「C interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The resin composition has such a structure that the filler (C) is located at the interface between a resin (A) and a resin (B)[the resin (B) is incompatible with the resin (A) and the resin (A) forms a sea-island structure in the resin (B)].例文帳に追加

フィラー(Ｃ)が樹脂(Ａ)と樹脂(Ｂ)［樹脂(Ｂ)は樹脂(Ａ)と非相溶であり、樹脂(Ａ)は樹脂(Ｂ)中で海・島構造を形成する］との界面に存在する構造を有することを特徴とする樹脂組成物、製法および成形品。 - 特許庁

A personal computer receives one-segment data broadcast through a built-in or external terrestrial television broadcasting tuner B, and provides browsing by extracting BML data C out of a transport stream through a DSM-CC interface.例文帳に追加

パーソナルコンピュータは内蔵または外付けの地上ディジタル放送チューナＢによりワンセグ放送のデータ放送を受信し、ＤＳＭ−ＣＣインターフェイスを介してトランスポートストリームの中からＢＭＬデータＣを抽出してブラウジングが可能である。 - 特許庁

This composition can realize drainage drying in which the areal rate of recession of a wet/dry interface according to JIS R 3202 is not less than 0.3 cm^2/sec, and the angle of contact of water in the dried region just after drying is 50°C or lower.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｒ３２０２に拠る濡れ・乾燥界面の後退速度面積が０．３ｃｍ^２／sec以上であり、かつ乾燥直後の乾燥領域における水の接触角が５０゜以下である液切り乾燥が実現される。 - 特許庁

This steel panel may have a chemical forming treatment film containing at least one of Cr, Si, P and C at the interface of the organic resin film layer and an aluminum plating layer and 7-25 mass % of Cr may be contained in a matrix steel panel.例文帳に追加

該鋼板は有機樹脂皮膜層とアルミめっき層の界面に、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの１以上を含有する化成処理皮膜を有してもよいし、母材鋼板中に、Ｃｒを７〜２５質量％含有してもよい。 - 特許庁

When it is determined that a sound output device is connected to the outside through an IEEE1394 interface, sound data reproducible with high quality according to an AV/C protocol is delivered to the sound output device and reproduced.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４インターフェースを介して、外部に音響出力装置の接続がなされていると判別すると、その音響出力装置にＡＶ／Ｃプロトコルにしたがって高品位再生可能な音響データを送出し、再生させる。 - 特許庁

On the basis of an information code C contained in the code image displayed on the display section 15, if it is difficult to decode the information code C, the analysis-side terminal 11 then analyzes an unreadable factor and outputs solution information for solving the unreadable factor to an optical information reading apparatus 20 via the communication interface 16 or the like.例文帳に追加

そして、解析側端末１１は、表示部１５に表示されるコード画像に含まれる情報コードＣに基づいて当該情報コードＣのデコードが困難である場合にその不読要因を解析し、上記不読要因を解決するための解決情報を信インタフェース１６等を介して光学的情報読取装置２０に出力する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is produced in a method, including a step of performing heat treatment at not less than 330°C, and has a longest distance of not larger than 10 nm from the center line of a nonmagnetic layer to an interface between a pair of a ferromagnetic layer and the nonmagnetic layer.例文帳に追加

３３０℃以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が１０ｎｍ以下である磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

At this state, the user operates the pointing device 60, moving a cursor C on the screen over any of the icons on the circumferential face of the cylindrical body interface UI and performs a clicking operation with the pointing device 60 to select and point the desired icon.例文帳に追加

この状態で、ユーザは、ポインティングデバイス６０を操作して、画面上でカーソルＣを円筒体インターフェースＵＩ周面の各アイコンいずれかに移動させて重ね、ポインティングデバイス６０をクリック操作することにより、所望のアイコンを選択指示する。 - 特許庁

In a coating/developing system 10, a space NS of courtyard which is surrounded by a cassette station (C/S) 14 and the process line A of a going route, and an interface station (I/F) 18 and the process line B of a returning route is formed to extend straight in the X direction.例文帳に追加

この塗布現像処理システム１０においては、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と往路のプロセスラインＡとインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８と復路のプロセスラインＢとに囲まれてＸ方向にまっすぐ延びる中庭のスペースＮＳが形成される。 - 特許庁

A computer detects whether or not the receiving device has normally received the data package, and executes a program code, and compares the data numeric values of the memory of the receiving device with the predetermined identifier, and outputs information showing that the man/machine interface device is normal (D).例文帳に追加

（D）コンピュータは（C）の受信装置が正常に受信しているかを検出して、プログラムコードを実行して、受信装置のメモリのデータ数値を所定識別子と比較して、マン・マシンインターフェース装置が正常であるという情報を出力する。 - 特許庁

In a process in which an interface including an insulation layer composed of an insulation membrane covering a TFT on a substrate and a flattened membrane, an electrode and pixel separation membrane or the like is formed, a dehydration treatment is carried out in an environment where a dew-point temperature is controlled at -60°C or lower.例文帳に追加

基板上のＴＦＴを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を−６０℃以下に管理した環境下で脱水処理を行う。 - 特許庁

Since the m surface is a non-polarised surface, unlike the C surface, when regrowing the GaN electron running layer 22 and the AlGaN electron supplying layer 26 with the m surface as a growth surface, a polarised charge of such as piezo charge does not grow on an interface of AlGaN/GaN hetero surface.例文帳に追加

ｍ面は、Ｃ面とは異なり無極性面であるので、ｍ面を成長面として、ＧａＮ電子走行層２２、ＡｌＧａＮ電子供給層２６を再成長させると、ピエゾ電荷等の分極電荷がＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ界面に生じない。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electronic part, after a terminal part is soldered with the solder mainly composed of Sn and Zn, heat treatment is performed at a temperature of 80°C or above and not over a melting temperature of the solder, to deposit a Zn layer on an interface between the solder joint part and the terminal part of the electronic part.例文帳に追加

SnとZnを主とするはんだにより端子部をはんだ付けした後、80℃以上、該はんだの溶融温度以下の温度で熱処理を行い、はんだ接合部と電子部品の端子部との界面にZn層を析出させる電子部品の製造方法。 - 特許庁

An automotive resin component 1 composed of the base material 2 comprising the polystyrene resin and the covering layer 3 formed on the surface of the base material 2 by coating or plating is immersed in limonene 4 and is mechanically agitated in a temperature range of 40 to 45°C, whereupon the automotive resin component 1 can be efficiently separated into the base material 2 and the covering layer 3 at the interface therebetween.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂からなる基材２と、基材２の表面に塗装やめっきにより形成された被覆層３とを備える自動車用樹脂部品１を、リモネン４に浸漬して、４０〜４５℃の温度範囲において機械撹拌する。 - 特許庁

A polycrystal silicon for solar cell manufactured by electromagnetic induction continuous casting using a cooling crucible has an area extending from a solidification interface to 300 mm maintained at 1,275°C or above and a lifetime of 80 μsec or longer after phosphorus diffusion.例文帳に追加

冷却るつぼを用いた電磁誘導連続鋳造法により製造された太陽電池用多結晶シリコンであって、凝固界面から３００ｍｍまでの領域が１２７５℃以上に保持され、リン拡散後のライフタイムが８０μｓｅｃ以上である多結晶シリコン。 - 特許庁

The configuration ROM of the personal computer holds the both of an unit-directory 103a which indicates a Windows(R) mounting personal computer and an unit-directory 103b which indicates an AV unit is the one based on IEC61883 and 'AV/C Digital Interface Command Set'.例文帳に追加

ＰＣはコンフィグレーションＲＯＭに、Ｗｉｎｄｏｗｓ搭載ＰＣを示すｕｎｉｔ＿ｄｉｒｅｃｔｏｒｙ１０３ａと、ＩＥＣ６１８８３および「ＡＶ／Ｃ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｃｏｍｍａｎｄ Ｓｅｔ」準拠のＡＶ機器であることを示すｕｎｉｔ＿ｄｉｒｅｃｔｏｒｙ１０３ｂの両方を保有する。 - 特許庁

As a result, even if the difference in the throughput occurs between a C/D side (including an inline interface part) and an aligner body 21 side, by simultaneously keeping a plurality of wafers in the buffer unit 29 temporarily, a waiting time, i.e., a loss of time can be eliminated.例文帳に追加

このため、Ｃ／Ｄ側（インライン・インタフェース部を含む）と露光装置本体２１側との間で処理能力に差が生じても、同時に多数枚のウエハをバッファユニット２９に一時保管することにより、待ち時間、すなわち時間のロスがないようにすることが可能である。 - 特許庁

When the comment on the read document is inputted by a user's operation on an operation part 5 or by transmission from a PC 20 through a communication line C and a PC interface part 12, the inputted comment is previously stored in a comment storage box 7a.例文帳に追加

ユーザによる操作部５の操作により、または、通信回線Ｃ及びＰＣインタフェース部１２を介したＰＣ２０からの送信により、読取原稿に関するコメントが入力された場合、その入力されたコメントをコメント格納ボックス７ａに事前に格納しておく。 - 特許庁

The SOI substrate is heat-treated at a temperature of 600-1,250°C, and gettering is performed to metal impurities accidentally mixed into the interface of the SOI film and quartz substrate and into the SOI film in the process of plasma processing, or the like to the surface region of the silicon film 12.例文帳に追加

次にこのＳＯＩ基板を６００℃〜１２５０℃の温度で熱処理し、プラズマ処理等の工程においてＳＯＩ膜／石英基板界面およびＳＯＩ膜中に偶発的に混入した金属不純物をシリコン膜１２の表面領域にゲッタリングする。 - 特許庁

The vicinity of the interface between the lower end of a core rod 10 and a dummy rod 17 is annealed at 1,550°C prior to drawing to form a mixed phase of a foreign matter contained in the dummy rod and silicon oxide around it, thereby reducing the melting point of the foreign matter.例文帳に追加

線引に先立ち、コアロッド１０の下端側のダミーロッド１７との界面近傍を１５５０℃でアニールし、ダミーロッドに含有される異物とその周囲の酸化シリコンとで混合相を形成するようにし、異物を低融点化したことを特徴とするものである。 - 特許庁

This terminal performs switching of a display screen (c) so as to select a user interface screen matched with display attributes made to correspond to the taste of the text message received or transmitted last from among different user interface screens corresponding to each of a plurality of tastes after receiving or transmitting the text message having the display attributes to which any of the plurality of predetermined tastes is added.例文帳に追加

端末装置は、予め定められた複数のテイストのいずれかのテイストが付加された表示属性を有するテキストメッセージを受信または送信したあと、複数のテイストのそれぞれに対応する異なるユーザインタフェース画面の中から、最後に受信または送信したテキストメッセージのテイストに対応づけられた表示属性に合致するユーザインタフェース画面を選択するよう表示画面を切り替える（ｃ）。 - 特許庁

Subsequently, the transistor interface characteristic is improved by omitting oxygen which has been left in the HfAlOx film 10 in the first PDA by conducting the second PDA under the condition that the temperature is 600°C, nitrogen atmosphere includes partial pressure of oxygen of 1%, and the processing time is 15 minutes.例文帳に追加

続いて、温度が６００℃、酸素分圧が１％の窒素雰囲気、処理時間が１５分の条件で２回目のＰＤＡを行うことにより、１回目のＰＤＡにより生じたＨｆＡｌＯｘ膜１０の酸素抜けを回復させて、トランジスタ界面特性を改善する。 - 特許庁

The entire system consists of a 1st device 1, a 2nd device 2 and a third device 3 or the (n)-th device 4, and these devices are respectively provided with an interface with a data configuration conforming to IEEE1394 and connected as digital buses a, b and c in a daisy chain system.例文帳に追加

全体システム第１機器１と第２機器２と第３機器３ないし第ｎ機器４で構成され、これらのそれぞれには、ＩＥＥＥ１３９４に準拠したデータ構成でなるインターフェイスが設けられ、それがデジタルバスａ，ｂ，ｃとしてディジチェーン方式で接続されている。 - 特許庁

To provide an autohesive thermoset-promoting liquid silicone rubber composition curable at about 100°C curing temperature in a short time, having resistance against a cure-inhibiting substance and good curability even at the interface in contact with air, and further good storage stability.例文帳に追加

１００℃程度の硬化温度で、短時間で硬化し、硬化阻害物質に対する耐性を有し、空気と接触する界面においても良好な硬化性を有し、更に保存安定性が良好な自己接着性の加熱硬化促進型液状シリコーンゴム組成物を提供する。 - 特許庁

At least one of the sliding surface and slide receiving surface has an amorphous carbon film (DLC-Si film) consisting of Si, H and C as a balance, and the DLC-Si film is composed of a critical part facing an adhering interface and a surface part connected to the critical part and extending to the side of a surface.例文帳に追加

前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。 - 特許庁

Each of interface nodes (A, C, D, F, G) includes functions (66, 73, 78) of converting at least part of line or path information included in a message requiring received path information into path information which conforms to an operating rule different therefrom as necessary on the basis of a path information conversion table.例文帳に追加

境界ノード（Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｇ）は、受信した経路情報を要求するメッセージに含まれる経路情報の少なくとも一部について、経路情報変換テーブルを用いて必要に応じて異なる運用ルールに従う経路情報へ変換する機能（６６，７３，７８）を備える。 - 特許庁

The storage battery connects collection tabs of the positive plate with each other and collection tabs of the negative electrode with each other with a strap each, of which, a fusion interface 11 formed at the collection tabs 1 is located below the lower side of cathode/anode straps 2 as shown in (C), (D).例文帳に追加

正極板の集電耳同士及び負極板の集電耳同士を溶接により各々ストラップで接続した蓄電池において、集電耳部１に形成される溶融界面１１が図４（Ｃ）（Ｄ）に示すように正・負極ストラップ２の下面以下になるようにする。 - 特許庁

It has been found that interface reaction can be controlled and it has also been verified that electrical and mechanical reliability can be obtained by combining a Sn-system solder 8 including Cu6Sn5 phase and a Ni-system layer 3 within the temperature range from a room temperature to 200°C at the solder connection part 1 in the electronic apparatus.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、室温から２００℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ８とNi系層３とを組合せることで界面反応を抑制できることを見出し、電気的および機械的信頼性が得られることを確認した。 - 特許庁

Consequently, by burning soot on the interface between the first electrode and an oxygen ion conductor (by a mixed potential reaction) at a controlled temperature of 300-550°C, a soot concentration in measuring gas can be detected by an electromotive force generated between both electrodes 9, 11.例文帳に追加

よって、３００℃〜５５０℃の温度に制御して、第１電極−酸素イオン導電体界面にて（混合電位反応によって）煤を燃焼させることにより、両電極９、１１間に発生する起電力によって、被測定ガス中の煤濃度を検出することができる。 - 特許庁

To provide a laminate consisting of a plurality of graphite sheets not peeled from its adhesion interface not only by heat stress generated by heat history repeatedly performing the heating to a high temperature of 1,000°C or higher and the quenching to room temperature, but also by gas generated from an adhesive at the time of adhesion.例文帳に追加

１０００℃以上の高温への加熱、室温への急冷とを繰り返し行う熱履歴により発生する熱応力によっても、また、接着時に発生する接着剤からのガスによっても、接着界面から剥離することがない複数枚の黒鉛シートからなる積層体を提供する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.例文帳に追加

基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

This display is a disaggregated flat panel color display which includes (a) a frame, (b) an organic light emitting diode display screen mounted in the frame and (c) an electrical and mechanical interface attached to the frame and for releasably attaching the frame to any one of a plurality of different electronic devices.例文帳に追加

ａ）フレームと、 ｂ）該フレームに搭載された有機発光ダイオード表示スクリーンと、 ｃ）該フレームを異なる複数の電子装置のいずれか一つに着脱可能に取り付けるための、該フレームに付いた電気的／機械的インターフェースとを含んでなる非集成型フラットパネルカラーディスプレイ。 - 特許庁

The polymer composition comprises an emulsion droplet that contains ≥10 wt.% of an active ingredient liquid at 50 to 10°C in the inside, comprises a block copolymer molecule coordinated in a surfactant form and has an interface film with a thickness of ≤100 nm and ≥20 nm.例文帳に追加

本発明ポリマー組成物は内部に５０℃から１０℃で液状である有効成分を１０重量％以上含有し、ブロックコポリマー分子が界面活性剤状に配位し、１００ナノメーター以下、２０ナノメーター以上の厚さの界面膜を持つエマルジョン液滴を含有する。 - 特許庁

The output buffer circuit 1 is also provided with a second level converter circuit 22 for outputting a signal D with the ground and the external output interface power supply potential VDH, defined as amplitude range on the basis of a control input signal C with the ground and the power supply potential VDL at the semiconductor chip core side, defined as an amplitude range.例文帳に追加

また、グランドと半導体チップコア側の電源電位ＶＤＬとを振幅範囲とする制御入力信号Ｃに基づいて、グランドと外部出力インターフェース電源電位ＶＤＨとを振幅範囲とする信号Ｄを出力する第２レベルコンバータ回路２２を備えた。 - 特許庁

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.例文帳に追加

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

The method for strengthening the interface of a carbon material is provided to form Si-C covalent bonds, and includes: (a) a step for producing a silicon-carbon material mixture by mixing silicon nanoparticles and a carbon material; and (b) a step for subjecting the silicon-carbon material mixture to a high frequency induction heating treatment.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ−Ｃ共有結合を形成するための方法であり、前記方法が：（ａ）シリコンナノ粒子と炭素材料を混合してシリコン−炭素材料混合物を製造するステップ；及び（ｂ）前記シリコン−炭素材料混合物を、高周波誘導加熱処理するステップを含む。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

To provide a rubber composition having high elasticity, high tensile strength, excellent heat generation property and fatigue property, and excellent dispersibility of an inorganic filler by melting and kneading vulcanizable rubber, a polyamide elastomer having a melting point of 100-180°C, and a silane coupling agent together to activate the interface between different kinds of polymers for compatibilization.例文帳に追加

加硫可能なゴム、融点が１００〜１８０℃のポリアミドエラストマーおよびシランカップリング剤を溶融混錬することで、異種高分子間の界面を活性化させることで相溶化し、高弾性で、引張強度が高く、発熱性、疲労性さらには無機充填剤の分散性の優れたゴム組成物を提供する。 - 特許庁

This user interface, the method, and the system may includes: (a) displaying an activation target AT of the text input system at a user changeable location on the display device; (b) receiving user input directed to the activation target AT; and (c) activating the text input system in response to the user input.例文帳に追加

ユーザ・インターフェース、方法及びシステムは、（ａ）表示装置上でテキスト入力システムのアクティブ化ターゲット（ＡＴと略す）をユーザ変更可能な位置に表示すること、（ｂ）ＡＴを対象のユーザ入力を受信すること、及びｃ）ユーザ入力に応答してテキスト入力システムをアクティブ化することを含むことができる。 - 特許庁

Image data read at a PictBridge standards conforming digital camera through an external interface is inputted as another second image data piece, and the second image is inserted into an area C inside the first image.例文帳に追加

一方、メモリカードスロット部３から読み取った画像データを第２の画像データとし、且つその第２の画像を第１の画像中のエリアＢにはめ込み、外部Ｉ／Ｆを介して読み取ったPictBridge規格対応のディジタルカメラ等からの画像データをもう一つの第２の画像データとし、且つその第２の画像を第１の画像中のエリアＣにはめ込む。 - 特許庁

A CGI (computer graphics interface) control part 6 displays tour itinerary to a client system C by every time schedule based on prepared data regarding a selected tour, when mouse click is performed about the elements such as places to be included in the tour itinerary, displays animation based on the prepared animation data.例文帳に追加

選択されたツアーについて、ＣＧＩ制御部６はクライアントシステムＣに対し、予め用意されたデータに基いて旅行行程を日程ごとに表示し、その旅行行程中に含まれる場所等の要素についてマウスクリック等の選択操作が行われると、予め用意された動画データに基き動画を表示する。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.例文帳に追加

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁

Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加

冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のＣ面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁

The rice incorporated polyolefin resin composition is obtained by kneading a polyolefin resin (A), alpha rice (B), and a compatibilizer (C) which improves the affinity in the interface of said polyolefin resin (A) and said alpha rice (B) at the temperature at which said polyolefin resin is thermally fluidized to finely divide and uniformly disperse the rice component into the matrix of the polyolefin resin (A).例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂（Ａ）と、α化米（Ｂ）と、前記ポリオレフィン樹脂（Ａ）及び前記α化米（Ｂ）の界面における親和性を向上させる相溶化剤（Ｃ）と、を前記ポリオレフィン樹脂が熱流動する温度で混練し、ポリオレフィン樹脂（Ａ）のマトリックス中に米成分を微細化させて均一に分散させることによる。 - 特許庁