region 26 formed in the body region 27; a source electrode 36 electrically connected to the contact region 26; and an insulator region 28 formed between the contact region 26 arranged at the furthest terminal side and the terminal region. - 特許庁

基板上に第一電極膜、半導体膜、第二電極膜の順に積層された単位セルが複数個直列に接続された薄膜太陽電池を製造する方法に関し、安定して高い第一電極膜と第二電極膜との間の絶縁抵抗を得ることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film solar cell, which can stably obtain high insulation resistance between first electrode films and second electrode films, in a method of manufacturing the thin film solar cell formed by connecting a plurality of unit cells each constituted by laminating the first electrode film, a semiconductor film and the second electrode film on a substrate in the order in series. - 特許庁

半導体基板の表面上に、絶縁性材料から成る膜を堆積する工程と、前記膜の膜厚、あるいは膜厚および組成を測定する工程と、測定された結果に基づいて、窒化条件または酸化条件を設定する工程と、設定された前記窒化条件または前記酸化条件に基づいて、前記膜に窒化処理または酸化処理を行う工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The method comprises the steps of depositing the film of an insulative material on the surface of a semiconductor substrate, measuring the thickness of the film or the thickness and composition of the film, setting nitrifying or oxidizing conditions, and nitrifying or oxidizing the film on the basis of the set nitrifying or oxidizing conditions. - 特許庁

透明基板上に形成されたブラックマトリックス層、前記ブラックマトリックス層により区画された前記透明基板上の画素領域に形成された複数色の着色画素、及び前記ブラックマトリックス層上に形成されたスペーサを具備する液晶表示装置用カラーフィルタにおいて、前記スペーサが、赤色層、青色層、及び絶縁層からなる積層体を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The color filter for a liquid crystal display includes: a black matrix layer formed on a transparent substrate; color pixels in a plurality of colors formed in pixel regions on the transparent substrate segmented by the black matrix layer; and a spacer formed on the black matrix layer, wherein the spacer includes a laminate comprising a red layer, a blue layer and an insulating layer. - 特許庁

電気泳動用の電極１０５および１０６、ならびに、第１媒体１２０を載置するための分離部１０３を備えた電気泳動兼転写装置１００において、分離部１０３上に、転写用電極として、互いに絶縁され、かつ、電極１０５および１０６が電圧を印加する方向に沿って並べられた複数の電極領域を有したストライプ電極１０８を設ける。例文帳に追加

In the electrophoretic and transfer device 100 equipped with an isolation part 103 on which electrophoretic electrodes 105 and 106 and a first medium 120 are placed, a stripe electrode 108, which has a plurality of electrode regions where the electrodes 105 and 106 insulated from each other are arranged in a voltage applying direction as transfer electrodes, is provided on the isolation part 103. - 特許庁

本発明は、成形体において、表面粗度Ｒａ、引張強度及び／又は引張伸びを従来よりも向上させることができ、また、絶縁破壊強度を良好にすることができ、更に、所望により見掛け密度及び／又は粉末流動性にも優れるポリテトラフルオロエチレン粉末、並びに、ポリテトラフルオロエチレン成形用粉末の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a polytetrafluoroethylene powder which can be used for producing a molded product with improved surface roughness Ra, tensile strength and/or tensile elongation, as compared with a conventional powder and with favorable dielectric breakdown strength, and optionally further with excellent apparent density and/or powder fluidity, and a process for production of a powder of polytetrafluoroethylene for use in molding. - 特許庁

キャパシタの上部電極と層間絶縁膜中に埋め込み形成された配線とキャパシタがショートする問題やキャパシタ上のビア／配線形成時にビア底の過エッチングを防ぐことができ、高い信頼性を持つ、多層配線層内に形成されたキャパシタを有す半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacitor formed in a multi-layer wiring layer for preventing the generation of the short-circuit of the upper electrode of a capacitor and wiring and the capacitor embedded in an inter-layer insulating film, or the excessive etching of a via bottom at the time of forming via/wiring on the capacitor with high reliability. - 特許庁

第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, an insulation layer with a connection hole formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and a third conductive layer connected to the first conductive layer and the second conductive layer and having at least a part of its end formed inside the connection hole. - 特許庁

電気絶縁性シートを、表面に誘電体層を有する対極ロールと接触させながら、前記シート表面に放電雰囲気を曝露する放電処理方法にあって、前記対極ロールからの剥離点から見て搬送方向の上流側および下流側のシート表面を除電する上流側除電および下流側除電を行なう。例文帳に追加

Upstream-side static elimination and downstream-side static elimination for eliminating static from the sheet surface on the upstream side and the downstream side in the carrying direction as viewed from the separation point from the counter electrode roll are executed. - 特許庁

この導通用孔５に導電ペ−スト又は導電インキを充填して導通部６を形成し、次に一方の導体層１に所要の配線パタ−ンを形成する為に必要な溝７を形成した後、この溝７を利用してレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に溝８を形成する。例文帳に追加

The through-holes 5 are filled with a conductive paste or a conductive ink to form conductor sections 6, and after grooves 7 needed for forming required wiring patterns are formed in the conductor layer 1, grooves 8 are formed utilizing the grooves 7 in the insulation base 2 by laser beam machining, plasma etching or wet etching. - 特許庁

キャパシタとこのようなキャパシタを有するＤＲＡＭは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第１の層２と、第１の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第２の層３と、導電性ペロブスカイト物質の第１および第２の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層１とを有する。例文帳に追加

A capacitor and a DRAM having this capacitor include a first layer 2 of a conductive doped perovskite material, a second layer 3 of an anti- conductive doped perovskite material, and a depletion layer 1 formed in the interface between the first and second layers made of the conductive perovskite material and constituting the insulating layer of the capacitor. - 特許庁

可動機構を備える位置決め装置において、前記可動機構は、導電体である固定部および可動部を具備する可動機構であって、前記固定部は、前記可動部をともなってコンデンサを構成する電極を有し、前記電極は、前記固定部から絶縁されたガード電極により囲まれるように構成される。例文帳に追加

In the positioning device equipped with a movable apparatus, the movable apparatus has a fixed and a moving portion of an electric conductor, the fixed portion has an electrode comprising a capacitor with the moving portion, and the electrode is constituted so as to be surrounded by guard electrodes insulated from the fixed portion. - 特許庁

隔壁部材２にて区画された凹部（符号Ａ参照）に絶縁性液体４や帯電粒子５を充填し、不図示の基板を貼り付けて電気泳動表示装置を製造する際、第１電極３ａと第２電極３ｂとの間に所定範囲の周波数の交流電圧を印加して、帯電粒子５を凹部面側へ引き付けておく。例文帳に追加

When recessed parts A partitioned with partition members 2 are charged with insulating liquid 4 and electrified particles 5 and an unillustrated substrate is stuck to manufacture an electrophoretic display device, an AC voltage having a frequency within a specified range is applied between a 1st electrode 3a and a 2nd electrode 3b to attract the electrified particles 5 to a recessed part surface side. - 特許庁

絶縁性基材１の表面に複数個のＬＥＤ用電極部をマトリックス状に配置したＬＥＤ表示用基板であって、前記ＬＥＤ用電極部は、全体で円形状を成すリード電極で構成され、その周囲がレジスト膜８の端縁で構成される環状の壁によって囲まれることを特徴とする。例文帳に追加

A substrate for an LED display is an insulating substrate 1 where a plurality of electrode parts for LEDs is arranged in a matrix form on the surface, and the electrode parts for LEDs are characterized in that they are constituted of lead electrodes forming a circular shape on the whole and are surrounded by an annular wall of which the periphery is formed of an edge of a resist film 8. - 特許庁

第１の半導体レーザ１１１から出射され、対物レンズ２０の周辺領域を通過した光束のうち最も回折効率が高い回折光の縦球面収差ＳＡ１の絶対値が、０．００５ｍｍを下回るように抑えられるので、図２（ａ）に示すように、ＤＶＤに対して情報の記録及び／又は再生を適切に行うことができる。例文帳に追加

Since the absolute value of the longitudinal spherical aberration SA1 of diffracted light whose diffraction efficiency is the highest out of luminous flux emitted from a first semiconductor laser 111 and passing through the peripheral area of the objective 20 is restrained to be lower than 0.005 mm, the information is appropriately recorded and/or reproduced on/from a DVD as shown by figure 2 (a). - 特許庁

また、薄膜コンデンサ３の下部電極３ｂを引き出し部４を介してインダクタンス素子２の外方端部に接続すると共に、インダクタンス素子２の内方端部から外方に向けて別の引き出し部６を導出し、これら引き出し部４，６とインダクタンス素子２とが重なる部分に絶縁体層５を介設した。例文帳に追加

Besides, a lower electrode 3b of the thin film capacitor 3 is connected through a drawer part 4 to the outer terminal part of the inductance element 2, another drawer part 6 is led outward out of the inner terminal part of the inductance element 2, and an insulator layer 5 is interposed on the part where these drawer parts 4 and 6 and the inductance element 2 are overlapped. - 特許庁

金属放熱板３、４を囲んで樹脂封止部１１の表面にはグリス溜め部１４が形成され、これにより半導体モジュールの厚さ方向の膨張収縮サイクルにより上記グリスが面方向に移動しても、外気が金属放熱板３、４と絶縁シート５、６との間に侵入しにくくなっている。例文帳に追加

Since grease-collecting sections 14 are formed to the surfaces of the resin-sealing sections 11 while surrounding the heatsinks 3 and 4, the outside air is difficult to intrude among the heat sinks 3 and 4 and the insulating sheets 5 and 6, even if grease moves in the face direction by expansion/contraction cycle in the thickness direction of the semiconductor module. - 特許庁

本発明の樹脂粒子を用いて製造される硬化物は、強靭な機械的特性、優れた電気的特性等が要求される用途、例えばコイル、配線板、半導体等の電子・電気用の絶縁材料、浄化槽、浴槽、壁パネル、プレジャーボート等の住宅機器用成形材料、波板、パイプ等の工業用材料として利用され得る。例文帳に追加

A cured product produced from the resin particles can be used for uses which require strong mechanical characteristics, excellent electric characteristics, and the like, for example, insulation materials for electric or electronic parts such as coils, wiring boards or semiconductors, molding materials for household appliances such as septic tanks, bathtubs, wall panels or pleasure boats, or industrial materials such as corrugated sheets or pipes. - 特許庁

シリコン基板５に設けられる導電性パッド３と、ガラス基板６に設けられる導電性パッド４との間に電圧を印加していない状態では、液体金属２が空洞部１０の電気接点部６３上にはあるが、電気接点部６４上にはないので、電気接点部６３，６４間は絶縁状態である。例文帳に追加

In a state that a voltage is not applied across a conductive pad 3 mounted on a silicon substrate 5 and a conductive pad 4 mounted on a glass substrate 6, since a liquid metal 2 is on an electrical contact 63 of a cavity 10 and is not on an electrical contact 64, there is electric insulation between the electrical contacts 63, 64. - 特許庁

本発明によるＳｉＧｅ／ＳＯＩ構造を形成する方法は、埋め込み酸化物層を含む絶縁体上シリコン基板を提供する工程と、基板にシリコンゲルマニウム層を堆積する工程と、基板上の該シリコンゲルマニウム層を少なくとも１０５０℃の温度で少なくとも１秒の時間、アニーリングする工程とを包含する。例文帳に追加

A method to form a SiGe/SOI structure contains a process in which an on-insulator silicon substrate comprising a buried oxide layer is provided, a process in which a silicon germanium layer is deposited on the substrate and a process in which the silicon germanium layer on the substrate is annealed for a time of at least 1 sec at a temperature of at least 1,050°C. - 特許庁

この発明に係る電動機の回転子は、回転子のマグネット及びシャフトが樹脂部により一体化されて形成される回転子樹脂組立と、シャフトの外周に形成される樹脂部の軸方向両端面に配置される一対の転がり軸受けと、一対の転がり軸受けの少なくともいずれか一方と、シャフトとの間に設けられる絶縁部品を備えたものである。例文帳に追加

A rotor of an electric motor includes: a rotor resin assembly formed by integrating a magnet of the rotor and a shaft using a resin part; a pair of rolling bearings provided in both end surfaces in an axial direction of the resin part formed on the outer circumference of the shaft; and an insulation component provided between at least one of the rolling bearings and the shaft. - 特許庁