「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(596ページ目) - Weblio英語例文検索

保護回路基板（７）と板状のＰＴＣ素子（８）とを絶縁性の両面テープ４１によって積層方向に接着し、この保護回路基板（７）とＰＴＣ素子（８）とからなる積層体を、発電要素がラミネートシートによって外装されてなる素電池３の封止部（３４，３５）に囲まれた封止部空間３６に配設する。例文帳に追加

The protection circuit board 7 and the plate-shaped PTC element 8 are bonded in the laminated direction with an insulating adhesive double coated tape, a laminate comprising the protection circuit board 7 and the PTC element 8 is arranged in a sealing part space 36 enveloped by sealing parts 34, 35 of a unit cell 3 formed by covering a power generating element with a laminated sheet. - 特許庁

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。例文帳に追加

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side. - 特許庁

波長走査干渉計は、前記光源から射出される光束の波長が互いに等しい時刻である第１時刻およびその後の第２時刻と、前記第１時刻、前記第２時刻のそれぞれにおける前記干渉光の信号の周波数である第１周波数、第２周波数とに基づいて、前記被検体の移動による誤差成分が低減された絶対距離を算出する処理部を備える。例文帳に追加

The wavelength scanning interferometer comprises a processing unit for calculating an absolute distance, in which an error component derived from movement of the object is reduced, on the basis of first time and subsequent second time at which the light flux emitted from the light source has the same wavelength, and a first frequency and a second frequency respectively corresponding to frequencies of the signal of the interference light at the first time and the second time. - 特許庁

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。例文帳に追加

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon. - 特許庁

絶縁性基板１００上の第１の導電体１０１上に、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、溶媒及び樹脂を含む導電性ペースト１０２を配置し、溶媒を気化させて導電性ペースト１０２中に含まれる導電性を有する粒子１０３同士を接触させ、導電性ペースト１０２の導電性を向上させる。例文帳に追加

A conductive paste 102 including conductive particles each of which has a size of 0.1 to 10 μm, a solvent and a resin is arranged on a first conductor 101 on an insulating substrate 100, and the solvent is vaporized to bring the conductive particles 103 included in the conductive paste 102 into contact with one another to improve conductivity of the conductive paste 102. - 特許庁

延出した電源コード（絶縁電線）１２を有するＴＶ（載置用の電気機器）１０がＤＶＤプレーヤ（被載置体）２０に載置されたときにＴＶ１０をＤＶＤプレーヤ２０に固定する際、ＤＶＤプレーヤ２０に、電源コード１２を掛止可能な掛止部２３を設け、電源コード１２を掛止部２３に掛止してＴＶ１０をＤＶＤプレーヤ２０に固定するようにした。例文帳に追加

For securing a TV (mounting electric apparatus) set 10 having an extended power cord (insulated electric wire) 12 on a DVD player (mounting body) 20, the DVD player 20 is provided with a hook 23 for hooking the power cord 12 so that the power cord 12 is hooked on the hook 23 to secure the TV 10 on the DVD player 20. - 特許庁

絶縁膜６に電子供給層４を露出させる開口６０を形成する際に、半導体と接触しているＳｉＮ膜６Ａがサイドエッチングされることで、開口６０の電子供給層４側の内周面６１とゲート電極７との接触が回避され、しかもゲート電極７の周囲にＩｎＧａＰ層４Ｂのみを露出させることができる。例文帳に追加

When forming, on the insulation film 6, an opening 60 for exposing the electron supply layer 4 therefrom, the SiN film 6A in contact with a semiconductor is side-etched, whereby contact between an inner peripheral surface 61 of the opening 60 on the electron supply layer 4 side and a gate electrode 7 is avoided, and only the InGsP layer 4B can be exposed around the gate electrode 7. - 特許庁

第１の配線２の第１のパッド５と第２の配線３の第２のパッド６とに挟まれた第３の配線４に、予め絶縁体からなるシルク印刷部８が設けられているので、第１のパッド５と第２のパッド６とを半田等で接続することによって、第１の配線２と第２の配線３とのクロスパターン配線を容易にできる。例文帳に追加

Since a silk printing portion 8 made of an insulator is formed beforehand in a third wiring 4 sandwiched between a first pad 5 of a first wiring 2 and a second pad 6 of a second wiring 3, a cross pattern wiring between the first wiring 2 and the second wiring 3 can be easily formed by connecting the first pad 5 and the second pad 6 with solder or the like. - 特許庁

透明基板１上に、透明電極層２を形成し、その上に、発光層のバインダー樹脂と同一組成の樹脂からなるバリヤー層３を形成し、その上に、窒化物コーティングされた蛍光体を用いた発光層４を形成し、その上に、絶縁層５と背面電極層６を順次積層してＥＬシートを構成する。例文帳に追加

The EL sheet is constituted of the laminating one by one of forming a transparent electrode layer 2 on a transparent substrate 1, forming of a barrier layer 3, which consists of a resin of the same composition to the binder resin of the luminescence layer on it, forming the luminescence layer 4 using the nitride-coated fluorescent substance on it, and forming an insulating layer 5 and an back electrode layer 6 on it. - 特許庁

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板１１の主面に対し垂直方向に形成された細孔１２の孔壁表面を多孔質化して多孔質層１５を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層１６を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質１７を充填する金属充填工程とを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore. - 特許庁

熱パッファ室内に流入するアークガスを案内して熱パッファ室内の絶縁媒体と攪拌混合させるフローガイド装置を備えたガス遮断器であり、フローガイド装置は、ノズルの形状を滑らかにしたもの、熱パッファ室内でアークガスの流れを偏向案内して渦を発生させる偏向板を備えている。例文帳に追加

The gas circuit breaker is provided with a flow guiding device which guides arc gas to flow into a heat puffer chamber and agitates/mixes the arc gas with an insulation medium in the heat puffer chamber, and the flow guiding device is provided with a nozzle smooth in shape and a deflecting board which deflects/guides the flow of the arc gas in the heat puffer chamber and generates a vortex. - 特許庁

高周波電源は、整合器での電圧を検出し、この電圧が所定の電圧値を越えないように電力を抑制する構成を有し、電極板に印加される電圧に応じて必要十分な高周波電源の出力制限を行うことにより、ウエハステージ誘電体膜の絶縁破壊を防止できる。例文帳に追加

The high frequency power source is configured so as to detect a voltage at a matching transformer and to control power such that a voltage does not exceed a predetermined voltage, and it limits the high frequency power source to a necessary and sufficient level in accordance with a voltage applied to an electrode board, thus making it possible to prevent the wafer stage dielectric film from being electrically broken down. - 特許庁

電池に備えられたキャップ３４と前記第２の端子板１３との接続、及び電池に備えられた発電体３１の正極材と前記第１の電極板１２との接続は、透孔１ａを有する絶縁板１の表裏に取り付けられた第１の電極板２及び第２の電極板３を介して行う。例文帳に追加

The connection between a cap 34 provided in the battery and the second terminal plate 13 and the connection between the positive material of a power-generating body 31 provided in the battery and the first electrode plate 12 is carried out via a first electrode plate 2 and a second electrode plate 3 attached to the front and the back of an insulating plate 1 provided with a through-hole 1a. - 特許庁

電極２ａ，２ｃの表面を絶縁膜８ａ，８ｂで覆うことにより、誘電性液体３の静電容量に対して並列な等価並列抵抗は十分大きく漏れ電流を低減させることができ、等価並列抵抗に流れる直流成分を実質上カットし、容量検知型加速度センサの温度特性を向上することができる。例文帳に追加

By covering each surface of the electrodes 2a, 2c with insulating films 8a, 8b, leakage current can be reduced because an equivalent parallel resistance parallel to the capacitance of the dielectric liquid 3 is sufficiently high, and a direct current component, flowing in the equivalent parallel resistance, is cut significantly, and thereby, the temperature characteristic of the capacity detection type acceleration sensor can be improved. - 特許庁

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。例文帳に追加

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film. - 特許庁

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。例文帳に追加

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique. - 特許庁

電力の消費を飛躍的に低下させ、導電性のある銅、真鍮、ニッケル、鉄などの金属基板のみならず、ガラス、プラスチック、セラミック等の絶縁体基板にアルミニウムめっきすることができ、しかも複雑な形状の物質にアルミニウムめっきすることも可能となる、アルミニウムの無電解めっき浴及びアルミニウムの無電解めっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless plating bath for aluminum and an electroless plating method for aluminum where the consumption of electric power is remarkably reduced, aluminum plating can be performed not only to a substrate of metal such as copper, brass, nickel and iron having electrical conductivity but also to a substrate of an insulator such as glass, plastics and ceramics, and further, aluminum plating can be performed even to a material with a complicated shape. - 特許庁

本発明の実施形態にかかる半導体装置は、ゲート絶縁膜を介して基板の表面を第１導電型チャネル領域から酸化膜の一部までを覆い、且つ、第１導電型チャネル領域と酸化膜との間に開口部を有するゲート電極と、この開口部下の基板に形成された第２導電型ドリフト領域の第２の部分とを有する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: a gate electrode that covers a surface of a substrate from a first-conductive-type channel region to a portion of an oxide film via a gate insulating film and has an opening between the first-conductive-type channel region and the oxide film; and a second portion of a second-conductive-type drift region formed in the substrate under the opening. - 特許庁

インライン型プラズマＣＶＤ装置において基板を搬送するための基板搬送カートは、１辺が９０ｃｍ以上の矩形の基板を保持し得る基板電極１６ａと、その基板電極１６ａに保持された基板１と対面して配置されかつ絶縁部材１６ｃを介して基板電極１６ａと一体に結合される対向電極１６ｄを含んでいる。例文帳に追加

The substrate transfer cart for transferring a substrate in the in-line type plasma enhanced CVD system has a substrate electrode 16a capable of holding a rectangular substrate of a size of ≥90 cm per side and a counter electrode 16d which is disposed in a manner to face a substrate 1 held by the substrate electrode 16a and is integrally connected to the substrate electrode 16a via an insulating member 16c. - 特許庁

隔壁板は挿入アームを二つ備え、それぞれに収容溝に挿入され、隔壁板を絶縁本体に固定させ、隔壁板を端子の接続部および溶接部までに押圧し、各端子の溶接部は隔壁板の外力によって、同一平面にすることができるので、後続きの溶接加工をすることは容易になる。例文帳に追加

A partition wall plate is provided with two insertion arms, each inserted into the storage groove, fixing the partition wall plate to the insulation main body and pressing it down to the connecting part and the welded part, and the welded part of each terminal can be made on the same plane by external force of the partition wall plate, so that a succeeding welding process becomes easier to carry out. - 特許庁

ソースと基板電位とを同一にし、半導体基板１０１とＰウェル１０２との間に、キャリア調整用導層１０３が備えられ、キャリア調整用導電層１０３とＰウェル１０２間で正孔の注入あるいは吸引を行うようにするキャリア調整用絶縁層１０４が、上記キャリア調整用導電層１０３とＰウェル１０２間に備えられている。例文帳に追加

The potential of a source is set to the same potential of a substrate, a carrier adjusting conductive layer 103 is formed between the semiconductor substrate 101 and a p-well 102, and a carrier adjusting insulating layer 104 for injecting or sucking positive holes between the conductive layer 103 and the p-well 102 is formed between the conductive layer 103 and the p-well 102. - 特許庁

本発明に係るパワー半導体モジュールは、放熱板１と、放熱板１上に取り付けられた回路基板２と、回路基板２上に設けられた導電パターン１０と、導電パターン１０を覆う低誘電率膜１１と、回路基板２を囲うように放熱板１上に設けられたケース７と、ケース７内に充填された柔軟絶縁物９とを有する。例文帳に追加

The power semiconductor module according to the present invention comprises: a radiating plate 1; a circuit substrate 2 mounted on the radiating plate 1; a conductive pattern 10 provided on the circuit substrate 2; a low dielectric constant film 11 covering the conductive pattern 10; a case 7 provided on the radiating plate 1 covering the circuit substrate 2; and a flexible insulator 9 filled in the case 7. - 特許庁

半導体装置は、溶断部１０１ａを有するポリシリコンヒューズ１０１を備え、溶断部１０１ａ上に凹部１０６ａを有する層間絶縁膜１０６と、凹部１０６ａ上に開口部１０７ａを有する表面保護膜１０７と、凹部１０６ａ及び開口部１０７ａを充填する緩衝膜１０８と、封止樹脂層１０９とが順次積層されている。例文帳に追加

The semiconductor is provided with the polysilicon fuse 101 having a blowout section 101a, an interlayer insulating film 106 having a recess 106a on the blowout section 101a, a surface protective film 107 having an opening section 107a on the recess 106a, a buffer film 108 with which the recess 106a and the opening 107a are filled, and a sealing resin layer 109 are sequentially laminated. - 特許庁

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。例文帳に追加

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11. - 特許庁

主体金具５０に保持された絶縁碍子１０は、後端側胴部１８に軸線Ｏと直交する曲げ方向への外力を受けた場合、パッキン６を介し加締部５３により支持される位置Ｃが支点として働き、その位置Ｃと、パッキン８を介し棚部５６に支持される位置Ｂとの間に応力が加わる。例文帳に追加

In the insulator 10 retained by the subject metal fittings 50, a position C supported by a crimping section 53 is operated via a packing 6 as a fulcrum when receiving external force on a rear end side trunk section 18 in the bending direction orthogonal to an axis line O, and stress is added between the position C and a position B supported on a shelf section 56 via the packing 8. - 特許庁

突極１１を具備してなるステータ１０において各突極１１にステータ巻線を保持するための、ステータの突極構造であって、ステータ巻線をなすコイルエレメント１２と、コイルエレメント１２を突極１１上の所定位置に保持するための絶縁体製の保持部材１３と、保持部材１３をステータ１０に対して係止するための係止部材１４と、を具備して構成されてなる。例文帳に追加

This salient pole structure of stator, retaining the stator winding on respective salient poles 11 in a stator 10 having the salient poles, comprises a coil element 12 which forms the stator winding, a retaining member 13 made of an insulation body which retains the coil element 12 at a prescribed position on the salient pole 11, and a locking member 14 which locks the retaining member 13 with respect to the stator 10. - 特許庁

本発明は、複数の熱電素子１７が一対の電極板１４，１５で直列接続された熱電モジュール１０ａと、この熱電モジュール１０ａの一方の電極板１４が絶縁樹脂層１３を介して接合された金属製底板１１と、この金属製底板１１の外周囲部にハンダ１８により接合された金属製枠体１２とからなる。例文帳に追加

The package includes: a thermoelectric module 10a, wherein a plurality of thermoelectric elements 17 are serially connected by a pair of electrode plates 14 and 15; a metal bottom plate 11 to which one electrode plate 14 of this thermoelectric module 10a is joined through an insulating resin layer 13; and a metal frame 12 joined to the periphery of this metal bottom plate 11 with a solder 18. - 特許庁

砥粒の突出量を容易に調整することができ、砥粒の先端がすべて外方を向き、半導体デバイスの層間絶縁膜、金属配線などのケミカルメカニカルポリッシング用の研磨パッドのコンディショニングに際して、研磨パッドが金属により汚染するおそれがなく、砥粒の脱落によりウェーハ表面を傷つけるおそれがない、コンディショニング効率の優れたコンディショナの製造方法を提供する。例文帳に追加

To facilitate manufacture of a conditioner used in conditioning a polishing pad by forming a hole having a passage communicating with the outside of a matrix in the surface of the matrix, decompressing the gas passage to suck and hold abrasive grains in the hole, and filling the matrix with a binder in such a state to be sintered. - 特許庁

更に、絶縁基板上の固定電極に対向するダイヤフラム電極の弾性構造の表面上に複数の突起構造を形成し、真空センサが測定する気体の圧力が下がった場合に、それまで固定電極に押しつけられていた弾性構造が確実に固定電極から離れ得るようにして課題を解決した。例文帳に追加

A plurality of projecting structures are formed on the surfaces of the elastic structures of the diaphragm electrode opposite to the fixed electrode on the insulating substrate and, when the gas pressure to be measured by a vacuum sensor decreases, the elastic structures pressurized against the fixed electrode are surely separated from the fixed electrode. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable. - 特許庁

回路パターンを形成後パラジウム２０が現れた積層体１０を、溶解化剤としての１Ｖ％アンモニア水に硫化化合物を１重量％溶解したパラジウム不活性化処理液に浸漬することによって、絶縁層１８の表面のパラジウムイオン２０が不活性化されて触媒としての機能を失うことになる（図２の工程Ａ）。例文帳に追加

After a circuit pattern is formed, a laminated body 10 in which a palladium appears is dipped in a palladium inactivating treatment liquid where 1 V% ammonium liquid as a dissolving agent is dissolved by 1 wt.% sulfide compound, so that palladium ions on the surface of an insulation layer are inactivated and their catalytic function is lost. - 特許庁

本願発明は、絶縁ゲート型パワー系トランジスタ等をチップ内に具備する半導体装置であって、ゲート保護素子は双方向ツェナーダイオードを具備し、前記双方向ツェナーダイオードは、そのゲート側がマイナスバイアスされたときの耐圧と、そのゲート側がプラスバイアスされたときの耐圧とは相互に異なるように、複数の濃度の異なるＰ型不純物領域（またはＰ型不純物領域）を有する。例文帳に追加

The bidirectional zener diode includes multiple P-type impurity regions (or N-type impurity regions) having different concentrations from each other such that breakdown voltage when the gate side is negatively biased and breakdown voltage when the gate side is positively biased are different from each other. - 特許庁

一枚の高分子電解質膜の片方の面上に正極層を有し、他方の面上に負極層を有する電極積層体を、電子伝導性の層を介して積層した構造をもつバイポーラ電池において、電子伝導性層が、絶縁性高分子と電子伝導性フィラーを主に含むことを特徴とするバイポーラ電池。例文帳に追加

Of the bipolar battery 1 having a structure of laminating electrode lamination bodies formed by laminating a positive electrode layer 5 on one face of a sheet of polymer electrolyte film 3 and a negative electrode layer 7 on the other face through an electron conductive layer, the electron conductive layer 11 contains mainly an insulating polymer and an electron conductive filler. - 特許庁

寄生容量抽出手段１３は、レイアウトパターンデータ３４及び抽出ルール３５に基づき、フィルメタルパターンに関連した寸法情報に回帰式情報の回帰式を適用しながら、置換絶縁体に付随する寄生容量の寄生容量値を求め寄生容量情報３７を出力する。例文帳に追加

A parasitic capacity extraction means 13 determines the parasitic capacity value of the parasitic capacity attached to the substituted insulator, based on layout pattern data 34 and an extraction rule 35, while applying the regression equation of the regression equation information to the dimension information related to the fillmetal pattern, and outputs parasitic capacity information 37. - 特許庁

次に、東アジア域内の各地域の収益状況を税引後利益額の推移で見てみると、2000年度では、中国における税引後利益額の東アジア地域全体のシェアは17.8％まで急伸しており、日本企業の収益源として、中国のプレゼンスが急速に高まっていることがわかる。ただし、絶対額で見れば、日本企業の収益源としてASEAN４及びNIEsの位置づけは依然大きいことがわかる（第2-2-6図）。例文帳に追加

Considering the earnings performance in East Asia by region from the viewpoint of trends in after-tax profits, the percentage of the profits in China to those in the entire East Asian region rapidly expanded to17.8%. It is clearly indicates that the presence of China as a source of profits for Japanese companies has been rapidly increasing, however, in absolute amounts, the role of ASEAN 4 and NIEs as sources of profit remains significant (Fig. 2.2.6). - 経済産業省

インキュベータの絶対数は増えたものの、入居企業に対するソフト支援機能が遅れている。インキュベーションマネージャー等の支援担当者による起業支援を強化するため、国・自治体等はインキュベーションマネージャー等の支援担当者への実践的研修やＭＢＡ・ＭＯＴ教育との連携、そうした担当者のネットワーク化を推進することが重要である。例文帳に追加

The number of incubators has increased, but they have still been slow to provide support other than their facilities and equipment (often referred to as “soft-support”) for start-ups they accommodate. It is important especially for both the national and local governments to help incubation managers and other people in charge provide more and better support for entrepreneurs by developing more practical training for the people working for incubators, linkages with MBA and MOT education, and networks between them.  - 経済産業省

サプライチェーンが広がり、在庫削減など効率化の進展が競争力につながる一方、①災害等により供給が途絶した場合の影響（図表１－５）②取引先から技術情報が流出するリスク③自社はもとより、取引先の人材確保・技能伝承の重要性等の観点から、サプライチェーン全体を強化する視点が重要になっている。例文帳に追加

Expansion of supply chains and improvement of efficiency (e.g., reduced inventories) increase competitiveness. However, an important perspective is to strengthen the entire supply chain, in consideration of (1) Impacts of potential disruption in supplies in the event of disaster and other reason (Chart 1-5); (2) Risk of leakage of technical information from customers (e.g., suppliers). (3) Importance of securing quality human resources and preserving skills and expertise for the company itself as well as its suppliers. - 経済産業省

が、そのような歴史の発展段階の差をさしおいてみてもなお、近世において地域や共同体、各家のありように応じた生活をしていた患者を、近代国家が「癩」を強烈な伝染病と宣伝して強制収容を続け、人々の意識と社会システムを絶対的排除へと一元化していった事実は、重く受け止めなければならない。例文帳に追加

Nevertheless, there is a fact that one must ponder very seriously: it is the fact that, despite all the differences in the context of historical development, the modern nation moved, from having allowed patients in early-modern ages to live according to their circumstances of family, regions, and communities, toward calling "leprosy" a fearful infectious disease, continuing compulsory confinement, and so convincing and unifying people's minds and the social system as to reinforce the absolute segregation of patients of the disease. - 厚生労働省

彼はいつもより完成した複雑なものから、あまり完成されていない単純なものへと撤退し、それから完成していく諸段階を進みながら、微少な変化をしだいに増大し、こうしてあなたの感じる抵抗感をしだいに取り除いて、全体の絶妙な頂点は自然淘汰の成果かもしれないと認めるようにするのです。例文帳に追加

He habitually retires from the more perfect and complex to the less perfect and simple, and carries you with him through stages of perfecting, adds increment to increment of infinitesimal change, and in this way gradually breaks down your reluctance to admit that the exquisite climax of the whole could be a result of natural selection.  - John Tyndall『英国科学協会ベルファースト総会での演説』

カリウムのかけらをとって、必要なしつらえをすれば、この気体ができます。そしてかわりに亜鉛のかけらを使ってみますと、これを慎重に調べてみるとですね、この亜鉛がほかの金属みたいに水と絶えず反応を続けない理由は、水との反応の結果、亜鉛がなんだか保護する被膜みたいなもので包まれちゃうからなんですな。例文帳に追加

If I take a piece of potassium, and make the necessary arrangements, it will produce this gas; and if, instead, a piece of zinc, I find, when I come to examine it very carefully, that the main reason why this zinc cannot act upon the water continuously as the other metal does, is because the result of the action of the water envelopes the zinc in a kind of protecting coat.  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

実質的にグラファイト及び金属酸化物より形成された外部保護体を有する熱電対チューブとその内部に配置された熱電対とを有し、前記熱電対チューブが前記外部保護体内で隙間を置いて配置されて中間スペースを形成しており、該中間スペースには絶縁材と酸素還元材が配置されている、金属溶融物特に鉄又は鉄鋼溶融物中の温度を測定するための温度測定装置において、前記絶縁材と前記酸素還元材とは、粉末混合物の形で、前記熱電対チューブ（３）の周りを隙間を保って取り囲むか又は前記外部保護体（１）により隙間を保って取り囲まれている管（２）を形成していることを特徴とする温度測定装置。例文帳に追加

The insulating material and the redox material surround the periphery of the thermocouple tube 3 with a clearance, in a form of a powdery mixture, or form a tube 2 surrounded with a clearance by the outer protection body 1, in the temperature measuring instrument. - 特許庁

少なくとも１つの電極を有する遠位端と、電極駆動電源を有し生体内に設置される生体植込み刺激発生装置との接続手段を有する近位端と、前記遠位端と前記近位端に接続され、電気信号を伝達する電気導体および該電気導体の外側を被覆する絶縁被覆からなる導体部と、該導体部の一部を被環している先端と基端を有する固定部と、を有する生体植込み用電極リードであって、前記導体部の表面の一部に潤滑コート層が設けられており、少なくとも前記固定部の基端から前記電極までの導体部の表面には潤滑コート層が設けられていないことを特徴とする生体植込み用電極リード。例文帳に追加

A lubricating coat layer is provided on a part of the surface of the conductor part and the lubricating coat layer is not provided on the surface of the conductor part at least from the base end of the fixed part to the electrode. - 特許庁

絶縁体からなる基板３上に形成された誘導電極５と、基板３上に誘導電極５を覆って形成された誘電体層７と、この誘電体層７上に形成されたイオン発生電極９と、少なくともこのイオン発生電極９を覆う保護層１１とを備えてなり、保護層１１に、除電手段、すなわち、イオン発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面中央部を底面とする溝部１９が形成されている。例文帳に追加

It comprises an inducing electrode 5 formed on a substrate 3 made of a nonconductor, a dielectric layer 7 covering the induction electrode 5 on the substrate 3, an ion generating electrode 9 formed on the dielectric layer 7 and a protection layer 11 to cover at least the ion generating electrode 9. - 特許庁

）により表示を行うことが可能な表示媒体を有する表示媒体層および上記表示媒体層を保持する保持材料からなる表示層を有する表示部材と、絶縁性を有するフィルムからなる第２基材および上記第２基材の一方の表面に形成された表示電極を有する表示電極側基材と、を有し、上記表示電極側基材は、上記表示部材の上記共通電極側基材側とは反対側の表面に、上記表示電極が上記表示部材とは反対側となるように着脱可能に配置されていることを特徴とする電子ペーパーを提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The display electrode-side base material is arranged to be attached to/detached from the opposite side surface of the display member to the common electrode-side base material so that the display electrode is arranged on the opposite side of the display member. - 特許庁

表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。例文帳に追加

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof. - 特許庁