「間ふく板」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

複数の燃料棒７とシンブル管２とが支持格子を貫通して離間状態で保持されているＰＷＲにおいて、複数のシンブル管２の全部または一部における露呈箇所にあって、所要数だけ所要位置に被嵌固定された取着用リング１０Ａと、その外周面１０ａから突設された一以上の撹拌板状体１０ｄを有する撹拌羽１０Ｂとからなる冷却水撹拌羽１０が装設されている。例文帳に追加

In a PWR wherein a plurality of fuel rods 7 and thimble tubes 2 penetrating support grids are held in separated state, coolant stirring vanes 10 consisting of a specific number of attachment rings 10A fixed at specific positions and stirring vanes 10B having one or more stirring plates 10d projected from the outer surface 10a of the rings are placed at whole or part of exposed locations in a plurality of the thimble tubes 2. - 特許庁

基板上に隔壁を形成する工程、前記隔壁間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素パターンを、インクジェット法により形成する工程、前記着色画素パターン上に、配向処理された配向膜を形成する工程、及び前記複数の着色画素パターンのそれぞれのリタデーションに対応して、前記配向膜上に印刷法により、液晶位相差層を形成する工程を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes the steps of: forming barrier walls on a substrate; forming a plurality of color pixel patterns having predetermined retardations among the barrier walls by an ink-jet method; forming alignment films subjected to an alignment process on the color pixel patterns; and forming liquid crystal retardation layers on the alignment films by a printing method corresponding to the respective retardations of the color pixel patterns. - 特許庁

アンモニア処理設備から排出されるアンモニア含有ガスをアンモニア分解装置内のハウジングに収納されたアンモニア分解触媒を通過させてアンモニアを分解処理するアンモニア処理装置において、前記アンモニア分解触媒をガス流れに沿って複数段設け、該アンモニア分解触媒の出入口にシール材を設けるとともに、前記複数段設けたアンモニア分解触媒の間にガス混合板を設けたことを特徴とするアンモニア処理装置。例文帳に追加

The apparatus for treating ammonia passing an ammonia-containing gas exhausted from the apparatus for treating ammonia through the ammonia decomposable catalyst accommodated in the housing in the apparatus for treating ammonia to carry out ammonia decomposition treatment includes a plurality of stages of the ammonia decomposable catalyst along gas flow, a sealing material located at the gateway of the ammonia decomposable catalyst and also a gas mixing plate between the ammonia decomposable catalysts having a plurality of stages. - 特許庁

主幹ブレーカ４０と、略板状の導電バー本体２１、複数の分岐接続部２２を有して、導電バー本体２１の厚み方向に沿って隙間をあけて略対向に配設される複数の導電バー２０と、分岐ブレーカ５０と、盤本体１０とを備え、各導電バー２０は、分岐接続部２２の先端部２２ａが導電バー本体２１と段違いになるように、それぞれ互いに略同一の寸法形状に形成されるとともに、互いに表裏が逆になるように配設される。例文帳に追加

This panel consists of a main breaker 40, plural numbers of conducting bar 20, branch breaker 50 and a panel body 10, where conducting bar 20 is fitted facing almost opposite to each other, with such a gap along the thickness direction of a conducting bar body 21 by housing plate-like bar 21 and plural numbers of branch connection 22. - 特許庁

本発明に係る時間分割型有機物／無機物複合薄膜の蒸着方法および蒸着装置は、有機物／無機物材料が含有されているソースタンクと、これを活性化させる熱開始剤が含有されている触媒ソースタンクとを各々装着することによって、大面積の基板上に有機物／無機物複合薄膜を蒸着する時、厚さを正確に調節することができ、蒸着を均一に行うことができる。例文帳に追加

The method and the device for depositing an organic/inorganic thin film in a time-division manner include a source vessel containing organic/inorganic materials, and a catalyst source vessel containing a heat initiator for activating the materials so that the thickness of the organic/inorganic thin film can be accurately adjusted, and the deposition can be uniformly performed when the thin film is deposited on a large-scale substrate. - 特許庁

一対の基板の間に、液相分散媒と電気泳動粒子とを含む電気泳動分散液を封入したマイクロカプセルが収容されてなる電気泳動装置の製造方法において、前記電気泳動分散液を少なくとも熱可塑性の高分子材料を含む壁膜でマイクロカプセル化する工程と、前記マイクロカプセルへの直接の加熱と加圧とによって前記マイクロカプセルを非球形、好ましくは略多角柱の形状に変形させる工程とを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the electrophoretic device constituted by putting microcapsules in which electrophoretic liquid containing liquid phase dispersant liquid and electrophoretic particles is charged between a couple of substrates includes a process of forming microcapsules of the electrophoretic dispersant liquid from a partition film containing at least a thermoplastic high polymer material and a process of deforming the microcapsules into a nonspherical or nearly polygonal shape by directly heating and pressing the microcapsules. - 特許庁

基板上に隔壁を形成する工程、前記隔壁間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素パターンを、フォトリソグラフィー法により形成する工程、前記着色画素パターン上に、配向処理された配向膜を形成する工程、及び前記複数の着色画素パターンのそれぞれのリタデーションに対応して、前記配向膜上にインクジェット法により、液晶位相差層を形成する工程を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes the steps of: forming barrier walls on a substrate; forming a plurality of colored pixel patterns having predetermined retardations among the barrier walls by a photolithographic method; forming alignment films subjected to an alignment process on the colored pixel patterns; and forming liquid crystal retardation layers on the alignment films by an ink-jet method corresponding to the respective retardations of the colored pixel patterns. - 特許庁

基板上に隔壁を形成する工程、前記隔壁間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素パターンを、インクジェット法により形成する工程、前記着色画素パターン上に配向処理された配向膜を形成する工程、及び前記複数の着色画素パターンのそれぞれのリタデーションに対応して、前記配向膜上にフォトリソグラフィー法により、液晶位相差層を形成する工程を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes the steps of: forming barrier walls on a substrate; forming a plurality of colored pixel patterns having predetermined retardations among the barrier walls by an ink-jet method; forming alignment films subjected to an alignment process on the colored pixel patterns; and forming liquid crystal retardation layers on the alignment films by a photolithographic method corresponding to the respective retardations of the colored pixel patterns. - 特許庁

２つ以上のガス吹き出し口と前記吹き出し口を外部空間から隔てるための１つ以上の反応制御板を有し、１つ以上のガス吹き出し口から加溶媒分解性基を有する原料を含む混合ガスを、残りの１つ以上のガス吹き出し口から加溶媒分解を起こさせる溶媒を含む混合ガスを供給し、原料を加溶媒分解させることによって、前記ガス吹き出し口に対向する基材に金属酸化物を含有する膜を形成させることを特徴とする薄膜製造装置。例文帳に追加

This thin film manufacturing apparatus has two or more gas outlets and one or more reaction control plate to separate the gas outlets from the external space, feeds gas mixture containing raw material having solvolysis group from at least one gas outlet and gas mixture containing solvent to cause solvolysis from the remaining one or more gas outlets, and deposits a film containing metal oxide in a base material facing the gas outlets by performing solvolysis of the raw material. - 特許庁

透明基板上にブラックマトリックス４を形成する工程、前記ブラックマトリックス４間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素層３を、フォトリソグラフィー法により形成する工程、前記複数の着色画素層３上にそれぞれのリタデーションに対応して、インクジェット法により、位相差制御層１を形成する工程を具備することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。例文帳に追加

The method for producing a color filter comprises: a stage where black matrixes 4 are formed on a transparent substrate; a stage where a plurality of colored picture element layers 3 having prescribed retardation are formed between the black matrixes 4 by a photolithography process; and a stage where each phase control layer 1 is formed on the plurality of colored picture element layers 3 corresponding to the respective retardation by an ink jet process. - 特許庁

基板上に隔壁を形成する工程、前記隔壁間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素パターンを、印刷法により形成する工程、前記着色画素パターン上に配向処理された配向膜を形成する工程、及び前記複数の着色画素パターンのそれぞれのリタデーションに対応して、前記配向膜上に印刷法により、液晶位相差層を形成する工程を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes the steps of: forming barrier walls on a substrate; forming a plurality of color pixel patterns having predetermined retardations among the barrier walls by a printing method; forming alignment films subjected to an alignment process on the colored pixel patterns; and forming liquid crystal retardation layers on the alignment layers by a printing method corresponding to the respective retardations of the colored pixel patterns. - 特許庁

また、前記キャップ組立体は、第１端子孔を有するキャッププレート１３１と、前記第１端子孔に挿通される電極端子１３４と、前記電極端子１３４と前記キャッププレート１３１との間に位置するガスケットと、を含み、前記保護回路モジュール１４０は、前記保護回路基板１４１上に位置する絶縁層１４２と、前記絶縁層１４２上に位置する充放電端子１４３および保護回路部１４４と、を含んでいてもよい。例文帳に追加

The cap assembly includes a cap plate 131 having a first terminal hole, an electrode terminal 134 inserted into the first terminal hole, and a gasket positioned between the electrode terminal 134 and the cap plate 131, and the protective circuit module 140 may include an insulating layer 142 positioned on the protective circuit board 141, a charge-discharge terminal 143 and a protective circuit part 144 positioned on the insulating layer 142. - 特許庁

縁部に沿ってフレームにより支持されて、複数のパターン化した開口部を具備して上記開口部を通じて蒸着源から赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の組合わせよりなる複数の画素を有する有機発光膜を透明基板に蒸着させるものであって、上記開口部は上記透明基板側幅が上記蒸着源側幅より大きく形成されており、上記透明基板側開口部の幅をＷｓ１、上記蒸着源側開口部の幅をＷｓ２、上記有機発光膜の互いに隣接する画素間の距離をＰｐ、上記蒸着される有機発光膜のうち一画素の発光膜幅をＷｅｌとする時、上記Ｗｓ１はＷｓ１＝Ｐｐ＝Ｗｅｌの式を満足する少なくとも２つの単位マスクを具備する。例文帳に追加

This mask is provided with at least two unit masks supported by a frame along the edge part and provided with a plurality of patterned opening parts, and a plurality of pixels constructed of a combination of red R, green G, and blue B are deposited on a transparent board from a deposition source via the opening parts. - 特許庁

天板が着脱可能で、胴体がテーパー付きで、取っ手２を有するペール缶１０を、一方のペール缶の胴体内に他方のペール缶の胴体を入れ込み、複数のペール缶を積み重ねて輸送するとき、最上端ペール缶１０Ｕの取っ手と、最下端ペール缶１０Ｌの取っ手との間に、最上端ペール缶と最下端ペール缶との間に圧縮力を発生させるペール缶輸送用締結部材１０１を取り付ける。例文帳に追加

When a plurality of pails 10 each having a detachable top plate, a tapered barrel and a handle 2 are transported while stacked as the barrel of one pail is put into the barrel of another pail, the fastening member 101 for transporting the pail which causes compressive force between the uppermost pail and the lowermost pail is put between the handle of the uppermost pail 10U and the handle of the lowermost pail 10L. - 特許庁

半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第１の光導波路を有するレーザダイオード（半導体レーザ領域１０）と、第１の光導波路と光結合された３つのフォトダイオード（２つのフォトダイオード構造２２及び一つのフォトダイオード素子）と、一つのフォトダイオード構造２２と第１の光導波路との間に光結合されたリング共振器（光導波路２１３）と、フォトダイオード素子と第１の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser device includes a laser diode (semiconductor laser region 10) provided on a semiconductor substrate and having a first optical waveguide including a gain waveguide, three photodiodes (two photodiode structures 22 and one photodiode element) optically coupled to the first optical waveguide, a ring resonator (optical waveguide 213) optically coupled between one photodiode structure 22 and the first optical waveguide, and an etalon filter optically coupled between the photodiode element and the first optical waveguide. - 特許庁

10〜70重量％の無機絶縁粉末と30〜90重量％の有機材料とから成り、無機絶縁粉末を有機材料により結合して成る絶縁層1a、1b、1c、1d、1eを複数層、上下に積層させるとともに絶縁層1a、1b、1c、1d、1e間および／または露出する絶縁層1a、1b、1c、1d、1e表面に配線導体２を被着して成る配線基板４であって、絶縁層1a、1b、1c、1d、1eは少なくとも一層が上下面方向の比誘電率が30以上であり、かつその上下面間に少なくとも一対の対向電極３が配設されている。例文帳に追加

At least one layer of the insulating layers 1a, 1b, 1c, 1d, 1e has permittivity in upper and lower surface direction of 30 or more and at least a pair of counter electrode 3 are disposed between the upper and lower surfaces. - 特許庁

半導体素子は、ソース領域とドレイン領域が形成された半導体基板と、上記ソース領域とドレイン領域との間に形成されてプログラム及び消去状態によってチャネルを形成し、上記ソース領域とドレイン領域との間の電流の流れを制御するフローティングゲートと、印加される電圧によって上記フローティングゲートのプログラム及び消去状態を決定するトンネリングゲートとを含んで構成される。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate with a source region and a drain region formed thereon; a floating gate formed between the source region and the drain region to form a channel based on a programming and an erasing conditions and to control a current flow between the source region and the drain region; and a tunnelling gate to determine the programming and the erasing conditions in the floating gate based on an applied voltage. - 特許庁

一定間隔で洗浄液をサンプリングするプローブを備えた液中パーティクルカウンタによって液中パーティクル数を測定する工程と、液中パーティクルカウンタにより一定間隔で測定された各パーティクル数を線形演算にかけることによって、ハードディスク基板に付着するパーティクル数を求める工程とを含むことを特徴とするパーティクル数の推定方法およびその推定方法を利用したパーティクル数評価装置。例文帳に追加

The method of estimating the particle count contains a process of measuring the particle count in liquid by a particle counter in liquid provided with probes sampling a cleaning liquid at a constant interval, and a process of asking the particle count adhering to the hard disc substrate by subjecting each particle count measured at a constant interval by the particle counter in liquid to a linear operation, and the particle count evaluation device utilizes the estimation method. - 特許庁

複数の導体層を有するプリント配線板において、少なくとも一回以上の折り返し蛇行パターンを有するミアンダ配線パターン１が形成された第１の導体層と、第１の導体層に隣接するグラウンド導体として機能する第２の導体層であって、ミアンダ配線パターンの導体間の隙間を投影した部分に、導体が存在しない第１の導体欠落部分６が形成された第２の導体層２とを有する。例文帳に追加

The printed wiring board including a plurality of conductor layers comprises a first conductor layer formed with a meander wiring pattern 1 having at least one or more return meander patterns; and a second conductor layer 2 functioning as a ground conductor adjacent to the first conductor layer, formed with a first conductor omission portion 6, where no conductor exists, in a portion projecting a gap between conductors of the meander wiring pattern. - 特許庁

板面を対向させ相互に電気的に絶縁し積層された第１および第２の半導体素子４、６と、端部が第１および第２の半導体素子４、６の間に介在されて第１および第２の半導体素子４、６の両側に第１および第２の半導体素子４、６の間から延出する絶縁材料から成るフィルム８と、フィルム８の上面および下面にリードとして形成された第１および第２の回路パターン１０、１２とを含んでいる。例文帳に追加

A semiconductor device contains the first and second semiconductor elements 4, 6 whose opposite sheet faces are electrically insulated to be laminated, a film 8 made of insulating material extended between the first and second semiconductor elements 4, 6 interposed between the first an second semiconductor elements 4, 6 on both sides of the same 4, 6 as well as the first and second circuit patterns 10, 12. - 特許庁

半導体基板にフォトダイオード層をイオン注入により埋め込み形成する工程と、このフォトダイオード層上にシールド層をイオン注入により埋め込み形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法のうち、少なくともシールド層を形成するイオン注入工程において、このイオン注入工程期間に少なくとも１回以上のイオン注入工程休止期間を設けることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the solid-state imaging apparatus including a process of embedding and forming a photodiode layer in a semiconductor substrate by ion implantation and a process of embedding and forming a shield layer on the photodiode layer by the ion implantation, at least in the ion implantation process of forming the shield layer, at least one ion implantation process suspension period is provided in the ion implantation process period. - 特許庁

第１グリッド電極は塑性加工形成されるために、特に肉厚を薄く形成される電子ビーム通過孔を含む電極板部分がカソード電極よりも離れる方向に凹状に変形し、カットオフ電圧設定の基準となるカソード電極と第１グリッド電極間の間隔を設定値通りに満足させることができず、カットオフ電圧が設定した電圧よりも降下してしまっていたが、これをより設定値に近づけることが可能な電子銃構体及び陰極線管を提供する。例文帳に追加

To provide an electron gun structure and a cathode ray tube of which, the distance between a cathode electrode and a first grid electrode, which is a standard for setting a cut-off voltage, fulfils a prescribed value, enabled to make the cut-off voltage get near the prescribed value. - 特許庁

メモリモジュールにおいて、モジュール基板１上にメモリ２を複数実装し、このメモリ２の近傍のＶｒｅｆ−Ｖｓｓ間インピーダンスをデカップリングコンデンサ５とＶｒｅｆプレーン４でＶｓｓと結合させて広い周波数領域で低インピーダンス化を図り、Ｖｒｅｆプレーン４は各メモリ２毎に個別に設け、Ｖｒｅｆプレーン４間を高インピーダンス配線、又は高インピーダンスチップ部品３−１，３−２で接続する。例文帳に追加

In a memory module, a plurality of memories 2 are mounted on a module substrate 1, Vref-Vss impedance near the memories 2 is coupled with Vss by a decoupling capacitor 5 and Vref planes 4 to reduce impedance, the Vref plane 4 is individually provided for each memory 2, and the Vref planes 4 are connected by high-impedance wiring or high-impedance chip components 3-1, 3-2. - 特許庁

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。例文帳に追加

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process. - 特許庁

処理室５内に上部電極６と対向して配置された下部電極３上に被処理基板７を載置してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、処理室５内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給し、電極間距離Ｌ［ｍ］と処理室５内の混合ガスの放電圧力Ｐ［Ｐａ］の積ＰＬが、良好なエッチングレートを与える範囲である２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下で、この上下電極間でプラズマ放電を行わせるようにした。例文帳に追加

The plasma etching method for plasma-etching a substrate 7 to be treated on a lower electrode 3 opposed to an upper electrode 6 in a treating chamber 5 is such that, a mixed gas contg. - 特許庁

所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜とを含み、前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする。例文帳に追加

The barrier layer and the wiring layer are connected to each other via a through hole formed in the silicon nitride film and the interlayer dielectric, a part of the planarized insulating film is removed and bonding is made in the metal wiring layer. - 特許庁

上記課題は、無機成分を含む成型物を焼成してモデル焼成物を作製し、同条件で焼成を行った基板上パターンの物性とモデル焼成物のかさ密度を予め関連付けた上で、特定の焼成条件で得られるモデル焼成物のかさ密度から同条件で焼成を行った際の基板上パターンの物性を予測することにより、また、プラズマディスプレイ基板に設ける隔壁の無機成分を含有する成型物を焼成してモデル焼成物を作製し、焼成温度、時間を変更してモデル焼成物のかさ密度が理論密度の８９〜９８％となるように焼成条件を決定することによって解決することができる。例文帳に追加

A model baked article is formed by baking a molded article containing inorganic components of a barrier rib provided for a plasma display substrate and baking conditions are determined so as to make the bulk density of the model baked article becomes 89-98% of a theoretical density by changing a baking temperature and a time. - 特許庁

基体１と基体１に連結された揺動体２との間に設けられた複数の棒又は板状のスプリング３と、スプリング３毎に設けられ、対応するスプリング３にカム面６ｂが当接する突出位置４とカム面６ｂが突出位置４よりも対応するスプリング３から遠くに位置する退避位置５との間で回転変位可能な作動切換カム６と、作動切換カム６を回転変位させる操作装置７を備え、作動切換カム６は外周面がカム面６ｂになっており、操作装置７は突出位置４に変位させる作動切換カム６と退避位置５に変位させる作動切換カム６との組み合わせが異なる複数の反力調整位置を有し、突出位置４に変位された作動切換カム６は対応するスプリング３を揺動体２の揺動に応じて湾曲させて揺動に対する反力を発生させる。例文帳に追加

The actuation changeover cam 6 displaced to the projection position 4 bends the corresponding spring 3 in response to the rocking of the rocking body 2, so as to generate the reaction force with respect to the rocking. - 特許庁

光路偏光素子１は、垂直配向膜３を内側に有する透明な一対の基板２、２間に充填された、ホメオトロピック配向をなすキラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層５に、高分子材料のモノマー等を含ませ、液晶層５がスメクチックＡ相を形成する温度に保持して分子配向を整え、光重合を行って高分子材料から成る繊維状あるいは網目状の組織５ｂを形成した後、キラルスメクチックＣ相を形成する温度まで冷却する。例文帳に追加

Furthermore, after a fibrous or network texture 5b composed of the polymer material is formed by photopolymerization, the liquid crystal layer is cooled to a temperature of chiral smectic C phase formation. - 特許庁

透光性基板と、受光面側充填材と、接続タブで電気的に接続された複数の太陽電池素子と、裏面側充填材と、裏面シートとを重ねるように順次配設し、さらに減圧下にて加熱加圧して一体化する太陽電池モジュールの製造方法であって、前記受光面側充填材と前記太陽電池素子の接続タブとの接続部分の端部との間に位置決め用スペーサー部材を配置したことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。例文帳に追加

Between the light receiving surface-side filler and the ends of the connecting portions of the solar cell elements with the connecting tabs, positioning spacer members are disposed. - 特許庁

そしてコネクタ端子は、他のコネクタ端子と嵌合する嵌合部と、嵌合部を載置するものであって、複数の透孔を有する板部とを備えるコネクタ端子本体と、透孔のそれぞれに配置されており、透孔を貫通して当該コネクタ端子側の装置の一面に固着する柱状の留具と、コネクタ端子本体と上記一面との間に配置するばねとを備え、留具の一部又は全部について、それぞれ、透孔と当接する部分の一部又は全部に、上記一面の方向に向かって徐徐に外周が短くなるテーパ部が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

On part of or all of the hold-downs, tapered parts are formed respectively at part of or all of areas where contacts are made with the translucent holes in such a way that an outer periphery gets gradually shorter towards a direction of the surface. - 特許庁

回転子１５は、円環状の複数の鋼板１２ａを回転軸方向に積層して形成され、固定子１８と径方向に対向するよう配置された回転子コア１２と、回転子コア１２の内部にそれぞれ円周方向に所定間隔を空けて配置された永久磁石１３と、回転子コア１２の回転軸方向両端面の両端面に当接した状態に配設された円環状の一対のエンドプレート１４とを有する。例文帳に追加

The rotator 15 includes a rotator core 12 formed by laminating multiple annular steel plates 12a in the rotation axis direction and arranged so as to face a stator 18 in the radial direction, permanent magnets 13 arranged in the rotator core 12 so as to have a predetermined space therebetween in the circumferential direction, and a pair of annular end plates 14 arranged so as to contact both end surfaces of the rotator core 12 in the rotation axis direction. - 特許庁

基板上に、対向する第１、第２電極を有し、両電極間に少なくとも１層の有機機能層を有する有機電子デバイスであって、少なくとも一方の電極が導電性ポリマー含有層を有し、該導電性ポリマー含有層に含まれる導電性ポリマーがπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含有し、該導電性ポリマー含有層の表面にエキシマ光照射処理を施したことを特徴とする有機電子デバイス。例文帳に追加

The organic electronic device has a first and a second electrodes facing each other on a substrate and has at least one layer of organic functional layer between both electrodes, and at least one of the electrodes has a conductive polymer-contained layer, and the conductive polymer contained in the conductive polymer-contained layer contains a π-conjugated system conductive polymer and polyanion; and an excimer light irradiation treatment is applied on the surface of the conductive polymer-contained layer. - 特許庁

マイクロカプセル型電気泳動表示装置において、フィルム支持体の一方の面に、マイクロカプセル層と、接着剤層と、剥離シートの順に積層されており、マイクロカプセル層が、正に帯電した白色粒子と、負に帯電した着色粒子と、透明な液体分散媒と、マイクロカプセル同士の間隙を繋いで単独のフィルムを形成するに充分な量のバインダから構成され、且つ、マイクロカプセル層に含まれるバインダが接着性機能を有していることを特徴とするマイクロカプセル型電気泳動表示パネルの前面板である。例文帳に追加

In a front plate of a microcapsule type electrophoretic display device, the microcapsule layer, an adhesive layer and the release sheet are laminated in this order on one surface of the film support member, and the microcapsule layer comprises positively charged white particles, negatively charged colored particles, a transparent liquid dispersion medium, and a sufficient amount of binder to connect gaps between microcapsules to form a single film, and the binder included in the microcapsule layer has an adhesive function. - 特許庁

電源用ボンディングパッドが同一周回上で複数の電源に対応することを実現することで、半導体集積回路装置の設計時における高い自由度を確保しながらも、良好な電気特性の実現、消費電流の増大への対応、空間の有効活用、及び基板への実装時のマークとしての効果を有する半導体集積回路装置及びその入出力用ボンディングパッドの配置方法を提供する。例文帳に追加

To provide: a semiconductor integrated circuit device which achieves an excellent electric characteristic while securing a high degree of freedom in designing the semiconductor integrated circuit by allowing a bonding pad for power to respond to a plurality of power sources on the same circling, responds to increase of consumption current, effectively utilizes a space and has an effect as a mark when mounted on a board; and a method of arranging a bonding pad for input/output of the same. - 特許庁

基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、媒体上にエネルギー線の濃淡を形成するマスク手段を通して該媒体にエネルギー線を照射し該磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、少なくとも該媒体の磁化パターン形成領域では、該マスク手段と該媒体とのあいだに間隙を設ける磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、及びそれにより磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録装置。例文帳に追加

The magnetic recording medium on which the magnetization pattern is formed by the magnetization pattern forming method and the magnetic recording device using it are also provided. - 特許庁

多層プリント配線基板１００は、グランドパターン１２１０および１２２０と、電源パターン１３１０および１３２０と、グランドパターン１２２０と電源パターン１３２０との間に配置された信号配線層１４３に形成された配線パターン１４３２と、この配線パターン１４３２と接続され、グランドパターン１２１０および１２２０と電源パターン１３１０および１３２０とを貫通するスルーホール１１２とを含む。例文帳に追加

A multilayer wiring board 100 comprises ground patterns 1210 and 1220, power supply patterns 1310 and 1320, a wiring pattern 1432 formed on a signal wiring layer 143 provided between the ground pattern 1220 and the power supply pattern 1320, and a through-hole 112 which is connected to the wiring pattern 1432 and pierces through the ground patterns 1210 and 1220 and the power supply patterns 1310 and 1320. - 特許庁

電子放出素子は，基板上に形成される電子放出部と，電子放出部の電子放出を制御する少なくとも一つの駆動電極と，電子ビーム通過のための開口部を備え，電子放出部から放出された電子を集束させるための集束電極と，少なくとも一つの駆動電極と集束電極との間に位置する絶縁層とを含み，集束電極は，数式１および２の条件の少なくとも一つを満足する。例文帳に追加

This electron emission device includes: electron emission parts formed on a substrate; at least one driving electrode for controlling emission of electrons emitted from the electron emission parts; the focusing electrode for focusing the electrons emitted from the electron emission parts and having an opening through which the electrons pass; and an insulating layer located between the at least one driving electrode and the focusing electrode. - 特許庁

単一ドーム・レンズ５０を有する小型の単一トラック式光学エンコーダ、及び三重ドーム・レンズ付二重トラック式光学エンコーダ内の迷光を阻止するために採用された構造体には、エンコーダの基板４０の第１の側部５６及び第２の側部５８間に配置され、迷光が単一トラック式光検出器４６／４８に入射するのを防止又は阻止するように構成された光学的に不透明な光バリア、エアギャップ・トレンチ、及びコーティングが含まれる。例文帳に追加

Structures employed to block stray light in compact single track optical encoders having a single dome lens 50 and dual track triple dome lens optical encoders include optically opaque light barriers, air gap trenches, and coatings disposed between first and second sides (56 and 58, respectively) of a substrate 40 of the encoder to be composed so as to inhibit or prevent that stray light enters single track photodetectors 46/48. - 特許庁

セラミック基板の製造方法は、未焼結の導体層が形成された複数のセラミックグリーンシートを積層することによって未焼結の積層体を形成する積層体形成工程のステップＳ４と、積層体を所定の焼結温度で焼結する積層体焼結工程のステップＳ８と、積層体形成工程と積層体焼結工程との間で積層体と導体層の特性を検査する検査工程のステップＳ５とＳ７とを備える。例文帳に追加

The ceramic substrate manufacturing method includes the laminate forming process S4 of forming a green laminate by laminating a plurality of ceramic green sheets with a green conductor layer formed, the laminate sintering process S8 of sintering the laminate at a predetermined sintering temperature and the inspecting processes S5 and S7 of inspecting the characteristics of the laminate and the conductor layer between the laminate forming process and the laminate sintering process. - 特許庁

第２の接続用接合金属層２９の長手方向の中間部が、貫通孔配線形成基板２における複数の半田リフロー用パッド２５の所望のレイアウトに応じて第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９との接合部位と第２の接続用接合金属層２９と貫通孔配線２４との接続部位との相対的な位置関係を調整する再配線部を構成している。例文帳に追加

The midpoint of the longitudinal direction of the second connection metal layer 29 is constituting the rewiring part for adjusting the relative positional relation of the connection part between the first connection alloy layer 19 and the second connection metal layer 29 and the connection part between the second connection metal layer 29 and the through hole wiring 24, corresponding to the desirable layout of the pads 25 for reflow soldering in the through hole wiring substrate 2. - 特許庁

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In a method for manufacturing the organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode, an insulating layer-forming step includes vapor phase film deposition of a fluorine polymer. - 特許庁

透明な一対の基板の対向面にそれぞれ透明導電膜を配設し、液晶材料及びこの液晶材料の配向に応じて配向する二色性色素を内部に保持してなる媒体を前記透明導電膜間に介在させた液晶調光体であり、前記液晶材料の複屈折率（△ｎ）が０．２以上であり、且つ前記二色性色素の分子長軸方向の吸光度（Ａ//）と分子短軸方向の吸光度（Ａ⊥）とが、次式の関係にあることを特徴とする液晶調光体である。例文帳に追加

The liquid crystal dimming body is produced by forming a transparent conductive film disposed on each inner face of a pair of transparent substrates, and holding a medium containing a liquid crystal material and a dichroic pigment which is oriented according to the orientation of the liquid crystal between the transparent conductive films. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁