「線こう」に関連した英語例文の一覧と使い方(998ページ目) - Weblio英語例文検索

電源線端子から取り出される構内側の電源出力線に、所望の周波数以上の信号に対して構内側の電源出力線側でハイインピーダンスを呈するブロッキングフィルタが挿入接続され、そのブロッキングフィルタの構内側への電源出力に無線送受信機が接続されている。例文帳に追加

A blocking filter which exhibits high impedance on a power- source output-line side of a premise internal side to a signal above a desired frequency is inserted and connected to the power-source output line in the premise internal side which is led out of a power-line terminal and a radio transmitter receiver is connected to the power output of the block filter to the premise internal side. - 特許庁

平板状に形成された床材本体２に形成した配線用の溝３、４の交差部５に床材本体２の上面と略面一に形成した配線用ジョイントボックス７を固定し、配線用ジョイントボックス７に、前記床材本体２に形成した配線用の溝３、４の長手方向に開口した接続部１０を有する分岐コネクタ８を備えている。例文帳に追加

In this floor material for cable wiring, a wiring joint box 7 formed almost flush with the upper face of a floor material body 2 is fixed to an intersection part 5 of wiring grooves 3, 4 formed at the floor material body 2 of plate shape, and the wiring joint box 7 is provided with branch connectors 8 having connection parts 10 opened into the longitudinal direction of the wiring grooves 3, 4. - 特許庁

特に、信号処理回路１３−２０は赤外線検知器１１の出力信号の平均値に基づいて赤外線検知器１１の感光時間を設定し、赤外線検知器１１の感光時間に対応して暗電流補正を行い、赤外線検知器１１の出力信号の平均値に対応してゲイン補正を行うよう構成される。例文帳に追加

Especially, the signal processing circuits 13-20 are constituted so as to set the exposure time of the infrared ray detector 11 on the basis of the average value of the output signals of the infrared ray detector 11, to perform the dark current correction corresponding to the exposure time of the infrared ray detector 11 and to perform the gain correction corresponding to the average value of the output signals of the infrared ray detector 11. - 特許庁

Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線マスクにおいて、吸収体パタンは、少なくともＴａで構成されており、その下地材料層としてＲｕ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＴａＮのうちの少なくとも１層を形成した構造のＸ線マスクとする。例文帳に追加

Related to an X-ray mask having a structure, where an absorber pattern 11 of such material as absorbs X-ray is placed on a mask substrate through which X-ray is transmitted, the absorber pattern 11 comprises at least a Ta, having a structure where at least one layer among Ru, Cr, TiN, and TaN is formed as its base material layer 15. - 特許庁

ＩＴＯ粉末を用いた塗工法により、塗布に適した流動性を示し、紫外線、電子線などの活性エネルギー線の照射により容易に硬化し、耐熱性の低い樹脂基板や多様な形状の基板にも適用でき、平滑性、導電性、透明性等の特性が十分に満足できる透明導電膜を形成することができる活性エネルギー線硬化性導電膜形成組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide an active energy ray-curable electroconductive film-forming composition exhibiting fluidity suitable for coating by a coating method using ITO (indium tin oxide) powder, readily curable by irradiation of active energy rays such as ultraviolet light or electron beams, applicable even to resin substrates having low heat resistance or substrates of diversified shapes and forming a transparent electroconductive film sufficiently satisfying characteristics such as smoothness, electroconductivity and transparency. - 特許庁

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。例文帳に追加

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200. - 特許庁

前記第１の略コ字状エレメント１０は、導電膜側線条１１が前記導電膜端辺３ａに近接し、その先端が略直交線条１２と接続し、前記略直交線条１２のもう一方の先端に、フランジ側線条１３を接続し、フランジ開口辺２ａに近接させるように配設した。例文帳に追加

The first U-like element 10 is arranged so that: a conductive film-side filament 11 is close to the edge 3a of the conductive film; one tip of the filament is connected to a near-perpendicular filament 12; and the other edge of the near-perpendicular filament 12 is connected to a flange-side filament 13 that is close to the flange-opening side 2a. - 特許庁

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。例文帳に追加

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10. - 特許庁

メモリセルアレイ領域２１０は、第１の方向Ａに沿って配列された各列のメモリセル１００の各々のコントロールゲートを、第１の方向Ａに沿って接続して形成される複数のコントロールゲート線１０６Ａ，１０６Ｂと、複数のコントロールゲート線の上層にて前記第１の方向Ａに沿って延び、複数のコントロールゲート線の半数のサブコントロールゲート線ＣＧとを有する。例文帳に追加

A memory cell array region 210 has a plurality of control gate lines 106A and 106B formed by connecting the control gates of memory cells 100 arranged in the first direction A along the first direction A, and sub- control gate lines CG extending along the first direction A in the upper layer of the plurality of control gate lines and are equal, in number, to one half of the control gate lines. - 特許庁

被包材料からなるストリップ２を前進させる供給装置１は接着剤適用装置３を含み、接着剤適用装置３は、平行水平軸線１３，１８回りに互いに逆方向に回転すると共に、双方に共通の直線状母線に一致する領域２２に沿って互いに接線方向に接触する接着剤適用ローラ６と転送ローラ８とからなる。例文帳に追加

The feeding unit 1, advancing a strip 2 consisting of the wrapping material, has an adhesive applying device 3, wherein the applying device 3 is composed of an adhesive applying roller 6 and a transmitting roller 8, rotating to a reverse direction each other around parallel horizontal axial lines 13 and 18 and also being brought into contact with each other in the tangential direction along an area coinciding with a straight line generant common to both. - 特許庁

この発明は、回転軸を軸支する軸受間距離を短くしても、ハウジング外に引き出される口出し線周辺での誘導磁場の発生を抑えて、ハウジングに発生する渦電流損失を低減し、かつ表皮効果による口出し線での配線抵抗の増加を抑え、口出し線での発熱や電圧降下を低減できる回転機を得る。例文帳に追加

To obtain a rotating machine which can reduce eddy current loss generated in the housing by suppressing generation of induction magnetic field on the periphery of a lead wire being led out of the housing even if the distance between the bearing for supporting the rotating shaft is shortened, and can reduce generation of heat or voltage drop in the lead wire by suppressing increase of wiring resistance in the lead wire resulting from skin effect. - 特許庁

半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。例文帳に追加

When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method. - 特許庁

電線供給手段より送給される電線の供給経路に、電線を巻き掛けする少なくとも上下一対のプーリを配置して、上記下側のプーリをバネで下向きに付勢すると共に、上側プーリをバネと連動する手段により下側プーリが下降すると上側プーリを上昇させる構成とし、これら上下プーリに巻き掛けされる電線に常時テンションを負荷する構成としている。例文帳に追加

At least a pair of upper and lower pulleys wound with the electric wire are arranged in a supply passage of the electric wire fed by an electric wire supply means, the lower side pulley is energized downward by a spring, and the upper side pulley is lifted when the lower side pulley descends by a means interlocking with the spring to always tension the electric wire wound round these upper and lower pulleys. - 特許庁

紫外線ランプ１１からの紫外線を反射して集光する集光反射板１２の開口部側に、上記紫外線ランプ１１の延長方向に垂直な反射面を有する平板状の追加反射板１３，１３を配置して、上記紫外線ランプ１１から上記開口部の外側に拡散する直接光をコンベヤベルト４０の内側に集光するようにした。例文帳に追加

Flat additional reflective plates 13, 13 each having a reflection surface vertical to the extending direction of the ultraviolet lamp 11 are arranged on an opening part side of a light collecting reflector 12 for reflecting and collecting the ultraviolet ray from the ultraviolet lamp 11 to collect the direct light, which is diffused to the outside of an opening part from the ultraviolet lamp 11, to the inside of a conveyer belt 40. - 特許庁

これにより、一回の測光で、特性線Ａと特性線Ｂを用いた０ＥＶ〜８ＥＶの範囲の測定が可能となり、高感度画素と低感度画素とが共に飽和している場合には、絞りを絞るなどして再度測光を行うことにより、特性線Ｃと特性線Ｄを用いた８ＥＶ〜１６ＥＶの範囲の測定が可能となる。例文帳に追加

Thus, measurement of a range of 0EV to 8EV using the characteristic rays A, B is enabled by a single operation of photometry and when both of the high sensitivity pixels and the low sensitivity pixels are saturated, measurement of a range of 8EV to 16EV using the characteristic rays C, D is enabled by performing photometry again by closing an aperture, etc. - 特許庁

例えば各共振器２を低−高−低インピーダンス線路３，５の縦続接続で構成し、少なくとも１個の共振器にてその高インピーダンス線路区間内に微小な長さの低インピーダンス線路５を設けると共に、低インピーダンス線路５の特性インピーダンス、長さおよび位置のいずれかを各共振器にて互いに異なるようにした。例文帳に追加

For example, in each resonator 2 comprising a cascade connection of a low impedance line 3, a high impedance line 4 and a low impedance line 3, the low impedance line 5 of a small length is placed to the high impedance line block of at least one resonator and any of the characteristic impedance, the length, and the position of the low impedance line 5 is made different among the resonators 2. - 特許庁

パーシャル表示において、非表示領域に属するＴＦＴ６２の信号線６４に供給される信号線駆動回路の画像信号Ｖsig及びゲート線６６に供給される走査線駆動回路のゲート信号Ｖg及び対向基板に形成された対向電極駆動回路の対向電圧を接地状態に固定して消費電力を削減する。例文帳に追加

In the partial display, power consumption is reduced by fixing a picture signal Vsig of a signal line driving circuit supplied to a signal line 64 of a TFT 62 belonging to a non-display area, a gate signal Vg of a scanning line driving circuit supplied to a gate line 66, and a counter voltage of a counter electrode driving circuit formed on a counter substrate to the grounded state. - 特許庁

そして、力センサ１２の主軸１６の延長軸線ｚは、指の長手方向に延びて指先部３の中心を通る第１の直線ａと、指先部３の基端１０において第１の直線ａに直交して指の屈曲方向側に延びる第２の直線ｂとの間を通り指先腹部１１に向かって延びる。例文帳に追加

An extension axis line z of the main shaft 16 of the force sensor 12 extends toward the thick 11 between a first line (a) extending in the longitudinal direction of the finger through the center of the fingertip 3 and a second line b extending in the bending direction of the finger orthogonal to the first line (a) at the base 10 of the fingertip 3. - 特許庁

試料に対向する導電性探針を有するカンチレバーと、前記カンチレバーの前記探針部分に電子線を照射する電子線源と、前記探針から発生したＸ線により前記試料から発生した荷電粒子を捕集して分光する分光器を備えた表面分析装置であって、前記電子線が前記カンチレバーの探針反対面に照射する表面分析装置。例文帳に追加

This surface analyzer is provided with a cantilever having a conductive probe opposed to a sample, an electron beam source for emitting an electron beam to a probe portion of the cantilever, and a spectrometer for collecting a charged particle generated from the sample by the X-ray generated from the probe, and for dispersing it spectrally, and the electron beam is emitted toward a probe opposite face of the cantilever. - 特許庁

１次巻線及び２次巻線を有するイグニッションコイルと、２次巻線に高電圧を誘導させるため点火タイミング信号に応じて１次巻線にパルス電圧を供給する高圧制御回路と、イグニッションコイルと高圧制御回路とを収納し、点火プラグに結合可能にされた収納部材とを備えた。例文帳に追加

This ignition device for an internal combustion engine comprises an ignition coil having a primary winding and a secondary winding, a high voltage control circuit supplying a pulse voltage to the primary winding according to an ignition timing signal so as to induce the high voltage to the secondary winding, and a storing member which stores the ignition coil and the high voltage control circuit and can be united to an ignition plug. - 特許庁

モータ４０のロータ４１と出力軸との間にクラッチ機構が介装されたクラッチ付き駆動装置において、前記ロータ４１を回転するための第１巻線４２ａと、当該ロータ４１を軸線方向に移動するための第２巻線４２ｂを備えたモータ４０と、当該ロータ軸線上に対向配置され、前記出力軸が連結されるロータピニオン５０を備えている。例文帳に追加

This driving device with the clutch having a clutch mechanism between a rotor 41 of a motor 40 and an output shaft, comprises the motor 40 having a first winding 42a for rotating the rotor 41, and a second winding 42b for axially moving the rotor 41, and a rotor pinion 50 oppositely mounted on the rotor axis and connected with the output shaft. - 特許庁

半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜上に、引張応力を有する第２保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第１保護膜、及び前記第２保護膜を除去する工程とを有する。例文帳に追加

A manufacturing method for a semiconductor device that provides wiring on a semiconductor substrate and forms final protective films on the wiring has a step to form a first protective film on the wiring, a step to form a second protective film having a tensile stress on the first protective film, and a step to eliminate the first protective film and the second protective film at a contact region of the wiring. - 特許庁

この給電配線は、アクティブエリア外の角部に配置され対向電極と対向する給電パッド５１０と、アクティブエリア１２０とシール部１１５との間に配置されたコモン電位のコモン配線５２０と、シール部と交差し給電パッドとコモン配線とを接続する接続配線５３０と、を有している。例文帳に追加

The power supply wiring includes a power supply pad 510 arranged at a corner part out of an active area to face a counter electrode, common wiring 520 of common potential arranged between the active area 120 and a seal part 115, and connection wiring 530 crossing the seal part to connect the power supply pad and the common wiring. - 特許庁

射撃訓練に使用される標的装置に於いて、該標的装置が標的板１２を有し、該標的板の略前面、全域に亘りレーザ光線受光部１３が設けられ、前記標的板の前面に湾曲成形された骨線１６が所要間隔で設けられ、該骨線がレーザ光線を透過可能な被覆部材により被覆された。例文帳に追加

The target device used for shooting practice has a target plate 12 provided with a laser beam acceptance part 13 over the whole area of the front face, and rib wires 16 formed in curved shape at the front face of the target plate at required spaces and covered with a covering member through which laser beams can be transmitted. - 特許庁

癖付けを施していない１本の芯素線１１と、該芯素線１１の周囲に撚り合わされたＮ本の側素線１２とからなる１＋Ｎ構造のスチールコード１０をタイヤ構成部材の補強材として用いた空気入りラジアルタイヤにおいて、芯素線１１の表面に螺旋状に延長する少なくとも１本の筋部１３を加工する。例文帳に追加

In the pneumatic radial tire using a steel cord 10 of 1+N construction comprising one core wire 11 without forming and N side wires 12 twisted around the core wire 11 as a reinforcing material of a tire constituent member, at least one line part 13 extending spirally on the surface of the core wire 11 is worked. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ、並びにビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの各交差部に配置された電気的に書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを有する複数の単位セルアレイＭＡＴ００〜１１を備える。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory device includes a plurality of unit cell arrays MAT00-11 having memory cells MC including bit lines BL and word lines WL and variable resistance elements VR which are arranged at respective cross parts of the bit lines BL and word lines WL, which are electrically re-writable, and of which the resistance values are stored as data in a nonvolatile state. - 特許庁

銀活性りん酸塩ガラスに、熱中性子・アルファ線変換剤を添加することにより、放射線照射後に紫外光励起をすると波長５００〜８００ｎｍ領域の蛍光を放出し、蛍光の時間特性が熱中性子・アルファ線変換剤の濃度に依存しないことを特徴とする、熱中性子に有感な蛍光ガラス線量計用ガラスを得る。例文帳に追加

By adding a thermal-neutrons-alpha-ray conversion agent to silver-activated phosphate glass, the glass for a glass fluorescence glass dosimeter sensitive to thermal neutrons emits fluorescence with wavelengths of 500 to 800 nm by ultraviolet excitation after irradiation and is characterized in that its fluorescence temporal characteristics do not depend on the concentration of the thermal-neutrons-alpha-rays conversion agent. - 特許庁

書込み領域２０１ａに隣接して順番に形成される走査線のうち、第２発光群１０ｂからの光ビームにより１本おきに走査線を形成し、その後の第１発光群１０ａからの光ビームにより、第２発光群１０ｂからの光ビームによって形成された走査線に隣接する走査線を形成する。例文帳に追加

Scanning lines are formed in order adjacent to a write region 201a such that alternate scanning lines are formed with a light beam from a second light emission group 10b and then scanning lines adjacent to the scanning line formed with the light beam from the second light emission group 10b are formed with a light beam from a first light emission group 10a. - 特許庁

薄膜トランジスタ基板の製造工程中において、内部素子領域が完成し、内部素子領域を静電保護配線及び静電保護素子から切り離した後でも、内部素子領域の切断面から配線腐食が進行を防止し、ゲート端子／配線及びドレイン端子／配線の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance reliability of a gate terminal/wiring and a drain terminal/wiring by preventing progress of wiring corrosion from the cut surface of an inner element region even after the inner element region is completed and the inner element region is separated from a electrostatically protective wiring and a electrostatically protective element, in a manufacturing step of a thin film transistor substrate. - 特許庁

処理装置は、支持部材が設けられた処理室と、当該処理室に設けられた、前記支持部材によって支持された被処理物に向かって電子線を放出する電子線源と、前記処理室に設けられた、電子線を受けて紫外線を放出する発光ガスを供給する発光ガス供給機構とを備えてなる。例文帳に追加

The treatment apparatus is provided with the treatment chamber having a support member, an electron beam source which is placed in the treatment chamber and emits electron beams to the object supported by the support member, and a luminescent gas supply mechanism which is placed in the treatment chamber and supplies the luminescent gas which receives the electron beams and emits ultraviolet rays. - 特許庁

紫外線または可視光の短波長部の光を発することのできる紫外線源または光源として、従来の円柱状のガラス管などを用いた紫外線ランプまたは蛍光ランプの代わりに、紫外線または可視光の短波長部を発することが可能な極薄面状発光素子である有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子を利用した。例文帳に追加

An organic or inorganic EL element which can emit the short wavelength part of ultraviolet or visible rays and is an ultrathin planar light- emitting element is used instead of the conventional ultraviolet ray emitting lamp or fluorescent lamp fabricated by using a columnar glass tube, or the like, as an ultraviolet source or a light source for emitting the light of the short wavelength of ultraviolet or visible rays. - 特許庁

本発明は、外部装置との無線信号を送受信するためのアンテナ７２と無線信号を処理するための無線処理手段と無線通信状況を表示するための発光手段１０を有する撮像装置において、前記発光手段１０から発した光を少なくとも２方向に導光する導光部材９を有することを特徴とする。例文帳に追加

The imaging apparatus includes an antenna 72 for receiving/transmitting a radio signal from/to an external apparatus, a radio processing means for processing the radio signal and a light emitting means 10 for displaying the radio communication state, the imaging apparatus also includes a light guiding member 9 for guiding the light emitted from the light emitting means 10 in at least two directions. - 特許庁

ネットワークシステム１は、発信側端末１０ａが回線交換方式の通信回線を介して着信側端末１０ｂに発信した時に着信側端末１０ｂが応答できないと判断した場合、発信側端末１０ａとの間の通信回線を回線交換方式からパケット交換方式に切り替える。例文帳に追加

A network system 1, when determining that a receiving-side terminal 10b cannot answer a call made thereto from a calling-side terminal 10a via a communication line of a circuit-switched network, the communication line with the calling-side terminal 10a is switched from the circuit-switched network to a packet-switched network. - 特許庁

支持体と、該支持体上に設けられ、放射線を光に変換する蛍光体を含む蛍光体層と、接合剤層と、剥離層とがこの順に積層された放射線変換シートにおいて、蛍光体層の周縁が削れてくずが発生し、そのくずが放射線画像検出器や放射線変換シート自身に混入してしまうのを防止する。例文帳に追加

To provide a radiation conversion sheet that includes a support, a phosphor layer provided on the support and containing a phosphor to convert radiation into light, an adhesive layer, and a peel payer laminated in this order, and prevents dregs generated by trimming rims of the phosphor layer and inclusion of the dregs into a radiation image detector or the radiation conversion sheet itself. - 特許庁

感光性樹脂膜の解像度を高く維持し、３０μｍ以下の配線パターン形成が可能で、感光性樹脂膜と樹脂フィルムとの密着性が良好な移動体通信機や半導体素子収納用パッケージなどに適した配線基板の配線パターン作製用の多層フィルムおよび配線付き多層フィルムを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a multilayer film for forming a wiring pattern of a wiring board which can maintain high resolution of a photosensitive resin film, can form a wiring pattern of 30 μm or less, has high adhesiveness between the photosensitive resin film and a resin film, and is suited to mobile communication equipment, semiconductor element storing packages, etc., and to provide a wired multilayer film. - 特許庁

近赤外線吸収色素、樹脂、および界面活性剤を含有する近赤外線吸収層と、透明基材を構成要素に含む近赤外線吸収フィルムであって、所定の測定箇所毎に測定した色調から算出されるフィルム幅方向（ＴＤ方向）の色差Δの最大値が１．０以下であることを特徴とする近赤外線吸収フィルムである。例文帳に追加

The near-IR absorbing film has, as structural elements, a transparent substrate and a near-IR absorbing layer containing a near-IR absorption dye, a resin and a surfactant, wherein the maximum color difference Δ in the film width direction (TD direction) calculated from tones measured at predetermined measuring points is ≤1.0. - 特許庁

半導体記憶装置は、半導体基板１の上に形成され、行方向に延伸する複数のワード線１０と、半導体基板１の上部に形成され、列方向に延伸する複数のビット線（ソースドレイン領域）５と、複数のワード線１０と複数のビット線５との各交差部に形成された複数のメモリ素子とを有している。例文帳に追加

The semiconductor memory device has: a plurality of word lines 10 formed on a semiconductor substrate 1 and extending in a row direction; a plurality of bit lines (source drain regions) 5 formed on the semiconductor substrate 1 and extending in a column direction; and a plurality of memory elements formed at respective intersections of the plurality of word lines 10 and the plurality of bit lines 5. - 特許庁

無線モジュールの中間周波増幅器１５ａと中間周波増幅器１５ｂとの間を接続する平衡伝送線路３０において、この平衡伝送線路３０の２線間に並列型整合回路５０を挿入すると共に、この並列型整合回路５０の電圧中性点と接地端との間に抵抗素子６１とリアクタンス素子６２とからなる直列共振回路６０を接続する。例文帳に追加

A parallel matching circuit 50 is inserted between two wires of a balanced transmission line 30 for interconnecting an intermediate frequency amplifier 15a and an intermediate frequency amplifier 15b of a radio module and a series resonance circuit 60 comprising a resistive element 61, and a reactance element 62 is connected between the voltage neutral point and the ground terminal of the parallel matching circuit 50. - 特許庁

一対の基板の少なくとも一方に、スイッチング素子を駆動するための走査信号線及び情報信号線に対して１０°以上の角度を有する方向に一軸配向処理を施し、スメクチック層形成方向が走査信号線或いは情報信号線のいずれかに対して１０°以内となるようにスメクチック層を形成する。例文帳に追加

A smectic layer is formed, in such a way that the direction of the smectic layer formation forms 10° or larger angle, with respect to the scanning or information signal line by imparting uniaxial orientation treatment in the direction forming 10° or larger angle with respect to the scanning and information signal lines for driving switching elements on at least one out of a pair of substrates. - 特許庁

メインワード線とサブワード線とを有する階層ワード線構造から成るＤＲＡＭにおいて、サブワード線ドライバを構成する各種トランジスタのうち、電源電圧ＶDD以上の高電圧が印加されるＮＭＯＳ型トランジスタ１４をメモリセル形成用ウエル領域１Ａ側に配置させたこと特徴とする。例文帳に追加

In a DRAM which has a hierarchical word line structure consisting of main-word lines and sub-word lines, among various word line driving transistors, NMOS transistors 14 for which a higher voltage than a power supply voltage VDD is applied are arranged in a well region 1A for forming memory cells. - 特許庁

ヒューズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素子を半導体装置における最上配線層よりも下層側の配線層にて形成し、その配線層の製造工程が完了した時点で、ヒューズトリミングを行い、その後に残りの配線層の製造工程を完了する構成とする。例文帳に追加

In the semiconductor device having fuse elements, the fuse elements are formed in a wiring layer present on the side of the lower layer than the uppermost wiring layer of the semiconductor device, and at the time point when completing the manufacturing process of the wiring layer, a fuse trimming is performed, and thereafter, the manufacturing processes of residual wiring layers are completed constitutionally. - 特許庁

像観察用の蛍光板（６）とテレビカメラ（７）とを備えた透過型電子顕微鏡において、テレビカメラ（７）に入射する電子線（２）を遮断しない孔を形成した電子線検出器（８）と、電子線検出器（８）で測定した電子線量によりフィルム撮影時の露光時間を算出し、算出した露光時間に基づいてシャッター（４）を制御する制御手段（９）とを備えるようにしたものである。例文帳に追加

In a transmission electron microscope having a fluorescent plate 6 for image observing and a television camera 7, the transmission electron microscope comprises an electron beam detector 8 formed with a hole allowing the electron beam which is incident to the television camera 7, and a control means for controlling a shutter 4 based on the exposure time calculated from the exposure time of a film shot. - 特許庁

容器から材料を移送するための装置であって、頂部と、頂部に取り付けられて軸線を有し、かつこの軸線と実質的に平行な外側表面が設けられている、接線方向部材と、材料に貫入するための部分が設けられている、上記接線方向部材に取り付けられたスラスタと、を備えることを特徴とする材料移送装置。例文帳に追加

The device for transferring material from the vessel comprises a crown, a tangential member attached to the crown and having an axis and an outer surface substantially parallel to the axis, and a thruster attached to the tangential member and provided with a member for penetrating the material. - 特許庁

径の大きい導電線を有するステータおよび導電線同士の間隔が空いたステータであっても、導電線同士の絶縁を良好に行い、且つ、各導電線の軸方向の位置を容易に決定することのできる生産効率の良いステータを有するモータおよびモータの製造方法を提供すること例文帳に追加

To provide a motor having a stator having excellent production efficiency in which conductor wires can be insulated from each other and the position of each of the conductor wires in an axial direction can be easily determined, even if it is a stator having a large-diameter conductor wire or a stator having conductor wires with a space. - 特許庁

紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する基材面上にベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤からなる粘着剤層を塗布してなる半導体加工用粘着シートにおいて、帯電防止効果を有し、帯電時の電圧の半減期が１秒以下である半導体加工用粘着シートである。例文帳に追加

This adhesive sheet for processing semiconductor has antistatic effects and ≤1 s of half-life of a voltage when electrified in the adhesive sheet for processing semiconductor obtained by applying an adhesive layer composed of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerizable polymerization initiator on a base material having transparency to ultraviolet ray and/or an electron beam. - 特許庁