「C 領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The peripheral portion 3b of the electrode 3 for attraction is made into C surface, R surface or inverse R surface forming an area having a large distance between the electrode 3 for attraction and the wafer W, and the area forms a non-contact part with the wafer W on the placing surface 2a.例文帳に追加

吸着用電極３の周辺部３ｂはＣ面、Ｒ面または逆Ｒ面として吸着用電極３とウェハＷとの距離が大きい領域を成し、その領域は載置面２ａにウェハＷとの非接触部を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁

Because of this, the vicinity of electric potential ends 16 and 17 in the domain 13, where the formation of temperature distribution is indistinct, is excepted from the detection domain 12, and a longitudinal average temperature difference can be made ≥50°C, the temperature difference calculated based on the detection difference between the detection resistances 5 and 6.例文帳に追加

これにより、発熱領域１３の内で温度分布の形成が不明確な電位端１６、１７近傍を検出領域１２から除外し、上、下流側検出抵抗５、６の検出差分に基づいて算出される長手方向の平均温度差を５０℃以上にすることができる。 - 特許庁

The value (c) of b/a (Killer Rate) in each address is obtained from the total number (a) of addresses (×) wherein the defects exist among 9 pieces of sub regions provided with the addresses and the total number (b) of (F), wherein defects exist among 9 pieces of the sub regions provided with the addresses.例文帳に追加

その番地が付された９個の副領域のうちで欠陥が存在するもの（×）の総数ａと、その番地が付された９個の副領域のうちで欠陥が存在し且つ「動作不良」となったものＦの総数ｂとから、番地毎のｂ／ａの値ｃ（Ｋｉｌｌｅｒ Ｒａｔｅ）を求める。 - 特許庁

For accumulation of history data, time zones or space zones of data are converted to sets of non-overlapping zone area occupiers A to C and pertinent data, and then divided and managed in subtrees T1 to T4 originating/terminating in the zone area occupiers.例文帳に追加

履歴データの蓄積は、データがもつ時区間あるいは空区間を重なりの無い区間領域占有子Ａ，Ｂ，Ｃとそれに付属するデータの組に変換すると共に、区間領域占有子を始端・終端とした部分木Ｔ１〜Ｔ４に分割して管理する。 - 特許庁

The ink jet recording paper has a constitution wherein the lower layer of a recording layer containing a polymeric compound (A) showing hydrophilicity in a temperature region not higher than a temperature sensing point and hydrophobicity in a temperature region higher than the temperature sensing point and particulates (B) is provided on a substrate and the upper layer of the recording layer containing particulates (C) is provided on the lower layer.例文帳に追加

支持体に、感温点以下の温度領域では親水性を示し、感温点を超える温度領域では疎水性を示す高分子化合物（Ａ）と微粒子（Ｂ）とを含有する記録層下層を設け、該記録層下層上に微粒子（Ｃ）を含有する記録層上層を設けたインクジェット記録用紙。 - 特許庁

A machine (10) comprises a rotor (12) equipped with (a) coils (14) axially extending in a terminal winding region (26), (b) a plurality of voids (20, 36, and 38) among the coils (14) in the terminal winding region (26), and (c) a plurality of spacers (16) placed among the coils (14).例文帳に追加

機械（１０）は、（ａ）その各々が末端巻線領域（２６）内に延びた軸方向に延びるコイル（１４）と、（ｂ）末端巻線領域（２６）におけるコイル（１４）間の複数の空洞（２０、３６、３８）と、（ｃ）コイル（１４）間に置かれた複数のスペーサ（１６）とを備えたロータ（１２）を含む。 - 特許庁

If there are image data in the inside area of the cutting line 28 regarding proofs other than the proof K, on the other hand, the additional information forming section 16 forms a dragonfly mark of K, as additional information, at a predetermined position in the outside area of the cutting line 28 also for proofs C, M, Y.例文帳に追加

一方、Ｋ版以外の版について、裁ち切り線２８の内側領域に画像データが有る場合には、付加情報形成部１６が、Ｃ、Ｍ、Ｙの版についても裁ち切り線２８の外側領域の所定位置に付加情報としてＫのトンボマークを形成する。 - 特許庁

The apparatus includes a source 112 producing a beam of radiation, a surface 120 to support a subset of the plurality of regions of interest A, B and C, and an X-ray detector 130 located to simultaneously receive portions of the beam that have passed through the subset of the plurality of regions of interest.例文帳に追加

本装置は、放射線ビームを生成する源（１１２）と、複数の関心領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）のサブセットをサポートする面（１２０）と、前記複数の関心領域のサブセットを通過したビームの部分を同時に受け取るように配置されたＸ線検出器（１３０）とを含んでいる。 - 特許庁

When a metallic product A is housed in a corrugated cardboard conveyed by the carrier 4, a communication-invalidating region C is formed at the back side of the metallic product A, while the RFID tag 5 is positioned in a communication-validating region B so that communication with the RFID tag 5 can be invalidated.例文帳に追加

台車４が搬送するダンボール内に金属製品Ａが収納されていた場合は、ＲＦＩＤタグ５が通信可能領域Ｂに位置しているにしても、金属製品Ａの背面側に通信不能領域Ｃが形成され、ＲＦＩＤタグ５との通信が不可能となる。 - 特許庁

A LED light source 11 of an UV-A area is mounted on a top face recessed portion 20 in the partial freezing compartment to apply light ray 12 of the UV-A area to a fish 13, thus the fish 13 can be stored for one week even at a partial freezing compartment temperature of about -1°C by antibacterial effectiveness of ultraviolet ray.例文帳に追加

パーシャルフリージング室内天面凹部２０にＵＶ−Ａ領域のＬＥＤ光源１１を設けたことにより、ＵＶ−Ａ領域の光線１２を一尾魚１３に照射し、紫外線の抗菌効果により、約−１℃のパーシャルフリージング室温でも、一尾魚１３を１週間保存できる。 - 特許庁

To provide an oxide conductor ceramic composition having a CTR characteristic, i.e. a large resistance change rate at a high temperature range, specifically a digit number of the resistance change rate at ≥150°C of ≥one digit, and a resistor using it.例文帳に追加

高温領域で抵抗変化率の大きい、具体的には、具体的には１５０℃以上の領域において抵抗変化率の桁数が１桁以上である，ＣＴＲ特性を有する酸化物導電体磁器組成物およびおよびそれを用いた抵抗体を提供する。 - 特許庁

In the multilayer thin film capacitor, the thickness of the uppermost electrode layer 42 (hereinafter referred to as electrode layer 42b) in a central capacitance generating region b is made different from those of the uppermost electrode layers 42 (hereinafter referred to as electrode layers 42a and 42c), in the capacitance generating regions a and c on the left and right sides of the central capacitance generating region b.例文帳に追加

中央に位置する容量発生領域ｂの最上層の電極層４２（以下、電極層４２ｂとする）の厚みが、左右に位置する容量発生領域ａ，ｃの最上層の電極層４２（以下、電極層４２ａ，４２ｃとする）の厚みと異なっている積層型薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

The LEDs in the region A are lightingly driven by the PWM drive signal (b) in which the position of a rising edge is fixed and a pulse width wa is controlled, and the LEDs in the region B are lightingly driven by the PWM drive signal (c) in which the position of a falling edge is fixed and a pulse width wb is controlled.例文帳に追加

領域ＡのＬＥＤに対しては立ち上がりエッジの位置を固定しパルス幅ｗａを制御したＰＷＭ駆動信号（ｂ）、領域ＢのＬＥＤに対しては立ち下がりエッジの位置を固定しパルス幅ｗｂを制御したＰＷＭ駆動信号（ｃ）により点灯駆動する。 - 特許庁

A division configuration list denoting that the shape contour lines of the uniformed color area A consists of the labels A1, A2 and the shape contour lines of the uniformed color area C consists of the labels C1, C2 is generated and coded together with each of divided shape contour lines and the coded signal is transmitted to a decoder side.例文帳に追加

均等色領域Ａの形状輪郭線は、Ａ１とＡ２で構成され、均等色領域Ｃの形状輪郭線Ｃ１とＡ２で構成されるという分割構成表を生成し、各分割形状輪郭線とともに符号化して復号側に送信する。 - 特許庁

Moreover, the rotational rate of the board 2 when the feed point P is located at the outside position (area C) in the board 2 is lower than the rotational rate of the board 2 when the feed point P is located at the inside position (area A and B) in the board 2.例文帳に追加

そして、材料供給点Ｐが基板２内の外側位置（領域Ｃ）にあるときの基板２の回転速度は、材料供給点Ｐが基板２内の内側位置（領域Ａ及びＢ）にあるときの基板２の回転速度よりも遅くなる。 - 特許庁

When the grooves are completely buried by an oxide film grown on a base material surface by the thermal oxidation treatment [Fig.1(c)], an oxidation region 300 becomes a plate-like support structure having a sufficient width with respect to conductive regions 101, 102 to be connected, and has high strength against stress applied to the structure.例文帳に追加

熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。 - 特許庁

Timings of roller division areas A, B, C, D are counted for the number of times set as count values from the detection signal of the sensor 170, an XSSCAN signal indicating a reading range in timing of each area is generated, the white reference data is fetched, and shading data is generated by average value and peak value processing.例文帳に追加

ローラ分割領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのタイミングをセンサ１７０の検知信号からのカウント値として設定されただけカウントし各領域のタイミングで読取範囲を示すXSSCAN信号を発生して、白基準データを取込み、平均値、ピーク値処理によりシェーディングデータを生成する。 - 特許庁

Then, a first insulating film 2 is deposited on the structure and, after an n+- source area 64 and an n+-drain area 66 are formed by implanting As and P ions into the structure and annealing the structure at 600-1,000°C, a second insulating layer 72 is deposited by the CVD method and the structure is metallized.例文帳に追加

構造体上に第１絶縁層６２を堆積し、Ａｓ、Ｐをイオン注入し６００〜１０００℃で焼鈍してｎ^＋ソース領域６４とｎ^＋ドレイン領域６６を形成した後、ＣＶＤ法で第２絶縁層７２を堆積し、前記構造体を金属化する。 - 特許庁

A C/UC region determination unit 324 determines a region of an interested pixel by comparing sizes of the present DFD based on the background vector, DFD in the past and DFD in future, and DFD based on the compensation allocation vector by an evaluation value calculating unit 323.例文帳に追加

Ｃ／ＵＣ領域判定部３２４は、評価値算出部３２３による、背景ベクトルに基づく現在のDFD、過去のDFD、および未来のDFD、並びに補償割り付けベクトルに基づくDFDの大小を比較することにより、注目画素の領域を判定する。 - 特許庁

A pixel included in the evaluated object area of an image signal is extracted to calculate a total sum (contrast C) of the difference absolute value between two pixels and also calculate the total sum (evaluated value AF1) of the difference square value between two pixels in the evaluated object area.例文帳に追加

画像信号の評価対象領域に含まれる画素を抽出し、二画素間の差分絶対値の総和（コントラストＣ）を算出するとともに、その評価対象領域における二画素間の差分二乗値の総和（評価値ＡＦ１）を算出する。 - 特許庁

When a place, having the recess 37 formed therein is cui from a direction parallel to a surface which is opposite to a recording medium, its sectional area becomes smaller than that of a region C positioned closer to the opposite surface than to the region A.例文帳に追加

前記凹部３７が形成された箇所を記録媒体との対向面と平行な方向から切断すると、その断面積は、前記領域Ａよりも対向面側に位置する領域Ｃの前記と同じ平行な断面積より小さくなっている。 - 特許庁

Further, in the zone of ≥10 mm in the thickness in the plate thickness direction, to the energy transition temperature obtained from the surface 2 mm V-notch Charpy impact test, the energy transition temperature in the plate thickness penetrating direction is made higher than 20°C.例文帳に追加

前記ミクロ組織の領域を含む、板厚方向の厚さ１０ｍｍ以上の領域において、表面２ｍｍＶノッチシャルピー衝撃試験により得られるエネルギー遷移温度に対し板厚貫通方向のエネルギー遷移温度が２０℃以上高くなるようにした鋼板である。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 1 comprises a nitride semiconductor substrate 101 which has a dislocation concentrated region 102 and a wide-area low dislocation region and has its front surface inclined at an angle ranging between 0.3 and 0.7°with recpect to the c-surface, and a nitride semiconductor layer 104 laminated thereon.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１は、転位集中領域１０２と広い低転位領域とを有し、その表面をｃ面に対して０．３〜０．７°の範囲で傾斜させた窒化物半導体基板１０１とその上に積層された窒化物半導体層１０４より成る。 - 特許庁

Further, organic materials and carbon remained in the film 120 are burned at the area B of exceeding 450°C, and organic materials and carbon remained in the film 120 disappear, because the burning reaction is promoted by the ozone still contained in the atmosphere at the area B.例文帳に追加

更に、焼成前銀電極膜１２０中に残存している有機物やカーボンは、約４５０℃を越える領域Ｂにおいて燃焼されるが、この領域Ｂの雰囲気中にもオゾンが含まれているため、燃焼反応が促進され、焼成前銀電極膜１２０中に残ってる有機物やカーボンが消失する。 - 特許庁

An element value specifying part 32 specifies element values C corresponding to image data Din of respective pixels P on the basis of positions of respective pixels P in each unit areas Au when the plurality of pixels P are divided into unit areas Au having line-symmetrical or point-symmetrical concave polygon-shape.例文帳に追加

要素値特定部３２は、複数の画素Ｐを線対称または点対称の凹多角形の単位領域Ａuに区分したときの各単位領域Ａuにおける各画素Ｐの位置に基づいて当該画素Ｐの画像データＤinに応じた要素値Ｃを特定する。 - 特許庁

The central elastic body 60 is arranged in the central part C in the width direction W in a stretched state with respect to the longitudinal direction L, and laps over one of a front waistline region S1 and a rear waistline region S2 in the thickness direction T.例文帳に追加

中央弾性体６０は、長手方向Ｌに対して伸張された状態で、幅方向Ｗにおける中央部Ｃに設けられるとともに、厚み方向Ｔにおいて前胴回り領域Ｓ１及び後胴回り領域Ｓ２の何れか一方と重なる。 - 特許庁

Further, the resin film is so formed that the thermoplastic resin (C) exists in the resin film in such a manner as to have a low concentration distribution in one of the edge areas in the direction of the Z-axis of the resin film and to have a high concentration distribution in the other of the edge areas.例文帳に追加

［２］樹脂フィルム中の熱可塑性樹脂（Ｃ）が、該樹脂フィルムのＺ軸方向で、一方の端部領域において低い濃度分布を持ち、他方の端部領域において高い濃度分布を持って存在することを特徴とする上記［１］に記載の樹脂フィルム。 - 特許庁

The magnetic disk manufacturing method performs a film forming process (A) for forming a magnetic film 62 on a glass substrate 61 so that its Curie temperature may be 600 K or lower, and an ion implantation process (C) for locally implanting ion into the area of the magnetic film 62 other than a protection area.例文帳に追加

磁気ディスク製造方法において、ガラス基板６１上に、キュリー温度が６００Ｋ以下となるように磁性膜６２を形成する製膜工程（Ａ）と、その磁性膜６２に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入工程（Ｃ）とを実行する。 - 特許庁

This organic electroluminescent device S is provided with a substrate 1 and a sealing member 2 having a second area C to be stuck to a first area R of the substrate 1 for forming a sealed space K1 for sealing the luminescent element 3 between the substrate 1 and itself.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス装置Ｓは、基板１と、基板１の第１領域Ｒと貼り合わせられる第２領域Ｃを有し、基板１との間で発光素子３を封止する封止空間Ｋ１を形成する封止部材２とを備えている。 - 特許庁

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。 - 特許庁

When the user moves the tip of a stylus from a position P_11 to a lower position P_12 in the display area shown in Figure C, the input area 211 and the thumbnail display area 241 are scrolled integrally according to the amount of vertical movement from position P_11 to position P_12.例文帳に追加

図１９Ｃの表示範囲の位置Ｐ_11から、その下方の位置Ｐ_12まで、ユーザがスタイラスの先端を移動させたとき、位置Ｐ_11から位置Ｐ_12までの縦方向の移動量に応じて、入力領域２１１とサムネイル表示領域２４１が一体としてスクロールする。 - 特許庁

Information on the pixel region of one end part c of the color filter substrate 10 and information on the pixel region of the other end part d are detected respectively by an imaging device 12 and the respective pieces of information are compared with each other to detect the color omission and the color overlap.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１０の一方の端部ｃの画素領域の情報と、他方の端部ｄの画素領域の情報を撮像装置１２にて各々検出し、各情報の比較を行い色抜け及び色重なり欠陥を検出する。 - 特許庁

Therefore, the global variable c is copied from a working area C1 to a public area C2 at a start time ti of the lower level task V, and both of the sub-tasks X and Y refer to the copied data, so that the simultaneity of the data can be ensured (N111).例文帳に追加

そこで、下位タスクＶ中の開始時ｔｉに作業領域Ｃ１から公開領域Ｃ２にグローバル変数ｃを複製し、サブタスクＸ、Ｙが、複製されたデータを共に参照することにより、データの同時性を確保することができる（Ｎ１１１）。 - 特許庁

The work for coating the pixel-forming range 40 with the liquid material by the ink-jet method and for drying it is repeated so as to form a light-emitting layer 43 formed of a hole-filling layer 41 and an organic EL layer 42 in the pixel-forming range 14 (Fig. 1 (c)).例文帳に追加

次いで、図１（ｃ）に示すように、インクジェット方式によって液状の材料を画素形成領域１４に塗布し、それを乾燥させるという作業を繰り返すことにより、画素形成領域１４に、正孔注入層４１及び有機ＥＬ層４２からなる発光層４３を形成する。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

In this carburizing and quenching method, carburizing is performed in the region T°C in a mixed-structure state (temperature region between the A1 transformation point and the A3 transformation point) of ferrite (α-iron) and austenite (γ-iron) and then soaking is carried out while elevating the temperature to the austenite region (A3 transformation point), followed by quenching.例文帳に追加

フェライト（α鉄）とオーステナイト（γ鉄）の混合組織状態（Ａ_1変態点からＡ_3変態点間の温度領域）の温度域Ｔ℃で浸炭し、その後、オーステナイト領域（Ａ_3変態点）まで温度を上げて均熱させてから焼入れする。 - 特許庁

A heat dissipating member 70 is provided in the second area A of the incident surface which is an area where the non-polarized light does not enter a part except a polarization splitting surface 45a inside the polarization conversion element and away from the center part C of a flow of cooling air in a direction perpendicular to the specific direction.例文帳に追加

該入射面のうち無偏光光を偏光変換素子の内部における偏光分離面４５ａ以外の部分に入射させない領域であって、該冷却風の流れの中心部Ｃから該特定方向に直交する方向に離れた第２の領域Ａ上に、放熱部材７０が設けられている。 - 特許庁

Illumination light is regarded as area light, lighting luminance of the area light in measurement areas is regarded as three kinds of luminance being different in a longitudinal direction of a bead, and photographed images of respective areas (A, B, C each area) of the three kinds of luminance are simultaneously image-processed to measure cutting widths of a weld bead.例文帳に追加

照明光をエリア光とし、該エリア光による測定領域の照明輝度をビード長手方向で相異なる三輝度とし、これら三輝度の各領域（Ａ，Ｂ，Ｃ各部）の撮影画像を同時に画像処理して溶接ビード切削幅を測定する。 - 特許庁

A winding starting end part 10i and a tail end part 10f of the belt-like ply 10 are arranged in the inclined area K or the vicinity, and the cut sides 15i and 15f inclining in the same direction as the inclined area K to the tire equator C are formed in the starting end part 10i and the tail end part 10f.例文帳に追加

帯状プライ１０の巻回の始端部１０ｉおよび終端部１０ｆを前記傾斜領域Ｋ又はその近傍に配置するとともに、始端部１０ｉおよび終端部１０ｆに、タイヤ赤道Ｃに対して傾斜領域Ｋと同じ向きに傾斜するカット辺１５ｉ、１５ｆを形成する。 - 特許庁

Electrodes 22 and 23 are each composed of first regions 22a and 23a located on the mounting surface 21a of a body 21, and second regions 22b and 23b located on the slopes 21b and 21c which cross the mounting surface 21a at an angle (a or c) of 90° to below 180°.例文帳に追加

電極２２、２３は、ボディ２１の実装面２１ａに位置する第１の領域２２ａ、２３ａと、該実装面２１ａに連続すると共に該実装面に対して９０度を超え且つ１８０度未満の角度（ａまたはｃ）で交差する斜面２１ｂ、２１ｃに位置する第２の領域２２ｂ、２３ｂとからなる。 - 特許庁

When a mouse cursor C is arranged on the display position of the icon picture ip and a right click operation is performed, the retrieval condition included in the icon picture ip as associated information is displayed on a retrieval condition display area R31 and the retrieval result is displayed on a retrieval result display area R32.例文帳に追加

マウスカーソルＣをアイコン画像ｉｐの表示位置に配置して右クリック操作を行うと、アイコン画像ｉｐに関連情報として含まれる検索条件が検索条件表示領域Ｒ３１に表示され、検索結果が検索結果表示領域Ｒ３２に表示される。 - 特許庁

Next, regions narrower than the region subjected to the first alignment processing in the direction (a) are subjected to second alignment processing in a second direction (b) forming about 90° to the direction (a) and a third direction (c) opposite to the direction (a).例文帳に追加

次いで、ａの方向の第１配向処理が施された領域に比べて狭い領域をなすように、上記ａの方向に対して略９０°をなすｂの方向（第２の方向）、及び上記ａの方向とは反対方向にｃの方向（第３の方向）に、第２配向処理を行う。 - 特許庁

The state of a figure (c) indicates that the group of falling rocks are divided into areas for each of the same vector direction in this velocity field vector and by performing velocity field labeling processing for dividing areas like this, the presence/absence of falling rock can be accurately detected by estimating the form or area of the moving object.例文帳に追加

この速度場ベクトルにおいて落石の塊を同一ベクトル方向毎に領域分割したものが、同図（ｃ）の状態であり、このように領域分割する速度場ラベリング処理を行うことにより、移動物体の形状、面積等を推定して落石の有無を精度良く検出することができる。 - 特許庁

An abnormality detection part 71 determines that an abnormality occurs when a difference between positions in main scanning directions of areas with the highest density of each piece of image information read in the first to third detection positions A-C, and there is an area exceeding predetermined density.例文帳に追加

異常検知部７１は、第１乃至第３検知位置Ａ〜Ｃで読み取られた各画像情報の最も濃度の高い領域の主走査方向位置の差が所定の範囲内にある場合であって所定の濃度を超える領域がある場合に、異常が生じたと判断する。 - 特許庁