「Exposed」に関連した英語例文の一覧と使い方(443ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical alignment film capable of suppressing the generation of alignment defects of a polymarizable liquid crystal compound and obtaining an optical anisotropic layer indicating excellent solvent resistance characteristics for not lowering alignment regulation force even when exposed to a solvent, a method of manufacturing the alignment film, and to provide an optical film including the optical alignment film and the optical anisotropic layer.例文帳に追加

本発明は、重合性液晶化合物の配向欠陥の発生を抑制し、溶剤に曝されても配向規制力が低下しない優れた耐溶剤特性を示す光学異方性層を得ることができる光配向膜およびその製造方法、並びに、該光配向膜および該光学異方性層を備える光学フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition includes an arylsulfonium salt that when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid, the arylsulfonium salt containing at least one aryl ring on which there are a total of one or more electron donating groups, the acid generated upon exposure to actinic rays or radiation having a volume of ≥240 Å^3.例文帳に追加

活性光線または放射線の照射により酸を発生するアリールスルホニウム塩であり、少なくとも１つのアリール環上に電子供与性基を合計１つ以上有し、且つ活性光線または放射線の照射により発生する酸の体積が２４０Å^３以上であるアリールスルホニウム塩を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

A method of forming a nanostructure aggregate includes steps for transferring a nano-pattern from a porous anodized aluminum template to a mask material layer, and growing a nanostructure on an unreformed growth surface of a substrate in regions exposed through the nano-pattern formed in the mask material layer by a bottom-up growth method where the nanostructure is composed of nano-rings or nano-doughnuts.例文帳に追加

多孔質陽極酸化アルミニウムテンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、マスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にボトムアップ成長法によって基板の未改質成長面上に形成されたナノ構造体を成長させ、前記ナノ構造体が、ナノリング又はナノドーナツからなることを特徴とするナノ構造体集合体を製造する方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the cured pattern by which a pattern obtained from a photosensitive resin composition including a resin, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator and a solvent is exposed and cured with 10 to 10,000 mJ/cm^2 at 50 to 180°C, the resin includes a structural unit originating from a monomer having a 2-4C cyclic ether.例文帳に追加

樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤及び溶剤を含む感光性樹脂組成物から得られたパターンを、５０℃〜１８０℃の条件下で、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜１００００ｍＪ／ｃｍ^２露光する硬化されたパターンの製造方法において、樹脂が、炭素数２〜４の環状エーテルを有する単量体に由来する構造単位を含む樹脂である硬化されたパターンの製造方法。 - 特許庁

In a star unit 3240 exposed before a liquid crystal display device 1400, a lottery is executed by sequentially lighting a starlike rotary decorative material 3245 and right and left starlike decorative materials 3248, and a performance for the lottery by movable decorative materials is executed so that the results of the lottery can be recognized according to which of the decorative materials the lighting stops at.例文帳に追加

液晶表示装置１４００の前方に表出させた星ユニット３２４０において、星形回転装飾体３２４５及び左右の星形装飾体３２４８を順次点灯することにより抽選を行い、その点灯がいずれの装飾体で停止したかに応じて抽選結果を認識することが可能な可動装飾体抽選演出を実行する。 - 特許庁

An ingot processing device is equipped with: an ingot holding section 3 for holding an ingot I; a slice electrode 21 for cutting the ingot I in a predetermined direction by liquating silicon from the ingot I; and texture forming electrode 31 for forming fine unevenness in a part of the surface by liquating the silicon from the surface from which the silicon is eluted to be exposed by the slice electrode 21.例文帳に追加

インゴット処理装置は、インゴットＩを保持するインゴット保持部３と、インゴットＩからシリコンを溶出させることで所定の方向にインゴットＩを切断するスライス電極２１と、スライス電極２１によってシリコンが溶出されて露出した表面からシリコンを溶出させることで当該表面の一部に微小な凸凹を形成するテクスチャ形成電極３１と、を備えている。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。 - 特許庁

Ink composing printing information reaches a temperature corresponding to temperature information stored in a display temperature storing area and by being heated, is exposed to ultraviolet ray of an initial dose for obtaining an outer face of ink proceeding to the desired cured state at the temperature corresponding to the temperature information from the initial cured state corresponding to exposure of ultraviolet ray.例文帳に追加

印刷情報を構成するインクは、表示温度記憶エリアに記憶した温度情報に対応した温度に達し、加熱されたことを原因として、紫外線の露光量に応じた初期硬化状態から当該温度情報に対応する温度における所望の硬化状態に進行するインクの外表面を得るための初期照射量の紫外線を露光される。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer on a sidewall of a groove formed on a main surface of a semiconductor substrate; embedding the groove by a protective film; and etching back the protective film by a dry etching method to set the height of the surface of the protective film at a position lower than that of the opening of the groove, and etching and removing the first layer exposed by the etching back.例文帳に追加

半導体基板主表面に形成された溝の側壁に第１の層を形成する工程、溝を保護膜で埋設する工程、保護膜の表面の高さが溝の開口部よりも低い位置になるようにドライエッチング法でエッチバックし、該エッチバックにより露出した第１の層をエッチング除去する工程、とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

While moving an optical fiber in a longitudinal direction of the optical fiber, a blade is slid in a direction perpendicular to a longitudinal direction of the blade and a direction perpendicular to a longitudinal direction of the optical fiber, and at the same time by causing the optical fiber to rotate on a rotational axis of the optical fiber, the glass can be exposed from the coating in an end face of the cut optical fiber.例文帳に追加

刃を、前記刃の長手方向と光ファイバの長手方向とに対して垂直な方向にスライドさせると同時に、前記光ファイバを、前記光ファイバの長手方向に動かしながら、前記光ファイバの中心軸を自転軸として前記自転軸を中心に自転させることにより、切断後の光ファイバ端面において、ガラスを被覆より露出させることが可能になる。 - 特許庁

For example, when a via groove 27a and a wiring groove 27b are formed in a laminate structure of a UDC diffusion barrier film 22, a porous silica film 23, a UDC middle stopper film 24, a porous silica film 25, and a UDC diffusion barrier film 26, surfaces of the UDC diffusion barrier film 22, UDC middle stopper film 24, and a UDC diffusion barrier film 26 which are exposed inside are irradiated with hydrogen plasma.例文帳に追加

例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。 - 特許庁

A process for forming the intermediate layer portion 30 includes: a process for forming the first wiring 31 on the first circuit forming region 110; a process for forming a film of the second insulating part 32 to cover the lower layer portion 10; and a process for removing the second insulating part 32 on the first region 120 so that an outer circumferential part 10a of an upper surface of the lower layer portion 10 is exposed.例文帳に追加

中間層部３０を形成する工程は、第１配線３１を第１回路形成領域１１０に形成する工程と、下層部１０を覆うように第２絶縁部３２を成膜する工程と、下層部１０の上面の外周部１０ａが露出するように、第１領域１２０上の第２絶縁部３２を除去する工程とを備える。 - 特許庁

Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

In the anti-counterfeit paper produced by putting threads in a paper base material, the threads are a polarizer having a fine stripe pattern disposed on a transparent polymer resin film substrate, and are exposed from windowed portions partially provided in the paper, and the paper is provided with the counterfeit-proof medium capable of being inspected with the polarizer.例文帳に追加

用紙基材中にスレッドを抄き込んでなる偽造防止用紙であって、該スレッドは透明高分子樹脂フィルム基材上に設けられた微細なストライプパターンを有する偏光子であり、該用紙に部分的に設けられた窓あき部から露出しており、該用紙には前記偏光子によって検証可能な偽造防止媒体が設けられていることを特徴とする偽造防止用紙である。 - 特許庁

For the crimp terminal equipped with a conductor crimp part 12 wound around a conductor Wa exposed at an end part of an electric wire and caulked so as to be crimped and electrically connected with the conductor Wa, a plurality of concave parts 34 consisting of polygons with each angle of their corners larger than 90 degrees are formed by press working on an inner surface of the conductor crimp part 12, crimped to the conductor Wa.例文帳に追加

電線の端部に露出する導体Ｗａに巻付け、加締めることで、圧着され、導体Ｗａと電気的に接続される導体圧着部１２を備えた圧着端子に、導体圧着部１２の導体Ｗａに圧着する内面に、各角が９０度よりも大きい多角形からなる複数の凹部３４を、プレス加工によって形成する。 - 特許庁

To solve such the problems that time and labor are needed since a raised part needs to be replaced for each replacement with the writing body of different colors, a possibility of loss is high since the raised part is small and is exposed from a shaft cylinder, and when it is lost, a protruding and retracting operation of the writing body can not be performed.例文帳に追加

異なるインキ色の筆記体に交換するたびに隆起部も交換しなければならず、使用者にとっては手間がかかると共に、隆起部は小さな部品であるが故に、また、軸筒から露出した状態にあるが故に、紛失してしまう恐れが高く、紛失してしまった場合には、筆記体の出没操作が行えなくなってしまうと言う不具合が発生してしまう。 - 特許庁

The power semiconductor device includes a circuit board 3 having a circuit plane 3F_C where a plurality of semiconductor elements 4 are disposed, an insulating resin seal 1 sealing at least the circuit plane 3F_C and having a recess 1s_I partially formed, and a terminal 2f electrically connected to the circuit board 3 and exposed from the recess 1s_I of the resin seal 1.例文帳に追加

本発明の電力用半導体装置は、複数の半導体素子４が配置された回路面３Ｆ_Ｃを有する回路基板３と、少なくとも回路面３Ｆ_Ｃを封止するとともに、一部に凹部１ｓ_Ｉが形成される絶縁性の樹脂封止体１と、回路基板３と電気的に接続され、樹脂封止体１の凹部１ｓ_Ｉから露出する端子２ｆと、を備えるように構成した。 - 特許庁

The backlight assembly includes: a light source unit 130 for generating light; a housing container for containing the light source unit 130 and having an opening formed therein; a middle frame 200 connected to the housing container and housing the light source unit 130; and a light-source-unit fixing frame which is coupled to the housing container in contact with the light source unit 130 and is partially exposed through the opening.例文帳に追加

バックライトアセンブリは、光を発生させる光源ユニット１３０と、光源ユニット１３０を収納し、開口部が形成された収納容器と、収納容器に結合し、光源ユニット１３０を収納する中間フレーム２００と、光源ユニット１３０と接して収納容器に結合され、少なくとも一部が開口部を通じて露出する光源ユニット固定フレームとを含む。 - 特許庁

A semiconductor element 10 includes: a semiconductor mounting component including a substrate 1, a wiring part 2 provided on one principal surface of the substrate 1 and at least one semiconductor chip 4 mounted on the wiring part 2 via a joint part 3; and a coating layer 5 provided on a surface where at least the wiring part 2 and the joint part 3 are exposed, out of the surface of the semiconductor mounting component.例文帳に追加

半導体素子１０は基板１、基板１の一主面上に設けられた配線部２及び該配線部２上に接合部３を介して実装された少なくとも１つの半導体チップ４を含む半導体実装部品と該半導体実装部品表面のうち少なくとも該配線部２及び該接合部３が露出した表面上に設けられた被覆層５とを具備する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board allowing for stable and accurate appearance quality check of the opening pattern of a via or stable and accurate check for the presence or absence of the occurrence of elution of copper (Cu) at a land exposed at an opening of a via which has strong correlation with the occurrence of defects in an opening pattern of such a via, and to provide a method of manufacturing the printed wiring board.例文帳に追加

ビアの開口パターンの外観品質を安定的に正確に検査することを可能とした、あるいはそのようなビアの開口パターンの不具合の発生と強い相関関係のある、ビアの開口にて露出するランド部における銅（Ｃｕ）の溶出の発生の有無を安定的に正確に検査することを可能とした、プリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the fence 1 for pet furnished with a plurality of fence rods 2 in a rectangular frame 3, the fence rod 2 is provided with a rod member 9 and an attached member 10 fixed to the outer face of the rod member 9 in a state of being exposed to the outer face of the rod member 9, and the attached member 10 is made of a material harder than the rod member 9.例文帳に追加

矩形状の枠体３内に複数の柵棒体２を備えたペット用の柵体１において、 前記柵棒体２は、棒部材９と、当該棒部材９の外面に露出するように当該棒部材９の外面に固着される添設部材１０とを備えていて、 前記添設部材１０は、前記棒部材９より硬質な材料で形成されている。 - 特許庁

The heat generating device apparatus 1 includes: a heat generating device 3 having a semiconductor device 5 and a heat sink 6 sealed with a package 9 together with the semiconductor device 5 with a part thereof exposed to the outside; and a connector housing 23 formed by integrating the heat generating device 3 by insertion molding and having connector terminals 20, 22 welded to the semiconductor terminal 5 via a collector element 10 and an emitter terminal 12.例文帳に追加

発熱デバイス装置１は、半導体素子５、及び一部を外部に露出させて半導体素子５と共にパッケージ９によって封止されたヒートシンク６を有する発熱デバイス３と、発熱デバイス３をインサート成形によって一体化し、半導体素子５にコレクタ端子１０，エミッタ端子１２を介して溶接されたコネクタ端子２０，２２を有するコネクタハウジング２３とを備えた。 - 特許庁

In a protruding part formation step, a second laser beam is radiated to the functional layer 13 inside the pair of first working grooves 141 and 142 along the division scheduled line 12 to form a second working groove 15 of such a depth as the surface of a substrate 10 is so exposed as to be separated from the pair of first working grooves 141 and 142, and thus a pair of protruding parts 161 and 162 are formed.例文帳に追加

凸部形成工程は、分割予定ライン１２に沿って一対の第１の加工溝１４１，１４２の内側の機能層１３に第２のレーザー光線を照射し、一対の第１の加工溝１４１，１４２と離間するように基板１０の表面が露出する深さの第２の加工溝１５を形成することで一対の凸部１６１，１６２を形成する。 - 特許庁

To provide a prepreg for buildup that can suppress exposure of a base material by suppressing dissolution of an insulating resin layer exposed on an inner peripheral surface of a via hole during desmear processing, and also secure continuity reliability by suppressing remaining of a resin between a conductor circuit of an inner-layer circuit board on a bottom surface of the via hole and plating in the via hole, and a multilayer printed wiring board using the same.例文帳に追加

デスミア処理時においてビアホール内周面に露出する絶縁樹脂層の溶解を抑制して基材の露出を抑制し、かつ、ビアホール底面の内層回路板の導体回路とビアホール内のめっきとの間に樹脂が残存することを抑制して導通信頼性を確保することができるビルドアップ用のプリプレグとそれを用いたプリント配線板を提供する。 - 特許庁

The in-plane distribution of the heat characteristics of the metal/ceramic bonded substrate is measured by measuring the plane distribution of transient temperature time change generated by radiating the high output laser pulse of the output of 100 W or more and the pulse length of 10-500 milliseconds so as to be exposed to the entire main surface of a subject, with a high speed infrared camera of the sampling rate of 0.01 second or lower.例文帳に追加

出力１００Ｗ以上、パルス長１０〜５００ミリ秒の高出力レーザーパルスを被検体の一つの主面全体にあたるように照射することで生じた、過渡的な温度の時間変化の面分布をサンプリングレート０．０１秒以下の高速赤外線カメラにより計測することで、金属／セラミックス接合基板の熱特性の面分布を測定する。 - 特許庁

A core forming step includes a filling step for filling a liquid core material 50 in a recessed part 24c so that an exposed surface of the core material 50 is curved to an aperture surface of the recessed part 24c by surface tension with the recessed part 24c and a curing step for curing the core material 50 to form a core 23 having a curved surface 23c curved to the aperture surface.例文帳に追加

コア形成工程は、凹部２４ｃ内に液体状のコア材５０を、凹部２４ｃとの表面張力によりコア材５０の露出面が凹部２４ｃの開口面に対して湾曲するように充填する充填工程と、コア材５０を硬化させて、開口面に対して湾曲形成された湾曲面２３ｃを有するコア２３を形成する硬化工程と、を有していることを特徴とする。 - 特許庁

To solve a problem wherein a great stress is generated in solder joint of components, because a difference between a linear expansion coefficient of other component and a linear expansion coefficient of a substrate gets large, even when making small a difference between a linear expansion coefficient of a component and the linear expansion coefficient of the substrate, when the components different in the linear expansion coefficients are mounted, in an electronic circuit exposed to a wide temperature range.例文帳に追加

広い温度範囲に晒される電子回路においては、線膨張係数の異なる部品が実装されていると、いずれかの部品の線膨張係数と基板との線膨張係数の差を小さくしても、他の部品の線膨張係数と基板との線膨張係数の差は大きくなってしまい、そのはんだ接合には大きな応力が生じてしまう。 - 特許庁

The ink configuring a printed layer P1 related to image data is exposed to ultraviolet light having an initial irradiation amount for obtaining an outer surface of the ink, wherein the outer surface of the ink proceeds to a desired cured state from an initial cured state corresponding to an exposure amount of ultraviolet light caused by: reaching time corresponding to time point information or term information related to a printed layer P2; and then elapse of time.例文帳に追加

画像データに係る印刷層Ｐ１を構成するインクは、印刷層Ｐ２に関わる時点情報又は期間情報に対応した時期に達し、時間が経過したことを原因として、紫外線の露光量に応じた初期硬化状態から所望の硬化状態に進行するインクの外表面を得るための初期照射量の紫外線を露光される。 - 特許庁

A head of a substrate fixing rivet 30 has a diameter larger than a through-hole 11c, one surface of the substrate 8 is exposed from the through-hole 11c since the head closes the through-hole 11c between a reflection sheet 11 and the substrate 8, and deterioration of the optical characteristics can be prevented without preparing the resist section at a location of the substrate 8 corresponding to the through-hole 11c.例文帳に追加

基板固定リベット３０の頭部は貫通孔１１ｃよりも大径であり、頭部は反射シート１１と基板８との間で貫通孔１１ｃを塞いでいるので、貫通孔１１ｃから基板８の一面が露出することはなく、貫通孔１１ｃに対応する基板８の箇所にレジスト部を設けることなく、光学特性の低下を防止することができる。 - 特許庁

A plurality of flat conductors 13 is arrayed in parallel, to be covered with insulating films 14 sandwichedly from upper and under sides, one face of the flat conductor 13 is exposed in at least one end, a shield film 15 is bonded on at least one of the upper and lower insulating films 14, and the ground bar 16 is bonded on an end part outer face of the shield film 15 by a conductive adhesive.例文帳に追加

複数本の平角導体１３が平行に並べられ、上下から絶縁フィルム１４で挟んで被覆され、少なくとも一方の端部で平角導体１３の片面が露出され、上下の絶縁フィルム１４の少なくとも一方の絶縁フィルム上にシールドフィルム１５が貼り付けられ、シールドフィルム１５の端部外面にグランドバー１６が導電性接着剤により接着される。 - 特許庁

An eaves portion 108 that is composed of, for example, a silicon oxide is formed in a side face of a first emitter electrode 107b, and a coating layer 109 that is composed of, for example, a silicon nitride is formed in a range from a side face on which an emitter mesa containing at least a cap layer 106 is exposed to a ledge structure part 105a located in an area below the eaves portion 108.例文帳に追加

第１エミッタ電極１０７ｂの側部には、例えば酸化シリコンからなる庇部１０８が形成され、また、少なくともキャップ層１０６を含んで構成されたエミッタメサの露出している側面から庇部１０８の下部の領域のレッジ構造部１０５ａにかけて形成された、例えば窒化シリコンからなる被覆層１０９が形成されている。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁

The structure of an air flow sensor is used, which includes the semiconductor device in which an air flow rate detection unit and a diaphragm are formed, and a substrate or a lead frame on which an electric control circuit for controlling the semiconductor device is arranged, and in which the surface of the electric control circuit is covered with a resin, including part of the surface of the semiconductor device with the air flow rate detection unit exposed.例文帳に追加

空気流量検出部とダイヤフラムとを形成した半導体素子と、前記半導体素子を制御するための電気制御回路部を配置した基板またはリードフレームを備え、前記空気流量検出部を露出させた状態で、前記半導体素子の一部表面を含み、前記電気制御回路部の表面が樹脂で覆われている空気流量センサの構造を用いる。 - 特許庁

After a remaining resin (seal) 2g formed on (or stuck to) a region surrounded by a seal (first seal) 2, a lead 3 exposed (protruded) from the seal 2 and a dam bar is irradiated with laser light 31 to remove the remaining resin 2g, the surface of the lead 3 is cleaned to securely remove the foreign matter formed on (or stuck to) the surface of the lead.例文帳に追加

封止体（第１封止体）２と封止体２から露出（突出）するリード３とダムバーとで囲まれる領域に形成された（または付着した）残留樹脂（封止体）２ｇにレーザ３１を照射し、この残留樹脂２ｇを除去した後、リード３の表面を洗浄することで、リードの表面に形成された（または付着した）異物を確実に除去することができる。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a radiation curable semiconductor wafer that prevents a pressure-sensitive adhesive layer from remaining on the surface of the semiconductor wafer as an etchant is absorbed by the pressure-sensitive adhesive layer exposed at a peripheral part of the semiconductor wafer, and also prevents the surface of the semiconductor wafer from being contaminated owing to entry of grinding water and the etchant due to a deficiency in adhesion.例文帳に追加

半導体ウエハ周辺部分に露出している粘着剤層にエッチング液が吸収されて、これにより半導体ウエハ表面に粘着剤層が残存することを防ぐとともに、密着性不足による研削水やエッチング液の浸入による半導体ウエハ表面の汚染を防ぐことのできる放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。 - 特許庁

If one surface 55a of a second substrate 55 of a second FPC 53 is stacked on the other surface 54b of a first substrate 54 of a first FPC 52 so as to counter each other, a second output bump 61 formed on one surface 55a of the second substrate 55 is exposed from a through hole 66 formed on the first substrate 54 to the side of one surface 54a of the first substrate 54.例文帳に追加

第１ＦＰＣ５２の第１基板５４の他方の面５４ｂに第２ＦＰＣ５３の第２基板５５の一方の面５５ａが対向するように重ねられると、第２基板５５の一方の面５５ａに形成された第２出力バンプ６１は、第１基板５４に形成された貫通孔６６から第１基板５４の一方の面５４ａ側に露出している。 - 特許庁

A decorative cover 8 mounted from a washing place side includes: a cover body; and an auxiliary watertight material 83 for covering a gap generated at the contact part of a floor pan rise 14 and an apron lower end part in the state of hiding the exposed part of a fixing screw 9 and a fixing piece 7, where the mounted cover body clamps the floor pan rise 14 and the lower end part of an apron.例文帳に追加

洗い場側から装着される化粧カバー８は、カバー本体と、装着されたカバー本体が床パン立ち上がり１４とエプロンの下端部とを挟み込む固定用ビス９及び固定用ピース７の露出部分を隠す状態で、床パン立ち上がり１４とエプロン下端部との接触箇所に生じる隙間を覆い隠す補助水密材８３とを備える。 - 特許庁

In the inductively coupled plasma processor for processing an article by plasma generated by the inductive coupling of electromagnetic waves through a dielectric window, the surface of the dielectric window is covered with a conductor and surrounded by the conductor, a part of the conductor is cut to expose its surface, and the inductive coupling of electromagnetic waves takes place through the exposed dielectric window.例文帳に追加

誘電体窓を介した電磁波の誘導結合によりプラズマを発生させ、被処理物を加工する誘導型プラズマ処理装置に関し、誘電体窓表面が導電体部で被覆されるとともに、導電体部で囲まれ、表面が露出するように導電体部の一部が切り欠かれており、露出する誘電体窓を介して電磁波の誘導結合が行われるように構成した。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor chip 5, a wire 4 having a first end 9 in contact with the semiconductor chip and a second end 10 on the other side, and a sealing resin layer 6 for sealing the semiconductor chip and wire, wherein the semiconductor device has no frame since a surface of the second end of the wire is exposed from the sealing resin layer.例文帳に追加

半導体チップ５と、前記半導体チップに接する第一端部９および他方側の第二端部１０を有するワイヤ４と、前記半導体チップと前記ワイヤとを封止する封止樹脂層６と、を有する半導体装置において、前記ワイヤの第二端部の表面が前記封止樹脂層から露出していることから、フレームを有しない半導体装置が得られる。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask on a photosensitive element, exposing the element to chemical rays via the in-situ mask in an environment, having an inert gas and an oxygen concentration ranging from 190,000 to 100 ppm, and processing the exposed element to prepare a relief printing form, having a pattern of an embossed surface segment.例文帳に追加

この方法は、感光性エレメントの上にｉｎ−ｓｉｔｕマスクを形成するステップと、不活性ガスおよび１９０，０００から１００ｐｐｍの間の酸素濃度を有する環境内においてｉｎ−ｓｉｔｕマスクを介して化学線に対してエレメントを露光させるステップと、浮出し面区域のパターンを有する凸版印刷フォームを形成するために露光されたエレメントを処理するステップとを含む。 - 特許庁

Wiring patterns 3-5 are integrally molded by dual component molding inside an insulating body 2 using a synthetic resin in which nickel is blended in dispersion as a conductive filler, nickel thin coats are formed by direct vapor deposition on end faces of wiring exposed from an end surface 2a of the body 2, and the obtained products are used as conductive terminals 6-8.例文帳に追加

二色成形により、絶縁性の本体部分２の内部に導電性フィラーであるニッケルが分散混合された合成樹脂を用いて各配線パターン部３〜５を一体形成し、本体部分２の端面２ａから露出している各配線パターン部３〜５の端面に、ダイレクト蒸着法によりニッケル薄膜を形成し、これらを導通端子６〜８として用いる。 - 特許庁

Using microwave generation sources having two or more kinds of properties, either microwave generation source performs microwave radiation which is not orientated, and the other microwave generation source performs microwave radiation which is orientated, and both the edge parts in the longitudinal direction of the ceramic body 28 are exposed to microwave energy lower than that to the central part in the longitudinal direction of the ceramic body 28.例文帳に追加

２種類の性質を有するマイクロ波発生源を用い、一方のマイクロ波発生源が方向付けされていないマイクロ波放射を行ない、かつ他方のマイクロ波発生源が方向付けされたマイクロ波放射を行なって、セラミック体２８の長手方向の両端部セラミック体２８の長手方向の中央部よりも低いマイクロ波エネルギーに曝されるようにする。 - 特許庁

To provide surface decorating quartz glass which has an excellent adhesion property and thermal impact property, exhibits high corrosion resistance particularly a plasma of a fluorine system and can maintain transparency for a long period of time even when exposed to the plasma, a method for easily manufacturing the surface decorating quartz glass and a member for a semiconductor manufacturing apparatus using the surface decorating quartz glass.例文帳に追加

密着性に優れるとともに熱衝撃性にも優れ、特にフッ素系のプラズマに対して高耐蝕性を示し、プラズマに晒されても長時間透明度を保持できる表面修飾石英ガラス及びこの表面修飾石英ガラスを容易に製造する方法、さらに、この表面修飾石英ガラスを用いた半導体製造装置用部材を提供する。 - 特許庁

The first electrode substrate 10 is formed by patterning metallic auxiliary electrodes 12 on a plane placed opposite to the second electrode substrate 20 of a glass substrate 11, burying gaps between the auxiliary electrodes 12 with flattening films 13 and subsequently forming transparent electrodes 14 which are electrically connected with the auxiliary electrodes 12 exposed from the flattening films 13 on the flattening films 13.例文帳に追加

第１電極基板１０は、ガラス基板１１の第２電極基板２０と対向する対向面に金属製の補助電極１２をパターニングし、この補助電極１２パターンの相互間を樹脂製の平坦膜１３で埋めた後、平坦膜１３上に平坦膜１３から露出する補助電極１２と電気的に接続するように透明電極１４を形成してなる。 - 特許庁

To provide a catalyst composition for manufacturing a polyurethane having a low viscosity, easy to handle, uniform and transparent, which can decrease the number of or necessitate new installation of storage tanks for a catalyst for manufacturing a polyurethane at a site of polyurethane foaming, lessen chances of workers to be exposed to catalysts for manufacturing a polyurethane forced by handling of plural catalysts, and reduce troubles such as compounding errors or the like.例文帳に追加

ポリウレタン発泡現場でのポリウレタン製造用触媒貯蔵タンクの削減及びその新設不要、複数の触媒を取り扱うことによる作業者のポリウレタン製造用触媒に暴露される機会の低減、配合ミス等の不具合の低減が可能な低粘度で取り扱いが容易であり、均一透明なポリウレタン製造用触媒組成物を提供すること。 - 特許庁