「絶体」に関連した英語例文の一覧と使い方(598ページ目) - Weblio英語例文検索

具体的には、知識の種類として「暗黙知」と「形式知」 とに分けた上で、個人の持つ暗黙知が、組織内での他者との絶え間ない対話や議論を通じて、次第に誰にでもわかるような言語や数字という形式知へと変換していき、組織内部で当該知識が伝達・共有化されていくことによって、最終的には個人の知識が組織全体にとって大事な知識へと変換し、イノベーション（新しい商品・製造プロセス等）が発生すると分析している。例文帳に追加

More specifically, they assume the two knowledge types of "tacit knowledge" and "explicit knowledge," and argue that tacit knowledge held by individuals is gradually transformed into explicit knowledge in the form of languages or numbers that are easier for anyone to understand through constant dialogue or discussions with others in an organization. As the knowledge concerned is communicated and shared within the organization, the knowledge of individuals is ultimately transformed into the knowledge important for the organization as a whole, leading to the generation of innovation (new products, manufacturing processes and so on). - 経済産業省

絶滅のおそれのある野生動植物の種の保存に関する法律（平成四年法律第七十五号）第四条第二項に規定する希少野生動植物種（同条第五項に規定する特定国内希少野生動植物種を除き、同条第四項に規定する国際希少野生動植物種にあつては、絶滅のおそれのある野生動植物の保存に関する法律施行令（平成五年政令第十七号）別表第二の表一に掲げる種に限る。）の同法第六条第二項第三号に規定する個体及びその器官並びにこれらの加工品（四三の項の中欄に掲げるものを除く。）例文帳に追加

Individuals (prescribed in Article 6, paragraph (2), item (iii) of the Act on Conservation of Endangered Species of Wild Fauna and Flora (Act No. 75 of 1992)), organs, and processed products of the endangered species of wild flora and fauna prescribed in Article 4, paragraph (2) of the Act (excluding those listed in the middle column of row 43, as well as designated national endangered species of wild flora and fauna prescribed in Article 4, paragraph (5) of the Act; with respect to international endangered species of wild flora and fauna prescribed in Article 4, paragraph (4) of the Act, limited to those listed in Table 1 of Appended Table II of the Order for Enforcement of the Act on Conservation of Endangered Species of Wild Fauna and Flora (Cabinet Order No. 17 of 1993))  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ソースまたはドレインの一方となる第１の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第２の電極と、第１のチャネル形成領域に絶縁膜を介して重畳して設けられた第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、ソースまたはドレインの一方となる第３の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第４の電極と、第２のチャネル形成領域が第２のゲート電極と第３のゲート電極との間に絶縁膜を介して設けられた第２のトランジスタと、を有するメモリセルを複数有し、第１のチャネル形成領域及び第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んでおり、第２の電極は、第２のゲート電極に直接接続されている記憶装置とする。例文帳に追加

The first channel formation region and the second channel formation region include an oxide semiconductor, and the second electrode is directly connected to the second gate electrode. - 特許庁

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、第１導電型の第1のベース層２１と、第1のベース層の表面に形成された第２導電型の第２のベース層１４と、第２のベース層の表面領域に選択的に形成された第１導電型のソース層１５と、第１のベース層の表面に対して反対側の裏面に形成された第２導電型のドレイン層３１と、第1のベース層、ソース層および第２のベース層から絶縁され、第1のベース層にソース層と第２のベース層との間を導電させるチャネルを形成するゲート電極１６とを備え、ターンオフのストレイジ期間に第１のベース層の過剰キャリアが排出されるようにPドーズを低下させていることを特徴とする。例文帳に追加

A P dose is lowered so that excess carriers of the first base layer be discharged in a storage period of turn-off. - 特許庁

大日本帝国陸軍参謀であった石原莞爾は、「人類が心から現人神（あらひとがみ）の信仰に悟入したところに、王道文明は初めてその真価を発揮する。最終戦争即ち王道・覇道の決勝戦は結局、天皇を信仰するものと然らざるものの決勝戦であり、具体的には天皇が世界の天皇とならせられるか、西洋の大統領が世界の指導者となるかを決定するところの、人類歴史の中で空前絶後の大事件である。」と主張した。例文帳に追加

The general officer of the Imperial Japanese Army, Kanji ISHIWARA said 'Where all the human beings believe in the Arahitogami, the civilization of the rule of Right shows its real value for the first time. The last war, the final match between the rule of right and the rule of might is in fact a match between people who believe in the Emperor and people who don't. So the war is to decide if the Emperor becomes the Emperor of the world or the Western President becomes the leader of the world. This is the biggest event of all time in our history.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

最終戦争即ち王道・覇道の決勝戦は結局、天皇を信仰するものと然らざるものの決勝戦であり、具体的には天皇が世界の天皇とならせられるか、西洋の大統領が世界の指導者となるかを決定するところの、人類歴史の中で空前絶後の大事件である。と極論を展開するなど、昭和維新運動以後の軍国主義の台頭によって、天皇の威を借りた軍部による政治介入が頻発した。例文帳に追加

The final battle, that is, the decisive war between righteous monarchy and military rule, is the final battle between those who worship the Emperor and those who do not; specifically, it will be the most important incident in the history of mankind, determining whether the Emperor will be the Emperor of the world or whether Western presidents will lead the world" and with the rise of militarism after the Showa Restoration movement, the military appropriated the authority of the Emperor to intervene in politics.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

意匠が第4条，第9条2)及び4)若しくは第10条 (1)若しくは(2)の要件の何れかに違反している場合，登録出願が第19条及び第33条 (3)に規定する実体及び方式の要件を遵守していない場合，又は出願人が第31条 (3)に定める通知に応じて登録出願における不備の除去若しくは説明の提出をしなかった若しくは不十分な説明を提供した場合は，特許庁は，意匠登録を拒絶する旨の決定をし，出願人にその旨を書面をもって通知するものとする。例文帳に追加

If an industrial design is contrary to any of the requirements of § 4, clauses 9 2) and 4) or subsection 10 (1) or (2) of this Act, or the registration application fails to comply with the substantive and formal requirements provided for in § 19 and subsection 33 (3) of this Act or the applicant, upon responding to the notification specified in subsection 31 (3), has failed to eliminate the deficiencies in the registration application or to provide explanations or provides insufficient explanations, the Patent Office shall make a decision to refuse registration of the industrial design and shall notify the applicant thereof in writing.  - 特許庁

金属板の表面に、エラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、次いで露出した金属板表面にエラストマー樹脂を被着し、その後該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。例文帳に追加

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, coating the exposed metal surface with elastomer, followed by removal of the masking layer and forming the projections composed of elastomer resin and flat electrode portion with electrical contact members, and laminate the flat electrode with the substrate carrying membrane electrodes, while ascertaining that the electrical contact members and membrane electrode form oppose one another.  - 特許庁

金属板の表面にエラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、露出した金属板表面をエッチングして凹部を設けたのち、該凹部にエラストマー樹脂をマスク層の表面に至るまで充填し、次いで該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。例文帳に追加

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, after etching the indentations on the metal plate surface, filling the indentations up to the level of the surface of the masking, followed by removal of the masking layer and forming the elastomer projections and the flat electrode with electrical contact members, and laminate the said flat electrode and membrane electrodes ascertaining that the electrical contact members and the membrane electrodes oppose one another.  - 特許庁

法律第43条(1)(a)に関して，次の意匠の類が所定の類である。 (a)メダル (b)「Anzac」という語の保護規則の規則2(4)に基づいて，登録官が登録を拒絶しなければならない種類の意匠 (c)1981年犯罪(通貨)法第19条(1)に記載する種類の意匠 (d)中傷的な，又は中傷的と合理的にみなすことができる意匠 (e)連邦又は州若しくは領域の紋章，旗若しくは印章 (f)次の紋章又は記章 (i)州又は領域，又は (ii)連邦における市又は町，又は (iii)オーストラリアにおける公共機関又は公共団体(g)別の国の紋，旗，国の記章又はその他の標識例文帳に追加

For paragraph 43(1)(a) of the Act, the following classes of designs are prescribed: (a) medals; (b) designs of a kind that the Registrar must, under subregulation 2(4) of the Protection of Word 'Anzac' Regulations, refuse to register; (c) designs of a kind mentioned in subsection 19(1) of the Crimes (Currency) Act 1981; (d) designs that are scandalous, or might reasonably be taken to be scandalous; (e) the Arms, or a flag or seal, of the Commonwealth or of a State or Territory; (f) the Arms or emblems of: (i) a State or Territory; or (ii) a city or town in the Commonwealth; or (iii) a public authority or public institution in Australia; (g) the armorial bearings, flags, State emblems or other signs of another country.  - 特許庁

シリコン窒化膜２４を含む第１のゲート絶縁膜１６を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１０上にシリコン酸化膜２２を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、ＮＨ_3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとＮＨ_3とを原料として、シリコン酸化膜２２上にシリコン窒化膜２４を形成する工程とを有している。例文帳に追加

The method also includes a step of forming the silicon nitride film 24 on the silicon oxide film 22, by using a silicon-containing gas and NH3 as raw materials. - 特許庁

第１のゲート配線に接続する第１のゲート電極および第１の閾値電圧を有する第１のスイッチング素子と、前記第１の閾値電圧よりも絶対値が大きい第２の閾値電圧を有し、第１のゲート配線の単位長さあたりの抵抗よりも大きい抵抗を有する第２のゲート配線に接続する第２のゲート電極を有する第２のスイッチング素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。例文帳に追加

Provided is the semiconductor device which comprises a first switching element having a first gate electrode connected to first gate wiring and a first threshold voltage and a second switching element having a second gate electrode and a second threshold voltage whose absolute value is larger than that of the first threshold voltage where the second gate electrode is connected to a second gate wiring whose resistance per unit length is higher than that of the first gate wiring. - 特許庁

有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。例文帳に追加

The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized. - 特許庁

活物質を備えた正極板および負極板を多孔質絶縁体を介して巻回し加圧により扁平形状に成形した電極群を非水電解液とともに電池ケースに封入してなる扁平形非水系二次電池において、電極群として長軸方向に平行なストレート部と、半楕円状に形成したコーナー部とで構成することにより、電池の膨れを抑制して安全性の高い扁平形非水系二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a flat nonaqueous secondary battery with high safety through restraint of battery swelling by structuring an electrode group with straight parts parallel with a major axis and corner parts formed in a half-elliptical shape, in one made by sealing in a battery case together with nonaqueous electrolytic solution an electrode group winding a positive electrode plate and a negative electrode plate equipped with an active material around a porous insulator and molding it in a flat form by pressurization. - 特許庁

２つの単一指向性コンデンサマイクロホンユニットの固定極を対向させ一体に形成し、固定極の間に、外周の一部から内径方向に向けて間隙部が形成されている絶縁座を有し、間隙部が各マイクロホンユニットの固定極背面空間を外部空間に連通させることで、マイクロホンユニットに共通の後部音響端子となっているステレオコンデンサマイクロホンユニットによる。例文帳に追加

A stereo capacitor microphone unit allows fixed poles of two unidirectional capacitor microphone units to face each other for forming in one piece, includes an insulated seat of which a gap is formed from one portion of an outer periphery toward an inner diameter direction between the fixed poles, and allows a fixed pole back space of each microphone unit to communicate with an external space by the gap, and hence functions as a rear acoustic terminal common to the microphone unit. - 特許庁

金属−絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。例文帳に追加

To structure a coolant chamber accurately without generating inconvenient deformation on a substrate even through an assembling process in conjunction with heat treatment of a power conversion circuit part without depending on a shape and arrangement of a heat radiation projection in order to improve cooling performance in manufacturing a power semiconductor module in which a power conversion circuit is formed on a metal-insulating layer bonded substrate and a liquid-cooling type cooling device is structured on a metal base side. - 特許庁

透光性絶縁基板１上に順次形成された透明導電膜２と、半導体膜からなり光電変換を行う少なくとも一つの光電変換ユニット３と、裏面電極層６と、を備え、前記光電変換ユニット３は、異なる導電型を有する２つの導電型層３１、３３間に光電変換層３２が配置されてなり、前記導電型層３１、３３のうち少なくとも一つの層３３が空洞を有する。例文帳に追加

The thin film solar cell includes a transparent conductive film 2, at least one photoelectric conversion unit 3 formed of a semiconductor film and performing a photoelectric conversion, and a back electrode layer 6 sequentially formed on a translucent insulating substrate 1, wherein the photoelectric conversion unit 3 includes the photoelectric conversion layer 32 arranged between two conductivity layers 31, 33 having different conductivities, and at least one layer 33 of the conductivity layers 31, 33 has a cavity. - 特許庁

従来の導電性カーボンブラックを導電材料とする黒色の導電性インクに絶縁性淡色顔料を含有させ、色調を灰色とした導電性インクを可動接点に用いたことによって、黒色、あるいは黒色に近い色を含むコンタクトラバーにおける導電性インクの視認性を改善したと同時に、灰色とした導電性インクに、さらに、導電性金属粉を含有させることによって、可動接点の導体抵抗特性を、従来の黒色の導電性インクを用いた場合と同等とした。例文帳に追加

Simultaneously with improving the visibility of the conductive ink on the blacked or nearly blacked contact rubber by using the conductive ink which is grayed in tone by containing an insulating light color pigment in a black conductive ink using conventional conductive carbon black as a conductive material for the movable contact, conductive metal powder is further contained in the grayed conductive ink to achieve the same conductor resistance characteristic of the movable contact as that when the conventional black conductive ink is used. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂と芳香族ポリカーボネート樹脂から主としてなる熱可塑性樹脂とある特定範囲の粒径を有した大粒径粒子よりなる樹脂組成物から形成された熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを電気、電子部品に被覆後、耐衝撃性、透明性に優れ且つ収縮特性および機械加工性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thermoshrinkage thermoplastic tube formed of resin composition made of thermoplastic resin mainly comprising polyethylene terephthalate resin and aromatic polycarbonate and large diameter grains having grain diameter in a specified range which gives availability to general purpose electrical insulating material and heat generating body coating material, which are excellent in shock resistance, transparency, shrinkage property and machinability, after coating the tube on an electric or electronic parts. - 特許庁

ゲート電極及び絶縁膜を備えた基板上に、ソース電極及びドレイン電極が形成され、その上に有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタであって、該基板、該ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの表面に単分子膜が形成され、かつ該基板上に結合した単分子膜の末端と、該ソース電極及びドレイン電極の表面に結合した単分子膜の末端とが同一の化学構造を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In the organic thin-film transistor, a unimolecular film is formed on the surface of each of the substrate and the source and the drain electrodes; the end of the unimolecular film bonded to the surface of the substrate and the ends of the unimolecular films, bonded to the surface of the source and drain electrodes, have the same chemical structure. - 特許庁

透明支持体上に防眩層を有する光学フィルムであって、該防眩層が透光性樹脂と透光性粒子とを有し、該防眩層の膜厚が６μｍ〜１０μｍであり、該透光性粒子の粒子径が７μｍ〜１５μｍであり、該透光性粒子と該透光性樹脂の屈折率差の絶対値が０．００１〜０．０５０であり、かつ該透光性粒子の含有量が該防眩層中の全固形分に対して１５〜４０質量％である光学フィルム。例文帳に追加

Further, the absolute value of the difference in refractive index between the translucent particles and translucent resin is 0.001 to 0.050 and the antiglare layer contains 15 to 40 mass% of the translucent particles for the overall solid content in the antiglare layer. - 特許庁

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜で被覆した固体撮像素子であって、前記開口部が、柱状単層構造の高屈折率膜で覆われており、前記高屈折率膜の周りは、前記高屈折率膜よりも屈折率が低く、表面を平坦化された絶縁膜で被覆されていることを特徴とする。例文帳に追加

The opening portion is covered with a high-refractive-index film of a columnar-single-layer structure, and the periphery of the high-refractive-index film has a refractive index lower than the high-refractive-index film to cover its surface with a flattened insulating film. - 特許庁

シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を向上させ、フローティングゲートに荷電された電子の漏れを防止できるＥＰＲＯＭ素子と、シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を確保すると同時に、ＯＴＰセル領域を除いた他の領域でメインチップを構成するトランジスタにおけるＨＣＩ特性及び絶縁特性を確保できる半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an EPROM device which can improve datagram retention property in a single poly OTP (one time programmable) cell, and prevent leak of electron charged at a floating gate, and provide a semiconductor device which can secure the datagram retention property in the single poly OPT cell, and HCI and insulating properties in a transistor constituting a main chip in other regions except OTP cell region simultaneously, and its manufacturing method. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂とポリエチレンナフタレート樹脂およびポリエステル系エラストマー樹脂からなる熱可塑性樹脂組成物により形成された熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを電子部品に被覆後、耐熱性、耐衝撃性に優れ且つ収縮特性および開口性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable aromatic polyester tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater-coating material or the like having excellent heat resistance, impact resistance after an electronic component is covered with the polyester tube formed of a thermoplastic resin composition made of a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate and a polyester elastomer resin after the component is covered with the polyester tube, and excellent shrinkage characteristics and openability. - 特許庁

酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin film transistor includes a channel layer formed of oxide semiconductor material, a source electrode and drain electrode facing each other on the channel layer, a protective layer formed to cover the channel layer under the source electrode and drain electrode, a gate electrode to apply an electric field on the channel layer, and a gate insulating layer interposed between the gate electrode and the channel layer. - 特許庁

制御回路部と、制御回路部と制御対象となる部品を電気的に接続させるためのコネクタと配線部とを一体構成とし、配線部であるバスバーの少なくとも一部が可動できるように配線するとともに、前記コネクタとカバー間に制御対象部品の位置ずれを吸収するためのギャップを設けている配線材とで構成されたコントロールモジュールにおいて、配線部のベース部材にバスバー間ショートを防止するための絶縁壁を設けるとともに、前記ギャップから侵入した導電性異物を集積するための少なくとも１つ以上のプール部を設けた。例文帳に追加

An insulating wall for preventing a short circuit between the bus bars is formed at a base member of the wiring part, and at least one or more pools for collecting the conductive contamination intruding from the gap are arranged at the base member. - 特許庁

電場を加えることによって、正電荷が優位となる正電荷形成領域と、負電荷が優位となる負電荷形成領域とが、異なる色を有して回転体形状の表面に形成される表示素子に用いられる絶縁性微小粒子が、第１の電場内で正電荷形成領域が所定方向に向いて安定する第１の安定状態と、第２の電場内で負電荷形成領域が前記所定方向に向いて安定する第２の安定状態との間で切り換えられる際、正電荷形成領域および負電荷形成領域の向きの反転の応答を速くすることを課題とする。例文帳に追加

To provide insulating microparticles and a display element having fast response of inversion movement generating according to the inversion of electric fields and to be used for a display device such as a twist ball display, and to provide a display device which uses the display element. - 特許庁

半導体集積回路、液晶表示素子用ＴＦＴ回路等の回路製造用のポジ型レジストとして、アルカリ水溶液からなる現像液によって現像でき、感度、現像性、残膜率、耐熱性、基板との密着性等に優れた感放射線性材料、さらに層間絶縁膜、カラーフィルター保護膜、回路保護膜等の永久膜として、耐熱性、基板との密着性、可視光領域における透明性、耐薬品性、寸法安定性等に優れた感放射線性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive material superior in sensitivity, developability, etching endurance, heat resistance, and adhesion to a substrate and developable with an aqueous alkaline developing solution and usable for a positive resist for manufacturing the semiconductor integrated circuit and the like by using a copolymer composed essentially of repeating units derived from specified monomers. - 特許庁

バイオセンサーにおいて生体成分中の目的とする被検出物質を捕捉して検出するセンサーチップは陽電極及び陰電極が所定の間隔をおいて相対配置され、該陰電極上に被検出物質からなるチップ素材が電気的絶縁状態で配置された反応容器内に有機又は無機化合物の原料ガスを導入して所定のガス圧に調整した状態で陽電極及び陰電極間に印加された電圧により発生するグロー放電により原料ガス中の有機又は無機物質をプラズマ化してチップ素材に付着堆積させて製膜した後、チップ素材を溶解除去して被検出物質に一致する凹部を有して形成する。例文帳に追加

Organic or inorganic substance in the material gas, in the form of plasma, is deposited on the chip material to form a film and then the chip material is dissolved and removed to form a recess matching the substance being detected. - 特許庁

ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、１回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計３回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。例文帳に追加

A display device is manufactured through three photolithography steps in total: one photolithography step for forming a gate electrode and forming an island-shaped semiconductor layer; one photolithography step for forming a planarization insulation layer and then forming a contact hole; and one photolithography step for forming a source electrode and a drain electrode and forming a pixel electrode. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same. - 特許庁

また、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を絶縁膜９０４ａおよび９０４ｂを介してそれぞれ送受信電極９０３ａおよび９０３ｂで検出し、この電界を受信部９１０ａおよび９１０ｂで電気信号（受信信号）に変換し、更に波形整形回路９０７ａおよび９０７ｂで波形整形してから、比較判定部１０１でそれぞれの受信信号を比較し、一致する場合には、受信信号１が入出力回路９０１を介してコンピュータに出力される。例文帳に追加

Receivers 910a, 910b convert the electric fields to electric signals (received signals), waveform shaping circuits 907a, 907b shape their waveforms, and a comparison decider 101 compares the received signals to output the received signals 1 to the computer via the input/output circuit 901, if they agree. - 特許庁

リチウム電池本体の正極および負極の各々に接続された金属端子を外側に突出した状態で挟持して熱接着して密封するタイプのリチウム電池等の電池用包装材であって、密封性、耐突刺し性、絶縁性、耐熱・耐寒性、耐腐蝕性等の諸物性においても優れることは元より、スリップ剤を用いることなく良好な滑り性を得ることができ、結果としてプレス成形時の成形安定性やラミネート強度の安定性に優れる電池用包装材を提供することである。例文帳に追加

To provide a packing material for a battery, not only excellent in a sealing property, an anti-piercing property, insulation, heat and cold resistance, corrosion resistance or the like, but also capable of obtaining an excellent slip property without using a slipping agent, and as a result, excellent in molding stability at press molding and stability of laminating strength. - 特許庁

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101. - 特許庁

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。例文帳に追加

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes. - 特許庁

電気絶縁油、熱媒体、有機性排液等に含有されているポリ塩化ビフェニル等の有機ハロゲン化合物を脱ハロゲン化して分解処理する方法とその装置に関し、金属ナトリウムを微粒子化するための設備を必要とせず、微粒子化の工程が不要となり、微粒子化タンクの攪拌作業や窒素パージも不要となり、しかも反応効率を従来より低下させず且つ添加されるナトリウムを再利用させうるような有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for decomposing an organic halogen compound such as polychlorobiphenyl contained in an electrical insulating oil, a heating medium, an organic waste liquid or the like by dehalogenation, that do not require a device and a step for atomizing metallic sodium as well as agitation and nitrogen purge in an atomizing tank, and can reuse the added sodium without impairing a reaction efficiency of prior arts. - 特許庁

本発明は、半導体チップ搭載領域の周囲に複数のインナーリードを形成し、インナーリードにタイバーを介在して繋がる複数のアウターリードを形成し、複数のインナーリードを絶縁材料から成るサポートにより固定するリードフレームの製造方法に関し、複数のインナーリードにおける所定の位置を強固に固定することによって、微細なインナーリードの変形を未然に防止し得る、リードフレームの製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a process for producing a lead frame by forming a plurality of inner leads around a semiconductor chip mounting region, forming a plurality of outer leads connected with the inner leads through tie bars and securing the plurality of inner leads by means of a support made of an insulating material wherein deformation of fine inner lead can be prevented by securing predetermined positions in the plurality of inner leads rigidly. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor. - 特許庁

所定の通信方式によって親局無線通信装置２０と１又は複数の子局無線通信装置３０との間を双方向通信させ得る無線通信システムであって，前記子局無線通信装置３０に発生した故障により両者の通信が断絶した場合にも，ネットワーク管理センタ１０に対して，その故障箇所を迅速且つ具体的に認識させることを可能とする無線通信システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a wireless communication system capable of two-way communicating between a key station wireless communication device 20 and one or a plurality of substation wireless communication units 30 through a predetemined communication method, and making a network managing center 10 recognize speedily and specifically a faulty position for a communication disconnection of both the system caused by the fault occurred in the substation wireless communication unit 30. - 特許庁

支持体上に、青感性ハロゲン化銀乳剤層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層及び赤感性ハロゲン化銀乳剤層を含む写真構成層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該ハロゲン化銀乳剤層の少なくとも一層に、無色で絶対ハードネス値が２．０〜５．０であり、かつ、メルカプトプロトン又はイミノプロトンを持たない非発色性含窒素複素環化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。例文帳に追加

In the silver halide photographic sensitive material with photographic constitutive layers which include blue-, green- and red-sensitive silver halide emulsion layers on the base, at least one of the silver halide emulsion layers contains at least one noncoloring mercapto or imino proton-free nitrogen- containing heterocyclic compound, containing absolute hardness value of 2.5-5.0 and developing no color. - 特許庁

メモリセル領域とロジック領域を備えた半導体メモリ装置とその製造方法において、メモリセル領域のアクセストランジスタのソース、ドレインをそれらの面積に拘わらず充分な厚さの絶縁膜で覆った状態で、そのゲート電極上にシリサイド膜を形成し、アクセストランジスタのソース、ドレインにシリサイド形成金属が拡散するのを阻止し、リフレッシュ性能の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent lowering of refresh performance by forming a silicide film on a gate electrode and preventing silicide formation metal from dispersing on the source and the drain of an access transistor in a state that the source and the drain of the access transistor of a memory cell area is covered with a sufficient thick insulation film regardless of the areas in a semiconductor memory device and its manufacturing method provided with a memory cell area and a logic area. - 特許庁

被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。例文帳に追加

The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step. - 特許庁

中心部に電子ビーム通過孔８を設けた相互作用部５と、電子ビーム通過孔８の管軸の延長部に設けた相互作用部５からの電子を収集（回収）するコレクタ電極１と、このコレクタ電極１の外壁と相互作用部５の外壁とを支持する絶縁支柱３とで構成されたコレクタ構体で、電子ビームが通過する管軸近傍のコレクタ電極１の外壁の一部を突出させ、この突出部２に対向する相互用部５の外壁周辺を窪ませ、相互作用部５からの電子の一部をコレクタ電極１の突出部２で捕捉するようにした。例文帳に追加

In the structure, a part of the outer wall of the collector electrode 1 in the vicinity of the tube axis where the electron beam passes through is protruded, while the outer wall of the interaction part 5 is recessed in the periphery opposed to this protrusion part 2, so that a part of the electrons from the interaction part 5 is made to be captured by the protrusion part 2 of the collector electrode 1. - 特許庁

磁性をもたない導電性粒子を用いる場合であっても、絶縁破壊を生じることなく導電性粒子を結着部材中の所定の方向に配列することができ、十分に高い異方導電性を有する異方導電部材を効率よく且つ確実に得ることを可能とする異方導電部材の製造方法およびそれによって得られる異方導電部材、並びに該異方導電部材を用いた電子写真感光体および電子写真画像形成装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an anisotropic electrical conducting component having sufficiently high anisotropic conductivity which can arrange conductive grains in a predetermined direction in an adhesive component, and makes it possible to obtain efficiently and certainly the anisotropic electrical conducting body, even when a conductive grains having no magnetism are used, and the anisotropic electrical conducting element, obtained by it, and an electronic photography sensitive body and a photoelectric image forming equipment. - 特許庁