「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(595ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、ゲート電極９の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール１１と、ゲート電極９とを不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール１１の下方にオフセット領域１０を形成し、オフセット領域１０の外側に、ソース領域１２及びドレイン領域１３を形成する。例文帳に追加

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10. - 特許庁

通気穴４７と吸気口１７との間に遮蔽板５０を設けることで、水滴や飛沫が直接吸気口１７に浸入することがなく、また、本体１内に浸入した水滴を自然蒸発させることで制御ブロック１０の絶縁劣化や故障の原因を低減することができる電磁加熱調理器を提供することが可能になる。例文帳に追加

In the electromagnetic heating cooker, a waterdrop and a splash do not directly enter an intake port 17 by preparing a cover plate 50 between an air vent 47 and the intake port 17, and insulation deterioration of a control block 10 and causes of a malfunction can be reduced by naturally evaporating the waterdrop entering the body 1. - 特許庁

第１のハウジング１３に装着された駆動部１１は、円筒形状の正特性サーミスタ１９と、円筒形状の正特性サーミスタ１９の端面に接合された一対の環状の電極２０，２１と、正特性サーミスタ１９及び電極２０，２１を内蔵する絶縁体２２と、熱感応素子２３とからなる。例文帳に追加

A driving unit 11 installed in a first housing 13 is formed of a cylindrical positive characteristic thermister 19, a pair of annular electrodes 20 and 21 bonded to an end surface of the cylindrical positive characteristic thermister 19, an insulator 22 with the built-in positive characteristic thermister 19 and the built-in electrodes 20 and 21, and the heat sensor element 23. - 特許庁

次いで、前記第１のパラメータベクトル及び前記第３のパラメータベクトルの相関、並びに前記第２のパラメータベクトル及び前記第４のパラメータベクトルの相関を導出し、前記第１のパラメータベクトルから前記第４のパラメータベクトル、及び前記相関に基づいて、前記物体の地上に対する絶対的な傾斜度合いを導出する。例文帳に追加

The correlation between the first parameter vector and the third parameter vector and the correlation between the second parameter vector and the fourth parameter vector are derived, and the absolute degree of inclination of the object to the ground is derived based on the first parameter vector to the fourth parameter vector and the correlations. - 特許庁

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体デバイスウエハの表面平坦化加工用研磨パッドとして用いられる研磨パッドにおいて、研磨性能の改善をはかるためのもので、研磨速度と面内の均一性のバランスが取れており、また研磨性能の経時変動の小さい溝付き研磨パッドを提供する。例文帳に追加

To provide a polishing pad with grooves to be used for polishing a semiconductor device wafer for an interlayer insulation film and metal wiring for flattening its surface, in which polishing performance can be improved, in which polishing speed and uniformity in the surface can be balanced, and in which aging fluctuation of polishing performance is small. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff. - 特許庁

この高次シランから形成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_2 ）は、ストレスが従来の酸化膜より格段に小さく殆ど反りのない性質をもち、埋め込み性が良く、トレンチ内での密度が半導体基板の平坦な主面上に形成された同じ材料の層間絶縁膜より小さく従って比誘電率が小さいという特性を有する。例文帳に追加

A silicon oxide film (SiO_2), made of the higher order silane, is far smaller in stress than a conventional oxide film, hardly causes warpage, has proper embedding ability, and is smaller in density of the trench than an interlayer insulation film which is formed on the flat principle surface of the semiconductor substrate, thereby achieving low relative permittivity. - 特許庁

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film. - 特許庁

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。例文帳に追加

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material. - 特許庁

上記課題は、ポリエチレンテレフタレートを主体とする二軸配向フィルムであって、フィルム中のジエチレングリコール（ＤＥＧ）量が０．０１〜１．０重量%以下、面配向係数が０．１６７〜０．１７５であり、なおかつ複屈折の絶対値が５未満であることを特徴とする包装用二軸配向ポリエステルフィルムによって解決される。例文帳に追加

The biaxially oriented polyester film for packaging is characterized by being a biaxially oriented film consisting of polyethylene terephthalate as a main component, the amount of diethylene glycol (DEG) in the film is ≤0.01-1.0 wt.%, the facial orientation coefficient is 0.167-0.175, and the absolute value of birefringence is less than 5. - 特許庁

基板上に絶縁性レジスト膜を形成し、このレジスト膜に電子ビーム照射により表面イオン化した配列パターンを形成し、この表面イオン化した配列パターンに両性イオン性リポソームを静電相互作用により結合させ、かつ、個々のリポソーム同士は静電反発により、孤立状態に保たれ、膜融合、破壊、凝集体形成が防止されている。例文帳に追加

An insulation resist membrane is formed on the substrate, the surface ionized array pattern is formed on the resist membrane by irradiating the resist membrane with an electron beam, the dipolar ionic liposome is coupled to the surface ionized array pattern by an electrostatic interaction, and the fellow individual liposomes are kept under an isolated condition by electrostatic repulsion to prevent membrane fusion, breakage and aggregate formation. - 特許庁

熱可塑性樹脂フィルムと接着層により構成された２枚の絶縁基材の間に、各接着層を内側にして、その接着層間に複数本の導体を並列して挟み込んで熱融着してなるフラットケーブルにおいて、該フラットケーブルの最外側の熱可塑性樹脂フィルムの外側表面にポリイミドを主成分とする樹脂塗布層を積層せしめた。例文帳に追加

Of the flat cable made by aligning in parallel, pinching and heat-sealing a plurality of conductors between two sheets of insulation base materials each composed of a thermoplastic resin film and an adhesive layer with each adhesive layer laid inside, a resin coated layer mainly composed of polyimide is made laminated on an outside surface of the outermost thermoplastic resin film. - 特許庁

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。例文帳に追加

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22. - 特許庁

電気的パルス信号発生手段１１と、二つの抵抗器１３、１４と、排他的論理和ゲート１５と、パルス時間測定手段１２と、静電容量成分を持つ絶縁体によってタンク内の溶液と遮断されるように配置された電極１０によって構成した液量検知機能を有する燃料電池システム。例文帳に追加

The fuel cell system having the liquid volume detecting function is constituted with an electric pulse signal generating means 11, two resistors 13, 14, a difference gate 15, a pulse time measuring means 12, and an electrode 10 arranged so as to be shut off from the solution inside the tank with an insulator having an electrostatic capacity component. - 特許庁

環状の複合磁心であって、最大比透磁率５００以上の磁性体よりなる高透磁率磁心部と、磁性粉末と絶縁材を含む複数の圧粉磁心部と、前記高透磁率磁心部および圧粉磁心部にそれぞれ設けられたギャップから構成されることを特徴とする複合磁心であり、これを用いたリアクトルである。例文帳に追加

The annular composite magnetic core comprises a high permeability core composed of a magnetic body having maximum relative permeability of 500 or above, a plurality of dust cores including magnetic powder and an insulating material, and gaps provided, respectively, in the high permeability core and the dust core. - 特許庁

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。例文帳に追加

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32. - 特許庁

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。例文帳に追加

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are deposited sequentially on a silicon substrate 1 through an insulation film 2 and then the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 are etched sequentially using a mask 103 to form the pattern of an upper electrode 5. - 特許庁

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method. - 特許庁

少なくともキャリア、結着樹脂及び着色剤からなる母体トナーに、添加剤として少なくともシリカ及びチタニアを添加してなるトナーを含む電子写真用現像剤において、超音波振動法によって測定した、該トナーに対するチタニアの遊離率が５〜２２％であり、該トナーの帯電が絶対値で２０〜４０μＣ／ｇであることを特徴とする電子写真用現像剤。例文帳に追加

The electrophotographic developer contains at least the carrier and the toner obtained by adding at least silica and titania as additives to a base toner comprising a binder resin and a colorant, wherein a rate of free titania released from the toner determined by a ultrasonic vibration method is 5-22% and a charge quantity of the toner is 20-40 μC/g in absolute value. - 特許庁

液体３に設けられるプラズマ発生用電極４と、プラズマ発生用電極４に対向して設けられる対向電極５と、プラズマ発生用電極４と対向電極５との間に高周波を印加する高周波回路７と、プラズマ発生用電極４と対向電極５との間に設けられた絶縁部材６を有する。例文帳に追加

The device is provided with a plasma generating electrode 4 fitted in the liquid 3, a counter electrode 5 set in opposition to the plasma generating electrode 4, a high-frequency circuit 7 applying a high frequency between the plasma generating electrode 4 and the counter electrode 5, and an insulating member 6 fitted between the plasma generating electrode 4 and the counter electrode 5. - 特許庁

温度補正制御部３０は、モニタ温度Ｔ_0 と複数の波長安定化温度Ｔそれぞれとの差分の絶対値に基づいて最適な波長安定化温度Ｔを選択し、半導体レーザ１１の発振温度を当該選択された波長安定化温度Ｔになるように、ペルチェ素子１２に対する通電電流値を制御する。例文帳に追加

The temperature correction and control pert 30 selects the optimum wavelength stabilizing temperatures T on the basis of the absolute value of the differences between the monitor temperature T_0 and a plurality of the wavelength stabilizing temperatures T and controls the energizing current value to the Peltier element 12 so that the oscillation temperatures of the semiconductor laser 11 becomes the selected wavelength stabilizing temperatures T. - 特許庁

半導体素子製造用に供された使用済みシリコン単結晶基板を、太陽電池用シリコン単結晶基板やモニターウエハーに再使用するに際して、単結晶シリコン上に形成されている各種の絶縁層等の被膜及び単結晶シリコン基板表面近傍の加工歪のある層を効率よく除去する。例文帳に追加

To remove efficiently a film, such as varied insulating layer formed on a single crystal silicon and a work-distorted layer near a single crystal silicon substrate when recycling a silicon single crystal substrate used in manufacturing a semiconductor device, for a silicon single crystal substrate for use in a solar battery and a monitor wafer. - 特許庁

電池セル１は、電解液を使用し、イオン透過性であって絶縁性の多孔性セパレータ４と、セパレータ４により分離された電極層２，３と、電極層２，３の周辺部を保持する非導電性ガスケット５と、電極層２，３および非導電性ガスケット５を挟持する集電体６より構成される。例文帳に追加

The battery cell 1 comprises the electrolyte, an ion-permeable insulating porous separator 4, electrode layers 2 and 3 isolated by the separator 4, a noncnductive gasket 5 for holding peripheral parts of the layers 2 and 3, and a current collector 6 for holding the layers 2 and 3 and the gasket 5. - 特許庁

帯電極性と同じ極性の電荷が帯電器２自身に流失することを阻止する絶縁膜７を流失防止層として感光体１に接触する部分に備えることで、帯電により生じた電子が帯電器２内部に流失してしまうことがなく、内部分極型帯電方法を用いる場合の高効率化を図れる。例文帳に追加

This charger achieves a high efficiency in the case of applying the method of internal polarization, while preventing the electrons generated by the charge from flowing into the charger by disposing an insulation layer 7 for preventing the electric charge in the same polarity as that of a charging electrode from flowing into the charger 2 itself on a section held in contact with a photoreceptor 1 as the flowing out preventive layer. - 特許庁

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、窒素ガスと水とを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a wiring trench 38 in an interlayer insulating film 34, a process for forming the wiring layer 44 whose main material is Cu in the wiring trench 38, and a process for performing nitrogen two-phase flow treatment in which nitrogen gas and hotwater are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded in the wiring trench 38. - 特許庁

非晶質合金を鋳造する遠心鋳造装置１０において、内部にキャビティ部１７を有する絶縁体からなる鋳造型１５と、鋳造型を回転させる型回転手段１９と、非晶質合金材料の溶湯を鋳造型に供給する溶湯供給手段１３と、鋳造型の近傍に配置された誘導加熱手段２１と、を備えた。例文帳に追加

The centrifugal casting apparatus 10 casting an amorphous alloy comprises: a casting mold 15 having a cavity part 17 at the inside and composed of an insulator; a mold rotating means 19 rotating the casting mold; a molten metal feeding means 13 feeding the molten metal of an amorphous alloy material to the casting mold; and an induction heating means 21 arranged in the vicinity of the casting mold. - 特許庁

誘電絶縁膜を２つのメタル配線２の間に挟んで構成した複数のキャパシタを単位として、それらの単位のメタル配線２同士を直列に接続したコンタクトチェーン１３と、このコンタクトチェーン１３の両端に設けたパッド４とを備えたコンタクト抵抗評価用の半導体装置において、少なくとも一方のパッド４に、電荷吸収用の保護素子１４を接続する。例文帳に追加

The semiconductor device for evaluating the contact resistance comprises contact chains 13 where the metal lines 2 of units, each comprising a plurality of capacitors constituted by sandwiching a dielectric film between two metal lines 2, are connected in series, and pads 4 provided at the opposite ends of the contact chains 13 wherein at least one pad 4 is connected with a protective element 14 for absorbing charges. - 特許庁

金属板からなる高周波回路用パッケージの蓋体であって、パッケージを構成したときに高周波回路形成面と対向する天井面上に絶縁層を介して導電層を配設し、前記天井面の面積Ｓに対する前記導電層の面積が０．５Ｓ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

In the cap of the package for the high frequency circuit composed of a metallic plate, a conductive layer is arranged on a ceiling surface facing the forming surface of the high frequency circuit in the case of constituting the package through an insulating layer, and the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface is 0.5S or more. - 特許庁

通液性の電気絶縁シートを介して活性炭繊維シートを複数層積層し交互に逆極性の電圧を印加した積層体に通水するようにした電気脱塩装置の通水、再生を繰り返し行う際に、通水のつど、活性炭繊維シートに加える電圧の極性を反転させる。例文帳に追加

When the feeding of water to and the regeneration of the electric desalter where a plurality of the activated carbon fiber sheets are stacked through the liquid-permeable electrical insulating sheet and water is passed through the laminate to which the voltage having a reverse polarity is applied are carried out repeatedly, the polarity of the voltage applied to the activated carbon fiber sheets is reversed at each water feeding. - 特許庁

第１シート３の一面に固定接点４を形成し、第１シート３の一面に対向する第２シート６の一面に、空間を介して固定接点４に接離可能に対向する可撓性可動接点７を形成し、可撓性可動接点上であってその押圧部を除く位置に絶縁体を設けた。例文帳に追加

A fixed contact 4 is formed on one face of a first sheet 3 and a flexible movable contact 7 which is opposed to the fixed contact 4 capable of contacting and separating through a spacing is formed on one face of a second sheet 6 opposed to the one face of the first sheet 3, and an insulator is installed on the flexible movable contact and at the location excluding the pressing part. - 特許庁

絶縁基板２に形成したガイド開口部７を閉塞して取り付けられるグランド金属箔４を有し、このグランド金属箔４に高周波半導体素子１０２の電極形成面１０２ａに相対する各入出力電極１０９をそれぞれ臨ませる多数個の電極開口部１２を形成し、電極形成面１０２上において充分なグランド面積を確保する。例文帳に追加

This probe device has a ground metal foil 4 attached to close a guide opening part 7 formed in an insulation substrate 2, a large number of electrode opening parts 12 are formed in the ground metal foil 4 to be respectively faced to respective output electrodes 109 opposed to an electrode forming face 102a of the semiconductor integrated circuit element 102, and a sufficient ground area is secured on the electrode forming face 102a. - 特許庁

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。例文帳に追加

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1. - 特許庁

金属箔の片面に黒鉛層が形成され、この積層体の両面にさらに絶縁材料が積層された熱伝導性プリント基板であって、黒鉛層が、５０〜９５質量％の膨張黒鉛および５〜５０質量％の熱硬化性樹脂を固形分中に含有する熱伝導性塗料を金属箔上に塗工し乾燥して形成されたものであることを特徴とする熱伝導性プリント基板。例文帳に追加

In the thermally conductive printed board which has a graphite layer formed on one surface of a metal foil and further has an insulating material laminated on both surfaces of the laminate, the graphite layer is formed by coating the metal foil with a thermally conductive paint containing 50 to 95 mass% of expanded graphite and 5 to 50 mass% of thermosetting resin in a solid content, and drying the paint. - 特許庁

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

芳香族ポリカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と特定の（ポリ）オキシアルキレンモノハイドロカルビルエーテルとのエステルからなる、ＳＰ値（ＳＰｋ）９〜１２を有し、ＳＰｋと樹脂のＳＰ値（ＳＰｊ）との差の絶対値｜ＳＰｋ−ＳＰｊ｜が２．５以下であるビニル系または重縮合系樹脂用可塑剤。例文帳に追加

This plasticizer for vinyl and polycondensed resins comprises an ester of an aromatic polycarboxylic acid or its ester-forming derivative and a specific (poly)oxyalkylene monohydrocarbyl ether, and it has an SP value (SPk) of 9-12, and the absolute value of the difference of SPk and the SP value of the resin (SPj), |SPk-SPj|, is not greater than 2.5. - 特許庁

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。例文帳に追加

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1. - 特許庁

センサ装置１００は、導電材料よりなるインサートピン４がインサート成形された樹脂パッケージ１に、圧力検出用の半導体よりなるセンサチップ２をマウントし、センサチップ２とピン４とをボンディングワイヤ６にて電気的に接続し、これらチップ２、ピン４及びワイヤ６を電気的な絶縁性且つ柔軟性を有するフッ素ゲルよりなる保護部材７により被覆保護してなる。例文帳に追加

The sensor device 100 is constituted such that the pressure detecting semiconductor sensor chip 2 is mounted in a resin package 1 having insert-formed conductive material-made insert pins 4 and electrically connected to the pins 4 through bonding wires 6, and the pins 4 and the wires 6 are covered and protected with a protective member 7 made of-an electrically insulative and flexible fluororesin gel. - 特許庁

ＦＰＤ駆動パッケージのように、回路幅及び回路間隔が狭く、高電圧で駆動する回路を備えたＣＯＦ形式の半導体装置において特に問題となる、高温高湿下で生じるマイグレーションによる絶縁性の低下を抑制することができるＣＯＦ用液状エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a liquid state epoxy resin for a COF (chip-on film) capable of inhibiting the reduction of insulation property caused by a migration occurring under a high temperature and high humidity and especially becoming a problem in the COF type semiconductor device having a narrow circuit width and circuit interval and equipped with a circuit driven by a high electric voltage such as a FPD (flat panel display)-driving package. - 特許庁

活性炭の表面を耐熱性、絶縁性被覆材で0.0005mm以上、1.0mm以下の厚みで被覆してマイクロ波照射などにより加熱すると、酸素を含有する雰囲気中でマイクロ波等を照射しても火花放電が起こらず、従って活性炭が燃焼することもなく、容易且つ短時間内に均一に活性炭自体の温度を上げることができる。例文帳に追加

Since this method can be carried out even in a small scale apparatus, it becomes possible to recover solvents volatilized in air, in small scale business places handling solvents, such as dry cleaning stores or painting stores. - 特許庁

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_2の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、配線幅が細い領域において、配線密集領域が無配線領域比べて過剰に研磨され起こるエロージョンを３０ｎｍ以下にすることのできる研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition that can reduce the erosion, caused when a wiring concentrating area is polished excessively as compared with a non-wiring area to ≤30 nm in an area having a narrow wiring width, during the course of a CMP process performed on a semiconductor device, having a copper film, a barrier layer composed of a tantalum compound, and an SiO_2 insulating layer. - 特許庁

一対の基板間に液晶が挟持されてなり、一方の基板にマトリクス状に配置された透明電導膜からなる画素電極と、画素電極に接続された半導体素子とが形成された液晶表示装置において、一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板でなり、他方の基板上には反射層と透明電導膜からなる共通電極を設ける。例文帳に追加

In the liquid crystal display device having the liquid crystal interposed between a pair of substrates, a pixel electrode consisting of a transparent conductive film disposed on one substrate in a matrix form and a semiconductor element connected to the pixel electrode, one substrate of the pair of substrates has transparency and an insulating property and the other substrate has a common electrode provided thereon and consisting of a reflection layer and a transparent conductive film. - 特許庁

一方、リブ・グリッド電極２２は、長手方向端部よりも外側に設けられたスルーホール３８ｒを介して絶縁体層４０上の接続配線４６によってリブ・グリッド配線４８に接続されるため、陽極配線３６との短絡を防止する目的で、表示領域Ｄからその端部までの距離をリブ・グリッド配線４８の配設範囲幅を考慮して大きく確保する必要はない。例文帳に追加

While, the rib grid electrode 22 is connected with a rib grid wiring 48 by a connecting wiring 46 on the insulating layer 40 via a through hole 38r formed outside a longitudinal direction end, the distance from a display area D to its end part need not to be largely secured in consideration of a wiring range of the rib grid wiring 48 to prevent a short circuit with a positive electrode wiring 36. - 特許庁

第２積層体２６は、第２基板３２と、第２基板３２の液晶層１８を向く面に形成された薄膜トランジスタ３６を含む回路層３４と、液晶層１８を駆動するための電極６６と、電極６６に電気的に接続された配線６２と、回路層３４と配線６２との間に配置された１層又は複数層の有機絶縁層５２と、を含む。例文帳に追加

A second laminated body 26 includes: a second substrate 32; a circuit layer 34 including a thin film transistor 36 formed on the surface of the second substrate 32 facing a liquid crystal layer 18; an electrode 66 for driving the liquid crystal layer 18; a wire 62 electrically connected to the electrode 66; and one or more organic insulation layers 52 arranged between the circuit layer 34 and the wire 62. - 特許庁

窒化アルミニウム等高熱伝導特性を有する長尺平板状の絶縁基板１１の一面に、銀・パラジウム等の通電により発熱が得られる発熱抵抗体１２１，１２２と電力を供給させるための銀、銀白金等の単位面積当たりの抵抗値が低く通電しても大きな発熱現象が起こりにくい給電用の電極部１４，１５を形成する。例文帳に追加

Exothermic resistors 121, 122 from which heat generation is obtained by current flow such as silver and palladium, and electrode parts 14, 15 for power supply which have low resistance value per unit area and hardly generate heat even if current is flowed such as silver and silver-platinum, are formed on one face of an insulating substrate 11 of long flat-shape having high heat conductive characteristics such as aluminum nitride. - 特許庁

パッケージハウジング８を、接続ランド５が設けられている位置より前寄りの位置のみに配置すると共に、シールド筒１２の外形がパッケージハウジング８の外形より大きくならないように、絶縁基体３の後端寄りの部分の外形をパッケージハウジング８で囲まれている部分の外形より小さく形成した。例文帳に追加

A package housing 8 is disposed only in a position ahead of the connection land 5, and the outer shape of a part of an insulating base 3 closer to the proximal end is made smaller than the outer shape of a part enclosed by the package housing 8 so that the outer shape of the shield cylinder 12 is not larger than the outer shape of the package housing 8. - 特許庁