「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(590ページ目) - Weblio英語例文検索

ジビニルベンゼン、エチルビニルベンゼン及び単独重合した場合のガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下である単量体から重合される樹脂粒子の表面に金属をメッキした導電粒子と絶縁性バインダー樹脂からなる異方導電性接着フィルムの提供により長期信頼性、高い保存安定性を実現する。例文帳に追加

The anisotropic conductive adhesive film comprises a conductive particle obtained by plating the surface of a resin particle polymerized from divinylbenzene, ethylvinylbenzene and a monomer having a glass transition temperature (Tg) of ≤0°C when the monomer is homopolymerized with a metal and an insulative binder resin and realizes a long-term reliability and a high storage stability. - 特許庁

絶縁体から成る基板１２上に電極を形成するステップと、基板１２上に電極に接触する反応部１８を形成するステップと、を含むバイオセンサの製造方法において、基板１２上に電極を形成した後反応部１８を形成する前に、基板１２上にＵＶ（紫外線、ultraviolet rays）照射処理（ＵＶ照射処理）を行うバイオセンサの製造方法とした。例文帳に追加

In the method for manufacturing the biosensor including steps of forming the electrode on a substrate 12 consisting of an insulator, and forming a reaction part 18 which contacts the electrode on the substrate 12, UV (ultraviolet rays) irradiation processing (UV irradiation processing) is performed on the substrate 12 before forming the reaction part 18 after forming the electrode on the substrate 12. - 特許庁

基板５に平面コイル３、絶縁膜２および平面コイル３を挟み込む磁性体薄膜１，４を積層して構成される平面型磁気素子において、基板５に対する応力の方向が異なる薄膜６を基板裏面に設けることで、基板の持つ引っ張り応力をキャンセルし得るようにする。例文帳に追加

This planar magnetic element is constituted by stacking a plane coil 3 and magnetic body thin films 1 and 4, between which insulating films 2 and the plane coil 3 are sandwiched on a substrate 4, is provided with a thin film 6 which is different in the direction of stress to the substrate on the reverse surface of the substrate to cancel the tensile stress that the substrate has. - 特許庁

このスリット６ｂを設けている一方の側壁２ａの内面に、コイル巻装凹部５内の巻き終わり端末線３ｂがコイル本体３の最外周より内径方向に偏位した位置から絶縁ボビン２の外に出るように巻き終わり端末線３ｂをガイドする端末線ガイド凹部１３を設ける。例文帳に追加

At the inner surface of one side side wall 2a having this slit 6b, a terminal wire guide recess 13 to guide the winding finish terminal wire 3b is provided to move the winding finish terminal wire 3b in the coil winding recess 5 from the position displaced in the inner diameter direction from the outermost periphery of the coil main body, to the outer side of the insulation bobbin 2. - 特許庁

イオン源は、ガスが供給されてプラズマを生成する、導体面を有する内部空間を備えたプラズマ容器と、このプラズマ容器と電気絶縁され、内部空間の内壁面から突出し、通電することにより前記内部空間に熱電子を放出する一対の熱電子放出素子と、 一対の熱電子放出素子のそれぞれに電流を流す電源と、を有する。例文帳に追加

The ion source includes a plasma container which includes an internal space with a conductor face in which gas is supplied and plasma is generated, a pair of thermoelectron emitting elements which are electrically insulated from the plasma container and protrude from the inner wall face of the internal space and emit thermoelectrons to the internal space by current flow, and a power source which makes electric current flow respectively to the pair of thermoelectron emitting elements. - 特許庁

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。例文帳に追加

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film. - 特許庁

また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device comprises a step of forming, on the substrate 100 on which the circuit is formed, the electrode pad 200 having a protrusion part 201 connected to the circuit and protruded from the protection insulation film 300, a step of performing an operation test by contacting a probe terminal 500 with the electrode pad 200, and a step of polishing at least a surface of the protrusion part 201. - 特許庁

特に、発熱層が、粉体抵抗値１０^−４〜１０^２Ω・ｃｍの導電性粒子を樹脂固形分１００重量部に対し３０〜６００重量部含有し、かつ電気抵抗値１０^−２〜１０^４Ω・ｃｍであり、赤外線反射性を有する絶縁層が電気抵抗値１０^６Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。例文帳に追加

Especially, the heat generating layer contains 30-60 parts by weight of conductive particles with a powder resistance value of 10-4-102 Ω.cm per 100 parts by weight of a resin solid and has an electric resistance value of 10-2-104 Ω.cm and the insulating layer having infrared reflectivity desirably has an electric resistance value of 106 Ω.cm or more. - 特許庁

感光体1を摺擦する回転自在な導電性のブラシローラ６５を有し、ブラシローラ６５のブラシは、ブラシローラ６５の軸線に対し垂直な平面で切った断面に対して複数の領域ブラシローラ６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃに分かれており、それぞれの領域が電気的に絶縁されているクリーニング装置６である。例文帳に追加

The cleaning device 6 has a conductive brush roller 65 which freely rotatably rubs a photoreceptor 1, wherein a brush of the conductive brush roller 65 is divided into a plurality of regional brush rollers 65A, 65B, 65C with respect to a cross-section cut by a plane vertical to an axial line of the brush roller 65 and respective regions are electrically insulated. - 特許庁

配線パターン１０が表面に設けられたコア材１２の少なくとも一方の面上に、配線パターン１０を絶縁層１４を介して一層または複数層形成してビルドアップ層２４を形成し、ビルドアップ層２４を座ぐり加工して半導体チップ２８を搭載するための凹部４８を形成する。例文帳に追加

One or more wiring pattern layers 10 are formed, at least, on the one surface of a core material 12 where a wiring pattern 10 is provided on its surface through the intermediary of an insulating layer 14 for the formation of a build-up layer 24, and a recess 48 where a semiconductor chip 28 is mounted is provided in the build-up layer 24 by spot facing. - 特許庁

またこの無機質接着剤は前記諸性質が要求されるガラス電球を構成するガラス材料と口金、ミラー材料および磁性ベースと、ならびに点火栓を構成するセラミック材料から成る絶縁体と金属材料から成る中心電極および外箱とを接着するのに好適に用いられる。例文帳に追加

This inorganic adhesive is suitably employed for bonding components of a glass electric light bulb, namely, a glass material to a cap, a mirror material and a magnetic base, and for bonding components of an ignition plug, namely, an insulator composed of a ceramic material to a central electrode and an outer box both composed of a metallic material, where the various properties above are required. - 特許庁

タンク４の内部に変圧器本体を収容すると共に絶縁油を充填した変圧器において、シート状の防振部材１１の外周部を、押さえ枠１２とボルト１４とナット１６とを介してタンク４の内周面に圧接結合し、防振部材１１とタンク４との間に空気を封入する。例文帳に追加

In the transformer storing the transformer body in the tank 4 and filled with the insulating oil, the outer peripheral part of a sheet-like vibration-proof member 11 is pressed in contact and connected to the inner periphery of the tank 4 through a press frame 12, bolts 14 and nuts 16, and air is enclosed between the vibration-proof member 11 and the tank 4. - 特許庁

回路基板であって、その基板を一部として含む製品（例えば電気組立体）内において異なる機能（例えば電源とグラウンドの両方として）のために導電層が使用されるように、導電層の分割する部分を絶縁するために向かい合う端縁部を導電層内において形成する複数の連続して形成された開口部を含む前記回路基板。例文帳に追加

A circuit substrate is disclosed that includes multiple continuously formed apertures that form mutually facing edge parts in a conductive layer so as to insulate the divided parts of the conductive layer, such that the conductive layer, is used for a different function (e.g., both as a power supply and a ground) in a product (e.g., an electrical assembly) that includes the substrate as a part of it. - 特許庁

基板２０と、基板２０上に形成される第１の導電層２２と、基板２０及び第１の導電層２２を被覆して形成される第１の絶縁層２６と、基板２０に搭載される能動素子１０と、能動素子の電極に接続される第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とを接続する導電性ポストとを備えた半導体装置を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device includes the substrate 20, a first conductive layer 22 formed on the substrate 20, a first insulating layer 26 formed to cover the substrate 20 and the first conductive layer 22, the active element 10 mounted on the substrate 20, a second conductive layer connected to an electrode of the active element 10, and a conductive post connecting the first conductive layer 22 to the second conductive layer. - 特許庁

この半導体装置では、エピタキシャル層４Ａを覆う表面保護膜１１が高抵抗ＧａＡｓ層(素子間絶縁層)５の外周側の外周エピタキシャル層４Ａ−１の一部を覆って上記一部に接しているので、表面保護膜１１の端部の密着性が向上して外部からの水分侵入を防止できる。例文帳に追加

In this semiconductor device, the surface protective film 11 covering an epitaxial layer 4A covers a part of an outer peripheral epitaxial layer 4A-1 on the outer peripheral side of a high-resistance GaAs layer (inter-element insulation layer) 5 and contacts the part, and thereby adhesiveness of the end of the surface protective film 11 is improved, and moisture intrusion from the outside can be prevented. - 特許庁

この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。例文帳に追加

In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential. - 特許庁

またこの無機質接着剤は前記諸性質が要求されるガラス電球を構成するガラス材料と口金、ミラー材料および磁性ベース、ならびに点火栓を構成するセラミック材料から成る絶縁体と金属材料から成る中心電極および外箱とを接着するのに好適に用いられる。例文帳に追加

This inorganic adhesive is suitably employed for bonding components of a glass electric light bulb, namely, a glass material to a cap, a mirror material and a magnetic base, and for bonding components of an ignition plug, namely, an insulator composed of a ceramic material to a central electrode and an outer box both composed of a metallic material, where the various properties above are required. - 特許庁

ＰＤ１３が形成された半導体チップ１０の素子形成面側の表面に更に再配線用層間絶縁膜１３と、この上に形成された各ＰＤ１３とそれぞれ対応するＥＢＰ２１と、チップ１０上に対応するＰＤのないＤＢＰ２３と、ＰＤ１３と対応するＥＢＰ２１を接続する４１と、ＤＢＰ２３と所定のＥＢＰ２１とを接続するＤＢ再配線４３を備える。例文帳に追加

The device is provided with interlayer insulating films for rewiring 13 on a surface of an element forming face side of the semiconductor chip 10 where PD 13 is formed, EBP 21 corresponding to PD13 formed on the film, DBP 23 where corresponding PD does not exist on the chip 10, the wiring 41 connecting EBP 21 corresponding to PD13, and DB rewiring 43 connecting DBP23 with prescribed EBP 21. - 特許庁

休止モードは、基本的には高電圧を電極針4に印加しない休止期間を含み、この休止期間中に、帯電体が接近して自己放電が発生すると、これに伴って抵抗R2に流れる電流値の絶対値が第１しきい値を越えると、電極針4に高電圧を印加してイオンを発生させる除電動作を開始する。例文帳に追加

The stop mode includes a stop period in which the high voltage is not basically applied on the electrode needle 4, and during this stop period, when a charged body approaches and self-discharge is generated, and if, accompanied with this, the absolute value of current flowing in a resistor R2 exceeds a first threshold, destaticizing operation to apply the high voltage on the electrode needle 4 to generate ions is started. - 特許庁

二つの誘電体に対面するコイルは、樹脂からなるボビン１に絶縁被覆されたワイヤが巻かれてなり、該ボビンは、円筒形の筒部１ａと、筒部１ａの一端で径外方向に突出する第１フランジ１ｂと、筒部１ａの他端で径外方向に突出する第２フランジ１ｃと、第１フランジ１ｂ及び／又は第２フランジ１ｃから軸方向に突出する円錐状の突起１ｄとからなる。例文帳に追加

A coil facing two dielectrics is composed of windings of an insulator-covered wire around a resin bobbin 1 which is composed of a cylindrical tube 1a, a first and second flanges 1b, 1c projecting in the radially outward directions at one and the other ends of the tube, respectively, and conical protrusions 1d projecting in the axial direction from first and/or second flanges 1b, 1c. - 特許庁

遊技機本体１１が閉鎖されて開放検知センサ４５からの開放信号の出力が途絶したとき、判定部５６が、第１積算値記憶部５２ａ及び第２積算値記憶部７２ａに記憶されている積算値を比較し、積算値が不一致であることを判定した場合、エラー処理部５７がエラー処理を行う。例文帳に追加

When the game machine body 11 is closed and the output of the opening signal from the opening detecting sensor 45 is stopped, a determination part 56 compares the integrated values of the first integrated value storage part 52a and the second integrated value storage part 72a, and when the integrated values are determined to be a mismatch, an error processing part 57 conducts error processing. - 特許庁

基板の製造方法は、少なくとも表面に絶縁体２を有する第１の基板１に第２の基板３を結合した結合基板５を準備する工程と、結合基板５の表面に金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層４を形成し複合基板５’を作製する工程と、複合基板５’を熱処理する工程と、複合基板５’からゲッタリング層４を除去する工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing the substrate includes the stages of preparing a bonded substrate formed by bonding a 1st substrate 1 and a 2nd substrate 3 having insulators 2 at least on surfaces, forming a compound substrate 5' by forming a gettering layer 4 for capturing metal impurities on the surface of the bonded substrate 5, heat-treating the compound substrate 5', and removing the getternig layer 4 from the compound substrate 5'. - 特許庁

ケーブルのシースや絶縁体を削り取る作業が要らず、作業現場を清潔に保つことでき、コネクターとケーブルの連結作業が非常に容易で、熟練した技術を持たない者でも連結作業が行え、作業時間の大幅短縮及び製作コストの低減が可能なコネクターを提供する。例文帳に追加

To provide a connector, capable of keeping a work site clean, since the shaving-off operation for a sheath of a cable and an insulator is not necessary and performing a connection operation by a person who does not have the skill or the technique, since the connection operation between the connector and the cable is very easy, and which significantly shortens the operation time and reducing the manufacturing cost. - 特許庁

アンテナ１０は、帯状のＣｏ系アモルファス１１（軟磁性薄帯材料）をアルミナ板１２（絶縁体）に巻回し積層した端部に曲率半径Ｒの曲面１６を有するアンテナ用磁心１３と、アンテナ用磁心１３に巻回された送信用のコイル１４と、コイル１４に接続された発振回路１５とから構成する。例文帳に追加

The antenna 10 consists of:the magnetic core for the antenna 13 having a curved surface 16 of a curvature radius R at its end where a belt-like Co-based amorphous 11 (soft magnetic thin belt material) is wound and laminated on an alumina plate 12 (insulator); a transmission coil 14 wound on the magnetic core 13; and an oscillation circuit 15 connected to the coil 14. - 特許庁

本発明の運動補助装置１０によれば、エージェントＰの運動態様および運動補助装置の動作態様の調和が崩れる可能性が高くなった状況、具体的には第１位相差および目標位相差の偏差絶対値が閾値以上になった状況で例外的に「第２設定処理」が実行される。例文帳に追加

In this motion assisting device 10, "a second setting processing" is exceptionally performed in such a situation that harmony between the motion mode of the agent P and the motion mode of the motion assisting device is high probably lost, to be concrete, in such a situation that an absolute value of deviation between a first phase difference and a target phase difference is a threshold or more. - 特許庁

本発明は、シリコン基板１１の両面に酸化膜からなる埋め込み絶縁層１２，１３を形成し、さらにそれぞれ上層に回路素子を形成するための素子形成領域となるシリコン層１４，１５を形成した構造を有し、各シリコン層１４，１５に回路素子を形成することにより、２倍の回路素子数を形成することが可能となる半導体基板である。例文帳に追加

A semiconductor substrate has a structure in which embedded insulating layers 12 and 13 consisting of oxide films are made on both sides of a silicon substrate 11, and that silicon layers 14 and 15 to serve as element forming regions for the formation of circuit elements are made severally thereon, and it becomes possible to form twice as many circuit elements as before by forming circuit elements in each silicon layer 14 and 15. - 特許庁

同一の絶縁体上に少なくとも画素部１０１およびセンサ部１０４を含む発光装置を含む発光モジュールであって、使用環境の照度をセンサ部１０４により感知し、それに応じて発光素子の発光輝度を調節し、環境照度に対する発光輝度の比率を一定に保つ手段を含む。例文帳に追加

This is a light-emitting module comprising a light-emitting device including at least a pixel part 101 and a sensor part 104 on the same insulating body, and comprises means for detecting illuminance of a use environment by the sensor part 104, adjusting the emitted light intensity of the light- emitting element according to the illuminance, and keeping a ratio of the emitted light intensity to the outside environment constant. - 特許庁

分断された各電線間をスリーブで接続した直線圧縮接続箇所を覆う絶縁スリーブカバーであって、カバー本体は、分断された一方の電線Ｌ側と他方の電線Ｒ側とに、それぞれを分割する２つのパーツ２，３から構成し、前記各パーツ２，３は、結合手段４，５，８，９によって着脱可能に形成していることを特徴とする。例文帳に追加

This sleeve cover is to cover the linear compressively connected spot where parted wires are connected each other by a sleeve, and a cover body is composed of two parts 2, 3 to divide the sleeve to one on the parted wire L side and the other on the parted wire R side, and the respective parts 2, 3 are detachably formed by connecting means 4, 5, 8, 9. - 特許庁

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6. - 特許庁

波長多重伝送装置に用いるレーザモジュール内の半導体レーザ素子において、膜応力を持った絶縁膜、電極膜、ひずみ調整膜の膜厚を調節する、またはチップキャリアやステムを実装する時に発生する応力を利用することによって、活性層に発生するひずみ量を変化させ、利得ピーク波長と発振波長とのずれを小さくする。例文帳に追加

In a semiconductor laser device in a laser module used for a wavelength division multiplex transmission apparatus, the amount of a distorsion occurring on an active layer is changed, and hence the difference between a gain peak wavelength and an oscillation wavelength is reduced by adjusting the thicknesses of an insulating film having stress, an electrode film, and a distorsion adjusting film, or by making use of stress occurring upon mounting a chip carrier and a stem. - 特許庁

産業機械の摺動部材の摩耗を検知するための摩耗ゲージであって、摺動部材に固定可能であり、先端部に間隔をもって配置された１以上の摩耗検知用ラインを備え、摺動部材の摩耗に伴い前記１以上の摩耗検知用ラインが段階的に摩滅する、絶縁板からなる摩耗ゲージ本体部を備える。例文帳に追加

The wear gauge for detecting the wear of a slide member of an industrial machine can be fixed to the slide member, and is provided with one or more wear detecting lines arranged at intervals at a tip, and has a wear gauge body section made of an insulating board, where the one or more wear detecting lines wear in stages with the wear of the slide member. - 特許庁

１６００Ａ／ｃｍ^２以上の電流密度を有する絶縁ゲート型半導体装置１において、素子領域ｅｒの表面を覆う電極２とリード１３、１４、１５との接続手段接続手段として金属プレート８を用い、電極と金属プレートとの固着面積を電極の重畳部２ｏの面積の２５％以上とする。例文帳に追加

In an insulating gate type semiconductor device 1 having a current density of ≥1,600 A/cm^2, a metal plate 8 is used as a means for connecting an electrode 2 covering the surface of an element region er with leads 13, 14, 15 and a fixing area of the electrode and the metal plate is 25% or larger in an area of an overlapping part 2o of the electrode. - 特許庁

熱収縮性ポリエチレンテレフタレートチューブを電子部品に被覆する前のチューブの脆化が少なく、収縮特性および開口性に優れ且つ電子部品に被覆後、高温下に長時間放置する際の耐熱性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性ポリエチレンテレフタレートチューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable polyethylene terephthalate tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater- coating material or the like having small embrittlement of the tube before an electronic component is covered with the polyethylene terephthalate tube, excellent shrinkage characteristic and openability, and excellent heat resistance when the electronic component is left to stand for a long time at a high temperature after the component is covered with the tube. - 特許庁

通液性の電気絶縁シートを介して活性炭繊維シートを複数層積層し交互に逆極性の電圧を印加した積層体に通水するようにした電気脱塩装置を、再生を繰り返しつつ通水するときに、徐々に破過までの通液時間が短くなり、透過水の導電率も高くなっていく問題を解消すること。例文帳に追加

To solve the following problems when water is passed through an electric desalter where a plurality of activated carbon fiber sheets are stacked through a liquid-permeable electrical insulating sheet and water is passed through the laminate to which voltage having a reverse polarity is applied, while repeating the regeneration of the desalter, a liquid feeding time until breakthrough becomes gradually shorter, and the electric conductivity of permeate is increased. - 特許庁

焼鈍後の巻鉄心端部を紙などで包み込む際、包み込む紙、及び、固定用のテープを一体として供給できるようにするとともに、巻鉄心の厚さ（図１５のＷ１）に合わせ事前に折り目をつけ、折り返し長さを最小にして、供給幅を標準化し管理を容易にしたアモルファス変圧器の絶縁紙製造機を提供する。例文帳に追加

To provide an insulating paper manufacturing machine of an amorphous transformer which can integrally feed wrapping paper and fixing tape, when wrapping a winding iron core end, after annealing with paper and which facilitates management, by previously forming a fold according to the thickness of the winding iron core (W1 of Fig.15), setting the length of a folded portion to the minimum, and standardizing a feeding width. - 特許庁

小型の電子部品であっても、容器内に電子部品、導電性メディア及び絶縁物粒体を収納して振動を与えつつメッキするに際し、電子部品の合着や導電性メディアの合着による不良を抑制しつつ、電子部品にメッキ膜を確実に形成することを可能とする工程を備えた電子部品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing electronic components provided with a process in which plating films can securely be formed on electronic components even which are compact, when the electronic components, electroconductive media and insulator powders are stored into a vessel and plating is performed as vibration is applied to the vessel, while suppressing defects caused by the fusion and bonding of the electronic components and the fusion and bonding of the electroconductive media. - 特許庁

ディスク状記録媒体２６にデータ及びデータに対応した管理情報の記録及び再生を行う信号処理手段１２と、信号処理手段１２に接続されている揮発性の第１の記憶手段２５と、信号処理手段１２に接続されており、主電源から電源の供給が途絶えても記録状態を保持する第２の記憶手段２５とを備える。例文帳に追加

The disk drive is provided with a signal processing means 12 for recording and reproducing data and management information corresponding to the data on and from a disk-shaped recording medium 26, a volatile first storage means 25 connected to the signal processing means 12, and a second storage means 25 connected to the signal processing means 12 for holding a recording state even when power supply from a main power source is interrupted. - 特許庁

ガス容器Ｂの供給が途絶えた時は、駆動ベース部９ａと従動ベース部９ｂを連結して一体に前後摺動させ、係合手段６を対応するガス容器のスカートｂ1の内面前端側に適時に係合させて、搬送路ａ上に並んだガス容器Ｂを各係合手段６により搬送する。例文帳に追加

When supply of the gas canisters B stops, the driving base part 9a and the driven base part 9b are interconnected and integrally slid back and forth, an engaging means 6 is timely engaged with the front end side of the inner surface of the skirt b1 of the corresponding gas canister, and the gas canisters B arranged on the conveying passage a are conveyed by each engaging means 6. - 特許庁

多層配線基板１１は、積層された複数の絶縁体層１２〜１４で構成される基板１１０と、基板１１０の外面に設けられ、電子部品１５が備える端子１５１と接続される端子１４２と、基板１１０の内部に設けられ、端子１４２と電気的に接続された配線パターン１２１、１４１とを有し、端子１４２のみが基板１１０から露出している。例文帳に追加

The multilayer wiring board 11 is provided with a substrate 110 comprising a plurality of laminated insulator layers 12-14, a terminal 142 provided on the outer face of the substrate 110 and connected with a terminal 151 provided in an electronic component 15, and the wiring patterns 121 and 141 provided inside the substrate 110 and electrically connected to the terminal 142; and the terminal 142 alone is exposed from the substrate 110. - 特許庁

還元性雰囲気での焼成によって得られるものであって、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直流電圧印加下での経時変化が小さく、ＣＲ積が高く、高温高電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長い、信頼性に優れた誘電体セラミックを提供する。例文帳に追加

To provide dielectric ceramics which are obtained by firing in a reducing atmosphere, are high in a dielectric constant, lessen the temperature change of the dielectric constant and the change of the dielectric constant with time under a DC voltage loading, are high in the CR-product, are long in the accelerated life of the insulation resistance at a high temperature and under a high voltage and are excellent in reliability. - 特許庁

本発明は金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、上記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階と、を含む。例文帳に追加

The method includes the steps of: forming at least one chip mounting section and at least one penetrating groove in a metal plate; forming an insulating layer with a specific thickness on the outer surface of the entire metal plate; forming an electrode electrically connected to a light emitting chip which is mounted on the chip mounting section; and cutting the metal plate along a cutting plane line so as to divide the package. - 特許庁

トラップボックス１と、誘導加熱コイル２と断熱材３とで構成され、前記トラップボックス１の内部には、複数のＳＵＳトラップ板が互いに交差して配置され、前記トラップボックス１の下部にはその材質を絶縁体とする断熱材が張られ、前記断熱材の下部に誘導加熱コイル２が配置された排気ガストラップ装置である。例文帳に追加

The exhaust gas trap device is provided with a trap box 1, an induction heating coil 2 and a heat insulating material 3, plural SUS trap plates are arranged to cross each other inside the trap box 1, the heat insulating material using the material as an insulator is lined on the lower part of the trap box 1 and the induction heating coil 2 is arranged on the lower part of the heat insulating material. - 特許庁

金属箔張積層板の表層金属箔を除去し、メッキにより表層絶縁層に導体層を形成するプリント配線板の製造法において、該金属箔張積層板が表層金属箔に接してブロック共重合ポリイミド樹脂層が配置された金属箔張積層板であるプリント配線板の製造法。例文帳に追加

In the method of fabricating a printed circuit board through removing a surface-layer metal foil of a metal-foil-clad laminated plate and forming a conductor layer on a surface-layer insulating layer by plating, the metal-foil-clad laminated plate is a metal-foil-clad laminated plate that has a block copolymer polyimide resin layer arranged in contact with the surface-layer metal foil. - 特許庁

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有しているとともに絶縁層２５で被覆された支持基板２４と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を備えている。例文帳に追加

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes. - 特許庁

トレンチ９の表面間隔の異なる平行トレンチ部分９ａ同士は斜行トレンチ部分９ｂによって交差すること無く連結されるトレンチ表面パターンを備え、前記平行トレンチ部分９ａの側壁面の面方位が、前記主面の面方位（１００）と直交する等価な面方位｛１００｝であるトレンチ絶縁ゲート型半導体装置。例文帳に追加

In a trench insulated gate type semiconductor device, a trench surface pattern is provided in which both of the parallel trench parts 9a that are different in the surface spacing of a trench 9 are coupled without crossing with skewed trench parts 9b; and the orientations of the sidewall surfaces of the parallel trench parts 9a are equivalent orientations {100} that are orthogonal to the orientation (100) of a principal surface. - 特許庁