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該当件数 : 29927



例文

縁性がある基板と、前記基板上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電気的に接続されるように形成され、半導装置もしくは電子装置の外部端子と接触する金属めっき突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属めっき突起は、所定の配置ルールの基で、前記外部端子の径より小さいピッチで設けられた複数個のめっき突起を有する。例文帳に追加

The probe substrate for inspection comprises an insulating substrate, a specified wiring pattern formed on the substrate, and metal plated protrusions formed on the wiring pattern to be connected electrically therewith and touching the external terminals of a semiconductor device or an electronic apparatus wherein the metal plated protrusion has a plurality of plated protrusions arranged at a pitch smaller than the diameter of the external terminal based on a specified rule of arrangement. - 特許庁

水素分離膜−電解質膜接合(100)の製造方法は、水素透過性を有する水素分離膜(10)上にプロトン伝導性を有する電解質膜(20)を成膜する電解質膜成膜工程と、酸化後に縁性を有する金属材料(30)を、電解質膜のピンホール内に形成する金属材料形成工程と、金属材料に対して酸化処理を施す酸化処理工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of a hydrogen separation film-electrolyte membrane assembly (100) includes an electrolyte membrane forming process to form an electrolyte membrane (20) having proton conductivity on a hydrogen separation film (10) having hydrogen permeability, a metal material forming process to form a metal material (30) having insulation after oxidation in pinholes of the electrolyte membrane, and an oxidation treatment process to apply an oxidation treatment on the metal material. - 特許庁

ビルドアップ多層配線基板7は、低温焼成セラミック基板1と、導層4及び樹脂縁層21を交互に積層した構造を有し、低温焼成セラミック基板1のチップ実装面18及びボールグリッド接合面19のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層2とを備える。例文帳に追加

The build-up multilayer wiring board 7 comprises a low-temperature baked ceramic substrate 1; and a build-up layer 2 that has a structure in which a conductive layer 4 and a resin insulating layer 21 are laminated alternately, and is formed on at least one of a chip-packaging surface 18 and a ball grid junction surface 19 of the low-temperature baked ceramic substrate 1. - 特許庁

複数の画素が2次元状に配置された画素領域10と、画素領域10の周辺に配置された周辺領域50とを有し、画素領域10及び周辺領域50が複数層の配線層36〜38を含み、配線層36〜38のうちの最上の配線層38上に縁膜35が配置された固撮像素子を製造する。例文帳に追加

A solid state image sensor is manufactured which comprises: a pixel region 10 where multiple pixels are arranged two-dimensionally; and a peripheral region 50 arranged on the periphery of the pixel region 10 in which the pixel region 10 and the peripheral region 50 include a plurality of wiring layers 36-38 and an insulating film 35 is arranged on the uppermost layer 38 out of the wiring layers 36-38. - 特許庁

例文

金属膜24、27の研磨において、縁膜22、25の研磨速度が一定以上となり、酸化剤濃度を含んだ研磨剤11で研磨する第一の工程と、第一の工程よりも酸化剤濃度が低い研磨剤11で研磨する第二の工程を有する半導装置の製造方法である。例文帳に追加

In polishing metal films 24, 27, the method for manufacturing a semiconductor device includes has a first process that performs polishing where polishing speeds of insulating films 22, 25 is certain speeds or more and polishing is performed with a polishing agent 11 containing an oxidizing agent concentration and a second process that performs polishing with the polishing agent 11 at a lower concentration of the oxidizing agent concentration than in the first process. - 特許庁


例文

本発明のコイル内蔵基板は、間に平面スパイラルコイル4が埋設されている、第1のフェライト層2および第2のフェライト層3を、一対の縁層1で挟持してなるコイル内蔵基板において、平面スパイラルコイル4のコイル導間に第1のフェライト層2および第2のフェライト層3より透磁率の小さい第3のフェライト層を形成することで成る。例文帳に追加

This substrate with the built-in coil constituted by sandwiching a first ferrite layer 2 and a second ferrite layer 3, with a flat spiral coil 4 embedded between them, with a pair of insulating layers 1 is constituted by forming a third ferrite layer, whose magnetic permeability is smaller than that of the first ferrite layer 2 and the second ferrite layer 3, between coil conductors of the flat spiral coil 4. - 特許庁

フォーカスコイル16およびトラッキングコイル18は、それらの縁基板1602、1804がそれらの厚さ方向に重ね合わされた状態で熱圧着などによって接合されることで一的に構成され、レンズホルダ20に、それらの厚さ方向がフォーカス方向Zに向けられ、かつ、それらの第1コイル部1604の一部と第2コイル部1804の一部が突出するように取着されている。例文帳に追加

Their insulating substrates 1602 and 1804 are integrally constituted by being joined by thermocompression bonding etc., in the state of being superposed in their thickness direction, and the substrates are attached to the lens holder 20 such that their thickness directions are directed to the focusing direction and in addition, a portion of their first coil section 1604 and a portion of their second coil section 1804 are projected. - 特許庁

有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるTFT基板用平坦化膜や半導素子の縁膜、光導波路のコアやクラッド材などの光学材料などとして透明性、耐熱性に優れた硬化膜、および感度に優れたパターン硬化膜形成が可能なネガ型感光性樹脂組成物を得ること。例文帳に追加

To provide a negative photosensitive resin composition for forming a hardened film with excellent transparency and heat resistance as a flattening film of a TFT substrate in an organic field emission element or a liquid crystal display element, an insulation film of a semiconductor device, or an optical material such as a core and a clad material in an optical waveguide, and for forming a patterned hardened film with excellent sensitivity. - 特許庁

パッシブタグ1の両側に位置して相互に対向する対向面11a,11bが形成された金属部材であってその共振周波数が前記パッシブタグ1を動作させるための無線信号の周波数と等しい共振金属部材11と,前記対向面11a,11bの間の位置に前記パッシブタグ1を保持する電気的である保持部材12とを備える。例文帳に追加

The IC tag unit comprises a resonant metallic member 11 having opposite faces 11a and 11b mutually opposed at both ends of the passive tag 1, the resonance frequency of which is equal to the frequency of a radio signal for operating the passive tag 1, and a retaining member 12 that is an electric insulator retaining the passive tag 1 at a position between the opposed faces 11a and 11b. - 特許庁

例文

バッテリー本27は、その外側壁の縁壁部27a に囲まれた二つの収容空間32,33 内にそれぞれ設けられた正極又は負極のバッテリ電極29,30 と、各収容空間32(33)内のバッテリ電極29(30)に対応するバッテリ用ターミナル24(25)のみを嵌挿可能とするターミナル挿入口32a(33a)とを備える。例文帳に追加

The battery body 27 is equipped with positive and negative battery electrodes 29, 30 respectively provided in two receiving spaces 32, 33 surrounded by an insulating wall portion 27a of the external wall thereof, and terminal insert ports 32a (33a) in which only a terminal for battery 24 (25) corresponding to the battery electrode 29 (30) within each receiving space 32 (33) can be inserted. - 特許庁

例文

複数の半導素子等の電子部品を積層して搭載した積層型電子部品において、ワイヤ下部の樹脂未充填部に起因する気泡の発生を抑制した上で、下段側の電子部品のボンディングワイヤと上段側の電子部品との接触に基づく縁不良やショートを防止する。例文帳に追加

To provide a stack-type electronic component having a plurality of electronic components, such as semiconductor elements, mounted in a stacked construction, adapted to suppress creation of bubbles attributed to unfilled voids of resin below wires to prevent defective insulation and short circuit caused by a touch between an electronic component on the upper layer side and the bonding wire of the electronic component on the lower layer side. - 特許庁

半導基板101に形成されて活性領域を限定する素子分離膜103を具備し、活性領域の上部に複数個の第1導電膜パターン107bと複数個の第2導電膜パターン109bが交互に積層されたフローティングゲートが配置され、フローティングゲート110bと活性領域の間に第1縁膜105aが配置される。例文帳に追加

Element separation films 103 are formed on a semiconductor substrate 101 so as to restrict an active area, the floating gate constituted of alternately laminating a plurality of 1st conductive film patterns 107b and a plurality of 2nd conductive patterns 109b is arranged on the upper part of the active area and a 1st insulating film 105a is arranged between the floating gate 110b and the active area. - 特許庁

素子基板全を透明有機縁膜で覆い、従来、シールエリアの外側にあったドライバー回路をシールエリアより内側で、且つ画素エリアとの間に配置することで、シールエリアを横切る配線の数を従来よりも少なくし、液晶を劣化させる水分の流入を抑制した。例文帳に追加

The whole element substrate is covered with a transparent organic insulating film and a driver circuit conventionally disposed in the outside of a seal area is arranged in the inside of the seal area and between the seal area and a pixel area so that the number of lines crossing the seal area is decreased compared to a conventional one and intrusion of water which deteriorates a liquid crystal is suppressed. - 特許庁

シリコン半導基板1上に形成された隣り合うトランジスタのゲート電極と、トランジスタ間に金属層を埋め込んでなり、各ゲート電極9,10の端部がゲート縁膜8を介して金属層の端面に重なるように配置された埋め込み金属層7と、各ゲート電極の他端部側に形成されたLDD領域16,17とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the gate electrodes of adjacent transistors which are formed on the silicon semiconductor substrate 1; an embedded metal layer 7 which is embedded between the transistors, with one end of each of the gate electrodes 9 and 10 so arranged as to overlap the end face of the metal layer via a gate insulation film 8; and LDD regions 16 and 17 formed on the other end side of each gate electrode. - 特許庁

ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導素子などにおける層間縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。例文帳に追加

To provide a production method for a polyarylene and/or a polyarylene ether and a composition for film formation containing a polyarylene and/or a polyarylene ether obtained by the method; more specifically, a composition for film formation which is used as a material for forming an interlayer insulation film in a semiconductor element and can form an organic film having a low metallic impurity content and excellent in relative permittivity characteristics and low leak current characteristics. - 特許庁

そして第1、第2の各対時間情報と、計測時間を用いて、上記所定位置近傍でのトラック1周の再生所要時間を算出し、さらに上記トラック1周の再生所要時間と、当該トラック位置のディスク直径の値から、ディスク状記録媒に記録された情報の線速度を算出する。例文帳に追加

The reproduction required time of one cycle of a track is calculated in the vicinity of the prescribed position by using the respective first and second absolute timing information and the measured time, and the linear velocity of information recorded on the disk-shaped recording medium is further calculated from the reproduction required time for one track cycle and the value of a disk diameter at a corresponding track position. - 特許庁

マトリクス状に配列した複数の開口528をそれぞれに有する加速用電極と減速用電極と基準電極とを荷電粒子線の光軸方向に積層して備える荷電粒子線レンズアレイ500において、前記加速用電極と前記減速用電極と前記基準電極との少なくとも何れかの間にからなるスペーサ521を配設する。例文帳に追加

In the charged particle beam lens array 500 provided with an electrode for acceleration, an electrode for deceleration and a reference electrode, having a plurality of openings 528 arrayed in the shape of matrix respectively and which are laminated in the direction of optical axis of the charged particle beam, a spacer 521 consisting of an insulator is arranged at least between either ones of the electrode for acceleration, the electrode for deceleration and the reference electrode. - 特許庁

電動機のロータとステ—タ間の隙間を通る流量を増加させ、電動機内部の十分な冷却を行うことにより、電動機内部の温度上昇による銅損減少による電動機損失の低減および、電動機巻線縁材の劣化の低減を図れる密閉型圧縮機を提供する。例文帳に追加

To provide a hermetic compressor that can reduce motor loss due to reduction in copper loss caused by a temperature increase inside the motor and reduce deterioration in the insulating material of the winding of the motor by increasing the amount of fluid that passes through a gap between a rotor and a stator of the motor to perform cooling sufficiently inside the motor. - 特許庁

タッチセンサ10は、線状の第一電極1と、第一電極1を縁性のある支持手段を介して内包し、物の当接による外力によって弾性変形する筒状の第二電極2と、支持手段として、第一電極1を少なくとも1方向から支持し、第二電極2と連結する連結部材3と、を備える。例文帳に追加

The touch sensor 10 comprises a first linear electrode 1; a second cylindrical electrode 2 for elastically deforming by external force due to the contact on the object, by involving the first electrode 1 via a support means having insulation; and a coupling member 3 coupled with the second electrode 2, by supporting the first electrode 1 from at least one direction as the support means. - 特許庁

回路と層間樹脂縁層との接着性に優れ、ヒートサイクル時のクラック発生が少なく、可撓性が良好で、耐熱性、耐湿性、電気特性、難燃性等に優れた粗化面形成用樹脂組成物、並びにそれを用いた高信頼性の多層プリント配線板及びプリント配線板用プリプレグを提供する。例文帳に追加

To provide a roughened surface forming resin composition excellent in adhesiveness between a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer, less suffering from the occurrence of cracks during heat cycle, and having good flexibility, heat resistance, moisture resistance, electrical properties and flame resistance, and to provide a highly reliable multilayer printed wiring board and a prepreg for a printed wiring board. - 特許庁

半導基板1上の素子分離領域2により分離された能動領域に、ゲート酸化膜3を介して多結晶Si4とWSi5からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間縁膜7に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔8を形成する。例文帳に追加

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode. - 特許庁

応力緩和層5を有するCSPタイプの半導装置において、第1ボンディングパッド2形成領域と第2ボンディングパッド8配列領域との間に、第1縁膜4の一部を除去することにより形成され、かつ第2ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝12を形成する。例文帳に追加

In the CSP type semiconductor device having the stress relaxation layer 5, a recessed groove 12 that is formed by removing one portion of a first insulating film 14 and is arranged so that the second bonding pad arrangement region can be surrounded is formed between the formation region of the first bonding pad 2 and the arrangement region of a second bonding pad 8. - 特許庁

そして、外装缶16の上部外周部に形成された環状溝16aの下端部と電極群の上部に溶接された集電14の上面との間に切断部17aを備えた平板円環状の縁リング17が配置されており、切断部17aの両端部は環状溝16aからの押圧力により互に接近している。例文帳に追加

A planar insulating ring 17, having a cut portion, is arranged between the underside of the annular groove 16a and the topside of the current collector 14, both ends of the cut portion 17a approaching each other due to the pressure applied from the ring-like groove 16a. - 特許庁

半導記憶装置の十分な容量値を得ることができるメモリセル構造において、正負バイアス印加時でのリーク電流特性が0Vを中心に非対称性をもつ容量縁膜を使用する場合で、かつ、一方の極性のバイアスを印加した際にリーク電流が目標設定値を越えてしまう場合にでも、リーク特性を満足させ、電荷保持特性を満足させる。例文帳に追加

To satisfy leakage characteristics and satisfy charge retention characteristics even in the case that the leakage current characteristics are centered during positive and negative application and a capacity insulation film having asymmetry is used in a memory cell structure capable of obtaining the sufficient capacity value of a semiconductor storage device and in the case that leakage current exceeds a target set value in applying one polar bias. - 特許庁

柱上変圧器等に残留する縁油に含まれる有機ハロゲン化合物を、特別な分解処理装置を使用することなく簡易に短期間で、有害なダイオキシン類を副生することなく洗浄でき、柱上変圧器等を解前に無害化処理できる有機ハロゲン化合物内蔵機器の無害化処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detoxifying an instrument containing built-in organic halogen compounds, which makes it possible to wash off organic halogen compounds contained in insulation oil remaining in/on a pole transformer and the like simply within a short time by neither using any special apparatus for decomposition nor producing harmful dioxins as by-products and to detoxify a pole transformer and the like before dismantlement. - 特許庁

Si基板2の主面にダイヤモンド層3とZnOの圧電層4と交差指電極からなるIDT6,8とSiO_2 の縁保護膜11とを積層してSAW素子1を形成し、その表面にAu粒子12をスパッタリングで均一に被着させて、SAW素子の周波数を調整する。例文帳に追加

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element. - 特許庁

縁基板上に電子部品素子を搭載する金属のダイパット部を含む回路導を形成した後、前記ダイパット部とボンデングパッド部の間に溝部をレーザ加工により設けることにより、近接パット部間でも溝加工が可能であり、電子部品素子を近接して搭載が可能なプリント配線板を提供できる。例文帳に追加

After a circuit conductor, including a metallic die pad part for mounting the electronic component elements, is formed on an insulating substrate, a groove part is provided between the die and bonding pad parts by laser machining, thus achieving groove machining even between the adjacent pad parts, and hence providing the printed-wiring board where the electronic component elements can be mounted adjacently. - 特許庁

フェライト31と、フェライト31の表面31aに積層された中心電極パターン21〜23及び縁膜26と、フェライト31の裏面31bに設けられたグランドパターン25と、フェライト31の側面31cに設けられた接続電極24とを備えたアイソレータ用の中心電極組立1。例文帳に追加

This irreversible component is the center-electrode assembly 1 for an isolator with a ferrite 31, the center-electrode patterns 21-23 and an insulating layer 26 laminated on the surface 31a of the ferrite 31, a ground pattern 25 formed on the rear-face 31b of the ferrite 31, and the connecting electrode 24 formed on side 31c of the ferrite 31. - 特許庁

半導チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気縁性を保持し、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラックスシートを提供する。例文帳に追加

To provide a hardenable flux and a hardenable flux sheet capable of surely conducting solder joining, not requiring the cleaning/removing of a remaining flux after solder joining, holding the electric insulation property even in a high temperature and high humidity environment, and capable of carrying out high reliability solder joining, in mounting a semiconductor chip and interlayer connection of multilayer interconnection substrate. - 特許庁

電動機のステータコア1Bのティース部1Aに集中巻されたステータコイル2を構成する導線が、巻回された状態で少なくともコイル表面側に位置する並列導線2Aの導断面積を、互いに縁された複数の導線21〜24を電気的に並列に接続することで、小さくした。例文帳に追加

By connecting electrically in parallel a plurality of wires 21 to 24 insulated to each other, conductor cross-section of parallel wires 2A positioned at least coil surface side is made smaller with wires wound that constitute a stator coil 2 in concentrated winding on the teeth 1A of a stator core 1B of the electric motor. - 特許庁

このオゾン発生装置は、円筒状をなす接地電極1と、接地電極1の内側に配置された高圧電極2と、接地電極1と高圧電極2との間に生成空間3となるギャップを形成するギャップ支持4と、接地電極1及び高圧電極2の電極表面に形成された縁層5a,5bとを備える。例文帳に追加

This ozone generator comprises a cylindrical ground electrode 1, a high-voltage electrode 2 disposed inside the ground electrode 1, a gap support 4 forming a gap which becomes a generation space 3 between the ground electrode 1 and the high-voltage electrode 2, and insulating layers 5a, 5b formed on the electrode surfaces of the ground electrode 1 and the high-voltage electrode 2. - 特許庁

低誘電率膜537とキャップ膜538の溝中にダマシン法を用いて形成された配線555からなる電極パッド領域10に、電極パッドからの配線引き出し11方向にのびる複数の長方形状の縁部13が、電極パッドの中心部分41を除き、上面から見て島状に存在していることを特徴とする半導装置。例文帳に追加

In the electrode pad region 10 composed a low-permittivity film 537 and wiring 555 formed in the groove of a cap film 538 by using a damascene method, a plurality of rectangular insulating sections 13 extended in the wiring leading-out direction 11 from an electrode pad exists in a island-like state in a top view except the central portion 41 of an electrode pad. - 特許庁

本発明によって,パネルの温度またはパネルの周辺温度が低温であると感知される時に,黒色層134と縁層138との間に形成された導電層136が加熱され,パネル100の駆動温度を常温以上に維持するため,色再現率が低下するのを防止することができる。例文帳に追加

Thereby, when the temperature of the panel or the ambient temperature of the panel is sensed as a low temperature, the conductive layer 136, formed between the black layer 134 and the insulating layer 138, is heated to maintain the driving temperature of the panel to the normal temperature or higher, and thereby, this prevents decrease in the color reproduction rate. - 特許庁

そして、その抵抗の両端部のそれぞれと接続して、縁性基板1両端部の表面および裏面に厚膜により上面電極21(21a、21b)、31(31a、31b)と裏面電極22、32とが形成され、側面電極23、33のような厚膜電極により両者が電気的に接続されている。例文帳に追加

Upper thick film electrodes 21 (21a and 21b) and 31 (31a and 31b) and back electrodes 22 and 32 are formed on the surfaces of the edges and rear of the insulating board 1 respectively as being connected to the ends of the resistor 4, and the upper electrodes and back electrodes are electrically connected together with thick film electrodes such as side electrodes 23 and 33. - 特許庁

縁基4の上面に電子部品3が搭載される搭載部Aおよび該搭載部Aを取り囲む四角枠状の封止用メタライズ層6を形成して成る電子部品搭載用基板1であって、前記封止用メタライズ層6は、角部における上面の高さが、辺部における上面の高さよりも低い。例文帳に追加

In a substrate 1 for mounting an electronic component having a part A for mounting an electronic component 3 and a square frame-like sealing metallize layer 6 surrounding the mounting part A formed on the upper surface of an insulating substrate 4, upper surface of the sealing metallize layer 6 is higher at the corner part than at the side part. - 特許庁

第1金属プレート14には、電解質膜・電極構造12の外周部を位置決めするための位置決めリブ41が設けられるとともに、前記第1及び第2金属プレート14、16は、第1及び第2位置決め用孔部76、78に装着される第1及び第2縁性ブッシュ80、82を介して互いに位置決めされる。例文帳に追加

The first metal plate 14 is provided with a positioning rib 41 for positioning an outer circumferential part of the electrolyte-electrode structure 12, and the first and second metal plates 14, 16 are positioned respectively through a first and a second insulation bushes 80, 82 installed on hole parts 76, 78 for a first positioning and a second positioning. - 特許庁

ソースSおよびドレインDが形成された半導基板上に電気的に縁状態で配置されるフローティングゲート13aへの電荷の注入の有無に応じた2値情報を格納する記憶素子13が前記フローティングゲートに予め注入された電荷を確実に保持できるか否かを判定する。例文帳に追加

It is discriminated whether a storage element 13, for storing binary information in accordance with injection/non-injection of electric charges to the floating gate 13a arranged in an electrical insulation state on a semiconductor substrate on which a source S and a drain D are formed, can hold surely electric charges previously injected into the floating gate or not. - 特許庁

圧電振動子と、チップ化したIC部品とを組み合わせて一化した構成の表面実装型圧電発振器において、占有面積を大型化することなく、縁基板母材上に複数の発振器を組み立てた状態で、発振状態でのコンデンサの容量調整を行うことを可能とし、生産性向上、製造コスト低減を図る。例文帳に追加

To improve the productivity and to lower the manufacturing cost of a surface-mounted piezoelectric oscillator having a piezoelectric vibrator and a chip-constituted IC component combined together in one body by making it possible to adjust the capacity of a capacitor in an oscillation state while a plurality of oscillators are assembled on an insulating substrate base material without making the occupation area large. - 特許庁

4〜6官能基性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して特定量の1〜3官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を含有するシリカ前駆と、ポリエーテルブロックコポリマーを含む特定の有機ポリマーと、酸触媒および溶媒とを含有することを特徴とする縁薄膜製造用の塗布組成物。例文帳に追加

This coating composition for producing the electrical insulating thin film contains a specified organic polymer containing a silica precursor and a polyether block copolymer, an acid catalyst, and a solvent, wherein the silica precursor contains a specified amount of silicon atoms which are derived from a monofunctional, bifunctional, and trifunctional alkoxysilane based on an amount of silicon atoms which are derived from a tetrafunctional, heptafunctional, and hexafunctional alkoxysilane. - 特許庁

表面にJIS規格に準じたキ−配列を印刷した(別素材に同キ−配列を印刷した物を個別に貼り付けた)プラス回路敷設フィルム、縁フィルム、マイナス回路敷設フィルム、IC基盤からなる構造を防水ビニ−ル等にて全面的に覆った(ラミネ−トした)、パソコン用防水・防塵キ−ボ−ド。例文帳に追加

WATERPROOF/DUSTPROOF KEYBOARD FOR PC FORMED BY STRUCTURE COMPOSED OF PLUS CIRCUIT LAYING FILM (ARTICLE OF ANOTHER MATERIAL WITH SAME KEY ARRAY PRINTED THEREON IS INDIVIDUALLY AFFIXED) WITH SURFACE ON WHICH JIS-COMPLIANT KEY ARRAY IS PRINTED, INSULATION FILM, MINUS CIRCUIT LAYING FILM AND IC SUBSTRATE AND FULLY COVERED (LAMINATED) WITH WATERPROOF VINYL OR THE LIKE - 特許庁

有機EL照明装置の短絡が生じている部分及び短絡の可能性を有する部分について導電縁化を短時間で確実に行うことができ、信頼性の向上を図ることができ、製品のエージング処理を不要とすることができ、そのための設備、時間を不要とし、効率よく製造を行うことができる有機EL照明装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an organic electroluminescent lighting apparatus that securely insulates conductors at a part of the organic electroluminescent lighting apparatus which short-circuits and a part which possibly short-circuits in a short time to improve reliability, eliminates the need for aging processing on the product to make facilities and a time therefor unnecessary, and achieves efficient manufacture. - 特許庁

EL素子1、コンデンサ3の縁材としてはチタン酸バリウム(BaTiO3)等の圧電材料が用いられるために駆動時には振動(とそれによる音なり)をともなうが、コンデンサをEL素子に一的に設けることによってコンデンサ及びEL素子の防振対策を同時に行い、低コストの対策が可能となる。例文帳に追加

Since a piezoelectric material such as barium titanate (BaTiO3) is used as an insulating material of the EL element 1 and the capacitor 3, vibration (a noise caused by vibration) is generated in driving, against which countermeasures can be taken at a low cost for the capacitor and the EL element by integratedly installing the capacitor in the EL element. - 特許庁

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導装置や多層配線板となる電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability. - 特許庁

本発明は、超急性拒の生じる局所の細胞で機能している調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子からなる導入遺伝子、または当該調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子とヒト補制御因子の遺伝子からなる導入遺伝子を有するヒト以外のトランスジェニック哺乳動物である。例文帳に追加

This transgenic mammalian animal other than human has a transducing gene consisting of a regulator gene functioning at cells of a local position generating a hyperacute rejection and a gene of a human N-acetyl glucosamine-transferase III, or a transducing gene consisting of the above regulating gene, the gene of the human N-glucosamine-transferase III and a gene of a human complement-regulating factor. - 特許庁

集束されたカーボン繊維に熱硬化性樹脂を含浸させ、前記熱硬化性樹脂を加熱硬化させつつ所定の外形に引き抜き成形する引き抜き成形法において、前記熱硬化性樹脂を含浸させた前記カーボン繊維の表面に、縁性のシートを配置し、しかる後前記熱硬化性樹脂を加熱硬化させつつ所定の外形に一に引き抜き成形する。例文帳に追加

In a drawing shaping method in which bundled carbon fiber are impregnated with a thermosetting resin and drawn and shaped into a predetermined outer shape while heating and curing the thermosetting resin, an insulating sheet is arranged on the surface of the carbon fibers impregnated with the thermosetting resin, and thereafter they are integrally drawn and shaped into a predetermined outer shape while heating and curing the thermosetting resin. - 特許庁

複数の光源素子と、複数の光源素子からの各々の光出力をモニタリングするための複数の光検出器と、を治具台に組み込み、少なくとも複数の光源素子と複数の光検出器とを縁性の液に浸漬させた状態で、複数の光源素子に通電して行なうように構成される。例文帳に追加

In the burn-in test, multiple light source elements and multiple photodetectors for monitoring each optical output from the multiple light source elements are installed on a jig table, and the multiple light source elements are energized, in a state where at least the multiple light source elements and the multiple photodetectors are immersed in insulating liquid. - 特許庁

優れた縁信頼性、耐薬品性を有し、また半導パッケージ用ソルダーレジストとして重要なPCT耐性、HAST耐性、無電解金めっき耐性を有する硬化皮膜を形成できる光硬化性熱硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム及び硬化物、並びにこれらによりソルダーレジスト等の硬化皮膜が形成されてなるプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a photocurable thermosetting resin composition capable of forming a cured film having excellent insulation reliability and chemical resistance and having PCT resistance, HAST resistance and electroless gold plating resistance which are important as a solder resist for a semiconductor package, to provide its dry film and cured product and to provide a printed wiring board in which the cured film such as the solder resist is formed thereby. - 特許庁

チップ部品Aは、縁基板10と、抵抗12と、第1上面電極14と、保護膜20と、保護膜20上に形成された第2上面電極22と、該第2上面電極22を被覆するニッケルメッキ24と、該ニッケルメッキ24を被覆するワイヤーボンディング電極26とを有し、下面側には、ダイボンディング電極60を有している。例文帳に追加

The chip component A includes an insulating board 10, a resistor 12, a first upper surface electrode 14, a protective film 20, a second upper surface electrode 22 formed on the protective film 20, nickel plating 24 coating the second upper surface electrode 22, and a wire bonding electrode 26 coating the nickel plating 24; and a die bonding electrode 60 on a lower surface side. - 特許庁

本発明の不揮発性半導記憶装置は、フローティングゲート34とコントロールゲート36等を被覆するSOG膜を含む層間縁膜39下面にシリコン窒化膜39Dによるバリア膜が介在することで、SOG膜に含まれるHあるいはOHが拡散しても、トンネル酸化膜33にトラップされなくなり、トラップアップレートが改善する。例文帳に追加

A barrier film of a silicon nitride film 39D is set under an interlayer insulating film 39, comprising an SOG film which coats a floating gate 34 and a control gate 36, etc., so that even if H or OH contained in the SOG film diffuses, it will not be trapped by a tunnel oxide film for improved trap up rate. - 特許庁

例文

半導基板100のロジック内部回路領域においては、相対的に小さい膜厚を持つ第2のシリコン酸化膜からなる第2のゲート縁膜115と、第1の金属膜からなるバリアメタル116と、第2の金属膜からなる第2のゲート電極117とを有する第2のMOSFETが設けられている。例文帳に追加

In the inner circuit region of the logic circuit on the semiconductor substrate 100, there is provided a second MOSFET having a second gate insulating film 115 comprising a second silicon oxide film with a relatively small film thickness, a barrier metal 116 comprising a first metal film and a second gate electrode 117 comprising a second metal film. - 特許庁

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