「絶縁体」に関連した英語例文の一覧と使い方(575ページ目) - Weblio英語例文検索

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。例文帳に追加

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET. - 特許庁

導体１を、低密度ポリエチレンおよびメタロセン型触媒を用いて重合された直鎖状低密度ポリエチレンの少なくとも一種と、スチレン成分を含有する水添ポリマーとのポリマーアロイをシラン架橋してなる絶縁体２で被覆し、その上をさらにオレフィン系樹脂に金属水酸化物を配合したノンハロゲン難燃性オレフィン系樹脂組成物からなるシース３で被覆したことを特徴とする被覆電線・ケーブル。例文帳に追加

Conductors 1 are coated with an insulation layer 2 obtained by silane cross-linking a polymer alloy composed of a straight-chain low density polyethylene polymerized with a low density polyethylene and a metallocene catalyst, with water added polymer containing a styrene component, which is covered with a non-halogenous flame-retardant olefinic resin sheath 3 composed of a mixture of an olefinic resin and metal hydroxide to produce the coated wires and cables. - 特許庁

少なくともエポキシ硬化成分を含有してなる接着剤を介在せしめて、導体層を有するポリイミド系絶縁材料を積層してなり、導体層間をスルーホールもしくはブラインドビアホールに施した金属めっきにより接続する構造を有する多層配線基板の製造方法において、スルーホールもしくはブラインドビアホールに金属めっきを施す前処理として、少なくともイミダゾール類化合物を含有する処理液にて処理する工程を含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing the multilayer wiring boards having structure where an adhesive containing at least an epoxy curing constituent is included, a polyimide-based insulating material having a conductor layer is laminated, and the conductor layers are connected by metal plating provided in the through and blind via holes, a treatment using a liquid containing at least imidazole compound is included in pretreatment for performing metal plating to the through or blind via hole. - 特許庁

絶縁テープの表裏両面に金属箔の配線パターンが形成されたテープ素材で構成され、前記テープ素材の表裏一方の面に配された前記配線パターンにおける多ピン構造のインナーリード部が半導体素子の電極バンプとフリップチップ方式で共晶接合されるテープフィルムにおいて、インナーリード部に対向した両面配線テープの反対面の裏面配線パターンは、半導体素子との接合時の荷重が各インナーリードに均等に加わるような形状で形成する。例文帳に追加

The tape film is composed of a tape material, having wiring patterns of metal foils formed on the front and back sides of an insulation tape 3 and multi-pin structured inner leads in the wiring pattern on one surface of the tape material are bonded eutectically to electrode bumps of semiconductor elements in the flip-chip system. - 特許庁

絶縁媒体を封入した接地タンクに非直線抵抗要素群を収納し、その高圧側に略円筒状シールドを配設し、略円筒状シールドの低圧側に接続支持体を介して略半球形状シールドを接続したタンク形避雷器において、略円筒状シールド６の先端を非直線抵抗要素群１の全高“Ｈ”の８５％〜９０％の高さに配置し、略半球形状シールド１０の先端を非直線抵抗要素群１の全高“Ｈ”の４０％〜５０％の高さに配置する。例文帳に追加

The tank-type lightning arrester houses the nonlinear resister element group in a grounded tank with an insulation medium sealed, a roughly cylindrical shield is arranged at its high voltage side, and a roughly semispherical shield is connected to the low voltage side of the roughly cylindrical shield through a connection support. - 特許庁

極低温から高温領域まで広温度範囲にわたり耐温度特性、機械的特性、電気的特性、耐化学薬品性等に優れたポリイミド系樹脂よりなる防水性の電気絶縁材２を介してラミネートされ合成樹脂分散媒に黒鉛と、カーボンブラックとよりなる導電性材料が分散、混入された複数層の面状発熱体３と、該面状発熱体を層状に収容する合成樹脂容器４とからなる。例文帳に追加

The system comprises a multi-layer plane heating element 3 laminated through waterproof electric insulating material 2 made of polyimide group resin excellent in temperature resistant characteristics, mechanical characteristics, electric characteristics, resistance to chemicals, or the like, with a conductive material consisting of graphite and carbon black dispersed and mixed in a synthetic resin dispersion medium, and a synthetic resin vessel 4 storing the plane heating element in layers. - 特許庁

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included. - 特許庁

冗長情報に応じて、欠陥のあるメモリセルを冗長メモリセルに置き換える冗長回路ＲＣを有する半導体記憶装置であって、容量を選択的に絶縁破壊することによって、冗長情報をプログラムするためのチャージポンプ５と、上記容量に所定の電荷を供給してリフレッシュすることにより、プログラムされた冗長情報を再現し、再現された冗長情報を冗長回路ＲＣに供給する冗長制御回路３とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

This device is a semiconductor memory having a redundancy circuit RC replacing a defective memory cell by a redundancy memory cell in accordance with redundancy information, and provided with a charge pump 5 for programming redundancy information by dielectric-breaking down selectively a capacitor, and a redundancy control circuit 3 reproducing programmed redundancy circuit RC by supplying the prescribed electric charges to the capacitor and refreshing, and supplying reproduced redundancy information to the redundancy circuit RC. - 特許庁

金属板の表面に、エラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、次いで露出した金属板表面にエラストマー樹脂を被着し、その後該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。例文帳に追加

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, coating the exposed metal surface with elastomer, followed by removal of the masking layer and forming the projections composed of elastomer resin and flat electrode portion with electrical contact members, and laminate the flat electrode with the substrate carrying membrane electrodes, while ascertaining that the electrical contact members and membrane electrode form oppose one another.  - 特許庁

金属板の表面にエラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、露出した金属板表面をエッチングして凹部を設けたのち、該凹部にエラストマー樹脂をマスク層の表面に至るまで充填し、次いで該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。例文帳に追加

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, after etching the indentations on the metal plate surface, filling the indentations up to the level of the surface of the masking, followed by removal of the masking layer and forming the elastomer projections and the flat electrode with electrical contact members, and laminate the said flat electrode and membrane electrodes ascertaining that the electrical contact members and the membrane electrodes oppose one another.  - 特許庁

シリコン窒化膜２４を含む第１のゲート絶縁膜１６を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１０上にシリコン酸化膜２２を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、ＮＨ_3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとＮＨ_3とを原料として、シリコン酸化膜２２上にシリコン窒化膜２４を形成する工程とを有している。例文帳に追加

The method also includes a step of forming the silicon nitride film 24 on the silicon oxide film 22, by using a silicon-containing gas and NH3 as raw materials. - 特許庁

活物質を備えた正極板および負極板を多孔質絶縁体を介して巻回し加圧により扁平形状に成形した電極群を非水電解液とともに電池ケースに封入してなる扁平形非水系二次電池において、電極群として長軸方向に平行なストレート部と、半楕円状に形成したコーナー部とで構成することにより、電池の膨れを抑制して安全性の高い扁平形非水系二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a flat nonaqueous secondary battery with high safety through restraint of battery swelling by structuring an electrode group with straight parts parallel with a major axis and corner parts formed in a half-elliptical shape, in one made by sealing in a battery case together with nonaqueous electrolytic solution an electrode group winding a positive electrode plate and a negative electrode plate equipped with an active material around a porous insulator and molding it in a flat form by pressurization. - 特許庁

２つの単一指向性コンデンサマイクロホンユニットの固定極を対向させ一体に形成し、固定極の間に、外周の一部から内径方向に向けて間隙部が形成されている絶縁座を有し、間隙部が各マイクロホンユニットの固定極背面空間を外部空間に連通させることで、マイクロホンユニットに共通の後部音響端子となっているステレオコンデンサマイクロホンユニットによる。例文帳に追加

A stereo capacitor microphone unit allows fixed poles of two unidirectional capacitor microphone units to face each other for forming in one piece, includes an insulated seat of which a gap is formed from one portion of an outer periphery toward an inner diameter direction between the fixed poles, and allows a fixed pole back space of each microphone unit to communicate with an external space by the gap, and hence functions as a rear acoustic terminal common to the microphone unit. - 特許庁

金属−絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。例文帳に追加

To structure a coolant chamber accurately without generating inconvenient deformation on a substrate even through an assembling process in conjunction with heat treatment of a power conversion circuit part without depending on a shape and arrangement of a heat radiation projection in order to improve cooling performance in manufacturing a power semiconductor module in which a power conversion circuit is formed on a metal-insulating layer bonded substrate and a liquid-cooling type cooling device is structured on a metal base side. - 特許庁

透光性絶縁基板１上に順次形成された透明導電膜２と、半導体膜からなり光電変換を行う少なくとも一つの光電変換ユニット３と、裏面電極層６と、を備え、前記光電変換ユニット３は、異なる導電型を有する２つの導電型層３１、３３間に光電変換層３２が配置されてなり、前記導電型層３１、３３のうち少なくとも一つの層３３が空洞を有する。例文帳に追加

The thin film solar cell includes a transparent conductive film 2, at least one photoelectric conversion unit 3 formed of a semiconductor film and performing a photoelectric conversion, and a back electrode layer 6 sequentially formed on a translucent insulating substrate 1, wherein the photoelectric conversion unit 3 includes the photoelectric conversion layer 32 arranged between two conductivity layers 31, 33 having different conductivities, and at least one layer 33 of the conductivity layers 31, 33 has a cavity. - 特許庁

従来の導電性カーボンブラックを導電材料とする黒色の導電性インクに絶縁性淡色顔料を含有させ、色調を灰色とした導電性インクを可動接点に用いたことによって、黒色、あるいは黒色に近い色を含むコンタクトラバーにおける導電性インクの視認性を改善したと同時に、灰色とした導電性インクに、さらに、導電性金属粉を含有させることによって、可動接点の導体抵抗特性を、従来の黒色の導電性インクを用いた場合と同等とした。例文帳に追加

Simultaneously with improving the visibility of the conductive ink on the blacked or nearly blacked contact rubber by using the conductive ink which is grayed in tone by containing an insulating light color pigment in a black conductive ink using conventional conductive carbon black as a conductive material for the movable contact, conductive metal powder is further contained in the grayed conductive ink to achieve the same conductor resistance characteristic of the movable contact as that when the conventional black conductive ink is used. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂と芳香族ポリカーボネート樹脂から主としてなる熱可塑性樹脂とある特定範囲の粒径を有した大粒径粒子よりなる樹脂組成物から形成された熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを電気、電子部品に被覆後、耐衝撃性、透明性に優れ且つ収縮特性および機械加工性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thermoshrinkage thermoplastic tube formed of resin composition made of thermoplastic resin mainly comprising polyethylene terephthalate resin and aromatic polycarbonate and large diameter grains having grain diameter in a specified range which gives availability to general purpose electrical insulating material and heat generating body coating material, which are excellent in shock resistance, transparency, shrinkage property and machinability, after coating the tube on an electric or electronic parts. - 特許庁

ゲート電極及び絶縁膜を備えた基板上に、ソース電極及びドレイン電極が形成され、その上に有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタであって、該基板、該ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの表面に単分子膜が形成され、かつ該基板上に結合した単分子膜の末端と、該ソース電極及びドレイン電極の表面に結合した単分子膜の末端とが同一の化学構造を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In the organic thin-film transistor, a unimolecular film is formed on the surface of each of the substrate and the source and the drain electrodes; the end of the unimolecular film bonded to the surface of the substrate and the ends of the unimolecular films, bonded to the surface of the source and drain electrodes, have the same chemical structure. - 特許庁

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜で被覆した固体撮像素子であって、前記開口部が、柱状単層構造の高屈折率膜で覆われており、前記高屈折率膜の周りは、前記高屈折率膜よりも屈折率が低く、表面を平坦化された絶縁膜で被覆されていることを特徴とする。例文帳に追加

The opening portion is covered with a high-refractive-index film of a columnar-single-layer structure, and the periphery of the high-refractive-index film has a refractive index lower than the high-refractive-index film to cover its surface with a flattened insulating film. - 特許庁

シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を向上させ、フローティングゲートに荷電された電子の漏れを防止できるＥＰＲＯＭ素子と、シングルポリＯＴＰセルにおけるデータリテンション特性を確保すると同時に、ＯＴＰセル領域を除いた他の領域でメインチップを構成するトランジスタにおけるＨＣＩ特性及び絶縁特性を確保できる半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an EPROM device which can improve datagram retention property in a single poly OTP (one time programmable) cell, and prevent leak of electron charged at a floating gate, and provide a semiconductor device which can secure the datagram retention property in the single poly OPT cell, and HCI and insulating properties in a transistor constituting a main chip in other regions except OTP cell region simultaneously, and its manufacturing method. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂とポリエチレンナフタレート樹脂およびポリエステル系エラストマー樹脂からなる熱可塑性樹脂組成物により形成された熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを電子部品に被覆後、耐熱性、耐衝撃性に優れ且つ収縮特性および開口性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable aromatic polyester tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater-coating material or the like having excellent heat resistance, impact resistance after an electronic component is covered with the polyester tube formed of a thermoplastic resin composition made of a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate and a polyester elastomer resin after the component is covered with the polyester tube, and excellent shrinkage characteristics and openability. - 特許庁

酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin film transistor includes a channel layer formed of oxide semiconductor material, a source electrode and drain electrode facing each other on the channel layer, a protective layer formed to cover the channel layer under the source electrode and drain electrode, a gate electrode to apply an electric field on the channel layer, and a gate insulating layer interposed between the gate electrode and the channel layer. - 特許庁

制御回路部と、制御回路部と制御対象となる部品を電気的に接続させるためのコネクタと配線部とを一体構成とし、配線部であるバスバーの少なくとも一部が可動できるように配線するとともに、前記コネクタとカバー間に制御対象部品の位置ずれを吸収するためのギャップを設けている配線材とで構成されたコントロールモジュールにおいて、配線部のベース部材にバスバー間ショートを防止するための絶縁壁を設けるとともに、前記ギャップから侵入した導電性異物を集積するための少なくとも１つ以上のプール部を設けた。例文帳に追加

An insulating wall for preventing a short circuit between the bus bars is formed at a base member of the wiring part, and at least one or more pools for collecting the conductive contamination intruding from the gap are arranged at the base member. - 特許庁

電場を加えることによって、正電荷が優位となる正電荷形成領域と、負電荷が優位となる負電荷形成領域とが、異なる色を有して回転体形状の表面に形成される表示素子に用いられる絶縁性微小粒子が、第１の電場内で正電荷形成領域が所定方向に向いて安定する第１の安定状態と、第２の電場内で負電荷形成領域が前記所定方向に向いて安定する第２の安定状態との間で切り換えられる際、正電荷形成領域および負電荷形成領域の向きの反転の応答を速くすることを課題とする。例文帳に追加

To provide insulating microparticles and a display element having fast response of inversion movement generating according to the inversion of electric fields and to be used for a display device such as a twist ball display, and to provide a display device which uses the display element. - 特許庁

半導体集積回路、液晶表示素子用ＴＦＴ回路等の回路製造用のポジ型レジストとして、アルカリ水溶液からなる現像液によって現像でき、感度、現像性、残膜率、耐熱性、基板との密着性等に優れた感放射線性材料、さらに層間絶縁膜、カラーフィルター保護膜、回路保護膜等の永久膜として、耐熱性、基板との密着性、可視光領域における透明性、耐薬品性、寸法安定性等に優れた感放射線性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive material superior in sensitivity, developability, etching endurance, heat resistance, and adhesion to a substrate and developable with an aqueous alkaline developing solution and usable for a positive resist for manufacturing the semiconductor integrated circuit and the like by using a copolymer composed essentially of repeating units derived from specified monomers. - 特許庁

バイオセンサーにおいて生体成分中の目的とする被検出物質を捕捉して検出するセンサーチップは陽電極及び陰電極が所定の間隔をおいて相対配置され、該陰電極上に被検出物質からなるチップ素材が電気的絶縁状態で配置された反応容器内に有機又は無機化合物の原料ガスを導入して所定のガス圧に調整した状態で陽電極及び陰電極間に印加された電圧により発生するグロー放電により原料ガス中の有機又は無機物質をプラズマ化してチップ素材に付着堆積させて製膜した後、チップ素材を溶解除去して被検出物質に一致する凹部を有して形成する。例文帳に追加

Organic or inorganic substance in the material gas, in the form of plasma, is deposited on the chip material to form a film and then the chip material is dissolved and removed to form a recess matching the substance being detected. - 特許庁

ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、１回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計３回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。例文帳に追加

A display device is manufactured through three photolithography steps in total: one photolithography step for forming a gate electrode and forming an island-shaped semiconductor layer; one photolithography step for forming a planarization insulation layer and then forming a contact hole; and one photolithography step for forming a source electrode and a drain electrode and forming a pixel electrode. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same. - 特許庁

また、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を絶縁膜９０４ａおよび９０４ｂを介してそれぞれ送受信電極９０３ａおよび９０３ｂで検出し、この電界を受信部９１０ａおよび９１０ｂで電気信号（受信信号）に変換し、更に波形整形回路９０７ａおよび９０７ｂで波形整形してから、比較判定部１０１でそれぞれの受信信号を比較し、一致する場合には、受信信号１が入出力回路９０１を介してコンピュータに出力される。例文帳に追加

Receivers 910a, 910b convert the electric fields to electric signals (received signals), waveform shaping circuits 907a, 907b shape their waveforms, and a comparison decider 101 compares the received signals to output the received signals 1 to the computer via the input/output circuit 901, if they agree. - 特許庁

リチウム電池本体の正極および負極の各々に接続された金属端子を外側に突出した状態で挟持して熱接着して密封するタイプのリチウム電池等の電池用包装材であって、密封性、耐突刺し性、絶縁性、耐熱・耐寒性、耐腐蝕性等の諸物性においても優れることは元より、スリップ剤を用いることなく良好な滑り性を得ることができ、結果としてプレス成形時の成形安定性やラミネート強度の安定性に優れる電池用包装材を提供することである。例文帳に追加

To provide a packing material for a battery, not only excellent in a sealing property, an anti-piercing property, insulation, heat and cold resistance, corrosion resistance or the like, but also capable of obtaining an excellent slip property without using a slipping agent, and as a result, excellent in molding stability at press molding and stability of laminating strength. - 特許庁

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101. - 特許庁

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。例文帳に追加

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes. - 特許庁

電気絶縁油、熱媒体、有機性排液等に含有されているポリ塩化ビフェニル等の有機ハロゲン化合物を脱ハロゲン化して分解処理する方法とその装置に関し、金属ナトリウムを微粒子化するための設備を必要とせず、微粒子化の工程が不要となり、微粒子化タンクの攪拌作業や窒素パージも不要となり、しかも反応効率を従来より低下させず且つ添加されるナトリウムを再利用させうるような有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for decomposing an organic halogen compound such as polychlorobiphenyl contained in an electrical insulating oil, a heating medium, an organic waste liquid or the like by dehalogenation, that do not require a device and a step for atomizing metallic sodium as well as agitation and nitrogen purge in an atomizing tank, and can reuse the added sodium without impairing a reaction efficiency of prior arts. - 特許庁

本発明は、半導体チップ搭載領域の周囲に複数のインナーリードを形成し、インナーリードにタイバーを介在して繋がる複数のアウターリードを形成し、複数のインナーリードを絶縁材料から成るサポートにより固定するリードフレームの製造方法に関し、複数のインナーリードにおける所定の位置を強固に固定することによって、微細なインナーリードの変形を未然に防止し得る、リードフレームの製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a process for producing a lead frame by forming a plurality of inner leads around a semiconductor chip mounting region, forming a plurality of outer leads connected with the inner leads through tie bars and securing the plurality of inner leads by means of a support made of an insulating material wherein deformation of fine inner lead can be prevented by securing predetermined positions in the plurality of inner leads rigidly. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor. - 特許庁

メモリセル領域とロジック領域を備えた半導体メモリ装置とその製造方法において、メモリセル領域のアクセストランジスタのソース、ドレインをそれらの面積に拘わらず充分な厚さの絶縁膜で覆った状態で、そのゲート電極上にシリサイド膜を形成し、アクセストランジスタのソース、ドレインにシリサイド形成金属が拡散するのを阻止し、リフレッシュ性能の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent lowering of refresh performance by forming a silicide film on a gate electrode and preventing silicide formation metal from dispersing on the source and the drain of an access transistor in a state that the source and the drain of the access transistor of a memory cell area is covered with a sufficient thick insulation film regardless of the areas in a semiconductor memory device and its manufacturing method provided with a memory cell area and a logic area. - 特許庁

被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。例文帳に追加

The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step. - 特許庁

中心部に電子ビーム通過孔８を設けた相互作用部５と、電子ビーム通過孔８の管軸の延長部に設けた相互作用部５からの電子を収集（回収）するコレクタ電極１と、このコレクタ電極１の外壁と相互作用部５の外壁とを支持する絶縁支柱３とで構成されたコレクタ構体で、電子ビームが通過する管軸近傍のコレクタ電極１の外壁の一部を突出させ、この突出部２に対向する相互用部５の外壁周辺を窪ませ、相互作用部５からの電子の一部をコレクタ電極１の突出部２で捕捉するようにした。例文帳に追加

In the structure, a part of the outer wall of the collector electrode 1 in the vicinity of the tube axis where the electron beam passes through is protruded, while the outer wall of the interaction part 5 is recessed in the periphery opposed to this protrusion part 2, so that a part of the electrons from the interaction part 5 is made to be captured by the protrusion part 2 of the collector electrode 1. - 特許庁

磁性をもたない導電性粒子を用いる場合であっても、絶縁破壊を生じることなく導電性粒子を結着部材中の所定の方向に配列することができ、十分に高い異方導電性を有する異方導電部材を効率よく且つ確実に得ることを可能とする異方導電部材の製造方法およびそれによって得られる異方導電部材、並びに該異方導電部材を用いた電子写真感光体および電子写真画像形成装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an anisotropic electrical conducting component having sufficiently high anisotropic conductivity which can arrange conductive grains in a predetermined direction in an adhesive component, and makes it possible to obtain efficiently and certainly the anisotropic electrical conducting body, even when a conductive grains having no magnetism are used, and the anisotropic electrical conducting element, obtained by it, and an electronic photography sensitive body and a photoelectric image forming equipment. - 特許庁

光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。例文帳に追加

This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10. - 特許庁

信号ケーブルであって、絶縁体で被覆された複数の導線を有し、キャリッジ９の往復移動に伴って、湾曲部の湾曲形状が変化するフレキシブルフラットケーブル１４と、フレキシブルフラットケーブル１４をキャリッジ９に固定する固定部１３と、を備え、フレキシブルフラットケーブル１４が固定部１３から突き出す位置Ｍ１における導線の線方向が、キャリッジ９の移動方向Ｄ１と交わる方向となるように、固定部１３によってフレキシブルフラットケーブル１４を固定する。例文帳に追加

The flexible flat cable 14 is fixed by the fixing part 13 so that a line direction of the lead wires of the flexible flat cable 14 at a position M1 protruding from the fixing part 13 is in a direction intersecting a moving direction D1 of the carriage 9. - 特許庁

絶縁性薄板に設けられた導電体上に配置された異方性導電フィルムで、少なくとも高さの異なる２種類の電気部品の接続方法において、上下に配置された上押さえ装置と下押さえ装置とを設け一方の押さえ装置の対向する面に段差調整部を設けて前記少なくとも２種類の電気部品の高さをほぼ平坦化し、該押さえ装置と高さの異なる電気部品との間に緩衝装置を設け、上下の押さえ装置の一方又は両方より加熱することを特徴とする高さの異なる部品の接続方法にある。例文帳に追加

Then a buffer device is provided between the pressing device and the electric parts having different heights and heating the parts from one or both of the pressing devices. - 特許庁

基材に第１活物質がコーティングされた第１活物質コーティング部と第１無地部で構成された第１極板と、第２活物質がコーティングされた第２活物質コーティング部と第２無地部で構成された第２極板、及び前記第１及び第２極板の間に介在されるセパレーターを含むが、前記第１及び第２極板は積層されて整列され、前記第１無地部は、第２極板と対応する部位に絶縁部材が備えられる電極組立体を含む。例文帳に追加

The first and second polar plates are aligned with each other so as to be laminated, and the first plain part includes an electrode assembly in which an insulation member is provided in a part corresponding to the polar plate. - 特許庁

電界放出素子は、アノードプレート２００の蛍光体層２３０に対応して電子を放出する多数の電子放出形成されているメッシュグリッド４００と、メッシュグリッド４００の両側面に形成されるものであって電子制御ホール４００ａ形成領域に対応して複数の電子制御ホール４００ａが露出されるウィンドー４０１ａ、４０２ａを有する絶縁層４０１，４０２とを備える。例文帳に追加

The field emission element comprises a mesh grid 400 provided with multiple electron control holes that release electrons corresponding to a phosphor layer 230 of an anode plate 200, and insulating layers 401 and 402 that comprise windows 401a and 402a which are formed on both sides of the mesh grid 400 and where a plurality of electron control holes 400a are exposed corresponding to the formation region of the electron control hole 400a. - 特許庁