「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(594ページ目) - Weblio英語例文検索

電圧印加時に電圧印加方向に膨張する分極性電極１３，１６を、緩衝機能をもつ絶縁性シートでなるセパレータ１１を介して捲回した捲回体１８、分極性電極１３，１６と接触する有機電解液、及びこれらを収容する円筒型容器１９、を有する、捲回型電気二重層キャパシタ１０。例文帳に追加

The wound electric double layer capacitor 10 has a wound body 18 with the wound polarizable electrodes 13 and 16 expanded in the applied direction of the voltage in the case of the application of the voltage through separators 11 composed of insulating sheets having a cushioning function, organic electrolytes brought into contact with the polarizable electrodes 13 and 16, and a cylindrical vessel 19 housing these wound body 18 and organic electrolytes. - 特許庁

絶縁基体１の内部に複数の内部配線層２を、表面に前記内部配線層２と電気的に接続する複数の接続パッド３を形成して成る配線基板５であって、前記内部配線層２をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、接続パッド３をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成した。例文帳に追加

In the wiring board 5 where a plurality of internal wiring layers 2 are formed inside an insulating substrate 1 and a plurality of connection pads 3 to be electrically connected with the internal wiring layers 2 are formed on its surface, the internal wiring layers 2 are formed using tungsten and/or molybdenum and copper and the connection pads 3 are formed using tungsten and/or molybdenum and an iron group metal. - 特許庁

可撓性絶縁べ−ス材１の一方面に回路配線パタ−ン３を形成し、また、回路配線パタ−ン３に接続されず回路配線パタ−ン３の接続用端子部９との位置関係に於いて設けられるべき貫通孔の対応部位を覆うように孤立した導体片４を回路配線パタ−ン３と共に形成する。例文帳に追加

A circuit wiring pattern 3 is formed on one surface of a flexible insulating base material 1, and an isolated conductor piece 4 is formed together with the pattern 3, so as not to be connected to the pattern 3 and to cover sites corresponding to through-holes to be made in a positional relation with connecting terminal parts 9 of the pattern 3. - 特許庁

共用絶縁座３１のフランジ部３５を圧接させて、一方のコンデンサ部１２と他方のコンデンサ部２２とを一体的に組み合わせて固定する際に固定極１５とガスケット部３９との間に電極引出部１７を挟持させて固定するとともに、フランジ部３５に設けたスリット３６から外部に引き出すようにした。例文帳に追加

When one condenser part 12 and the other condenser part 22 are integrally assembled and fixed by pressing a flange part 35 of a shared insulation seat 31, they are fixed by allowing the electrode leadout part 17 to be sandwiched between a fixed pole 15 and a gasket 39, and the electrode leadout part 17 is externally led out from a slit 36 provided to the flange part 35. - 特許庁

定着バイアスのように、絶縁体（高インピーダンス）とインピーダンス（有限）に高圧バイアスを印加し、かつ印加するバイアスが正負と極性が逆である系において、通常２つのトランスを用いて出力させていた２つのバイアスを、一つのトランスより出力させることで、コストダウンを図る。例文帳に追加

To achieve a cost reduction by outputting two biases, which used to be output by using two transformers, from the one transformer in a system, such as a fixing bias, in which the high pressure biases are applied to an insulator (high impedance) and an impedance (finite) and the biases to be applied are positive and negative, reverse in polarity. - 特許庁

アルミニウム製又はアルミニウム合金製の多数本の素線２から成る導線部７を絶縁体３で被覆して成るアルミ電線１の一端部を剥離して露出させた露出導線部７ａの素線端部２ａと、端子４とを、接続した接続構造を有する端子付アルミ電線に於けるものである。例文帳に追加

The electric wire with a terminal has a structure where the strand-end part 2a of an exposed wire part 7a in which one end part of an aluminum wire 1, in which a wire part 7 made of a large number of strands 2 of aluminum or an aluminum alloy is coated by an insulator 3, is separated and exposed, and a terminal 4 are connected. - 特許庁

上記課題は、ポリエチレンテレフタレートを主体とする二軸配向フィルムであって、面配向係数が０．１６８〜０．１７２、複屈折の絶対値が５未満、１５０℃におけるフィルム幅方向の熱収縮率が０．５〜２％であり、なおかつフィルム厚みが７〜２０μｍであることを特徴とする包装用二軸配向ポリエステルフィルム。例文帳に追加

The biaxially oriented polyester film for packaging is a biaxially oriented film composed mainly of a polyethylene terephthalate, has a plane orientation coefficient of 0.168-0.172, an absolute value of birefringence of <5, a thermal shrinkage factor of 0.5-2% at 150°C in the film width direction, and a film thickness of 7-20 μm. - 特許庁

配線基板１００は、配線部（導体パターン２０、層間接続部３０）と、配線部に電気的に接続された複数の電子部品と、配線部と複数の電子部品とを内蔵するものであり、電子部品を内蔵する複数の電子部品配置部４０、及び、可撓性を有し、電子部品配置部４０の間に構成された屈曲部７０を含む絶縁基材とを備える。例文帳に追加

A wiring board 100 comprises a wiring part (conductor pattern 20, interlayer connection 30), a plurality of electronic components connected electrically with the wiring part, and an insulating substrate which incorporates the wiring part and the plurality of electronic components and includes a plurality of electronic component arrangement parts 40 incorporating the electronic components, and a flexible bent portion 70 constituted between the electronic component arrangement parts 40. - 特許庁

ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。例文帳に追加

In a semiconductor device having a damascene structure, a TaN film 7 and a Ti film 8 composed of Ti exhibiting good wettability to Cu are formed respectively, as a barrier layer, on the inside walls of a wiring groove G2 and a via hole V2 formed in a second interlayer insulating film 6, so that a Cu seed film 9a can be formed uniformly on the Ti film 8. - 特許庁

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。例文帳に追加

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5. - 特許庁

下側透明導電膜２上に重なり部分をもつ導電体の駆動電極３と補助電極４を、電位勾配が直線状になるように予め定めた電位変化数で配置した下側電極シートと、上側透明導電膜９上に座標検出電極８を設けた上側電極シートと、絶縁シートから構成したタッチパネル。例文帳に追加

This touch panel is composed of the lower electrode sheet, on which a driving electrode 3 and an auxiliary electrode 4 of a conductor having an overlapped part on a lower transparent conductive film 2 are located with the number of potential changes predetermined to make a potential gradient linear, an upper electrode sheet provided with a coordinate detecting electrode on an upper transparent conductive film 9, and an insulating sheet. - 特許庁

絶縁層３を間に挟む第１導電層２と第２導電層４とを導電体７により接続したブラインドビア５を有するプリント配線板の製造方法であって、規格外ブラインドビアが断線し、かつ規格内ブラインドビアが断線しない通電条件で、ブラインドビア５を通電する。例文帳に追加

In a manufacturing method of a printed wiring board having a blind via 5 in which a first conductive layer 2 and a second conductive layer 4 sandwiching an insulation layer 3 are connected by a conductor 7, the blind via 5 is energized under an energization condition where a non-standard blind via is disconnected and a standard blind via is not disconnected. - 特許庁

絶縁体からなるリード線ホルダに界磁巻線リード線とスリップリングリード線を集約させて接合するターミナルを備え、それを回転子シャフトに圧入固定することによって分散して結線していた２つのリード線の結合を一ヶ所できるようになり、結線作業が容易確実となる。例文帳に追加

By having a lead wire holder of insulator provided with a terminal which gathers and a field coil lead wire and a slip ring lead wire jointed, which is press-fitted and secured in a rotor shaft, two connection operations of lead wires which were separately connected can be made at a single point, for easy and sure connection operation. - 特許庁

粘着層を有する絶縁性のベースフィルム層、回路導体層、カバーフィルム層から成るフレキシブル回路基板で、構造物に貼り付けた際に、粘着層がフレキシブル回路基板の外周にはみ出さないように粘着層を設定することで、フレキシブル回路基板の外周切断面にコンタミを付着させないことができる。例文帳に追加

In the flexible circuit board composed of an insulating base film layer including an adhesive layer, a circuit conductor layer, and a cover film layer, contamination is prevented from adhering to an outer circumferential cut surface of the flexible circuit board by setting the adhesive layer such that the adhesive layer protrudes to an outer circumference of the flexible circuit board when it is stacked on a building. - 特許庁

複数の孔の部分にそれぞれ光電変換素子を装着した支持体、その裏面に電気絶縁層を介して接合した金属シートを具備する発電ユニットの単独または複数を電気的に接続してなる発電ブロックの端子構造を改良し、光電変換装置内の他の構成要素との半田付けによる接続を可能にする。例文帳に追加

To improve a terminal structure of a power generation block composed of electrically connected one or more power generation units having supporting bases with photoelectric converter elements attached to each of a plurality of holes and a metal sheet joined via an electrical insulation layer on the rear side of the supporting base, and to allow soldering connection with other component elements in a photoelectric converter. - 特許庁

電子を放出する多数の冷陰極素子１９が絶縁性基板１０上に形成された背面基板１と、背面基板１に対向して配置された透光性基板１１０上に冷陰極素子１９からの電子線によって励起され発光する蛍光体１１１が形成された表示基板１０１と、枠部材１１６とを備える。例文帳に追加

The display device comprises a rear substrate 1 in which a large number of cold cathode elements 19 emitting electrons are formed on an insulating substrate 10, a display substrate 101 in which phosphors 111 which are excited and emit light by electron beams from the cold cathode elements 19 are formed on a translucent substrate 110 arranged opposed to the rear substrate 1, and a frame member 116. - 特許庁

水素と酸素とを電気化学反応させて電気エネルギを発生する燃料電池１０と、熱媒体を用いて燃料電池１０との間で熱交換を行う１以上の熱交換器１０１、１０２とを備える燃料電池システムにおいて、燃料電池１０と熱交換器１０１、１０２との間に設けられた絶縁層１０３、１０４とを設ける。例文帳に追加

The fuel battery system, equipped with the fuel battery 10 generating electrical energy by the electrochemical reaction of hydrogen and oxygen, and one or more heat exchangers 101, 102 for exchanging heat with the fuel battery 10 with the use of a heating medium, has insulating layers 103, 104 provided between the fuel battery 10 and the heat exchangers 101, 102. - 特許庁

車体パネルを覆うルーフトリムに開口したランプ装着窓に装着されるルームランプにおける絶縁ハウジング11の室内側面には、スイッチ部品30を収容可能なスイッチ収容凹部13と、該ルームランプに電気的に接続されるＦＦＣ20を位置決め可能な電線収容凹部15とが設けられている。例文帳に追加

A switch accommodation recessed part 13 capable of accommodating a switch part 30 and an electric wire accommodation recessed part 15 capable of positioning a FFC 20 electrically connected to a room lamp are provided on an indoor side surface of an insulation housing 11 of the room lamp attached to a lamp attachment window opened to a roof trim covering a car body panel. - 特許庁

本発明の半導体装置１１は、一対の放熱板１３、１４の各外面に、圧縮変形可能な材質の絶縁シート１８を貼り付けた状態で樹脂モールドするように構成したので、成形型２０として単純な構成の上下型を使用しても、樹脂１９が放熱板１３、１４の各外面に回り込むことを防止できる。例文帳に追加

The semiconductor of the present invention is configured such that the resin mold is performed in a state where an insulating film 18 consisting of a compressible and deformable material is attached to each external surface of a pair of heat sinks 13 and 14, and can prevent the resin 19 from traveling to each of the external surface of the heat sinks 13 and 14. - 特許庁

この発明のシングルライン型ＩＣソケット１は、ほぼ同一の幅の細長い板形状の挿入端子部１１と湾曲部１２と摺動部１３とが順次に一体的に形成された導電性部材１０と、導電性部材の摺動部に摺動可能に外嵌されている絶縁性部材２０とから構成されている。例文帳に追加

This single-line type IC socket 1 comprises a conductive member 10 made up by integrally forming an insertion terminal part 11, a curve part 12, and a slide part 13 in order, having a slender plate shape of substantially the same width, and an insulating member 20 slidably fitted from the outside to the slide part of the conductive member. - 特許庁

検出画素の真の位相値と該検出画素に隣接する他の検出画素の位相値との差の絶対値がπ以上の位相ラップを正確にアンラップできることに加え、アンラップエラーの発生を防止することができる位相シフト干渉測定装置及び方法、並びに記憶媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a measuring apparatus for interference of phase shift, a method therefor and a record medium capable of allowing a precise unwrap of phase wrap whose absolute value of the difference between a real phase value of a detected pixel and a phase value of other detected pixel next to the detected pixel is π or more and also capable of allowing a prevention of occurrences of unwrap errors. - 特許庁

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。例文帳に追加

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material. - 特許庁

半導体装置１００において、ｐ型シリコン基板１１１上には、微粒子分散領域１１２ａおよび微粒子分散領域１１２ｂからなる電荷保持領域１１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2膜１１５、および上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１６が下から順に設けられている。例文帳に追加

On a p type silicon substrate 111 of a semiconductor device 100, a charge holding region 112 composed of fine particle dispersion regions 112a and 112b, an SiO_2 film 115 which functions as an insulating film, an n type polycrystal silicon electrode 116 which functions as an upper electrode are provided from bottom up. - 特許庁

電極端子６０７は、パワーモジュール６１６の側面で外部バスバー６１７と接続される端子接続部６１３と、半導体チップ６０１またはチップ実装金属電極６０３と接続される通電用電極部分６０９と、絶縁シート６０４と接触する電極端子冷却部６０８とを備える。例文帳に追加

The electrode terminal 607 comprises a terminal connection portion 613 connected with the external bus bar 617 on the side face of the power module 616, a current-carrying electrode portion 609 connected with the semiconductor chip 601 or the chip mounting metal electrode 603, and an electrode terminal cooling portion 608 in contact with the insulating sheet 604. - 特許庁

所定の配線パターンが施された絶縁基板２Ａ上に、直線状に実装される複数のＬＥＤアレイ２ＢとこのＬＥＤアレイ２Ｂに対する駆動用半導体２Ｃとを搭載したＬＥＤモジュール基板２と、ＬＥＤモジュール基板２を配設するための基板配設面３Ａを有する中空形状の放熱部材３とを備えてなる。例文帳に追加

On an insulating substrate 2A applied with a specified wiring pattern, an LED module substrate 2 mounting a plurality of LED arrays 2B and a driving semiconductor 2C for the LED array 2B linearly, and a hollow heat dissipation member 3 having a surface 3A for arranging the LED module substrate 2 are provided. - 特許庁

本発明の変圧器用コンサベータ内の絶縁油遮蔽体は、ナイロン織布の表裏両面に形成されている熱可塑性ポリ炭酸型ポリウレタンを含む接着剤層を介して、熱可塑性ポリ炭酸型ポリウレタン層が形成されている熱可塑性ポリ炭酸型ポリウレタン積層布を融着して所定の形状に成形してなる。例文帳に追加

An insulating oil cover body material in a transformer conservator is formed through a process in which a thermoplastic polycarbonate polyurethane laminated cloth is composed of a nylon woven cloth and a thermoplastic polycarbonate polyurethane layer formed on each surface of the nylon woven cloth through an adhesive layer containing thermoplastic polycarbonate polyurethane, and the thermoplastic polycarbonate polyurethane laminated cloth is fusion-welded into a prescribed shape. - 特許庁

本発明は、インタスティショナルバイアホールまたはバイアホールまたはスルーホールでなる層間接続穴の内壁とランドとを複数の電極に分割し、当該分割した電極を絶縁を維持して接近させ、夫々の電極に誘導ラインと被誘導ラインとを配線し、接続導体のインダクタンスを低下させる。例文帳に追加

The inner wall of an interlayer connection hole composed of an interstitial via or a via or a through-hole and a land are divided into a plurality of electrodes, the divided electrodes are disposed closely with keeping them insulated, and lead lines and lines led are wired to the respective electrodes to lower than inductance of a connection conductor. - 特許庁

固相に含まれる有機塩素化合物を定量分析する方法において、非極性溶媒を用いて検体である土壌、ケーブル、又はケーブル絶縁紙から加圧下で有機塩素化合物を抽出した後、必要に応じて前記抽出溶媒を濃縮あるいは希釈する前処理を行う有機塩素化合物の分析方法とする。例文帳に追加

In this method for quantitatively analyzing the organic chlorine compound included in the solid phase, after extracting the organic chlorine compound in the pressurized state from soil, the cable, or the cable insulation paper which is a specimen by using a non-polar solvent, a pretreatment for condensing or diluting the extraction solvent is performed as the need arises. - 特許庁

本発明は、異方導電性接着剤を用いた微細回路の電気的接続において、微小面積の接続電極間の導通性に優れると共に、微細な隣接電極間スペース部のショートやイオンマイグレーション等の絶縁不良が起こりにくい回路接続方法とそれによって得られる接続構造体の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a circuit connection method that has excellent conductivity between connection electrodes having a minute area and prevents insulation failure, such as short-circuit at the space section between fine adjacent electrodes and ion migration from occurring easily in the electrical connection of a fine circuit using an anisotropic conductive adhesive, and to provide a connection structure obtained by the circuit connection method. - 特許庁

半導体チップ２をマウントする内側リードフレーム３と、この内側リードフレーム３の周囲に設けられた外側リードフレーム４とからなり、内側リードフレーム３が絶縁材８によって支持されながら、支持材９によって支持された外側リードフレーム４の内側に配されている、リードフレーム。例文帳に追加

The lead frame is composed of the internal lead frame 3 with the mounted semiconductor chips 2 and the external lead frames 4 fitted around the internal lead frame 3, and the internal lead frame 3 is arranged inside the external lead frames 4 supported by supporting materials 9 while being supported by insulating materials 8. - 特許庁

また、ｐ型共役系高分子を光電変換層におけるｐ型有機半導体材料として用いた光電変換素子を製造する際に、環境管理された雰囲気や不活性ガス雰囲気を採用しない場合であっても、光電変換効率の絶対値の低下やそのバラツキの発生（安定性の低下）を最小限に抑制しうる手段を提供する。例文帳に追加

An organic photoelectric conversion element of the present invention comprises a cathode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, a hole transport layer containing a hole transport material, and an anode, which each are laminated in that order. - 特許庁

そのため、接着用フィルム４０に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体７は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム５と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。例文帳に追加

Since the bonding film 40 can be imparted with a stress buffering mechanism and the support 7 is porous, volatile components contained in the bonding layer can be released at the time of solder reflow and stripping due to thermal expansion, or the like, can be prevented on the interface of the insulating film 5 and the bonding film. - 特許庁

液晶表示パネル２０のパネル面２１側には、ガラスフロント１３から液晶表示パネル２０に向けて放電した静電気を逃がすために、回路基板３０を経由して接地されるアース部材としての、銅箔４１（導電性金属箔）を絶縁フィルム４２で被覆したフレキシブル導電体４０が設けられる。例文帳に追加

On the sides of the panel surfaces 21 of the liquid crystal display panels 20, flexible conductors 40 formed by coating copper foil 41 (conductive metal foil) with an insulation film 42 as an earth member to be grounded via the circuit board 30 are provided in order to let static electricity discharged from the glass front 13 toward the liquid crystal display panels 20 out. - 特許庁

半導体基板１上に設けられた電極パッド２上に形成された、絶縁性を有する保護膜３の開口部３ａに、無電解めっきにてＮｉバンプ６を形成する工程と、上記Ｎｉバンプ６と保護膜３との隙間７に残留しためっき液残留物８を除去する工程とを含んでいる。例文帳に追加

This method comprises the steps of: forming a Ni bump 6 with an electroless plating in an opening part 3a of a protection film 3 having insulation properties formed on an electrode pad 2 provided on a semiconductor substrate 1; and eliminating a plating solution residue 8 remaining in a gap 7 between the Ni bump 6 and the protection film 3. - 特許庁

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。例文帳に追加

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18. - 特許庁

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。例文帳に追加

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed. - 特許庁

少なくとも一種類の有機基と結合したＳｉ原子を含み、かつ、Ｘ線小角散乱測定によって観測されるスペクトルより求められるシロキサンポリマーの分岐度数値Ａが −２．０＞Ａ＞−２．８、（Ａ値は無次元）であるシロキサンポリマーを含むことを特徴とする半導体装置用絶縁膜形成用塗布液。例文帳に追加

The coating liquid for forming an insulating film for a semiconductor device contains an Si atom combined with at least one kind of organic group, and a siloxane polymer whose branching frequency A found by a spectrum observed by small-angle X-ray scattering is within a range of -2.0>A>-2.8 (A is a dimensionless value). - 特許庁

液晶表示装置は、互いに対向している２枚の基板１、２との間に保持した液晶１１を前記基板上に設けた電極７、１４によって配向させて画面表示を行う液晶表示装置であって、前記基板間にライン状に形成され、一定の高さを有する少なくとも一つの絶縁体突起物１９を備える。例文帳に追加

The liquid crystal display device by which screen display is performed by aligning the liquid crystal 11 held between the two substrates 1 and 2 opposed to each other by using electrodes 7 and 14 provided on the substrates is provided with at least one insulator protrusion 19 formed in a line shape between the substrates and having a fixed height. - 特許庁

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。例文帳に追加

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al. - 特許庁

ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１９と対向し、内部にチャネル層が形成される半導体基板のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域と逆の導電型を有し、チャネル形成領域に各々接し互いに離れて形成されているソース・ドレイン領域１０と、を有する。例文帳に追加

The insulated gate field effect transistor has a channel forming region of a semiconductor substrate for internally forming a channel layer and opposing a gate electrode 19 through a gate insulating film 17, and a source-drain region 10 having a conductivity type reverse to that of the channel forming region and formed separately in contact with the channel forming region. - 特許庁

少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、この表面から突出するようにして形成された導電性パッドの上面の中央部を凹ませ、この導電性パッドの上面において、上面の外周縁部によって画定される表面レベルよりも、表面全体が上方に位置するようにしてはんだ層を形成する。例文帳に追加

A solder layer is formed by recessing the center part of the upper surface of a conductive pad which is formed to protrude from the surface on the surface of at least one resin insulation layer, and locating the whole surface above a surface level defined by the outer peripheral edge of the upper surface on the surface of the conductive pad. - 特許庁

この構成によれば、透明導電膜３上に紫外線が照射され、紫外線が照射された光触媒粒子９の光触媒作用により、透明導電膜３内の金属細線７を酸化して絶縁体とすることができ、これを選択的に行うことで、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。例文帳に追加

According to this constitution, the transparent conductive film 3 is irradiated with ultraviolet rays, the thin metal wire 7 in the transparent conductive film 3 is oxidized by the photocatalytic action of the photocatalyst particles 9 irradiated with the ultraviolet rays to form an insulator, and by selectively performing this process, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed. - 特許庁

半導体素子１２に対し、抵抗ラダー８０の近傍に抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅを設ける一方、絶縁性フィルム１８に対し、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅとを接続する抵抗ラダー用接続パターン２１及び金属配線パターン５４を設ける。例文帳に追加

While the semiconductor element 12 is provided with electrodes 82a to 82e for a resistance ladder nearby the resistance ladder 80, an insulating film 18 is provided with a connection pattern 21 for the resistance ladder which connects an input-side outer lead 22 to the electrodes 82a to 82e for the resistance ladder, and a metal wiring pattern 54. - 特許庁

ワイヤボンディングやフリップチップボンディングのような専用設備を要するボンディング工程を経由せずに、埋設された半導体素子のベアチップへの電気的接続を行え、しかも、埋設されたベアチップを覆う絶縁層上にそのベアチップと重なるように導電層や電子回路部品を配置できるようにする。例文帳に追加

To conduct electrical connection to the embedded bare chip of a semiconductor element without through a bonding process which requires an exclusive facility such as for wire bonding and flip chip bonding, and to arrange a conductive layer and a electronic circuit on an insulating layer covering the buried bear chip to cover the bare chip. - 特許庁

そして、その可食性組成物を、胃粘膜傷害，生活習慣病，肥満，悪性腫瘍および骨粗鬆症の予防及び治療用、臓器移植拒絶反応軽減用、感染等の侵襲要因に対する生体侵襲反応に伴う臓器障害の予防及び軽減用、さらには頭髪等の育毛用の、可食性組成物とする。例文帳に追加

The edible composition is used for preventing and treating the gastric mucosa failure, lifestyle-related diseases, obesity, malignant tumor and osteoporosis, reducing the organ transplant rejection reactions, preventing and reducing the organ failure accompanied with the living body invasion reactions against the invading factors such as the infections and further restoring the hair, and the like. - 特許庁